【課題】多孔質金属板と金属板との間の電気抵抗が小さいろう付けによる多孔質金属板と金属板からなる複合板の製造する方法を提供する。
【解決手段】多孔質金属板と金属板をろう付けして複合板を製造する方法において、前記金属板の表面にろう材をスパッタリングによりスパッタリングろう材層を形成し、ついで、前記多孔質金属板をスパッタリングろう材層を挟んで前記金属板に重ねたのち加熱する。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板にＡｌ膜を成膜した表面鏡は、ガラス基板とＡｌ膜との密着性が弱く、硬度、耐高温、耐湿性、耐塩水性のについて十分な耐久性を有していないため、リアプロジェクションテレビの反射鏡に用いることが困難であった。
また、また反射角度が大きい場合の可視光線全域(４００〜７００nm)における反射率が低いという欠点があり、表面鏡の反射角を大きくして、リアプロジェクションテレビの奥行きを小さくすることが困難であった。
【解決手段】ガラス基板の表面がイオンエッチング処理され、金属膜がＡｌ膜を該イオンエッチング処理したガラス基板表面に成膜されてなる表面鏡である。
金属酸化物膜は、Ａｌ膜の上にＳｉＯ_２膜、Ｎｂ₂Ｏ₅膜を順次積層してなる。 （もっと読む）

【課題】 装置本体のチャンバー部大きくなるか又は、２室以上の真空槽必要となる為、装置が大型化したり、装置費用が高額になるというコストの問題が発生していた。
【解決手段】 円筒状のターゲットユニットにおいて２種以上の膜形成を行なう為に、円筒状のターゲットを連なって配置し、円筒状のカソード電極及び、アノード電極を共にスムースさせてプラズマを発生させる事により、従来１元ごとに構成していたターゲットユニットを簡略化することで、装置コストを大幅に削減する事が可能になる。 （もっと読む）

【課題】酸化物中の酸素の一部を窒素で置換した遷移金属のオキシナイトライドは、光触媒機能を有するものがあることが知られており、酸性電解質中で安定に存在することができる。しかしながら、これらの遷移金属のオキシナイトライドは還元電流が小さく、触媒活性が低く、これまで、酸性電解質中において可逆水素電極電位に対して0.4V以上の電位で使用されるような遷移金属オキシナイトライドは見出されていなかった。
【解決手段】電極触媒担体材料を２００℃以上に加熱した状態でＴａ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｚｒからなる弁金属の群から選択される少なくとも一つの遷移金属元素のオキシナイトライド薄膜をスパッタリング法により該担体材料表面に付着させることによって、酸性電解質中において可逆水素電極電位に対して0.4V以上の電位で使用される金属オキシナイトライド電極触媒を得ることを特徴とする電極触媒の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 直受け構造コンロッドにおいて、従来のPb,Snもしくは樹脂系オーバレイの耐面圧性能は、20 〜25MPa程度であり、又Al-Pb系オーバレイは13MPa程度であり、半円形すべり軸受の耐面圧性能よりはかなり低い。本発明は、軸受面圧保証性能が高いMoS₂系コーティング軸受を提供する。
【解決手段】 コンロッド(1)摺動面にAl-Sn系合金2をスパッタにて被着し、Al-Sn系合金2上にMoS₂-樹脂系オーバレイ3を塗布焼付した直受コンロッド。 （もっと読む）

【課題】 より微細な構造の形成を行うことの出来る、熱化学加工法による炭素材料の処理方法を提供すること。
【解決手段】
炭素材料１の処理面に単結晶金属薄膜２を成膜する第１の工程と、該炭素材料１に対して熱処理を行って熱化学加工を行う第２の工程とを有する炭素材料１の処理方法において、当該第１の工程がスパッタリングの工程により行われ、当該スパッタリングの工程は、０.０１Ｐａ〜１０Ｐａの圧力下で該炭素材料１を６００〜１８００℃に加熱しながら、２００〜１０００Ｗのスパッタ電力を印加して該炭素材料１上に単結晶金属薄膜２を成膜させる工程であることを特徴とする炭素材料１の処理方法である。 （もっと読む）

【課題】
スパッタ粒子または蒸発粒子を反応させることによる成膜対象物表面の成膜の成膜速度が速い成膜装置および成膜方法の提供。
【解決手段】
ＥＣＲによってアルゴンガスがイオン化されて生成したプラズマ中のアルゴンイオンがターゲット電圧による電界によってスパッタカソード方向に加速され、スパッタカソード５に入射すると、アルミから成るスパッタ粒子がスパッタカソード５から基板６方向へと放出される。一方、中性粒子ビーム生成室８では、プラズマから多量の負イオンが発生する。発生した負イオンは、グリッド電極１０へ向かって加速され、グリッド電極１０の細穴を通過すると負イオンの電荷が取り除かれ、中性粒子ビームとして基板６方向へ照射される。基板６方向へ放出されたアルミのスパッタ粒子は、基板６表面で窒素の中性粒子ビームと化学反応し、その反応生成物による窒化アルミ薄膜が基板６の表面に形成される。 （もっと読む）

【課題】 同一の装置で同時に複数の表面処理を実施することができ、多機能化により小型で且つ低コストな巻取式複合真空表面処理装置を提供する。
【解決手段】 略円筒状の真空容器１１内で回転するキャンロール１３に沿って移動するフィルム１０に表面処理を施す装置であって、真空容器周壁１１ｂにキャンロール１３に対向して固定された複数の表面処理手段と、真空容器底板１１ａに固定され処理ゾーンを分離する一対の第１遮蔽板１７と、真空容器周壁１１ｂに固定され２以上の表面処理手段と１以上の未配置周壁部２０を含む複数の処理室Ａ、Ｂ、Ｃを区画する複数の第２遮蔽板１８と、真空容器底板１１ａに固定されフィルム処理位置以外を覆うマスク板１９とを備え、真空容器周壁１１ｂ又はその一部を未配置周壁部２０が存在する方向に回動させることにより、処理室Ａ、Ｂ、Ｃのフィルム処理位置に対向する表面処理手段を変えることができる。 （もっと読む）

【課題】 ２種類以上の物質から安定した光学性能を有する混合膜を得ることができる薄膜形成装置及び薄膜形成方法並びにこの薄膜形成方法によって成膜された光学薄膜を提供すること。
【解決手段】 成膜される第一基板３に成膜物質を提供する第一スパッタリングターゲット５及び第二スパッタリングターゲット６と、第一基板３が配される第一ヤトイ１２及び第二基板１３が配される第二ヤトイ１５が配される回転保持具１６と、回転保持具１６を回転移動して第一位置１８と第二位置２０との間で第一ヤトイ１２及び第二ヤトイ１５を通過させる回転モータ２２と、回転保持具１６と第一スパッタリングターゲット５との間に配されて可変する第一開口部を有する第一可変機構２５と、回転保持具１６と第二スパッタリングターゲット６との間に配されて可変する第二開口部を有する第二可変機構２７と、第二基板１３の成膜状態を検出する測定器とを備えている。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜を形成するための、セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板及び該単結晶薄膜が形成されている薄膜基板を実現し、さらに発光効率に優れた発光素子などの電子素子を実現する。
【解決手段】基板としてセラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を用いることでその上に窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜が形成できる。また、結晶性の高い単結晶薄膜が形成された薄膜基板を提供できる。さらに、このようなセラミック材料を主成分とする焼結体を用いることで発光効率に優れた発光素子などの電子素子を提供できる。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリングターゲット使用時、特に使用初期に発生するスパッタリング不良（スプラッシュ、アーキング）の発生期間および発生数を低減することができるAl系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 (1) スパッタリング面に相当するスパッタリングターゲットの表面において、最大深さ 0.1μm 以上かつ円相当直径 0.2μm 以上の凹部で定義される凹状欠陥のうち、最大深さ 0.2μm 以上の凹状欠陥の総数が、単位表面積１mm² あたり45000 個以下であることを特徴とするAl系スパッタリングターゲット、(2) 上記と同様のスパッタリングターゲットの表面において、最大深さ 0.1μm 以上かつ円相当直径 0.2μm 以上の凹部で定義される凹状欠陥のうち、円相当直径 0.5μm 以上の凹状欠陥の総数が、単位表面積１mm² あたり15000 個以下であることを特徴とするAl系スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

相互接続構造において導電性バリヤ層又は他のライナ層を堆積させるための製造法、プロダクトストラクチュア、製造法、及びスパッタリングターゲット。バリヤ層（８２）は、アモルファスであってもよいがそうである必要がない、耐火性貴金属合金、例えば、ルテニウム/タンタル合金の導電性金属を含む。バリヤ層は、同様の組成のターゲット（９０）からスパッタすることができる。バリヤとターゲットの組成は、耐火性金属と白金族金属の組合わせ、例えば、ＲｕＴａから選ばれてもよい。銅貴金属シード層（１１２）は、誘電体（６６）の上のバリヤ層（７０）と接触させた銅とルテニウムの合金から形成することができる。 （もっと読む）

【課題】０．６ｍｍ以下のより薄い光ディスク基板を用いても光ディスク基板が変形せず、しかもスループットを低下させることがない光ディスク基板成膜装置および光ディスク基板成膜方法を提供すること。
【解決手段】基板の面上に薄膜を成膜して光ディスクを作成する光ディスク基板成膜装置において、光ディスク基板１をホルダー部３で固定し、さらにホルダー部３に光ディスク基板１の被成膜領域Ｓの裏面の少なくとも一部と密着する密着支持面Ｓ'を設ける。 （もっと読む）

【課題】 同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。
【解決手段】 真空チャンバを、スパッタリング法を実施できるスパッタ室１１ａと、化学的成膜法を実施できる化学的成膜室１１ｂとに左右に区画し、スパッタ室内及び化学的成膜室の各成膜位置の間で処理基板Ｓを移動自在とする基板搬送手段３を設ける。この場合、スパッタ室内で処理基板とこの処理基板に対向して配置されるターゲットと間の距離に対し、化学的成膜室内で処理基板とこの処理基板に対向した化学的成膜室の内壁との間の距離を０．０７〜０．３の範囲に設定する。 （もっと読む）

【課題】 ターゲット表面に、広い範囲で高いイオン密度のプラズマを形成し、更に高いイオン密度のプラズマを無駄なく、効果的に基板まで移動させ、成膜することを狙ったものである。
【解決手段】 基板上に膜を形成するための多重磁極マグネトロンスパッタリング成膜装置であって、上記ターゲットの裏面中央部に一方の磁極からなる中心磁石が配設され、上記ターゲットの裏面円周方向周囲に他方の磁極からなる複数の外周磁石が配設され、上記ターゲット表面の円周方向外側位置に第１外部磁石及び第２外部磁石が配設され、上記ターゲットと上記基板とを結ぶ方向を軸としてコイルが巻回され、上記コイルに高周波電力が付与され、上記ターゲット及び上記基板間に電力が印加され、ターゲットから膜材料粒子が放出され、基板に成膜される。 （もっと読む）

【課題】 可撓性があり、衝撃応力に強く、かつ、水分や酸素に対してより高い遮蔽性を有するパッシベーション膜を形成する。
【解決手段】 エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、パッシベーション膜は、ターゲット材料として炭素を用い、ＡｒガスとＯ_２ガスとＮ_２ガスとを含む混合ガスをスパッタガスとして真空チャンバーＷ内に供給し、スパッタ法により成膜するようにしてあり、そのスパッタ法によるパッシベーション膜の成膜条件を、Ａｒガスの供給流量を５〜１００ｓｃｃｍ（８．４５×１０^−３〜１．６９×１０^−１Ｐａ・ｍ^３／ｓ）、Ｏ_２ガスの供給流量を０〜５０ｓｃｃｍ（０〜８．４５×１０^−２Ｐａ・ｍ^３／ｓ）、Ｎ_２ガスの供給流量を０〜４０ｓｃｃｍ（０〜６．７６×１０^−２Ｐａ・ｍ^３／ｓ）、真空チャンバーＷ内の真空度を０．０１〜１０Ｐａとしてある。 （もっと読む）

【課題】基材を搬送台に配置した状態でプラズマ処理と物理的気相蒸着法による成膜処理を経ることにより基材の表面に金属膜を形成するにあたり、同一の搬送台を繰り返し用いても基材と金属膜との間の高い密着性を維持することができる金属膜の形成方法を提供する。
【解決手段】基材１を保持した搬送台２をプラズマ処理用の保持電極３上に配置して、前記保持電極３と対向電極４との間に電圧を印加することにより基材表面にプラズマ処理を施す工程と、前記搬送台２に基材１を保持した状態でこの基材１に対して物理的気相蒸着法により金属膜７を形成する工程とを含む。前記搬送台２が、一面が前記プラズマ処理工程において保持電極３と接すると共に他面が前記基材１と接する導電性の導電体部８と、前記導電体部８の周囲を取り囲む電気絶縁性の絶縁体部９にて構成されている。 （もっと読む）

【課題】 同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。
【解決手段】 真空チャンバ内に基板ステージ１２を配置し、ターゲット４１ａを有するスパッタリング成膜手段を、基板ステージの中心軸に対し所定の角度で傾斜させて設けると共に、化学的成膜手段を設ける。ターゲットと基板ステージとの間に、前記ターゲットを設けた真空チャンバの上方領域を隔絶するように遮蔽手段５を回転自在に設け、この遮蔽手段の所定の位置に前記ターゲットが臨む開口部５１を形成する。 （もっと読む）

【課題】 良好な耐摩耗性、耐焼き付き性等を有するとともに、基材への密着性及び靭性にも優れた窒素含有クロム被膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 膜厚方向の中間部１１ｂの含有窒素濃度を他の部位１１ａ，１１ｃの含有窒素濃度より高くした窒化含有クロム被膜１１である。膜全体としての耐摩耗性、耐焼き付き性等の特性は、前記中間部１１ｂの含有窒素濃度が高く、したがって、前記中間部１１ｂの硬度が高いことによって担保される。また、膜厚方向における含有窒素濃度の違いにより、前記中間部１１ｂにおいて硬度が高く、その両側の基材側１１ａ及び被膜表面側１１ｃにおいて、硬度が低くなっている。したがって、膜全体としての靭性も良好となる。加えて、前記基材側１１ａにおいては、含有窒素濃度が前記中間部１１ｂより低い分だけクロム濃度が高いので、基材４に対する密着性も良好となる。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を高速かつ安定して成膜する方法を提供する。
【解決手段】カバー２６内部にＩｎ−Ｇａ酸化物よりなる第１のターゲットとＺｎ酸化物よりなる第２のターゲットを設け、これらの上方に基板１を配置し、ポンプによってカバー２６内を真空にした後、不活性ガス中に酸素を含有させた混合ガスをカバー２６内に導入する。ターゲット２１ａ，２１ｂに交互にパルスパケット状の電圧を印加する。ターゲット２１ａ，２１ｂのスパッタ時におけるＩｎ、Ｇａ及びＺｎの放電の発光波長と発光強度が、ＰＥＭ３１ａ，３１ｂによって検知される。各ターゲット２１ａ，２１ｂのスパッタ速度が算出され、この算出結果に基づき、各ターゲット２１ａ，２１ｂに付与されるパルス電力、パルス量及びパルス幅、カバー２６内に供給する酸素量、並びにカバー内の圧力が制御される。 （もっと読む）