容易にパターニングが可能で、かつ低コストで実現可能な低抵抗で透明性に優れた酸化スズ膜からなる透明電極の製造方法の提供。
基板上にパターニングされた酸化スズ膜を形成した透明電極の製造方法であって、基板上に光吸収性を有する酸化スズ膜を形成する工程、光吸収性を有する酸化スズ膜の一部をエッチング液で溶解してパターニングする工程、パターニングされた光吸収性を有する酸化スズ膜を加熱処理し酸化スズ膜とする工程とを含むことを特徴とする透明電極の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ドラム型基板ホルダーの外周面に対して基板の取り付け、取り外しを、簡易な構成で容易に行うことができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 ドラム型基板ホルダー５を水平方向の回転軸を回転中心にして成膜室内に水平状態で回転自在に支持し、基板１２を固定保持した基板固定治具１３をアームでドラム型基板ホルダー５の外周面上に水平に搬送することで、ドラム型基板ホルダー５の外周面の角部５ａに設けた固定装置１４で基板固定治具１３の端部１３ｂを固定することができる。 （もっと読む）

本発明は、従来技術で得られなかった相対密度９９．５％以上（ポアの体積率が０．５％以下）で、組織は均一で等方性を有するタングステン系焼結体を得ることを課題とする。
また、前記焼結体を用いた放電灯用電極、スパッタリングターゲット、るつぼ、放射線遮蔽部材、抵抗溶接用電極などを得ることを課題とした。
タングステン系粉末に、圧力は３５０ＭＰａ以上にてＣＩＰ処理を行い、水素ガス雰囲気中にて焼結温度１６００℃以上、保持時間５時間以上の条件で焼結を行い、アルゴンガス中１５０ＭＰａ以上、１９００℃以上の条件でＨＩＰ処理を行うことにより課題のタングステン系焼結体が得られる。
また、このタングステン系焼結体は、放電灯用電極、スパッタリングターゲット、るつぼ、放射線遮蔽部材、放電加工用電極、半導体素子搭載基板、構造用部材などに好適する。 （もっと読む）

本発明は、基板に積層膜を真空薄膜形成することによってウルトラバリア薄膜システムを製造する方法に関しており、積層膜は、平滑膜と透明セラミック膜からなる交互成膜システムとして形成されているが、少なくとも１つの平滑膜は、スパッタリングにより堆積された２つの透明セラミック膜間に含まれており、平滑膜の析出中、モノマーを真空化された成膜チャンバ内に入れ、該成膜チャンバ内でマグネトロンプラズマを作動する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、８００℃よりも高い使用温度で、特に酸化の最初の段階でアルミニウム含有合金を実質的にα−Ａｌ_２Ｏ_３よりなる酸化物被覆層を形成し、そうして明らかに向上した長期間挙動をもたらすことである。
【解決手段】この課題は、Ｆｅ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ、Ｎｉ−ＡｌまたはＮｉ−Ｃｒ−Ａｌタイプのアルミニウム含有合金のために保護層を造る方法において、
− 該合金の表面にアルミニウム不含酸化物を有する酸化物層を形成し、
− 該合金を８００℃より上の温度に加熱した際に、該合金の表面のアルミニウム不含酸化物が準安定なアルミニウム酸化物の形成を抑制し、結果として専らα−Ａｌ_２Ｏ_３−酸化物だけを形成する
各段階を含むことを特徴とする、上記方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】 改善された光学的および電気的膜特性を有する透明で導電性の酸化物膜（ＴＣＯ膜）であり、薄膜太陽電池において使用するのに適する表面構造を有する該膜の提供。
【解決手段】 この課題は、反応性スパッタリングによって基板上に導電性で透明な酸化亜鉛膜を生成し、プロセスにヒステリシス領域を有している方法において、ドーピング剤を含有する金属Ｚｎターゲットを使用し、該ターゲットのドーピング剤含有量が２．３原子％より少なく； 基板のための加熱器を、２００℃より高い該基板温度に調整される様に調整し；
１９０ｎｍ／分より早い静的溶着速度に相当する５０ｎｍ*ｍ／分より早い動的溶着速度に調整し；そして安定な金属プロセスと不安定なプロセスとの間の転換点と安定化されたプロセス曲線の屈曲点との間に位置する、不安定なプロセス領域内で安定化した作業点を選択する各段階を含むことを特徴とする、上記方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】光学コーティングの腐食・傷耐性バリアを提供すること。
【解決手段】酸化可能な金属珪素化合物又は金属アルミニウム化合物を、光学コーティングの外層の１つとして使用する。この層は、未酸化又は一部酸化状態で付着され、この化学状態で、下の層を腐食から保護する。該金属化合物又は合金の層は、大多数の金属を超える硬さを有し、それにより傷からの保護を提供する。
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差動装置（１０）の耐久性を改良するための方法であって、作動装置（１０）は、ピニオンシャフト（１２）と、ピニオン（１３）の内径の表面と接触するピニオン（１２ａ）とを有する。本方法は、ピニオンシャフト（１２）又はピニオン（１３）又は両方の表面の、ピニオンシャフト（１２）とピニオン（１３）との間の接触面に、ピニオン（１３）の材料と接触する際にピニオンシャフト（１２）の材料より低い摩擦係数及び高い焼き付き抵抗を有するコーティングＣを結合すること、を備える。

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１つの実施形態の、磁石装置及び結果として得られる回転スパッタリングマグネトロンの設計は、厚い製品鉄ターゲットを貫通する磁束密度及び磁束分布を提供する。更に、その磁場の形状は、ターゲット材料をより均一に除去することによってターゲット寿命を向上させる。
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タンタルターゲットの表面において、全体の結晶配向の総和を１とした時に、（１００）、（１１１）、（１１０）のいずれの配向を有する結晶も、その面積率が０．５を超えないことを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット。成膜速度が大きく、膜の均一性（ユニフォーミティ）に優れ、またアーキングやパーティクルの発生が少ない成膜特性に優れたタンタルスパッタリング用ターゲットを得ることを課題とする。 （もっと読む）

本発明の実施態様は工具用の硬質な耐摩耗層に関する。具体的には、金属を切削するための例えばドリル、皿穴ドリル、穴ぐり刃、ねじタップ、リーマーなどの回転シャンク工具を含む切削用工具に関する。耐摩耗層は約１〜１０μｍの厚さを有し、物理気相成長法（ＰＶＤ）により蒸着することが好ましい。耐摩耗層はＣｒ、Ｔｉ、およびＡｌの金属窒化物からほぼなり、さらに粒状を微細にするため、低含量の元素（κ）を含む。全層の金属元素中において、Ｃｒは６５％を超え、好ましくは６６〜７０％、Ａｌは１５〜２３％、Ｔｉは１０〜１５％である。 （もっと読む）

真空下で、光学ガラス基板の表面上のインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの透過性電極を持つ光学ガラス基板上のポリマー分散型液晶（ＰＤＬＣ）などの揮発性のゼラチン状層全体に、任意のコーティングを施すことを可能にするために、中間の応力吸収ポリマー材料の層が、先ず揮発性物質の蒸発および漏れ防止のために、揮発性のゼラチン状層を覆うように施されて、その後、超高真空下で、例えば物理的気相成長（ＰＶＤ）またはスパッタリングと呼ばれる技術を使用して、コーティングが施される。
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【課題】
【解決手段】
反応性スパッタ堆積によってルチル相の二酸化チタンの薄膜を形成する装置（１００）及びプロセス。一態様においては、スパッタリングターゲット（１０２、１０４）と補助プラズマ発生器（１１０、１１２）とが、スパッタリングチャンバ（１０１）内の被覆ステーション内に配置され、被覆チャンバ内を通る基板上に堆積されたチタンが、プラズマ発生器（１１０、１１２）によって生成されスパッタプラズマと混合された補助プラズマに曝露することによって酸化される。プラズマは、ルチル型二酸化チタンの形成を支援する単原子酸素を含むことができる。また、ターゲット又は１対のターゲット（１０２、１０４）をパルス直流電源又は交流電源によって動作させることができる。 （もっと読む）

活性化担体媒体の上にナノスケールの金を堆積させるために物理的蒸着法を使用することによって、触媒的に活性な金が劇的に容易に使用できるようになり、金ベースの触媒系の開発、製造および使用に関連して顕著な改良への道が開けた。したがって本発明は、金ベースの不均一触媒系の新規な特性、成分および配合に関し、一般的には、ナノ多孔質担体の上に堆積されたナノスケールの金を含む。

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【課題】 従来技術に比べてよりコンパクトな製造工程、並びにＦｅ−Ｚｎ反応を起こさせない加熱段階を可能とする金属被覆鋼製品の製造方法を提供する。
【解決手段】 金属被覆を持つ鋼製品の被覆に追加の元素を添加するに先立って、表面を浄化し、活性化するためにプラズマ処理を受けさせること、追加の元素が物理蒸着技術により添加されること、続いての熱処理が高エネルギー赤外線を被覆の外表面に向けることにより適用されることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、表面粗さＲａ≦１．０μｍ、より好ましくはＲａ≦０．５μｍの内側底面を備えていることを特徴とするホローカソード型スパッタリングターゲットに関する。このホローカソード型スパッタリングターゲットは、スパッタ膜の均一性（ユニフォーミティー）に優れ、アーキングやパーティクルの発生が少なく、さらに底面の再デポ膜の剥がれを抑制でき、成膜特性に優れている。 （もっと読む）

スパッタ用ターゲット組立体２０を製造する方法、及びその製品が提供される。本方法はバッキングプレート２６を製造するステップを含み、バッキングプレートは平坦な上面とそこに円筒形状凹部２８を備える。次に、バッキングプレート２６の円筒形状凹部に対応する円錐台背面２４及び前面を有する最終形状に近いターゲットインサート２２が製造される。ターゲットインサート２２はバッキングプレート２６の降伏強度よりも大きな降伏強度を有し、かつバッキングプレート２６の円筒形状凹部の深さよりも高さが大きい。その後、バッキングプレート２６にターゲットインサート２２を拡散接合し、ターゲット組立体を形成するために、塑性変形の状態までターゲット２２をバッキングプレート２６の円筒形状凹部２８へ加温圧縮する。ターゲットインサート２２はバッキングプレート２６の平坦な面上に突出する。
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本発明は、ＰＶＤ（物理的蒸着）構成要素の表面に沿って粒子トラップを形成する方法を包含し、その表面に粒子トラップを有するＰＶＤ構成要素を含む。本発明は、ビードブラストのための高度に可溶性の媒体の使用を含み、且つ／又はビードブラスト媒体として金属物質の使用を含み得る。本発明は、粒子トラップの所望箇所である裏板の領域に沿って挿入物を形成することも含み得る。この挿入物の組成は裏板よりも適切な粒子捕捉特性を有する。

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スパッタリングターゲットアセンブリの接合の完全性をサーモグラフィーにより評価するための方法及び装置が記載される。本方法は、アセンブリの一方の表面に加熱又は冷却用媒体又はエネルギーを適用する工程、及び撮像装置を用いてアセンブリの反対側の表面の対応する温度変化のグラフィックによる記録を得る工程を含む。各フレームにおいて記録された画素データを数学的に分析して、アセンブリの接合の完全性を表す基準化された積分温度マップを作成する方法がさらに記載される。
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半導体基板上に形成する絶縁膜を高性能化して、リーク電流の少ない電子デバイスを製造する方法を提供する。高誘電材料金属のみを半導体基板上に金属膜として形成し、その金属膜を２５０〜４５０℃に加熱し、その加熱した金属膜に、クリプトンガス（またはキセノンガス）を酸素ガスと混合させ、その混合ガスをプラズマ化したガスを加えることにより、金属膜を酸化して、半導体基板上に絶縁膜を形成するようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）