本発明は、バリヤー層を形成するための方法を含む。材料はECAEターゲットからアブレートされ、基体表面上にわたって1%未満またはそれと同等の1シグマの厚みバラツキを有する層を形成する。本発明は、トンネル接合を形成する方法を含む。薄フィルムは、第１の磁性層と第２の磁性層との間に形成される。その薄フィルム、第１の磁性層および／または第２の磁性層は、ECAEターゲットから材料をアブレートすることにより形成され、非ECAEターゲットを使用して形成された対応する層と比較して改善された層厚み均一性を呈する。本発明は、物理蒸着ターゲットおよびそのターゲットを使用して形成された薄フィルムを含む。そのターゲットは、アルミニウムとGa、ZrおよびInから選択された少なくとも１つの合金化元素との合金を含有する。得られたフィルムは、その薄フィルム上にわたって1.5%未満の1シグマの厚みバラツキを有する。
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本発明は、ある実施形態において、薄膜を付し、その後、そのスパッタフィルムの上を覆って仮保護フィルムを付すスパッタ堆積技術を提供する。薄膜は、任意的に、酸化ガス及び／又は不活性ガスを含有するガススパッタリング雰囲気において、ターゲットをスパッタすることによって付すことができる。本発明は、ある実施形態において、例えば、スパッタリングによって、少なくとも１つの主表面上に堆積させた、仮保護フィルムを担持する薄膜コーティングを有する断熱板ガラスユニット又はモノリシック窓板に関する。本発明は、また、そのような製品の高効率な製造方法を含む実施形態も提供する。 （もっと読む）

【課題】高真空環境下のような水分やガスが十分に存在しない環境下においても優れた潤滑性を有するとともに、優れた耐摩耗性及び耐久性を有する転がり摺動部材及び転動装置を提供する。
【解決手段】深溝玉軸受の内輪１の軌道面１ａ，外輪２の軌道面２ａ，及び転動体３の転動面３ａのうち少なくとも１つは、ダイヤモンドライクカーボン膜Ｄで覆われている。このダイヤモンドライクカーボン膜Ｄは、Ｃｒ，Ｗ，Ｔｉ，Ｓｉ，及びＮｉのうち少なくとも１種の金属からなる金属層Ｍと、金属層Ｍを構成する金属と炭素との化合物からなる複合層Ｆと、炭素からなるカーボン層Ｃと、の３つの層で構成されていて、これらの３つの層は表面側からカーボン層Ｃ，複合層Ｆ，金属層Ｍの順に配されている。さらに、カーボン層Ｃには水素が含有され、カーボン層Ｃ中の炭素原子の数Ｃと水素原子の数Ｈとの比Ｈ／Ｃは、０．２以上０．５以下である。 （もっと読む）

一つの実施形態において、本発明は、バリア特性を有する複合フィルムに関する。より具体的には、可撓性プラスチック基板上に窒化ケイ素ベースのコーティングを備える複合フィルムに関する。この窒化ケイ素ベースのコーティングは、約２２０nm以下の厚みを有し、少なくとも７５容量％の窒素を含む大気中においてシリコン標的のスパッタリングによりプラスチック基板上に堆積される。この複合バリアフィルムは、少なくとも約７５％の可視光透過率を有する。別の実施形態において、本発明は、複合バリアフィルムを形成するためにプラスチック基板上に窒化ケイ素ベースのコーティングを堆積させるバリア方法に関する。この方法は、少なくとも約７５容量％の窒素を含む大気中において、シリコン標的のスパッタリングにより基板上の窒化ケイ素ベースのコーティングを堆積させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】転がり摺動部材から発生する摩耗粉を簡易にトラップする。
【解決手段】被処理体に対してアモルファス状又は多層状に固体潤滑膜を成膜する。この成膜は、スパッタリングされるためのターゲット１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄと、ターゲットの表面に非平衡磁場を発生させる非平衡磁場発生手段１１，１２と、ターゲットからスパッタリングされる物質が付着するように被処理体を対向配置するための配置手段１４とを有し、電磁的に閉鎖した状態で被処理体に成膜する閉鎖磁界不均衡マグネトロンスパッタ（ＵＢＭＳ）装置を用いて行われる。そして、ターゲットの少なくとも１つ（１６ｂ）は磁性体（Ｎｉ）によって構成されているので、かかる装置によって成膜される固体潤滑膜は、被処理体に成膜された状態のときには磁場の影響をほとんど受けず、外力を受けることによって粉体となったときには磁場の影響を受ける。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＰの間に浸食も樹状突起も発生させない銅相互接続部を提供すること。
【解決手段】 不純物含有銅シード層（４４０）を備える相互接続部によって、後工程半導体デバイスの銅相互接続部の縁の欠陥が緩和される。不純物含有銅シード層（４４０）が障壁層（２３０）を覆い、障壁層（２３０）が開口部を有する絶縁層（１１５）を覆う。電気めっき銅が絶縁層（１１５）の開口部を埋める。化学的機械研磨により、障壁層（２３０）と、電気めっき銅浴から得られた不純物含有銅シード層（４４０）と、電気めっき銅とが、絶縁層（１１５）に平坦化される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、高い原料利用効率、大面積対応、高い安全性を具備したスパッタ法の利点を生かし、高い品質の４族元素からなる半導体単結晶薄膜、および半導体多結晶薄膜を形成する半導体薄膜製造装置および方法を提供する。
【解決手段】 希ガスと水素の混合スパッタガスを用いること、真空容器の到達最低圧力を１×１０^−７Ｔｏｒｒ未満の超高真空領域に下げること、マグネトロン方式でスパッタすること、スパッタ成膜とスパッタ成膜の間のスパッタガスを流していないときに、スパッタターゲットを含むスパッタガンの圧力を１×１０^−７Ｔｏｒｒ未満に維持し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に保つことが重要で、これらの組み合わせによって初めて、これらが相補的に機能し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に維持され、また、堆積薄膜への酸素の混入量が検出限界以下となり、また、堆積薄膜に対する損傷やエッチング効果が抑制され、実用レベルの高品質、高純度の４族系半導体結晶が形成できる。 （もっと読む）

【課題】真空紫外領域での光吸収を低減させ、赤外領域から真空紫外領域までの広い光波長範囲にわたって良好な光学特性を発揮する薄膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】この成膜方法は、ラドンガス、キセノンガス、クリプトンガス、又はアルゴンガスのうち少なくともいずれか１以上のガスを選択する第１のガス選択ステップと、ネオンガス又はヘリウムガスのいずれか１以上のガスを選択する第２のガス選択ステップと、第１ガス選択ステップにより選択されたガスと第２ガス選択ステップにより選択されたガスとをその混合比を調整して混合する混合ステップと、その混合ガスをスパッタリングガスとして用いて基材表面にスパッタリングにより薄膜を成膜する成膜ステップとを有している。 （もっと読む）

本発明は、放射体１０及び放射体を製造する方法に関する。特に、本発明は、全体構造のサーマル放射率を増加させるのに役立つ薄膜コーティング５を有する放射体１０に関する。放射体１０は、基板１２、アモルファスカーボン層１６、及び前記基板１２と前記アモルファスカーボン層１６の間に挿入された金属化カーバイド形成層１４を備えている。さらに、放射体を製造する方法は、基板上に金属化カーバイド形成層を形成する工程、及び前記金属化カーバイド形成層上にアモルファスカーボン層を形成する工程を備える。 （もっと読む）

基板上に、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｎ、Ｂａ及びＡｌ並びにこれらの酸化物の群から選ばれた少なくとも１種の添加物を含有する貴金属からなる第１の電極層と、膜厚が０．５〜５μｍであり、化学組成が、（Ｐｂ_{（１−ｙ）}Ｌａ_ｙ）Ｔｉ_{（１−ｙ／４）}Ｏ_３、（０＜ｙ≦０．２）、または、（Ｐｂ_{（１−ｙ）}Ｌａ_ｙ）（Ｚｒ_ｘＴｉ_{（１−ｘ）}）_{（１−ｙ／４）}Ｏ_３、（０＜ｘ≦０．２または０．５５≦ｘ＜０．８、０＜ｙ≦０．２）、で示されたペロブスカイト型結晶構造の焦電体層と、第２の電極層とをこの順序で形成し、焦電体素子とする。
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【課題】 本発明は、円板型の対向ターゲットを使用することにより、薄膜形成時に発生する高いエネルギーを有する粒子の基板衝突による膜の損傷を防止し、前記円板型の対向ターゲットの周りに複数の基板を回転させて薄膜を形成することにより、大量生産に適合したスパッタリング装置及びこれを用いた有機電界発光表示装置の製造方法を提供するためのものである。
【解決手段】 本発明は、胴体をなすチャンバーと、前記チャンバーの内壁に沿って複数の基板を装着できる基板装着部と、を備えるチャンバー部と、所定の距離を置いて対向配置されて拘束空間を形成する一対の対向スパッタリングターゲットと、前記一対のターゲットの各々の背面に設けられて前記拘束空間に磁界を発生させる磁界発生手段と、を備えてなされる。 （もっと読む）

【課題】 膜の界面の粗さ及び表面粗さを低減し、優れた光学特性を有する多層膜ミラーを比較的低コストで製造することができる多層膜ミラーの製造方法及び多層膜ミラーを提供する。
【解決手段】 第１の物質からなる第１の層と、前記第１の物質とは異なる第２の物質からなる第２の層とを積層した多層膜を有し、所定の光を反射する多層膜ミラーの製造方法であって、前記多層膜を成膜するステップであって、前記第１の層を第１の成膜条件で形成する第１の形成ステップと、前記第２の層を第２の成膜条件で形成する第２の形成ステップと、前記第１の成膜条件又は前記第２の成膜条件とは異なる第３の成膜条件で前記第１の層又は前記第２の層を形成する第３の形成ステップとを有するステップを有することを特徴とする製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】成膜速度を上げ、かつ、膜厚分布の均一性を向上させることができるＤＣ又はＤＣパルススパッタリング装置を提供すること。
【解決手段】処理チャンバ２０内には、カソード２１が設置されている。カソード２１上には、ターゲットＴが載置される。処理チャンバ２０の上面には、防着板２３が配置されている。防着板２３上には、基板ホルダ２４が設けられており、この基板ホルダ２４には、シリコン基板２５が保持されている。処理チャンバ２０の側面には、ガス源２６からガス導入管２７を通じてガスが導入される。防着板２３の電位と基板ホルダ２４の電位が等しく、かつ、フローティングである。 （もっと読む）

【課題】３５０℃以上の高温でもヒロックやボイドなどの熱欠陥が発生せず、電気抵抗が低く、安価で信頼性が高く、電子デバイスの高密度化に適した電極配線材料、及び、スパッタリングターゲットを提供する
【解決手段】希土類元素から選ばれる１種又は２種以上の元素を含有するＣｕ合金、元素周期表の第四族元素から選ばれる１種又は２種以上の元素を含有するＣｕ合金、又は、希土類元素から選ばれる１種又は２種以上の元素を含有するとともに、元素周期表の第四族元素から選ばれる１種又は２種以上の元素を含有するＣｕ合金を用いることにより耐熱性に優れた低抵抗の配線材料が得られる。 （もっと読む）

連続真空条件下での以下の試料処理活動、即ち、試料のプラズマクリーニング、試料のイオンビームエッチングまたは反応性イオンビームエッチング、試料のプラズマエッチング及び試料の導電性材料によるコーティングのうちの２つまたはそれ以上のステップを行う装置を含む、顕微鏡用試料調製装置。また、処理チェンバ内の試料の表面位置を検知する装置及び方法。検知位置は後続処理のために適当な位置に試料を自動的に移動させるために使用される。
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【課題】 樹脂フィルムの少なくとも片面に、接着剤層を介することなく、金属層が形成された層構成を有し、樹脂フィルムと金属層との間の密着性に優れ、熱劣化試験後にも高い剥離強度を示す複合フィルムを提供する。
【解決手段】 樹脂フィルムを、酸素濃度０．０１％以下の不活性ガス気流中で１．０×１０^-1Ｐａ以下の真空度に保持して、脱ガス処理を行う工程１；樹脂フィルムの表面に対し、酸素濃度０．０１％以下の不活性ガス気流中で１．０×１０^-3Ｐａから１．０×１０^-2Ｐａまでの間の真空度を保持しながら、直流電界を印加すると同時に、０．２Ｗ／ｃｍ²以上の印加パワーで１０秒間以上真空放電処理を行う工程２；及び樹脂フィルムの表面に、酸素濃度０．０１％以下の不活性ガス気流中で、スパッタリング法により金属層を形成する工程３；を連続的に実施する複合フィルムの製造方法、並びに工程１及び２を含む樹脂フィルムの表面改質方法。 （もっと読む）

本発明は、基板上で金属M1の炭化物からナノロッドを合成する方法に関する。該発明の方法は、(a)基板上での、金属M1の酸化物のナノ結晶および金属M1とは異なる少なくとも1種の金属M2の酸化物のナノ結晶の層(M1金属酸化物ナノ結晶は、この層に分散している)を蒸着させるステップ、(b)金属M1およびM2の酸化物ナノ結晶を対応する金属に還元するステップ、および(c)金属M1のナノ結晶を選択的に成長させるステップよりなる。本発明は、また、基板上で前記材料のナノ結晶から金属M1の炭化物のナノロッドを成長させる方法、かくして得られた基板、およびそれらの用途、例えば化学的または生物学的機能性を含むミクロシステム、特にバイオセンサー、例えばフラットテレビまたはコンピュータスクリーンなどのための電子放射源の製造における用途にも関する。 （もっと読む）

剃刀の刃の剃刀の刃先に所定の層を堆積させる方法であって、この層が２つの成分からなる方法を開示している。少なくとも第１及び第２のスパッタターゲットを備える密閉容器内において、それぞれのスパッタターゲットは刃先に堆積される成分の少なくとも１つを備え、稼動の際には成分を密閉容器内に放散するように設けられている。この方法は、剃刀の刃がそれぞれのターゲットの近傍に交互に移動されるステップを備えている。
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組織の結合または貫通する厚さの勾配を有しないかまたは最小であることにより特徴付けられるモリブデンスパッタリングターゲットおよび焼結体。微細な、均一な粒度および均一な組織を有するモリブデンスパッタリングターゲットは高い純度であり、性能を改良するためにミクロ合金化できる。スパッタリングターゲットは丸い円板、正方形、長方形、または管状であってもよく、基板に薄膜を形成するために、スパッタすることができる。セグメント形成法を使用することにより、スパッタリングターゲットの大きさは６ｍ×５.５ｍｍまでであってもよい。薄膜を電子部品、例えば薄膜トランジスター、液晶ディスプレー、プラズマディスプレーパネル、有機発光ダイオード、無機発光ダイオードディスプレー、電界発光ディスプレー、太陽電池、センサー、半導体装置および調節可能な仕事関数を有するＣＭＯＳ（相補的金属酸化物半導体）のゲート装置に使用される。
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スパッタターゲット集成体の形成方法、およびそれから作製されるスパッタターゲットを記述する。本方法は、低温で、スパッタターゲットをバッキングプレートに結合することを含む。また、スパッタターゲット集成体およびバッキングプレート間にギャップを形成するように、スパッタターゲット集成体を形成する方法も記述する。また、バッキングプレートへの意図しないスパッタを予防する仕組みを提供する、スパッタターゲット集成体の形成方法も記述する。
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