【課題】純度９９．９９９９重量％以上の銅からなるスパッタリングターゲット、及び銅を用いたスパッタリングターゲットを用いて配線された、耐酸化性、耐エレクトロマイグレーション性、耐ストレスマイグレーション性に優れた銅配線を持つ半導体素子を提供する。
【解決手段】ガス成分を除いた純度９９．９９９９重量％以上の銅からスパッタリングターゲットを作成して、このスパッタリングターゲットを用いて成膜された配線を、真空中又は不活性ガス雰囲気で４５０゜Ｃ未満の温度の熱処理を行うことにより、配線の結晶粒を粗大化して、粗大化した配線の結晶粒の大きさが２μｍ以上にして、粗大化した配線の結晶粒の幅と長さの比を６倍以上、厚さと長さの比を２．５倍以上にする。 （もっと読む）

【課題】表面抵抗が小さく、充分な熱線反射機能を有する透明導電フィルムを提供しようとするものである。
【解決手段】本発明は、透明な基材フィルム２と、基材フィルム２の表面にスパッタリングにより順次積層形成された、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）からなる第１導電層３１、Ａｇ（銀）からなる第２導電層３２、ＩＴＯからなる第３導電層３３とを有する。第１導電層３１の膜厚は５〜１００ｎｍであり、第２導電層３２の膜厚は５〜５０ｎｍであり、第３導電層３３の膜厚は５〜１００ｎｍであることが好ましい。 （もっと読む）

金属板をクロック圧延して所望厚さの圧延板とする工程を含む金属の処理方法。スパッタリングターゲットおよびその他の金属部材も開示。
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【課題】 有機物の基板への付着を防いだ良質な薄膜を提供する。
【解決手段】 基板１を処理室１２に導入し処理する際，２段のロードロック室１０，１１を介して導入する。１段目のロードロック室１０は大気圧のまま不活性ガス雰囲気に置換する。２段目のロードロック室１１は，ベーキングヒータ２０を有している。内壁に有機物５が付着した状態で減圧すると，内壁の有機物５が脱離し基板１を汚染するが，有機物５の付着していない２段目のロードロック室１１内で減圧することにより，基板１への有機物５の付着を防止する。 （もっと読む）

【課題】
高い可視光透過性をと高い遮熱性を有する低放射ガラスの作製を課題とする。【解決手段】
Ａｇ膜がマグネトロンスパッタリング法で成膜時の放電電圧が２００〜３５０Ｖに保持し、Ａｇターゲット表面の磁界の強さが、Ａｇ膜の成膜時に、７００〜１２００エルステッドに保持して、Ａｇ膜を成膜する。ガラス基板上に酸化物膜と前記Ａｇ膜の成膜方法でなるＡｇ膜とが交互に２ｎ（ｎ≧１）層をなし、かつ最上層のＡｇ膜の上に酸化物膜が積層されてなる低放射ガラスである。 （もっと読む）

【課題】電界発光（ＥＬ）素子および、希土類元素がドープされたシリコン（Ｓｉ）／二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）格子構造の形成方法の提供。
【解決手段】基板を被うＳｉ層のＤＣスパッタリングする工程１００４と、該Ｓｉ層へドープするための希土類元素のＤＣスパッタリングする工程１００６と、希土類元素がドープされたＳｉ層を被うＳｉＯ_２層のＤＣスパッタリングする工程１０１０と、格子構造を形成する工程１０１２と、希土類元素がドープされたＳｉ層においてナノ結晶を形成するためのアニール工程１０１４とを含む。一形態において、希土類元素およびＳｉは、同時ＤＣスパッタされる。格子構造において、ＳｉＯ_２層と希土類元素がドープされたＳｉ層が交互に複数積層されるように、ＳｉのＤＣスパッタリング、希土類元素のＤＣスパッタリング、およびＳｉＯ_２のＤＣスパッタリングする工程は５〜６０回繰り返される。 （もっと読む）

【課題】コンプレッサの潤滑条件が厳しい位置に使用された場合でも、寿命の長い転がり軸受を提供する。
【解決手段】第１のレース１０１および第２のレース１０２の軌道輪１０１ａ，１０２ａと、円筒ころ１０３の周面（転動面）に、下地層および中間層を介したＤＬＣ層か、拡散浸透処理によるバナジウムカーバイト（ＶＣ）、チタンカーバイト（ＴｉＣ）、ジルコニウムカーバイト（ＺｒＣ）、ニオブカーバイト（ＮｂＣ）、またはタンタルカーバイト（ＴａＣ）からなる金属炭化物層を形成する。 （もっと読む）

シート状基材を処理するための方法および設備を提供する。前記方法および設備は、シート状基材の両主表面上へのコーティングの蒸着に有用である。また、両主表面上にコーティングを有する基材を提供する。好ましくは、基材の対向する主表面上のコーティングは、構造が異なるが、少なくとも２つの膜領域、いくつかの実施形態においては、少なくとも３つの膜領域の構造配列が共通している。
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本発明は、金属プレートの２つの表面のうちの一方のみを平坦化することによる、金属ブランク、ディスク及びスパッタリングターゲットの製造における改善に関する。金属プレートの第二表面の平坦化をなくすことにより、顕著なコスト削減がなされる。本発明の金属プレートは、好ましくは片面平坦度が０．００５インチ以下であり、ターゲットブランクとバッキングプレートとの間の接合の信頼性が改善される。好ましい金属には、タンタル、ニオブ、チタン及びそれらの合金などがあるが、これらには限定されない。また、本発明は、金属プレートの第一面を機械加工し、第一面をバッキングプレートに接合した後、必要に応じて金属プレートの第二面を機械加工することに関する。
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【課題】 均一な成膜が可能である電子ビーム蒸着法やスパッタリング法等の真空成膜法を用い、かつ微粒子サイズが均一かつ微細に分散した薄膜を作製することができる、ナノサイズの金属微粒子分散複合体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 金属酸化物若しくは窒化物、半導体酸化物若しくは半導体窒化物又は非金属酸化物若しくは非金属窒化物から選択した少なくとも１種類からなるターゲットと、ランタノイド元素又はビスマスから選択した少なくとも1種類の元素を含んだ銀を主成分とするターゲットを用いて、高周波スパッタリングにより、基板上に前記金属酸化物若しくは窒化物、半導体酸化物若しくは半導体窒化物又は非金属酸化物若しくは非金属窒化物から選択した少なくとも１種類からなる透明又は不透明な膜中に前記銀を主成分とする金属微粒子が分散した複合体を形成することを特徴とする金属微粒子分散複合体の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、窒素残留ガスを用いて、混相の圧縮性タンタル薄膜（１１２）を形成する方法（２００）を包含する。当該方法（２００）は、所定のβタンタル対αタンタル比率に応じて、プラズマスパッタリング時の窒素残留ガス圧を選択すること（２０４）を含むことができる。当該方法（２００）は、３００℃未満の基材温度において実行することができる。混相の圧縮性タンタル薄膜（１１２）及び流体吐出デバイス（１００）も開示する。
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【課題】 化学的方法や熱プラズマによる溶融精錬といった高価な方法を利用することなく、使用済みの高融点金属系ターゲット材から、高融点金属系粉末を容易にかつ安価に安定して製造する方法を提供する。
【解決手段】 使用済みの高融点金属系ターゲット材を、削出し処理してダライ粉とし、該ダライ粉を粉砕処理して微粉末とした後、さらに真空または還元雰囲気で熱処理をする高融点金属系粉末の製造方法である。また、使用済みの高融点金属系ターゲット材を、削出し処理してダライ粉とし、該ダライ粉を真空または還元雰囲気で熱処理をした後、さらに粉砕処理して微粉末とする高融点金属系粉末の製造方法である。 （もっと読む）

制御された酸素及び窒素含有量レベルを有するスパッタリングターゲット及び他の金属物品を形成する方法、並びにそうして形成された物品が記載される。本方法は、脱酸素化された金属粉末を表面窒化することを含み、この粉末を粉末冶金法によって圧密することをさらに含む。好ましい金属粉末としては、タンタル、ニオブ及びそれらの合金を含むバルブ金属が挙げられるがそれらに限定されない。 （もっと読む）

【課題】 大面積基板に対応可能なように、広い面積のターゲット金属の表面上に沿って平行な磁場を形成することを可能とする。。
【解決手段】 マグネトロン型イオンスパッタ用ターゲット電極は、磁性体からなり、表面上に同心状の複数のヨーク磁極部４を立ち上げて設けた板状の磁極ヨーク１と、この磁極ヨーク１の前記複数のヨーク磁極部４の間に磁極を何れも同じ方向に向けて同心状に配列された磁石２とを有する。これら磁石２と磁極ヨーク１との間に放射状に磁場を形成し、この磁場に沿ってスパッタ面が位置するように磁石２と磁極ヨーク１との間にターゲット金属３を配置している。 （もっと読む）

本発明の薄膜形成装置（１）は、真空容器（１１）内に反応性ガスを導入するガス導入手段と、真空容器（１１）内に反応性ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生手段（６１）を備える。プラズマ発生手段（６１）は、誘電体壁（６３）と渦状のアンテナ（６５ａ，６５ｂ）を有して構成されている。アンテナ（６５ａ，６５ｂ）は、高周波電源（６９）に対して並列に接続され、アンテナ（６５ａ，６５ｂ）の渦を成す面に対する垂線に垂直な方向に隣り合った状態で設けられている。
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本発明は、熱処理を行わなくても実用に値する光触媒部材を提供することを目的とする。
本発明の光触媒部材は、基材表面に下地層を介して光触媒層が形成されたものである。前記下地層は結晶性ジルコニウム化合物、とりわけ単斜晶系ジルコニウム化合物を主成分とし、前記光触媒層は結晶相から構成され、例えば正方晶系酸化チタンを主成分とする。そして、前記基材は耐熱性の低い要素を含むものである。
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【課題】アスペクト比が大きい凹部を持つ被処理体の表面に凝集性の高い金属を用いた場合であっても連続した薄膜を形成すること。
【解決手段】基板を反応容器内に搬入、載置する工程と、反応容器内に第１の金属の化合物を含む原料ガスを供給して基板表面に当該第１の金属の化合物を吸着させる工程と、この第１の金属の化合物を還元性ガスを活性化させた還元用プラズマに接触させて第１の金属層を得る工程と、第１の金属とは異なる少なくとも表面部が第２の金属からなるターゲット電極にスパッタ用プラズマを接触させて叩き出した第２の金属を第１の金属層に注入して合金層を得る工程と、を含み、これらの吸着、還元、合金化の一連の工程を１回以上行う成膜方法を提供する。この方法により第一の金属の凝集力が強い場合でも基板における移動が抑制されて、連続した膜厚の小さい薄膜を形成できる。 （もっと読む）

本発明は、溶解鋳造したタンタルインゴット又はビレットを鍛造、焼鈍、圧延等の加工を行うことによって製造されたスパッタリング用ターゲットであって、タンタルターゲットの組織が未再結晶組織を備えていることを特徴とするタンタルスパッタリングターゲットに関する。鍛造・圧延等の塑性加工工程及び熱処理工程を改良・工夫することにより、成膜速度が大きく、膜の均一性（ユニフォーミティ）に優れ、またアーキングやパーティクルの発生が少ない成膜特性に優れたタンタルスパッタリング用ターゲット及び該ターゲットを安定して製造できる方法を得る。
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基板上に、第１の金属成分からなる金属部分と、上記第１の金属成分とは異なる第２の金属成分の化合物からなる金属化合物部分とが互いに混合分散してなる複合薄膜を形成し、次いで上記複合薄膜中の金属成分を除去すること、又は基板上に、第１の金属成分からなる第１の金属部分と、上記第１の金属成分とは異なる第２の金属成分からなる第２の金属部分とが互いに混合分散してなる複合薄膜を形成し、次いで上記複合薄膜中の第１又は第２のいずれかの金属部分のみを除去することを特徴とする多孔質薄膜の形成方法を提供する。
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本発明は、円筒形ターゲットと、円筒形ターゲットを揺動させるよう適合されたモータアセンブリと、シールドと、マグネットアセンブリとを含む円筒形揺動シールドターゲットアセンブリに関する。本発明の実施形態はまた、外面が複数の分割された区分を含む円筒形ターゲットを含み、該区分は、ターゲットの周囲に長手方向に配置されて、ターゲットの長手方向にわたって延びる帯状部を形成する。各区分は、ガラスのような基材上に別のコーティングとして施されるよう意図された、銀、チタンまたはニオブのような単一のスパッタリング材料を含む。
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