【解決手段】 本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、ターゲット材とバッキングプレートとを接合しスパッタリングターゲットを製造するに際して、ＩｎとＧａとを含んでなる、下塗り剤および/またはボンディング剤を用いることを特徴としている
。
また、本発明のスパッタリングターゲットは、Ｉｎと特定量のＧａとを含んでなるボンディング剤層を有することを特徴としている。
【効果】 本発明のスパッタリングターゲットの製造方法では、ＩｎおよびＧａを含有する、下塗り剤および/またはボンディング剤を使用しているため、ターゲット材の接
合面に対するボンディング剤の濡れ性を確保し、ターゲット材の接合面上にボンディング剤を直接あるいは下塗り剤を介して、均一に短時間で塗布することが可能である。したがって、本発明によれば、コスト面および生産効率の点で不利なメタライズ処理を省略でき、スパッタリングターゲットの生産効率を高めることができる。
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スプリットマグネットリング（７０）は、タンタル、タングステン又は他のバリヤ金属をビアへスパッタ堆積し、また、ビアの底部から堆積物質をビア側壁部上へと再スパッタエッチングさせるためのマグネトロンプラズマリアクタ（１０）において特に有用である。このマグネットリングは、同じ軸方向極性からなる２つの環状マグネットリング（７２、７４）を含み、これら２つの環状マグネットリングは、少なくとも１つのマグネット及び関連ポール面の軸方向長さを有する非磁性スペーシング（７６）によって分離されている。小型の非平衡マグネトロン（３６）がターゲット（１６）の周りに回転され、この小型の非平衡マグネトロンは、リングマグネット（７２、７４）と同じ極性の外側ポール（４２）を有し、この外側ポールは、反対極性のより弱い内側ポール（４０）を取り囲んでいる。 （もっと読む）

【課題】MgO基板とIr膜、Ir膜とダイヤモンド膜が各界面で剥離しにくく、特に大面積の単結晶ダイヤモンド膜を連続膜として有する積層基板を提供する。
【解決手段】少なくとも、単結晶MgO基板と、該MgO基板上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム(Ir)膜と、該Ir膜上に気相合成させたダイヤモンド膜を有する積層基板であって、前記Ir膜の結晶性が、波長λ＝1.54ÅのX線回折法で分析したIr(200)帰属の2θ=46.5°または2θ=47.3°における回折強度ピークの半値幅(FWHM)が0.40°以下のものであることを特徴とする積層基板。 （もっと読む）

スパッタ付着プロセスを改良する方法が提供されている。本方法は、下記のステップ、(ａ）真空を設けるステップと、(ｂ）設けられた真空中に電極（１０、３４、３４’、４４、４４’）を設けるステップと(ｃ）、前記電極（１０、３４、３４’、４４、４４’）と接触しない、前記真空中に基板を設けるステップと、（ｄ）真空中に装置（２２、２２’、２４、２４’、２６、２６’、２８、２８’、３０、３６、３６’、４８、４８’）をもたらすステップとを備える。本装置は、電極に対して相対運動状態であり、接触ゾーン全体にわたり電極と接触している。本装置は、電極から固体物質を取り除いたりあるいは電極に固体物を貼付したりする。本方法は、簡単なメカニズムによって行われる。複雑なエレクトロニクスあるいは精巧な制御アルゴニズムを必要としない。本方法は、真空中で行われる、すなわち、真空を破壊する必要なく、そのために機械停止期間が減少される。
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本発明は金属材料を含有するコンポーネントを含む。金属材料は複数の粒子で構成され、実質的にすべての粒子は実質的に等軸であり、粒子は約３０ミクロン以下の平均粒度を有する。コンポーネントは、３２５メッシュサイズを特徴とする出発金属材料と共に一軸真空ホットプレスを利用することによって形成できる。典型的なコンポーネントはスパッタリングターゲットで、該ターゲットはそのスパッタリング面だけでなくその厚み全体にわたって高度の均一性を有する。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の半導体素子を得るために、Ｔｉ窒化物から成る膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。
【解決手段】ソース−ドレイン領域の接合深さが０．１〜０．３μｍである半導体素子のＴｉ窒化物から成るコンタクトバリアー層のＡｌ含有量を原子数で１×１０^１８個／ｃｍ^３以下に形成するためにＴｉ原料からエレクトロンビ−ム溶解法でＡｌを３ｐｐｍ以下に除去することを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置用高純度Ｔｉ材の製造方法である。 （もっと読む）

【要約書】
本発明は、ゲッタ膜（１０）に保護膜（１２）を塗布し、反応素子（１４）を導入することからなる、マイクロ電子デバイス（１）の空洞（８）内の薄膜ゲッタ（１０）の最適な特質を維持する方法に関する。本発明により、空洞（８）が真空下に配置される間、温度の上昇が、保護材料（１２）が反応素子（１４）に向かって移動し、ゲッタ材料からなるゲッタ膜を解放するように、保護層（１２）と反応素子（１４）とを反応させる。
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【課題】 酸素との親和力が強い４ａ族元素（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ）や５ａ族元素（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）からなる金属材料から、低酸素な金属粉末と、低酸素で緻密な組織を有するターゲット材を製造する新規な方法を提供するものである。
【解決手段】 ４ａ族および５ａ族から選ばれる金属材料を水素雰囲気中で加熱処理を施し水素含有合金を生成し、次いで該水素含有合金を粉砕して水素含有合金粉末とし、さらに該水素含有合金粉末を不活性ガスを主体とする雰囲気で発生させた熱プラズマ炎に通過させて脱水素と酸素還元と球状化を同時に行う合金粉末の製造方法である。また、上記で得られた粉末を加圧焼結するターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の半導体素子を得るために高融点金属、高融点金属からなる合金、高融点金属の珪化物、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ−Ｗ合金の窒化物からなる膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。
【解決手段】ソース−ドレイン領域の接合深さが０．１〜０．３μｍである半導体素子のＴａ窒化物から成るコンタクトバリアー層のＡｌ含有量を原子数で１×１０^１７個／ｃｍ^３以下、Ｔａ以外の重金属元素の含有量が１×１０^１７個/ｃｍ^３以下およびアルカリ金属の含有量が３×１０^１６個/ｃｍ^３以下に形成することが可能であり、Ａｌ濃度が１ｐｐｍ以下であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置用高純度Ｔａ材である。 （もっと読む）

【課題】線幅が小さく開口率の高いメッシュ状の導電性パターンを有した電磁波シールド性光透過窓材を提供する。
【解決手段】透明フィルム１上に水等の溶剤に対して可溶な材料を用いてドット７を印刷する。次いで、このフィルム１のドット７上及びドット７間のフィルム露出面のすべてを覆うように防眩層２、金属層３及び防眩層４を順次に形成する。次に、このフィルム１を水等の溶剤によって洗浄する。ドット同士の間の領域に形成された層２，３，４よりなる導電性パターン防眩層２，４付きの金属層３がフィルム１上に残る。防眩層２，４はクロミック特性を有した物質よりなり、金属層３に電圧を印加することにより着色される。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットの交換が容易で、しかもターゲットの冷却を容易に行うことができ、低コストで成膜が可能であり、更には得られる膜の膜厚分布が小さい成膜方法を提供する。
【解決手段】 スパッタ法による成膜方法において、ターゲットとして複数の粒状物を用い、該粒状物がこれを収容可能な凹部５，６を有するターゲットバッキングプレート２内に収容されており、スパッタガス３を、該ガスが粒状物の隙間を通過するように該ターゲットバッキングプレート凹部から供給すること、を特徴とする成膜方法。 （もっと読む）

【課題】 高硬度、耐スクラッチ性、耐磨耗性、耐薬品性、耐熱性等を含む耐久性に優れ、可視光応答型光触媒として機能する多機能材が適用された鉄鋼製品を提供する。
【解決手段】 この鉄鋼製品は、鉄鋼によって形成されている心材と、該心材の表面に形成されている表面層であって、Ｔｉ−Ｃ結合の状態で炭素がドープされている酸化チタン又はチタン合金酸化物を含む表面層とを有する。 （もっと読む）

【課題】 大型の基板の場合でも、必要な成膜速度を維持してボトムカバレッジ率を向上させることができるようにする。
【解決手段】 カソード２を構成する磁石機構４は、ターゲット５の表面のある場所から出てターゲット５の表面の他の場所に入る漏洩磁力線をターゲット５の表面上に周状に連ねて周状磁界を複数設定する、これによって磁石機構４の静止時には周状となるエロージョン領域５０が交差せずに複数形成される。エロージョン領域５０のうちのエロージョン最深部から最も大きな入射角でスパッタ粒子が基板３０に入射する箇所のその入射角は、一つのエロージョン領域の場合に比べて小さくなる。 （もっと読む）

【課題】 高硬度、耐スクラッチ性、耐磨耗性、耐薬品性、耐熱性等を含む耐久性に優れ、可視光応答型光触媒として機能する多機能材が適用された非鉄金属製品を提供する。
【解決手段】 この非鉄金属製品は、非鉄金属によって形成されている心材と、該心材の外側に形成されている表面層であって、Ｔｉ−Ｃ結合の状態で炭素がドープされている酸化チタン又はチタン合金酸化物を含む表面層とを有する。 （もっと読む）

ハフニウムの塩化物を水溶液にし、これを溶媒抽出によりジルコニウムを除去した後、中和処理により酸化ハフニウムを得、さらにこれを塩素化して塩化ハフニウムとし、これを還元してハフニウムスポンジを得、さらにハフニウムスポンジをさらに電子ビーム溶解し、ハフニウムインゴットを得る高純度ハフニウムの製造方法及びこれによって得られた高純度ハフニウム材料、同材料からなるターゲット及び薄膜。ハフニウム中に含まれるジルコニウムの含有量を低減させた高純度ハフニウム材料、同材料からなるターゲット及び薄膜及びその製造方法に関し、効率的かつ安定した製造技術及びそれによって得られた高純度ハフニウム材料、同材料からなるターゲット及び高純度ハフニウム薄膜を提供する。 （もっと読む）

【課題】 省スペース、小型コストダウンタイプのカソード構造を得るスパッタ用カソード及びスパッタ装置を提供する。
【解決手段】 従来１個のターゲット材料に対して１個のカソードを用いるのが通常であったが、本発明は１個のカソードの両面にターゲットを設置することにより、小型、コストダウンを実現する。 （もっと読む）

【解決手段】 本発明は、成膜、エッチング、あるいは、表面変質等のプラズマを用いたプロセスの際、Ｘｅを含むガスを用いて行うことを特徴とする。
【課題】 本発明は、基板、あるいは、新たに基板上に堆積・形成する膜および基板の中に、イオン照射に起因して導入される欠陥を劇的に減少させるプラズマプロセス方法を提供することを目的とする。 （もっと読む）

本発明は、チタン酸化物被膜の製造方法、及びこの被膜を有する物品、特にランプ、照明手段又は光学素子に関するものである。ルチルによるコーティングが極めて簡単になる一般化した方法を開発し、より低い処理温度でコーティングしうるようにし、且つこのようなコーティングに適した表面を見いだすために、本発明は、ルチル構造が得られるように、コーティングすべき基板の表面上に、スパッタリングにより、規定可能な酸素分圧ｐで１００〜３００℃の堆積温度でチタンターゲットから被膜を堆積することを提案する。
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【課題】 成膜プロセス領域内の局所的な成膜レートの違いにより基板間で生じる膜厚の差を、膜厚分布に関する情報として取得することが可能な薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 薄膜形成装置１は、基板Ｓとターゲット２２ａ、２２ｂとの間において、ターゲット面上の異なる複数の位置に対応して配設され、成膜プロセス領域内での発光を夫々受光する複数の光ファイバ３１−１〜３１−５を備えている。光ファイバ３１−１〜３１−５で受光した光から成膜プロセス領域２０から発光する光を夫々受光して、光学測定装置３３で所定の波長における発光強度を測定することにより膜厚分布に関する情報を取得する。更に、取得した膜厚分布に関する情報に基づいて、スパッタガスの流量調整や補正小片を駆動制御することで、成膜レートを局所的に調整して基板間で均一な膜厚となるようにする。 （もっと読む）

【課題】 有機物の基板への付着を防いだ良質な薄膜を提供する。
【解決手段】 基板１を処理室１２に導入し処理する際，２段のロードロック室１０，１１を介して導入する。１段目のロードロック室１０は大気圧のまま不活性ガス雰囲気に置換する。２段目のロードロック室１１は，ベーキングヒータ２０を有している。内壁に有機物５が付着した状態で減圧すると，内壁の有機物５が脱離し基板１を汚染するが，有機物５の付着していない２段目のロードロック室１１内で減圧することにより，基板１への有機物５の付着を防止する。 （もっと読む）