【課題】貫通ピンホールがほとんどなく十分な強度を有し、しかも製造が極めて簡単で品質にも優れた炭素系多層薄膜を提供する。
【解決手段】所定の低運動エネルギを与えた炭素イオンをターゲットに対し一定時間照射し、ｓｐ^２構造が支配的なグラファイト状薄膜層を生成するグラファイト状薄膜層生成ステップと、所定の高運動エネルギを与えた炭素イオンを前記ターゲットに対し一定時間照射し、ｓｐ^３構造が支配的なダイヤモンド状薄膜層を生成するダイヤモンド状薄膜層生成ステップとを交互に繰り返し、前記グラファイト状薄膜層とダイヤモンド状薄膜層とが交互に積層してなる多層薄膜を製造するようにした。 （もっと読む）

【課題】 水素含有炭素膜が形成されている基板からの剥離を有効に防止できるなどの新たな特性を有する水素含有炭素膜を提供する。
【解決手段】 炭素と水素とを含む水素含有炭素膜であって、水素含有炭素膜中における水素の含有量が５０原子％よりも多く６５原子％よりも少なく、水素含有炭素膜の密度が１．３ｇ／ｃｍ³よりも大きく１．５ｇ／ｃｍ³よりも小さい水素含有炭素膜である。また、水素含有炭素膜中における水素の含有量が０原子％よりも多く５０原子％よりも少なく、水素含有炭素膜の密度が１．４ｇ／ｃｍ³よりも大きく１．９ｇ／ｃｍ³よりも小さい水素含有炭素膜である。 （もっと読む）

【課題】 実用的なＢＮ膜を生成する。
【解決手段】 各被処理物３６，３６，…は、自公転機構２８によってプラズマ領域６８に順次搬送される。そして、このプラズマ領域６８において、坩堝２２に収容されたホウ素材と、ガス管５８を介して導入される窒素ガスと、を材料とするＢＮ膜が生成される。このとき、各被処理物３６，３６，…には、バイアス電力として、直流成分Ｖｄｃが重畳された高周波電力Ｅｂが供給される。なお、直流成分Ｖｄｃが大きく変動すると、ＢＮ膜の破壊、ひいては剥離を誘発するが、この成膜装置１０においては、電圧制御回路６６によって当該直流成分Ｖｄｃの変動が抑制される。従って、剥離を生じない、実用的なＢＮ膜を生成することができる。 （もっと読む）

本発明は、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＡｓ_zＳｂ_1-zを含有し、ここでパラメータx, y, zは、バンドギャップが３５０ｍｅＶよりも小さくなるよう選定されている半導体素子に関する。この場合、半導体素子はメサ形構造を有しており、このメサ形構造の少なくとも１つの側面に、少なくとも部分的にＡｌ_nＧａ_1-nＡｓ_mＳｂ_1-mを含有するパッシベーション層が設けられており、ここでパラメータnは０．４〜１の範囲から選択され、パラメータmは０〜１の範囲から選択される。
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【課題】 高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆超硬合金製切削工具を提供する。
【解決手段】 表面被覆超硬合金製切削工具が、炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン系サーメットからなる超硬基体の表面に、（ａ）表面層として、０．８〜５μｍの平均層厚を有するＣｒ硼化物層、（ｂ）耐摩耗硬質層として、組成式：（Ｔｉ_1-X Ａｌ_X ）Ｎ（ただし、原子比で、Ｘは０．４０〜０．７５を示す）、を満足し、０．８〜５μｍの平均層厚を有するＴｉとＡｌの複合窒化物層、以上（ａ）および（ｂ）からなる硬質被覆層を物理蒸着してなる。 （もっと読む）

【課題】
薄膜付着力が高く膜質が安定したカーボン膜（ｔａ−Ｃ膜）を形成することができるカソーディックアーク成膜方法の提供。
【解決手段】
成膜チャンバ４に内に設けられた基板ステージ４２を成膜チャンバ４の底部へ向け、対向電極部４９に対向させる。そして、ＲＦ高周波電源４８に高周波を印加することによって基板ステージ４２に装着した基板４１の成膜面４１ａを逆スパッタする。次に、基板ステージ４２をプラズマビーム導入開口部４ａへ向ける。陰極アーク放電によりカーボンターゲット１１を衝撃してカーボンイオンを含むプラズマビームＢを生成し、そのプラズマビームＢを成膜面４１ａに照射してカーボン膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 高速重切削加工で表面被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆超硬合金製切削工具を提供する。
【解決手段】超硬基体の表面に（ａ）下部層として層厚方向にそって、Ａｌ最高含有点（以下点Ａ）とＴｉ最高含有点（以下点Ｂ）とが所定間隔をおいて交互に繰り返し存在し、ＡｌおよびＴｉ含有量がそれぞれ連続的に変化する成分濃度分布構造を有し、点Ａが特定の組成式：（Ａｌ_1-X Ｔｉ_X）Ｎを満足し、上記点Ａと点Ｂの間隔が、０．０１〜０．１μｍからなるＴｉとＡｌの複合窒化物層からなる硬質層、（ｂ）上部層としてＷ：５〜２０原子％、Ｔｉ：５〜２０原子％、窒素：０．５〜１８原子％、を含有し、残りが炭素と不可避不純物からなる組成を有すると共にＷ成分含有の炭素系非晶質体の素地に、結晶質炭窒化チタン系化合物の微粒が分散分布した組織を有する非晶質炭素系潤滑層、以上（ａ）及び（ｂ）で構成された表面被覆層を形成してなる。 （もっと読む）

【課題】 潤滑被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆超硬合金製切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットからなる基体の表面に蒸着形成される潤滑被覆層を、電界放出型走査電子顕微鏡を用い、表面研磨面の測定範囲内に存在する立方晶結晶格子を有する結晶粒個々に電子線を照射して、前記表面研磨面の法線に対して、前記結晶粒の結晶面である{１１１}面の法線がなす傾斜角を測定し、前記測定傾斜角のうち、０〜４５度の範囲内にある測定傾斜角を０．２５度のピッチ毎に区分及び集計してなる傾斜角度数分布グラフにおいて、３〜１５度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在すると共に、前記３〜１５度の範囲内に存在する度数の合計が、傾斜角度数分布グラフにおける度数全体の４５〜６５％の割合を占める傾斜角度数分布グラフを示し、かつ１〜１５μｍの平均層厚を有する窒化クロム層、で構成する。 （もっと読む）

【課題】 真空槽の内部において冷却部材に対し冷媒を導く配管を接続する際に、両者間の接続状態を簡易かつ的確に検知可能な真空処理装置および真空処理装置の検査方法を提供する。
【解決手段】 真空処理装置１００は、真空槽１０の内部空間１０ａを所定圧力未満に減圧した後、制御装置１８によって、第１の開閉手段１５を開いて真空ゲージ１２により検知された圧力値に基づき通流ポート部４３ｉｎ、４３ｏｕｔにおける冷媒配管１３−１、１３−２と冷却部材４４との間の接続状態の正常又は異常を判定するものである。 （もっと読む）

本発明は、クリーン・ルーム対応の、ＰＶＤ法またはＣＶＤ法用のコーティング・システムに関する。前記システムは、ガラス様の層、ガラス・セラミック層および／またはセラミック層が堆積される、少なくとも１つの真空コーティング・チャンバを備える。真空コーティング・チャンバの第１の開口部が、真空排気可能な別個の真空ロック・チャンバ（ロード・ロック）を介してクリーン・ルームに接続される。この真空ロック・チャンバは、基板を真空コーティング・チャンバ内に供給し、基板を真空コーティング・チャンバから取り出すために使用される輸送手段を備える。真空コーティング・チャンバの第２の開口部が、真空コーティング・チャンバをクリーン・ルームから切り離されたグレイ・ルーム領域に接続する。
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【課題】限られたスペースでも効率良く回転機構の組立分解を行なうことができるメンテナンス性及び作業性のよい真空装置を提供する。また、基板ドームの芯振れ防止、ベアリングから発生する粉塵による汚染防止、及び、回転機構の薄型化により成膜精度を向上する。
【解決手段】真空槽、真空槽内部に固定されるベース、ベースに取り付けられる回転機構、及び、成膜基板が搭載され回転機構によって水平に回転される基板ドームからなる真空装置であって、回転機構をベースから真空槽底面方向に着脱可能な構成とした。 （もっと読む）

【課題】摺動表面を容易に平滑化することができ、低い摩擦係数を示す硬質炭素皮膜摺動部材と、このような硬質炭素皮膜摺動部材の製造方法を提供する。
【解決手段】例えば、気相法による硬質炭素皮膜の成膜中に成膜雰囲気の水素分圧を変化させることによって、硬質炭素皮膜を少なくとも最表面の軟質層１と該軟質層２の下層側に位置する硬質層２から成る多層構造とする。 （もっと読む）

【課題】高湿度環境下であっても抵抗値の経時的変化を十分に防止できる透明導電材料、透明導電ペースト、透明導電膜及び透明電極を提供する。
【解決手段】酸化インジウムを含有する透明導電材料であって、（１）この透明導電材料を１ｗｔ％含む混合液のｐＨを３以上、好ましくはｐＨを４〜９とするものであるか、（２）この透明導電材料を１ｗｔ％含む混合液のｐＨを３未満とするものであり且つハロゲン元素濃度が０．２質量％以下であるか、（３）この透明導電材料を１ｗｔ％含む混合液のｐＨを１以上とするものであり且つハロゲン元素濃度が１．５質量％以下である透明導電材料である。 （もっと読む）

【課題】 基体との密着性、皮膜の異層間の密着性に優れた特性を有する硬質被覆層を得るための皮膜形成方法と、この皮膜形成方法により被覆した被覆部材を提供することである。
【解決手段】 蒸発源に複数の陰極物質を装着し、該蒸発源の前面に遮蔽板を設け、真空容器内でプラズマを発生させて基体の表面に陰極物質材料の皮膜を形成する物理蒸着装置を用いて、該基体表面にボンバードメント処理を行うボンバードメント工程と、皮膜を形成する被覆工程とからなり、該ボンバードメント工程は該遮蔽板により該蒸発源の放電による放出物質を該基体から遮蔽した状態で、少なくとも非金属イオンによる該基体のボンバードメント処理を行うことを特徴とする皮膜形成方法である。 （もっと読む）

本発明のコーティング装置は、プロセス・チャンバを含み、カソード・スパッタリングにより基板を被覆する。プロセス・チャンバは、ガス雰囲気を調整・維持するプロセス・ガス注入口及び排出口と、アノードと、スパッタリングされるべきターゲットを有するカソードと、アノードとカソードの間に電圧を発生させる電力源とを有し、電力源は、カソードのターゲット材料をスパッタリングして蒸気に変える電気的スパッタリング源を含む。イオン化電圧を発生させるイオン化手段が、スパッタリングされたターゲット材料の少なくとも一部をイオン化するように設けられる。磁気案内要素を有するフィルタ装置が設けられ、スパッタリングされイオン化されたターゲット材料が磁気案内要素を通って、基板表面に供給され、スパッタリングされたイオン化されていないターゲット材料が、基板の表面に到達する前にフィルタ装置によって取り除かれる。
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【課題】 電子ビーム蒸着法を使用して基板上にＭｇＯ膜を成膜するためにターゲット材として使用する単結晶ＭｇＯ焼結体であって、得られたＭｇＯ膜の密度及び耐スパッタ性を低下させることなく、優れた膜特性例えばＰＤＰ保護膜として使用した場合の放電特性などを向上させること。また、その単結晶ＭｇＯ焼結体の製造方法、ならびに、その単結晶ＭｇＯ焼結体をターゲット材として得られたＰＤＰ保護膜を提供することである。
【解決手段】 焼結体の相対密度が５０％以上９０％未満であり、酸化マグネシウム純度が９７質量％以上であり、かつ、粒径２００μｍ以上の粗大粒子を含むことを特徴とする単結晶酸化マグネシウム焼結体、及び、この単結晶酸化マグネシウム焼結体をターゲット材として使用し、電子ビーム蒸着法、イオン照射蒸着法、又はスパッタリング法により製造したプラズマディスプレイパネル用保護膜である。 （もっと読む）

【課題】 耐摩耗性、耐スカッフィング性および相手材の摩耗を増加させない特性（相手攻撃性）に優れた皮膜が被覆された摺動部材（ピストンリング）を提供する。
【解決手段】 摺動部材（ピストンリング）の外周面３にＢがＣｒ−Ｎ合金に含有されてなるＣｒ−Ｂ−Ｎ合金皮膜４を被覆することによって、上記課題を解決する。このＣｒ−Ｂ−Ｎ合金皮膜が、物理的蒸着法、特にイオンプレーティング法、真空蒸着法またはスパッタリング法で形成されることが好ましく、Ｂ含有量が、０．０５〜２０重量％であることが好ましい。摺動部材の外周面３に設けられるＣｒ−Ｂ−Ｎ合金皮膜４は、耐摩耗性、耐スカッフィング性および相手攻撃性に優れるので、摺動部材の摺動環境が過酷になっても、要求性能を満足させる摺動部材を提供できる。また、摺動部材の全周面又は少なくとも外周面３に窒化層５が設けられ、窒化層５上にＣｒ−Ｂ−Ｎ合金皮膜４が被覆されていることが好ましい。 （もっと読む）

ワークピース（４０、１２０、１４２）の表面をコーティングする装置（１０）であって、ワークピースを通る内部通路（４４、４６、４８）内に圧力勾配を形成するものであり、これにより内部通路内のコーティングが平滑さや硬度に関連する特徴などの意図する特徴を呈するものである。上記装置は協働するシステムを含んでおり、これにはプラズマ発生システム（１２）、操作可能なワークピース支持システム（３４、９０、１２２）、ワークピース内または周囲のイオン化を増加するイオン化励起システム（６６、１１６）、選択された電圧パターンをワークピースに印加するバイアスシステム（５２）および２房室システム（９６、９８）があり、２房室システムはプラズマ発生を第１の選択された圧力で起こさせかつ第２の選択された圧力で堆積を起こさせるものである。
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ｉＰＶＤシステム（２００）は、真空チャンバー（３０）内で突出部（１４）を最小化または除去しながら、フィールド（１０）と底部（１５）被覆と比較して側壁（１６）被覆性を向上させる処理を用いて、障壁層材料（９１２）のような均一な材料を半導体基板（２１）上の高いアスペクト比のナノサイズの開口部（１１）に蒸着するために調整される。そのｉＰＶＤシステム（２００）は、そのターゲットから材料をスパッタするために、低いターゲットパワーと５０ｍＴより高い圧力で動作される。ＲＦエネルギーは、高密度プラズマを生成するそのチャンバーに連結される。小さなＲＦバイアス（数ボルト未満）は、特に、底部における被覆性を高めることを助けるために印加されることができる。
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組成Ａｌ_xＳｉ_yＭｅ_zＮの窒化アルミニウムベースの硬い耐摩耗性コーティングが提案される。ｘ、ｙおよびｚは原子分率を表し、その和は０．９５から１．０５であり、Ｍｅは、ＩＩＩからＶＩＩＩ族およびＩｂ族の遷移金属の金属ドーパントまたはこれらの組合せである。この金属は、コーティングプロセス中に、金属ドーピングのないコーティングよりも高い固有導電率（intrinsic electrical conductivity）を提供する。ケイ素含量は０．０１≦ｙ≦０．４であり、１つまたは複数の金属ドーパントＭｅの含量は、０．００１≦ｚ≦０．０８、好ましくは０．０１≦ｚ≦０．０５、最も好ましくは０．０１５≦ｚ≦０．０４５である。
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