ピストンリング本体の外周面上にコーティング層を生成するための方法において、複数の層を重ね合わせて外周面に付与することによる方法であって、プロセスガスへ窒素を添加することなく、ＰＶＤ法により先ず最初にＣｒベースの少なくとも１層の金属性接着層を外周面に付与し、続いて、接着層の上にＣｒＮ勾配層を形成するため、窒素分圧を引き上げながら窒素をプロセスガスへ添加し、最後にＣｒＮ、Ｃｒ₂Ｎまたは両相からの混合体をベースとする一定組成の少なくとも１層の被覆層を勾配層の上に付与する方法。
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【課題】 スパッタターゲット集成体の部品（例えば、使用済、新しい、不良品）を回収する方法、および回収したスパッタターゲットを提供することを課題とする。
【解決手段】 バッキングプレートに結合したタンタルまたはニオブターゲットを含むスパッタターゲット集成体の部品の回収方法において、前記方法が、前記タンタルまたはニオブターゲットを水素化して、それぞれ、タンタル水素化物またはニオブ水素化物を形成する工程、そして、前記バッキングプレートから前記タンタル水素化物またはニオブ水素化物を分離する工程を含む回収方法によって、課題が解決する。 （もっと読む）

発明の工作物は、その表面の少なくとも部分上に、Ａｌ_l-a-b-c-dＣｒ_aＸ_bＳｉ_cＢ_dＺの組成を含む耐摩耗性ハードコートを特徴として有し、ここで、ＸはＮｂ、Ｍｏ、Ｗ、またはＴａからの少なくとも１つの元素であり、ＺはＮ、Ｃ、ＣＮ、ＮＯ、ＣＯ、ＣＮＯからの１つの元素または化合物であり、かつ、０．２≦ａ≦０．５、０．０１≦ｂ≦０．２、０≦ｃ≦０．１、０≦ｄ≦０．１である。このような耐摩耗性コーティングを堆積させるためのＰＶＤプロセスがさらに開示され、少なくとも１つの工作物が真空コーティングシステムに設置され、前記システムは低圧アルゴン雰囲気中で動作し、少なくとも１つの反応ガスの少なくとも一時的な添加とともに、少なくとも２つの金属または合金のターゲットを利用し、基材に負の電圧を加える。
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基板と、前記基板上に形成された酸化物系ナノ素材とからなる基材を含む光触媒を開示する。前記光触媒は、同一成分を持つ従来の光触媒より高い体積対表面積比を有し、且つナノサイズの光触媒層を備えることにより、優れた光分解特性を持つ。 （もっと読む）

【課題】基板での光干渉に起因する透過光量のノイズを低減し、高精度の膜厚制御を実現する。
【解決手段】成膜時に基板を自転させなくても良好な膜厚均一性が得られるカルーセル型のスパッタ装置を用いるとともに、基板１８の成膜面１８Ａに対して基板裏面１８Ｂが所定角度で傾斜している形状の基板を用いる。成膜面１８Ａに対する基板裏面１８Ｂの傾斜角θは０°＜θ≦２°が好ましく、基板１８の最も厚い部分または最も薄い部分が基板ホルダーの上下方向になるように基板を固定する。また、投光部から出射した光が成膜面１８Ａで当該成膜面１８Ａと垂直になるように光軸を調整することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明は、加工チャンバ内に配設された遮蔽体２２の面と相互接触する絶縁体１３２を有するコイル支持組立体１３０を備えている。絶縁体１３２は遮蔽体２２を貫通して延びる伸長部を有する。第二の絶縁体１３１が遮蔽体２２とコイル２６との間に配設され且つコイルから延びる突出部４０と接触する。締結具１３４は、第一の絶縁体１３２を通して配設され且つ第二の絶縁体１３１を通って突出部４０内に延びる。締結具１３４は、第一の絶縁体１３２により遮蔽体２２から電気的に隔離されている。本発明は、上述したコイル支持体の形態を保持するコイル組立体を含む。本発明は、その内部に配設された遮蔽体を有する加工チャンバ内にてコイルを支持する方法を更に含む。絶縁体は、遮蔽体の外側部から遮蔽体の厚さを通って延びるように挿入される。コイルは、締結具を挿入することによりチャンバ内に取り付けられる。本発明は、加工チャンバ内に配設された遮蔽体の面と相互接触する絶縁体を有するコイル支持組立体を備えている。絶縁体は遮蔽体を通って延びる遮蔽体を有する。第二の絶縁体は、遮蔽体とコイルとの間に配設され且つコイルから延びる突出部と接触する。締結具は、第一の絶縁体を通して配設され且つ第二の絶縁体を通って突出部内に延びる。締結具は第一の絶縁体により遮蔽体から電気的に隔離される。本発明は、上述したコイル支持体の形態を保持するコイル組立体を含む。本発明は、その内部に配設された遮蔽体を有する加工チャンバ内にコイルを支持する方法を更に含む。絶縁体が遮蔽体の外側部から遮蔽体の厚さを通って延びるよう挿入される。コイル本体から外方に突出するボス内に締結具を絶縁体の各々を通して挿入することによりコイルがチャンバ内に取り付けられる。
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【課題】酸化数が精密に制御されたＣｕ_２Ｏ膜を高速にて成膜する方法及びこの成膜方法によって得られたＣｕ_２Ｏ膜を光吸収層として用いた太陽電池を提供する。
【解決手段】カバー２６内部に透明基板１を導入し、アルゴン中に酸素を含有させた混合ガスをカバー２６内に導入する。ターゲット電極２０Ａ，２０Ｂに一定の周期で交互にパルスパケット状の電圧を印加して、グロー放電を形成させる。これにより、ターゲット２１ａ，２１ｂから粒子がスパッタされ、基板１上にＣｕ_２Ｏ膜よりなるｐ層３が形成する。コリメータ３０ａ，３０ｂを介して得られたプラズマの発光スペクトルが電気信号となりＰＥＭ３１ａ，３１ｂに取り込まれる。このＰＥＭ３１ａ，３１ｂを用いてプラズマ中の銅の発光強度が常に一定になるように酸素ガスの導入流量を制御する。 （もっと読む）

【課題】 基板にダメージを与えることなく酸化亜鉛等の膜を形成することができる膜形成方法等を提供する。
【解決手段】 成膜室１２４内で、対向して配置され、少なくともその一方が高純度の亜鉛からなる一組のターゲットＡ，Ｂに、ＤＣ電圧を印加し、両ターゲットＡ，Ｂ間に発生させたプラズマによりスパッタリングする。スパッタリングされたターゲットＡ，ＢのＺｎ粒子を、酸素ガスと反応させつつ、対向するターゲットの軸方向からずらされて配置された基板上に堆積し、該基板表面にＺｎＯ膜を形成する。 （もっと読む）

窒化チタン基光学コーティングにおいて、窒化チタン層（１８）と基層（１２）との間に損傷遅延基層（１６）を施与することにより、コーティングの構造的安定性が向上される。光学コーティングがソーラー制御を与える場合には、窒化チタン層は主として所望の光学的特性を達成するために選択される。損傷遅延層の厚さは主として所望の光学的特性を達成するために選択される。損傷遅延層の厚さは主として所望の機械的特性を達成するために選択される。損傷遅延層は灰色金属から形成され、ニッケルクロムが好ましい金属である。灰色金属層は窒化チタン層が割れる可能性を低減する。そのような層が割れれたり虫跡を形成する傾向は、基層をプラズマプレグロー（８８）に露光するかおよび／または層が形成される基層の側に滑剤（１４）を用いることにより、さらに低減される。
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【課題】 電気抵抗が低く、かつ、耐凝集性に優れた金属薄膜（Ａｇ系薄膜）および透明導電体、及び、耐硫化性および耐凝集性に優れたＡｇ系反射膜を提供する。
【解決手段】 (1) 第１層としてＡｇ薄膜を有し、その上に第２層として貴金属元素であるＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔの１種以上を含有するＡｇ合金膜を有するＡｇ系２層膜であって、前記Ａｇ合金膜の膜厚をＹ（ｎｍ）、前記Ａｇ合金膜での貴金属元素の含有量をＸ（ａｔ％）、前記Ａｇ薄膜の膜厚をＺ（ｎｍ）としたときに、Ｙ≧８／Ｘであると共に、Ｙ＋Ｚ≧５であることを特徴とするＡｇ系２層膜、(2) 透明基体上に透明膜が形成され、その上に前記Ａｇ系２層膜が形成され、その上に透明膜が形成されていることを特徴とする透明導電体、(3) 前記Ａｇ系２層膜でのＸが２５ａｔ％以上、Ｙが８ｎｍ以上であり、且つ、Ａｇ薄膜及びＡｇ合金膜が希土類元素を０．０５〜３．０ａｔ％含有するもの等。 （もっと読む）

高アスペクト比形体内に金属又は他のコーティング材料のコンフォーマルな膜を蒸着するための蒸着システム１００及びその作動方法が開示される。蒸着システムはプラズマを形成し蒸着システム１００に金属蒸気を導入するためのプラズマ源１２０及び分散型金属源１３０を備える。蒸着システムは一つのプラズマ密度を有するプラズマを形成し、一つの金属密度を有する金属蒸気を生成するように設計されており、基板近傍での金属密度対プラズマ密度の比は一以下である。基板の直径の略２０％の長さである基板１１４の表面からの距離内において、このような比となっている。実質的に基板表面に亘りプラスマイナス２５パーセント内でこの比は一様である。１０^１２ｃｍ^−３を越えるプラズマ密度に対してと、膜の最大の厚さが例えば形体の幅の１０パーセントといった形体の幅の半分以下であるナノスケール形体を有する基板上の薄膜蒸着に対して、この比は特に有効である。
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基板に少なくとも一つの薄膜を堆積する真空蒸着方法であって、スパッターされる物質に対して化学的に不活性又は活性な少なくとも一つの気体スパッタリング物質種が選択されること、主として前記スパッタリング物質種を含むイオンの集束ビームが、工業規模の設備内部に配置された少なくとも一つの直線イオン源を用いて生成されること、前記ビームがスパッターされる物質をベースとする少なくとも一つのターゲットに向けられること、前記基板の少なくとも一つの表面部分が、ターゲットのイオン打撃によってスパッターされる前記物質、又は前記スパッターされる物質と少なくとも一つのスパッタリング物質種との反応から生ずる物質が前記表面部分に堆積されるような仕方で前記ターゲットに向き合うように配置されることを特徴とする方法。
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少なくとも滑り面の一定部分に少なくとも支持コート層と滑りコート層とからなる被覆コート層が析出被着された、滑り軸受に使用するための銅または銅含有合金からなる軸受材料であって、滑りコート層は硬質コート層であって、ダイヤモンドタイプの炭素を含有してなる軸受材料。 （もっと読む）

本発明は、機械的な耐性のある長持ちするコーティングを備え、且つ使用者が取り扱うのに適した基材に関する。この基材は、コーティングが、価電子帯の上位準位と伝導帯の下位準位との間に可視範囲における波長に相当するバンドギャップを有する第２化合物と均質に組み合わされた第１の光触媒性化合物を含むことを特徴とする。本発明はまた、該基材を含むガラス、本発明の基材の利用、及びその製造方法にも関する。 （もっと読む）

組成Ａｌ_xＳｉ_yＭｅ_zＮの窒化アルミニウムベースの硬い耐摩耗性コーティングが提案される。ｘ、ｙおよびｚは原子分率を表し、その和は０．９５から１．０５であり、Ｍｅは、ＩＩＩからＶＩＩＩ族およびＩｂ族の遷移金属の金属ドーパントまたはこれらの組合せである。この金属は、コーティングプロセス中に、金属ドーピングのないコーティングよりも高い固有導電率（intrinsic electrical conductivity）を提供する。ケイ素含量は０．０１≦ｙ≦０．４であり、１つまたは複数の金属ドーパントＭｅの含量は、０．００１≦ｚ≦０．０８、好ましくは０．０１≦ｚ≦０．０５、最も好ましくは０．０１５≦ｚ≦０．０４５である。
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スパッタリングターゲットは、タンタル粉末を一体化成形することにより生成するタンタル結晶粒とスパッタリング面を有するタンタル体を含む。スパッタリング面は、基板を被覆するために、タンタル原子をスパッタリング面から離して移送する原子移送方向を有する。タンタル結晶粒は、スパッタリングの均一性を増すように、スパッタリング面から離れる原子移送方向において、少なくとも４０パーセントの（２２２）方向の配向率と、１５パーセント未満の（１１０）方向の配向率を有し、タンタル体は後方散乱電子回折により検出できる（２００）−（２２２）方向バンドが無く、前記スパッタリングターゲットは、少なくとも９９．９９（％）パーセントの純度を有する。
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本発明は、ポットを形成するための、コンピュータ実行される方法に関し、この方法は、（ａ）高融点金属コンポーネントを含むインゴットを第１の工作物に切断し；（ｂ）第１の工作物をアプセット鍛造条件にさらし、これにより、第２の工作物を形成し；（ｃ）第２の工作物を真空又は不活性ガス中で少なくとも約１２００℃の第１の温度まで第１の焼きなまし工程にさらし、これにより、焼きなましされた第２の工作物を形成し；（ｄ）第２の工作物の直径を減じることによって、焼きなましされた第２の工作物を再び鍛造し、これにより、第３の工作物を形成し；（ｅ）第３の工作物をアプセット鍛造条件にさらし、これにより、第４の工作物を形成し、（ｆ）第４の工作物の直径を減じることによって、第４の工作物を再び鍛造し、これにより、第５の工作物を形成し；（ｇ）第５の工作物を第２の焼きなましステップまで、第５の工作物を完全に再結晶させるように十分に高い温度までさらし；（ｈ）第５の工作物をアプセット鍛造条件にさらし、これにより、第６の工作物を形成し；（ｉ）焼きなましされた第６の工作物を複数の圧延パスにさらすことによって、焼きなましされた第６の工作物をプレートに圧延し；この場合、焼きなましされた第６の工作物は、少なくとも１つのパスの後に厚さが減じられており、焼きなましされた第６の工作物は、例えば各２つのパスの間に回転させられ、（ｋ）プレートに第４の焼きなまし工程を行い、これにより、プレートを形成し、第４の焼きなまし工程が（１）工程（ｊ）の後でかつ工程（ｋ）の前、又は（２）工程（ｋ）の後に行われ、ポットに処理するために適した少なくとも１つの工作物又はプレートの寸法が、コンピュータ実行される有限要素モデリング評価法によって予め決定され、これにより、工程（ｂ）〜（ｊ）における少なくとも１つの工作物又は工程（ｋ）におけるプレートが、コンピュータ実行される有限要素モデリング評価法によって決定される寸法と実質的に同じ寸法を有することを含む。ポットに処理するのに適した少なくとも１つの工作物又はプレートの寸法は、工程（ｂ）〜（ｊ）における少なくとも１つの工作物又は工程（ｋ）におけるプレートが、コンピュータ実行される有限要素モデリング評価法によって決定された寸法と実質的に同じ寸法を有するように、コンピュータ実行される有限要素モデリング評価法によって予め決定される。 （もっと読む）

マグネトロン源、マグネトロン処理チャンバ、かつ真空プラズマ処理される表面を有する基板を製造する方法は、非対称の非平衡の長い範囲のマグネトロン磁界パターンを生成しかつ用い、そのマグネトロン磁気パターンは、真空プラズマ処理される基板表面でのイオン密度を改善するために基板表面に沿って掃引される。長い範囲の磁界は、少なくとも０．１ガウス、好ましくは１ガウスから２０ガウスの間の基板表面に平行な磁界の成分を有して基板表面に到達する。プラズマ処理は、例えばスパッタリング被覆またはエッチングであり得る。
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スパッタリング対象物用の大型のＭｏビレットあるいはＭｏバーを製造する方法であって、Ｍｏを含有する二つ以上のボディは、その隣接したボディ間の隙間または結合部にＭｏ金属粉が存する状態で、相互隣接して配置されている（例えば一方が他方に積み重なっている）。この隣接したボディは、機械加工する等して大型のスパッタリング対象物を形成可能なビレットまたはバーを提供するため、隣接ボディ間の結合部で金属−Ｍｏ粉層−金属の拡散接合すべく熱間等方加圧される。相互近接して配置されるボディの数や寸法は、スパッタリング対象物として適切な大型のビレットやバーを産出できるように要望に応じて選択される。スパッタリング対象のためのビレットまたはバーは、粒度３０ミクロン未満の等軸粒子からなるミクロ構造を呈するとともに、重量比で約１００ｐｐｍの低酸素含有量となっている。
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【課題】 ドラム型基板ホルダーの外周面に対して基板の取り付け、取り外しを、簡易な構成で容易に行うことができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 ドラム型基板ホルダー５を水平方向の回転軸を回転中心にして成膜室内に水平状態で回転自在に支持し、基板１２を固定保持した基板固定治具１３をアームでドラム型基板ホルダー５の外周面上に水平に搬送することで、ドラム型基板ホルダー５の外周面の角部５ａに設けた固定装置１４で基板固定治具１３の端部１３ｂを固定することができる。 （もっと読む）