光ディスク基板成膜装置、光ディスク基板成膜方法、基板ホルダーの製造方法、基板ホルダー、光ディスクおよび相変化記録型光ディスク
【課題】０．６ｍｍ以下のより薄い光ディスク基板を用いても光ディスク基板が変形せず、しかもスループットを低下させることがない光ディスク基板成膜装置および光ディスク基板成膜方法を提供すること。
【解決手段】基板の面上に薄膜を成膜して光ディスクを作成する光ディスク基板成膜装置において、光ディスク基板１をホルダー部３で固定し、さらにホルダー部３に光ディスク基板１の被成膜領域Ｓの裏面の少なくとも一部と密着する密着支持面Ｓ'を設ける。
【解決手段】基板の面上に薄膜を成膜して光ディスクを作成する光ディスク基板成膜装置において、光ディスク基板１をホルダー部３で固定し、さらにホルダー部３に光ディスク基板１の被成膜領域Ｓの裏面の少なくとも一部と密着する密着支持面Ｓ'を設ける。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクの製造技術に関し、より詳細には、光ディスク基板の表面にスパッタ法により記録層等の成膜を行う光ディスク基板成膜装置、これを用いる成膜方法、上記装置を構成する基板ホルダーの製造方法、上記装置を構成する基板ホルダー、上記装置で製造した光ディスクおよび反射放熱層にＡｇ系合金を用いた相変化記録型光ディスクに関する。なお、これらの技術は、光ディスクメディア（ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等）に応用される。
【背景技術】
【０００２】
従来、光ディスクは、熱可塑性樹脂などの基板（光ディスク基板）上に誘電体層と記録層とを繰り返し積層して形成するのが一般的である。このような光ディスクの多くは、一度に複数の光ディスク基板に対して成膜ができる、いわゆる枚葉式の成膜装置によって作成されている。
【０００３】
光ディスク基板を作成する枚葉式の成膜装置には、成膜が行われる成膜室を複数備え、この成膜室の各々が一つの基板搬送室でつながるように構成されたものがある。このような成膜装置では、いったん装置内に搬送された光ディスク基板を、基板搬送室を通じて各成膜室に順次搬送し、それぞれ種類の異なる誘電体層あるいは記録層を成膜して積層した後に装置外へ取り出している。こうした成膜装置の構成は、一度に複数の誘電体層や記録層が形成でき、成膜工程のスループットを高めることに有効である。
【０００４】
成膜装置の成膜室と基板搬送室とは、成膜中の光ディスク基板を支持する基板ホルダーによって仕切られるよう構成される。図４２に、このような基板ホルダーの断面を示して説明する。
【０００５】
図示した基板ホルダー１００は、光ディスク基板１０１が置かれる円形の支持板３５と、支持板３５を支持するアーム部３７とを有している。支持板３５には、光ディスク基板１０１を中心近くで固定する内周マスク３８（固定部分Ａとする）と、周縁部の近くで固定する外周マスク３９（固定部分Ｂとする）とが備えられている。図示の如く、内周マスク３８と外周マスク３９とによって、光ディスク基板１０１を挟むようにして固定している。
【０００６】
このとき、基板ホルダー１００は、固定部分Ａと固定部分Ｂとでだけ光ディスク基板１０１が支持板３５と接触するようにし、その他の部分では支持板３５との間に間隙ａが空くように固定している。このため、光ディスク基板１０１が支持板３５から取り外しやすくなり、取り外し時に光ディスク基板が損なわれることを防ぐことができる。
【０００７】
ところで、近年、光ディスクの記録容量を６５０ＭＢから４．７ＧＢへ大容量化する要請がある。この要請に応えるため、光ディスクを２枚貼り合わせて光ディスクの両面にデータを記録する技術がある。このような貼り合わせ式の光ディスクでは、使用される光ディスク基板の厚さを従来の１．２ｍｍから０．６ｍｍと半分にすることが必要である。光ディスク基板の厚さが薄くなると、当然のことながら、その機械的および熱的な強度が低下する。このため、成膜中に光ディスク基板が変形し、製品としての規格を満たすことができないものが増えることが考えられる。この点は、特に、成膜工程のスループットを従来通りに維持しようとした場合に深刻になる。
【０００８】
また、光ディスク（光記録ディスク）では、成形基板上に光学的に記録・再生が可能な情報記録部が設けられ、文書やデータ等のファイル用ディスクとして用いられている。この光ディスクを使用するに際しては、これを高速で回転させながら、１μｍ程度に絞り込んだレーザ光を照射し、焦点調整および位置検出を行いながら、記録層からデータを読み出し、または記録層にデータを記録する。
【０００９】
各種光ディスクメディアにおいては反射層、記録層、誘電体層あるいは保護層をスパッタにより成膜する工程が不可欠となっている。スパッタ成膜は、真空中でＡｒプラズマ等を発生させ、このプラズマ中のイオンによってターゲット表面をたたき、対向する基板に膜を堆積させる方法であるため、スパッタ成膜時の熱の発生は避けることができない。一般的に光ディスクにおいては、ディスク基板にポリカーボネート等の高分子材料が用いられているため、成膜室内の温度上昇はディスク基板の変形を引き起こす要因となる。特に、連続高速成膜を行う場合、厚肉成膜を行う場合、あるいは同一基板に２層以上の成膜を繰り返し行う場合等においては顕著な問題となり、また、ＤＶＤメディアに用いられる０．６ｍｍの薄肉基板を用いる場合には、更に重大な問題となる。
【００１０】
この問題を解決するため、例えば、光記録媒体用スパッタホルダおよび光記録媒体の製造方法には、光記録媒体製造用のスパッタ装置において、被成膜基板を保持するスパッタホルダ（基板ホルダー）として、基板に接触する外周部と内周部とで高さが異なるものを設け、この基板ホルダー上に基板を保持し、スパッタ成膜によって基板が反る方向と逆方向に基板を歪ませた状態でスパッタ成膜を行うことにより、基板変形を低減させるようにしたスパッタ装置が提案されている（特許文献１参照）。
【００１１】
さらに、従来、光ディスクを製造する際において、平面基板を真空成膜装置（光ディスク基板成膜装置）の基板ホルダーに装着して成膜処理をする場合、基板裏面と基板ホルダーとの間隙部分のガスが真空排気時になかなか排気されず、設定圧力に至るまでの排気時間が長引くことがある。一方で、成膜を行った基板を成膜装置から取り出す際に、基板が基板ホルダーに真空吸着した状態で開放されないために、基板取り出し搬送上障害となることがある。
【００１２】
上記のごとくの問題に対し、例えば、記録媒体基板押さえにガス抜き孔を設けた構造のホルダが開示され（特許文献２参照）、また、記録媒体基板押さえと基板ホルダー（反記録面側）にガス抜き孔を設けた構造のホルダが開示されている（特許文献３参照）。これら従来の技術では、基板ホルダーにガス抜き孔を設けることで基板裏面のガスの排気および基板吸着の防止を図っている。
【００１３】
一方、近年、書き換え型光ディスクとして、相変化を利用したものが盛んに用いられるようになった。相変化記録型光ディスクは、一般に任意のピッチで凹凸を形成した透明プラスチック基板、誘電体材料としてＺｎＳ−ＳｉＯ2を用いた下部誘電体保護層、ＧｅＳｂＴｅやＩｎＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ等のカルコゲン系記録材料を用いた相変化記録層、前記下部誘電体保護層と同様、ＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる上部誘電体保護層、主としてＡｌ系の合金やＡｕ、Ａｇ等を用いた反射放熱層から構成され、これら各層もまたスパッタ法により成膜されるのが一般的である。
【００１４】
【特許文献１】特開平１０−８１９６４号公報
【特許文献２】特開平２−２７３３４５号公報
【特許文献３】実開平４−１３７５２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、上記特許文献１によれば、基板の半径方向の反りに関しては考慮されているものの、基板の円周方向についての基板機械特性に関しては何ら対策がなされているものではなく、総合的に見ると、スパッタ成膜による基板変形に関わる対策としては必ずしも十分でないという問題点があった。
【００１６】
例えば、ＤＶＤメディアの生産においては、一般的に０．６ｍｍの基板にスパッタ成膜後、０．６ｍｍのブランク基板を貼り合わせる方法が採られる。貼り合わせ工程においては、円周方向の反りを矯正することが困難であることから、スパッタ成膜において極力円周方向の反りを低く抑えておくことが重要な課題であるが、上記従来の方法ではこの問題を解決することができない。
【００１７】
また、上記特許文献２や、特許文献３によれば、基板ホルダーから基板を取り出す際の真空吸着を防ぐことができるものの、プラスチック材料製の基板の場合、成膜時に飛着した粒子からの入射エネルギの蓄積が生じると、プラスチック材料基板の蓄熱のため基板温度の上昇が発生し易く、この際、基板裏面に密着するホルダー側の面に、真空吸着を防ぐための溝を形成することは、密着部と溝部とに温度差が生じてしまい、基板の熱変形という新たな課題を抱えることとなる。
【００１８】
上述したごとくに、プラスチック材料製基板の場合では、入射する熱エネルギが基板の機械精度に悪影響を与える場合がある。特に、光ディスクのように、その表面に微細なピットが形成されるものでは、歪みによる機械的精度の低下が記録情報の記録・読み出しや消去上の大きな障害となる。さらに各種の光ディスクの製造においては、反射層、記録層、誘電体層、あるいは保護層をスパッタ装置により順次連続的に高速成膜する工程が不可欠となっており、したがって、入射する熱エネルギの蓄積が生じ易い。特にＤＶＤメディア基板のように０．６ｍｍの薄肉基板を用いる場合には、熱変形が起こり易く、機械精度維持の上では更に重大な問題となってくる。
【００１９】
さらに、基板の熱変形等によって搬送上のトラブルが発生すると、装置故障の原因となるばかりでなく、生産面においては、設備の稼動率を極端に低下させることにつながり、コストアップおよび生産率低下等の弊害を引き起こす原因となる。更に、基板ホルダーからの基板取り出しの際に、上記の真空吸着が生じると、搬送系側で仮に引き剥がすことができたとしても、基板裏面への傷等の問題につながって、生産の歩留まりを低下させることになり、また、基板搬送プロセスの高速化を図る上でも重大な障害となる。
【００２０】
また、相変化記録型光ディスクにおいても、生産を高速化しようとして、膜形成時のスパッタ電力を上げようとすると、基板の温度が著しく上昇し、基板が反ってしまい、記録再生を行えなくなるという問題が生じている。特に、基板の厚さを薄くしたＤＶＤ系の記録ディスクはさらに熱に弱い。
【００２１】
なお、相変化記録型光ディスクの反射層に関連する公報として、特開平１０−１６２４３５号公報には反射層としてＭｇ中にＡｇ等を添加して用い、繰り返し特性の向上を図ることが記載されている。
【００２２】
本発明は上記に鑑みてなされたものであって、０．６ｍｍ以下のより薄い光ディスク基板を用いても光ディスク基板が変形せず、しかもスループットを低下させることがない光ディスク基板成膜装置および光ディスク基板成膜方法を提供することを目的とする。
【００２３】
また、本発明は上記に鑑みてなされたものであって、スパッタ成膜中に光ディスク基板の薄膜成膜部分の裏面の少なくとも一部分を、基板ホルダーと密着させて成膜する装置において、スパッタ成膜後の成膜済み基板の取り出し・搬送を効率良く、且つ高速に行えるようにすることを目的とする。
【００２４】
また、本発明は上記に鑑みてなされたものであって、スパッタ成膜時の基板変形を低減させ、かつ安定な基板搬送を実現させることを目的とする。
【００２５】
また、本発明は上記に鑑みてなされたものであって、基板の変形を抑制し、かつスパッタ成膜後に基板ホルダーから基板を取り出す際の基板と基板ホルダーとの真空吸着を回避し、安定した基板取り出し動作を実行できる光ディスク基板成膜装置と該装置が備える基板ホルダーとを提供することを目的とする。
【００２６】
また、本発明は上記に鑑みてなされたものであって、光ディスク基板成膜装置において、高速成膜、厚肉成膜、薄肉ディスクへの成膜、同一基板への２層以上の繰り返し成膜等を行なう場合においても、良好な基板機械特性およびメディア信号特性を確保した光ディスクを歩留まりよく、安定して生産し、かつ基板搬送上のトラブルもなく、高い稼動率での生産を実現できるようにすることを目的とする。
【００２７】
また、本発明は上記に鑑みてなされたものであって、スパッタ成膜によって生じる基板変形を低減させ、かつ安定な基板搬送を行うことができ、さらに基板と基板ホルダーを密着させることに起因する基板表面の傷の発生を防ぐことを目的とする。
【００２８】
さらに、本発明は上記に鑑みてなされたものであって、ＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷのような相変化記録膜を高速でスパッタ成膜しても基板の反りが小さく、またＡｇ系反射放熱層の劣化が抑制された相変化記録型光ディスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２９】
上記の目的を達成するために、請求項１に係る光ディスク基板成膜装置は、基板の面上に薄膜を成膜して光ディスクを作成する光ディスク基板成膜装置であって、成膜中に基板を固定する基板ホルダーを備え、前記基板ホルダーは、基板のうち、成膜される領域である被成膜領域の裏面の少なくとも一部と密着する密着支持面を有し、前記密着支持面に基板を吸着固定する真空チャック部を有する一方、前記密着支持面は、溝部を有することを特徴とするものである。このように構成することにより、基板が基板ホルダーに支持される領域が増し、熱、あるいは塑性変形によって成膜中に基板が損なわれることが少なくなる。また、基板の被成膜領域の裏面を基板ホルダーに真空チャックによって吸着することができるようになる。また、密着支持面の一部が基板と密着されなくなり、密着支持面と基板との密着力をこの面積によって調整することができる。
【００３０】
また、請求項２に係る光ディスク基板成膜装置は、基板の面上に薄膜を成膜して光ディスクを作成する光ディスク基板成膜装置であって、成膜中に基板を固定する基板ホルダーを備え、前記基板ホルダーは、基板のうち、成膜される領域である被成膜領域の裏面の少なくとも一部と密着する密着支持面を有し、密着支持面に基板を吸着固定する真空チャック部を有する一方、吸着された基板を取り外すための取外し用爪を有することを特徴とするものである。このように構成することにより、基板が基板ホルダーに支持される領域が増し、熱、あるいは塑性変形によって成膜中に基板が損なわれることが少なくなる。また、基板の被成膜領域の裏面を基板ホルダーに真空チャックによって吸着することができるようになる。また、真空チャックで密着支持面に吸引された基板を取り外しやすくすることができる。
【００３１】
また、請求項３に係る光ディスク基板成膜装置は、基板の面上に薄膜を成膜して光ディスクを作成する光ディスク基板成膜装置であって、成膜中に基板を固定する基板ホルダーを備え、前記基板ホルダーは、基板のうち、成膜される領域である被成膜領域の裏面の少なくとも一部と密着する密着支持面を有し、基板に対して成膜を行う成膜室と、成膜室よりも低圧力に保たれる基板搬送室との間に配置され、密着支持面は、基板搬送室と成膜室とに通じる貫通孔を有することを特徴とするものである。このように構成することにより、基板が基板ホルダーに支持される領域が増し、熱、あるいは塑性変形によって成膜中に基板が損なわれることが少なくなる。また、基板の被成膜領域の裏面を基板ホルダーに真空チャックによって吸着することができるようになる。また、成膜室を基板搬送室との圧力差によって基板ホルダーと基板とを吸着することができ、基板ホルダーと基板とを吸着するための専用の構成を設ける必要が無くなる。
【００３２】
また、請求項４に係る光ディスク基板成膜装置は、基板裏面を基板ホルダーに密着させることにより光ディスク基板を前記基板ホルダーで保持して基板表面にスパッタ成膜を行う光ディスク基板成膜装置であって、前記基板ホルダーは、基板裏面と接する基板保持面の少なくとも一部が粗面となっていることを特徴とする。このように基板ホルダーの基板保持面を粗面化することにより、基板の半径方向および円周方向の反りを抑えることできるうえ、基板が基板ホルダーに密着することがなくなり、基板ホルダーからの基板の剥離性が向上する。
【００３３】
また、請求項５に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項４に記載の光ディスク基板成膜装置において、前記基板ホルダーが、基板裏面と接する基板保持面の少なくとも一部の表面粗さＲｍａｘ（最大高さ）が１０μｍ以上、５００μｍ以下であることを特徴とする。このように基板保持面の少なくとも一部の表面粗さＲｍａｘを１０μｍ以上、５００μｍ以下とすることで、さらに基板ホルダーからの基板の剥離性が向上する。この場合、基板保持面の全面にわたって上記数値範囲内で粗面化することが好ましい。基板保持面のＲｍａｘが１０μｍ未満では、上記剥離性向上効果が不十分となり、Ｒｍａｘが５００μｍを超えると、粗面に沿う形で基板が変形しやすくなる。
【００３４】
また、請求項６に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項５に記載の光ディスク基板成膜装置において、前記基板ホルダーが、基板裏面と接する基板保持面の少なくとも一部に潤滑処理が施され、かつ該潤滑処理部分の表面粗さＲｍａｘが１０μｍ以上、５００μｍ以下となっていることを特徴とする。このような基板ホルダーを作製するには、あらかじめ基板保持面の粗面化の程度を上記範囲より高い値にシフトさせておき、所定の潤滑処理を施した後（該処理により表面粗さが低下する）の表面粗さＲｍａｘが上記範囲内となるようにする。潤滑性のある粗面とすることで、基板保持面の転写に起因する基板裏面の傷発生が抑えられる。なお、本発明において上記潤滑処理は、基板保持面のうち上記粗面化部分および平坦面部分に施してもよいし、平坦面部分にのみ施してもよい。
【００３５】
また、請求項７に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項５に記載の光ディスク基板成膜装置において、前記基板ホルダーが、基板裏面と接する基板保持面の少なくとも一部が自己潤滑性のプラスチック材料で形成され、かつ該部分の表面粗さＲｍａｘが１０μｍ以上、５００μｍ以下となっていることを特徴とする。この基板ホルダーによれば、請求項３の基板ホルダーと同じく基板裏面の傷発生を抑えることできる。上記自己潤滑性プラスチック材料としては、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＰＯＭ（ポリアセタール）などが挙げられる。なお、本発明において上記自己潤滑性プラスチック材料で形成されている領域は、基板保持面のうち上記粗面化部分およびそれ以外の部分であってもよいし、粗面化部分以外の部分のみであってもよい。
【００３６】
また、請求項８に係る光ディスク基板成膜装置は、成膜対象とする基板を装着して該基板を保持する基板ホルダーを有する光ディスク基板成膜装置であって、前記基板ホルダーが、該基板ホルダーに前記基板を装着したときに、前記基板ホルダーと前記基板とが接触する領域内から接触しない領域内に延伸する溝部を有し、該溝部に通気性を有する多孔性部材が配設されていることを特徴としたものである。
【００３７】
また、請求項９に係る光ディスク基板成膜装置は、成膜対象とする基板を装着して該基板を保持する基板ホルダーを有する光ディスク基板成膜装置であって、前記基板ホルダーが、該基板ホルダーに前記基板を装着したときに、前記基板ホルダーが前記基板と接触する領域内に溝部を有し、該溝部に通気性を有する多孔性部材が配設され、さらに前記溝部から前記基板ホルダーと前記基板との非接触領域に連通する貫通孔が設けられていることを特徴としたものである。
【００３８】
また、請求項１０に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項８または９に記載の光ディスク基板成膜装置において、前記多孔性部材が、熱伝導性の良い材料により形成されていることを特徴としたものである。
【００３９】
また、請求項１１に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項８または９に記載の光ディスク基板成膜装置において、前記多孔性部材が、高分子材料により、または表面に高分子材料を被覆した材料により形成されていることを特徴としたものである。
【００４０】
また、請求項１２に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項８または９に記載の光ディスク基板成膜装置において、前記多孔性部材が、弾性体材料で形成されていることを特徴としたものである。
【００４１】
また、請求項１３に係る光ディスク基板成膜装置は、光ディスク基板を装着して保持する基板ホルダーと、前記光ディスクの内周側の所定領域をマスクする内周マスクと、前記光ディスクの外周側の所定領域をマスクする外周マスクとを有し、前記内周マスクおよび外周マスクを用いて前記光ディスク基板の表面に薄膜を成膜する光ディスク基板成膜装置において、前記基板ホルダーは、前記薄膜の成膜領域内で前記光ディスク基板に裏面側から接触する基板支持部を有し、該基板支持部は、前記内周マスクの外周側エッジから２ないし１０ｍｍ外側のラインと、前記外側マスクの内周側エッジから０．５ｍｍないし５ｍｍ内側のラインとの間の領域で、前記光ディスク基板に接触することを特徴としたものである。
【００４２】
また、請求項１４に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項１３に記載の光ディスク基板成膜装置において、０．３ｍｍ〜０．８ｍｍ厚みの前記光ディスク基板を薄膜の成膜対象とすることを特徴としたものである。
【００４３】
また、請求項１５に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項１３に記載の光ディスク基板成膜装置において、前記基板支持部のエッジ部がテーパ形状を有することを特徴としたものである。
【００４４】
また、請求項１６に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項１５に記載の光ディスク基板成膜装置において、前記テーパ形状におけるテーパ面と前記基板支持部の光ディスク基板接触面とのなす角として定義されるテーパ角は、１．０〜２．０ｄｅｇｒｅｅであることを特徴とする。
【００４５】
また、請求項１７に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項１３に記載の光ディスク基板成膜装置において、前記基板支持部のエッジ部が、前記光ディスク基板の硬度よりも低い硬度の低硬度材料で構成されていることを特徴としたものである。
【００４６】
また、請求項１８に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項１７に記載の光ディスク基板成膜装置において、前記低硬度材料は、光ディスクの半径方向の幅が０．１〜０．５ｍｍであることを特徴としたものである。
【００４７】
また、請求項１９に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項１７に記載の光ディスク基板成膜装置において、前記低硬度材料は、シリコンゴムであることを特徴としたものである。
【００４８】
また、請求項２０に係る光ディスク基板成膜装置は、光ディスク製造工程の中で、ディスク基板上に反射層、記録層、保護層、または誘電体層等のいずれか、或いは前記の２層以上の層構成を組み合わせて積層成膜するスパッタ成膜に用いる光ディスク基板成膜装置において、基板ホルダーの基板設置面と被成膜基板の間に限定した部分、および同範囲内の少なくとも、基板と基板ホルダーの接触によって基板ホルダー側に形成される閉空間部分にガスを導入できるように該基板ホルダー側に給気部を備えたことを特徴とするものである。この機構を具備することにより、被成膜基板裏面を基板ホルダーに密着させて成膜を行なった場合においても、スパッタ成膜終了後に基板を取り出す際に該給気部からガスを供給することにより、真空中でのスパッタ成膜過程を経て、基板ホルダーに真空吸着した基板を取り外すことが可能となる。また、ガスによる真空解放現象を利用しているため、基板取り出し時の基板裏面への傷等の問題をなくすことができる。
【００４９】
また、請求項２１に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項２０に記載の光ディスク基板成膜装置において、スパッタ成膜終了後から基板搬出までの間に、該給気部からガスを供給することを特徴とするものである。
【００５０】
また、請求項２２に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項２１に記載の光ディスク基板成膜装置において、該給気部から供給するガスにより、光ディスク基板成膜装置の基板挿入・搬出用の大気と真空の間の中間室（以下、ロードロック室と称する）のベントガスを兼ねることを特徴とするものである。
【００５１】
また、請求項２３に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項２０に記載の光ディスク基板成膜装置において、光ディスク基板成膜装置筺体のロードロック室の閉空間を形成する内壁部に光ディスク基板成膜装置外部からのガス導入口を具備させ、また、該基板ホルダーに該給気部と通じるガス供給口を具備させ、ロードロック室の所定の位置に該基板ホルダーが移動した際に限り、光ディスク基板成膜装置筺体の該ガス導入口と該基板ホルダーの該ガス供給口が連結されるようにしたことを特徴とするものである。
【００５２】
また、請求項２４に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項２３に記載の光ディスク基板成膜装置において、該光ディスク基板成膜装置筺体の該ガス導入口と該基板ホルダーの該ガス供給口をＯリングを介して連結させることを特徴とするものである。
【００５３】
また、請求項２５に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項２３に記載の光ディスク基板成膜装置において、該光ディスク基板成膜装置筺体の該ガス導入口と該基板ホルダーの該ガス供給口の連結部がお互いに重なり合うテーパーを持った構造であることを特徴とするものである。
【００５４】
また、請求項２６に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項２３〜２５のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置において、該光ディスク基板成膜装置筺体の該ガス導入口と該基板ホルダーの該ガス供給口の連結によって形成されるガス導入路において、該光ディスク基板成膜装置筺体のガス導入口とロードロック室をつなげるバイパス弁を具備させ、ロードロック室の真空排気時に限り該バイパス弁を開くことを特徴とするものである。
【００５５】
また、請求項２７に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項２３〜２５のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置において、該光ディスク基板成膜装置筺体の該ガス導入口と該基板ホルダーの該ガス供給口の連結によって形成されるガス導入路において、該光ディスク基板成膜装置筺体のガス導入路に、単独に真空排気できる排気路を付設し、ロードロック室の真空排気時に限り該排気路から真空排気することを特徴とするものである。
【００５６】
また、請求項２８に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項２０に記載の光ディスク基板成膜装置において、該基板ホルダーに基板を配置した際に、基板裏面と該基板ホルダーの接触部と非接触部の境界を形成する基板ホルダー側のエッジ部、少なくとも該給気部の孔端エッジ部をＲ加工しておくことを特徴とするものである。
【００５７】
また、請求項２９に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項２０に記載の光ディスク基板成膜装置において、該基板ホルダー表面に潤滑処理を施したことを特徴とするものである。
【００５８】
また、請求項３０に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項２９に記載の光ディスク基板成膜装置において、該潤滑処理として、フッ化黒鉛（ＣＦ）ｎやフッ素樹脂（ＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＦＥＰ）の撥水性粉末を用いた複合メッキ、或いはフルオロアルキル基を有するクロロシラン系化学吸着剤を用いた処理等の撥水処理を行なうことを特徴とするものである。
【００５９】
また、請求項３１に係る光ディスク基板成膜装置は、反射層、記録層、保護層、または誘電体層等のいずれか、或いは前記の２層以上の層構成を組み合わせて積層成膜を行なうスパッタ成膜に用いる光ディスク基板成膜装置において、ディスク基板の成膜領域に対応した基板ホルダー表面の領域内に、ディスク基板設置中心を中心に周方向に１周させた溝部で、「該溝部を構成する稜線の任意位置での接線」と、「同位置における、該ディスク基板設置中心を中心にした円周の接線」とのなす鋭角がすべての位置で３０度以下となる構造の溝部を少なくとも１本形成し、かつ、ディスク基板設置時に、該溝部以外の部分が少なくとも該ディスク基板の成膜領域裏面を密着保持する構造としたことを特徴とするものである。
【００６０】
また、請求項３２に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項３１に記載の光ディスク基板成膜装置において、該溝部の稜線が、該ディスク基板設置中心を中心に同心円状となるようにしたことを特徴とするものである。
【００６１】
また、請求項３３に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項３１または３２に記載の光ディスク基板成膜装置において、該溝部の稜線を形成するエッジ部にテーパーを設けたことを特徴とするものである。
【００６２】
また、請求項３４に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項３１または３２に記載の光ディスク基板成膜装置において、該溝部の稜線を形成するエッジ部にＲ加工を施したことを特徴とするものである。
【００６３】
また、請求項３５に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項３１〜３４のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置において、該基板ホルダーの少なくとも該ディスク基板と接触する面に潤滑処理を施したことを特徴とするものである。
【００６４】
また、請求項３６に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項３５に記載の光ディスク基板成膜装置において、該潤滑処理として、フッ化黒鉛（ＣＦ）ｎやフッ素樹脂（ＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＦＥＰ）の撥水性粉末を用いた複合メッキ、或いはフルオロアルキル基を有するクロロシラン系化学吸着剤を用いた処理等の撥水処理を行なうことを特徴とするものである。
【００６５】
また、請求項３７に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項３１〜３６のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置において、該基板ホルダーの少なくとも該ディスク基板と接触する面をＰＴＦＥ、ポリアセタールに代表される潤滑性をもつ材料で構成することを特徴とするものである。
【００６６】
また、請求項３８に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項３１〜３７のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置において、該基板ホルダーのディスク基板設置面以外の部分で、かつ該ディスク基板の光ディスク基板成膜装置への搬入・搬出時に真空排気およびベントされる部分から、該溝部内に通じる流路を形成したことを特徴とするものである。
【００６７】
また、請求項３９に係る光ディスク基板成膜方法は、基板ホルダーに固定された基板上に薄膜を成膜して光ディスクを作成する光ディスク基板成膜方法であって、基板ホルダーは、基板を固定する際に、基板が固定される面の少なくとも一部と、基板のうちの成膜される領域である被成膜領域の裏面の少なくとも一部とを密着して基板を支持することを特徴とするものである。このように構成することにより、基板が基板ホルダーに支持される領域が増し、熱、あるいは塑性変形によって成膜中に基板が損なわれることが少なくなる。また、基板の被成膜領域の裏面を基板ホルダーに真空チャックによって吸着することができるようになる。
【００６８】
また、請求項４０に係る光ディスク基板成膜方法は、基板ホルダーに固定された基板上に薄膜を成膜して光ディスクを作成する光ディスク基板成膜方法であって、基板ホルダーは、０．６ｍｍ以下の厚さを有する基板を固定する際に、基板が固定される面の少なくとも一部と、基板のうちの成膜される領域である被成膜領域の裏面の少なくとも一部とを密着して基板を支持することを特徴とするものである。このように構成することにより、基板が基板ホルダーに支持される領域が増し、厚さが０．６ｍｍ以下の基板についても、熱、あるいは塑性変形によって成膜中に基板が損なわれることが少なくなる。また、基板の被成膜領域の裏面を基板ホルダーに真空チャックによって吸着することができるようになる。
【００６９】
また、請求項４１に係る光ディスク基板成膜方法は、基板に対して成膜を行う成膜室と、前記成膜室に基板を搬送する基板搬送室と、前記基板搬送室と前記成膜室との間に配置され、前記基板搬送室と前記成膜室とに通じる貫通孔を有する基板ホルダーを有する光ディスク基板成膜装置によって行われる光ディスク基板成膜方法であって、前記基板搬送室よりも前記成膜室を高い圧力に保つことにより、前記基板ホルダー上に基板を固定して成膜を行う成膜工程を含むことを特徴とするものである。このように構成することにより、基板ホルダーに基板を吸着するための専用の構成を設けることなく、成膜の間中、基板ホルダーに基板を吸着することができる。
【００７０】
また、請求項４２に係る光ディスク基板成膜方法は、基板に対して成膜を行う成膜室と、成膜室に基板を搬送する基板搬送室と、基板搬送室と成膜室との間に配置され、基板搬送室と前記成膜室とに通じる貫通孔を有する基板ホルダーを有する光ディスク基板成膜装置によって行われる光ディスク基板成膜方法であって、基板ホルダーは、０．６ｍｍ以下の厚さを有する基板を固定する際、基板搬送室よりも成膜室を高い圧力に保つことによって基板ホルダー上に基板を固定して成膜を行う成膜工程を含むことを特徴とするものである。このように構成することにより、０．６ｍｍ以下の厚さを有する基板についても、基板ホルダーと基板とを吸着するための専用の構成を設けることなく、成膜の間中、基板ホルダーに基板を吸着することができる。
【００７１】
また、請求項４３に係る光ディスク基板成膜方法は、請求項４１または４２に記載の光ディスク基板成膜方法において、成膜工程では、基板上の成膜される領域である被成膜領域の裏面の少なくとも一部を基板ホルダーと密着させることを特徴とするものである。このように構成することにより、成膜中に基板が基板ホルダーに支持される領域が増し、成膜時の熱によって基板が変形することが少なくなる。
【００７２】
また、請求項４４に係る光ディスク基板成膜方法は、請求項４０〜４２のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜方法において、成膜工程が、成膜工程の以前に基板ホルダーと密着する基板の裏面に裏面を保護するための膜である保護膜を形成する裏面保護膜形成工程をさらに含むことを特徴とするものである。このように構成することにより、成膜時に裏面となる光ディスクの光入射面に傷が付くことを防ぐことができる。
【００７３】
また、請求項４５に係る光ディスク基板成膜方法は、請求項４４に記載の光ディスク基板成膜方法において、裏面保護膜形成工程では、紫外線を照射することによって硬化する樹脂であるＵＶ硬化樹脂をスピンコートすることによって保護膜を形成することを特徴とするものである。このように構成することにより、基板に熱を加えることなく保護膜を形成することができる。
【００７４】
また、請求項４６に係る光ディスク基板成膜方法は、請求項４４に記載の光ディスク基板成膜方法において、裏面保護膜形成工程では、スパッタリングによって保護膜を形成することを特徴とするものである。このように構成することにより、コーターなどの装置が無い場合にも保護膜を形成することができる。
【００７５】
また、請求項４７に係る光ディスク基板成膜方法は、請求項４６に記載の光ディスク基板成膜方法において、スパッタリングによって形成される保護膜は、シリコン窒化膜と、シリコン酸化膜と、チタン窒化膜と、インジウム、チタン、酸素の化合物とのうちのいずれか一つ、あるいは複数の積層膜であることを特徴とするものである。このように構成することにより、成膜条件が良く知られていて、しかも保護膜に適した材質の膜を選択することができる。
【００７６】
また、請求項４８に記載の光ディスク基板成膜方法は、基板裏面を基板ホルダーに密着させることにより光ディスク基板を前記基板ホルダーで保持して基板表面にスパッタ成膜を行う方法において、請求項４〜７のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置を用いることを特徴とする。この成膜方法によれば、基板の半径方向および円周方向の反りを抑えることできるうえ、基板を基板ホルダーから簡便・円滑に剥離させることができる。
【００７７】
また、請求項４９に記載の基板ホルダーの製造方法は、請求項６に記載の基板ホルダーを作製するに際し、基板裏面と接する基板保持面の少なくとも一部に粗面化処理を施した後、該粗面部分に、フッ化黒鉛（ＣＦ）ｎまたはフッ素樹脂の微粉末（これらは潤滑性と撥水性とを兼ね備えた微粉末である）を用いる複合メッキによる潤滑処理を施すことにより、該潤滑処理部分の表面粗さＲｍａｘを１０μｍ以上、５００μｍ以下とすることを特徴とする。上記複合メッキによれば上記粗面部分に、フッ化黒鉛（ＣＦ）ｎまたはフッ素樹脂からなる皮膜が形成される。上記フッ素樹脂しては、例えばＰＴＦＥ、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）、ＦＥＰ（テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体）が挙げられる。
【００７８】
また、請求項５０に記載の基板ホルダーの製造方法は、請求項６に記載の基板ホルダーを作製するに際し、基板裏面と接する基板保持面の少なくとも一部に粗面化処理を施した後、該粗面部分に、フルオロアルキル基を有するクロロシラン系化学吸着剤を用いる潤滑処理を施すことにより、該潤滑処理部分の表面粗さＲｍａｘを１０μｍ以上、５００μｍ以下とすることを特徴とする。
【００７９】
また、請求項５１に記載の基板ホルダーの製造方法は、請求項６に記載の基板ホルダーを作製するに際し、基板裏面と接する基板保持面の少なくとも一部に粗面化処理を施した後、該粗面部分に、トリアジンチオールを用いる有機メッキを施すことにより、該潤滑処理部分の表面粗さＲｍａｘを１０μｍ以上、５００μｍ以下とすることを特徴とする。上記有機メッキの結果、上記粗面部分にトリアジンチオールからなる有機性薄膜が形成される。
【００８０】
また、請求項５２に係る基板ホルダーは、請求項８〜１２のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置が有する基板ホルダーであることを特徴とする。
【００８１】
また、請求項５３に係る光ディスクは、請求項３１〜３８のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置で作製することを特徴とする。
【００８２】
また、請求項５４に係る相変化記録型光ディスクは、基板上に硫化亜鉛と酸化ケイ素の混合体からなる下部誘電体保護層、相変化記録層、硫化亜鉛と酸化ケイ素の混合体からなる上部誘電体保護層および反射放熱層を少なくとも構成層とする相変化記録型光ディスクにおいて、反射放熱層がＡｇを主成分とし、かつ上部誘電体保護層と反射放熱層との間に耐硫化性導電体層を設けることを特徴とするものである。
【００８３】
また、請求項５５に係る相変化記録型光ディスクは、請求項５４に記載の相変化記録型光ディスクにおいて、耐硫化性導電体層の厚さが反射放熱層の厚さよりも薄いことを特徴とするものである。
【００８４】
また、請求項５６に係る相変化記録型光ディスクは、請求項５４または５５に記載の相変化記録型光ディスクにおいて、耐硫化性導電体層がＡｌまたはＡｌＣｕx、ＡｌＳｉx、ＡｌＳｉxＣｕy、ＡｌＳｃX、ＡｌＴｉx、もしくはＡｌＳｉxＴｉyからなるＡｌを含む合金膜であることを特徴とするものである。
【００８５】
また、請求項５７に係る相変化記録型光ディスクは、請求項５４または５５記載の相変化記録型光ディスクにおいて、耐硫化性導電体層がＴｉ膜、Ｚｒ膜、もしくはＨｆ膜からなる高融点金属膜またはＴｉxＮy、ＴｉxＳｉy、ＺｒxＮy、ＺｒxＳｉy、ＨｆxＮy、もしくはＨｆxＳｉyからなる高融点金属を含む合金膜であることを特徴とするものである。
【００８６】
また、請求項５８に係る相変化記録型光ディスクは、請求項５４または５５に記載の相変化記録型光ディスクにおいて、耐硫化性導電体層がＴａまたはＴａxＮy、もしくはＴａxＳｉyからなるＴａを含む合金膜であることを特徴とするものである。
【００８７】
また、請求項５９に係る相変化記録型光ディスクは、請求項５４または５５に記載の相変化記録型光ディスクにおいて、耐硫化性導電体層がＷ膜またはＷxＮy、もしくはＷxＳｉyからなるＷを含む合金膜であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００８８】
以上説明したように、請求項１記載の発明によれば、成膜中に基板が変形することを少なくできる。このため、より薄い基板を用いた場合にも、従来の基板と同様に取り扱うことができ、成膜工程のスループット低下を防ぐことができる。また、光ディスクの品質を高めると共に、光ディスク製品の歩留まりを高めることができる。また、基板を基板ホルダーに真空チャックによって吸着でき、より薄い基板を用いた場合にも、基板の変形を防ぐことができる。このため、光ディスクの品質を高めると共に、光ディスク製品の歩留まりを高めることができる。以上のことから、請求項１記載の発明によれば、より薄い光ディスク基板を用いても、光ディスク基板が変形せず、しかもスループットを低下させることがない光ディスク基板成膜装置を提供することができる。また、密着支持面と基板との密着力を調整することにより、基板を密着支持面から取り外しやすくする。このため、基板を真空チャックした場合にも基板を比較的小さな力で取り外すことができ、取り外しの際に基板が損なわれることを防ぐことができる。
【００８９】
また、請求項２記載の発明によれば、成膜中に基板が変形することを少なくできる。このため、より薄い基板を用いた場合にも、従来の基板と同様に取り扱うことができ、成膜工程のスループット低下を防ぐことができる。また、光ディスクの品質を高めると共に、光ディスク製品の歩留まりを高めることができる。また、基板を基板ホルダーに真空チャックによって吸着でき、より薄い基板を用いた場合にも、基板の変形を防ぐことができる。このため、光ディスクの品質を高めると共に、光ディスク製品の歩留まりを高めることができる。以上のことから、請求項２記載の発明によれば、より薄い光ディスク基板を用いても、光ディスク基板が変形せず、しかもスループットを低下させることがない光ディスク基板成膜装置を提供することができる。また、基板が密着支持面から剥がれやすくしている。このため、真空チャックされた基板でも比較的小さな力で取り外すことができ、取り外しの際に基板が損なわれることを防ぐことができる。
【００９０】
また、請求項３記載の発明によれば、成膜中に基板が変形することを少なくできる。このため、より薄い基板を用いた場合にも、従来の基板と同様に取り扱うことができ、成膜工程のスループット低下を防ぐことができる。また、光ディスクの品質を高めると共に、光ディスク製品の歩留まりを高めることができる。また、基板を基板ホルダーに真空チャックによって吸着でき、より薄い基板を用いた場合にも、基板の変形を防ぐことができる。このため、光ディスクの品質を高めると共に、光ディスク製品の歩留まりを高めることができる。以上のことから、請求項３記載の発明によれば、より薄い光ディスク基板を用いても、光ディスク基板が変形せず、しかもスループットを低下させることがない光ディスク基板成膜装置を提供することができる。また、成膜室と基板搬送室との間に圧力差をつけることによって基板ホルダーと基板とを吸着することができる。このため、本発明の光ディスク基板成膜装置の構成を簡易化するとともに、自動的に光ディスク基板の吸着を解除し、取り外しの際に基板が損なわれることを防ぐことができる。
【００９１】
また、請求項４記載の発明によれば、基板ホルダーの基板保持面を粗面化することにより、基板の半径方向および円周方向の反りを抑えることできるうえ、基板が基板ホルダーに密着することがなくなり、基板ホルダーからの基板の剥離性が向上する。
【００９２】
また、請求項５記載の発明によれば、基板保持面の少なくとも一部の表面粗さＲｍａｘを１０μｍ以上、５００μｍ以下とすることで、上記請求項４の発明による効果が著しく高まる。
【００９３】
また、請求項６または７記載の発明によれば、基板の反りが抑えられるうえ、スパッタ成膜後の基板ホルダーからの基板取出しの容易さが更に向上する。また、基板裏面に傷が発生しにくくなるという効果も得られる。
【００９４】
また、請求項８記載の発明によれば、多孔性の部材をプラスチック製平面基板の非成膜面が接触する部分と接触する部分からはずれた部分に連なるように配置することにより、基板ホルダーの機械的強度を減じることなくプラスチック平面基板の熱変形防止効果と気密密着防止効果を維持できる。
【００９５】
また、請求項９記載の発明によれば、平面基板の非成膜面と接触する領域内に多孔性部材を配置し、多孔性の部材の裏面側に、基板ホルダーを貫通する貫通孔を設けることにより、成膜時の飛着物が付着しないので多孔性部材を交換する必要が無く、基板の熱変形防止効果と気密密着防止効果を維持できる。
【００９６】
また、請求項１０記載の発明によれば、多孔性部材が熱伝導性の良い材料で構成されているので、基板ホルダー表面での熱分布の不連続が発生せず、最も安定して基板の熱変形防止効果と気密密着防止効果を維持できる。
【００９７】
また、請求項１１記載の発明によれば、多孔性部材が高分子材料または表面に高分子材料を被覆した材料で構成されているので、基板の表面に傷を付けることなく基板の熱変形防止効果と気密密着防止効果を維持できる。
【００９８】
また、請求項１２記載の発明によれば、多孔性部材が弾性体で構成されているので、基板の表面に傷を付けることなく平面基板の熱変形防止効果と気密密着防止効果を維持できる。
【００９９】
また、請求項１３記載の発明によれば、成膜時の基板変形を防ぐことができ、また基板裏面の全体が基板ホルダーに接触することがないので、真空吸着により基板取りだし動作が不安定になることを抑えることができる。また、基板変形が少なく、かつ安定な基板搬送を行うことができる光ディスク成膜装置を提供できる。
【０１００】
また、請求項１４記載の発明によれば、基板変形を防ぎかつ安定して取り出し動作を実行できる光ディスク基板の厚さが与えられる。
【０１０１】
また、請求項１５記載の発明によれば、基板ホルダーの基板支持部のエッジにテーパ形状を付与することにより、基板支持部のエッジにおいて、基板に対し集中的にメカニカルな負荷がかかる事を防ぐことができ、基板の局所的な変形や基板表面が傷つくことを防ぐ事ができる。
【０１０２】
また、請求項１６記載の発明によれば、基板支持部のエッジに付与するテーパ形状の最適テーパ角が与えられる。
【０１０３】
また、請求項１７記載の発明によれば、基板支持部のエッジを基板の硬度より低い硬度の材料で構成することによって、基板表面が傷つくことを防ぐことができる。
【０１０４】
また、請求項１８記載の発明によれば、基板ホルダーのエッジ部に付与する低硬度の材料の最適な寸法が与えられる。
【０１０５】
また、請求項１９記載の発明によれば、基板ホルダーのエッジ部に付与する低硬度の材料の具体的な材料が与えられ、この材料を用いることにより基板表面の傷つきを防止する効果を高めることができる。
【０１０６】
また、請求項２０〜３０記載の発明によれば、基板ホルダーの基板設置面と被成膜基板の間に限定した部分、及び同範囲内の少なくとも基板と基板ホルダーの接触によって基板ホルダー側に形成される閉空間部分に、該基板ホルダー表面に設けた該給気部からガスを導入できるようになる。このため、スパッタ成膜後の成膜済み基板の取り出し・搬送を効率良く、且つ高速に行うことができる。また、光ディスク基板成膜装置筐体の該ガス導入口と該基板ホルダーの該ガス供給口が、機密性を持って連結した場合においても、光ディスク基板成膜装置筐体のガス導入路から該基板ホルダーの給気部にかけての流路内を真空排気することが可能となる。また、基板が基板ホルダーに密着して配置された場合においても、基板裏面の傷を防止することができるという極めて優れた効果を奏する。
【０１０７】
また、請求項３１記載の発明によれば、該成膜領域の少なくとも一部を基板ホルダーと密着する構造により、該基板ホルダー表面に溝部を有しつつも、スパッタ成膜した際に、良好な基板機械特性及びメディア信号特性を得ることのできる基板ホルダーを実現することができた。すなわち、光ディスク基板成膜装置において、高速成膜、厚肉成膜、薄肉ディスクへの成膜、同一基板への２層以上の繰り返し成膜等を行なった場合でも、良好な基板機械特性及びメディア信号特性を確保した光情報記録媒体を安定して提供することが可能となった。また、連続成膜時の基板搬送トラブルをなくし、光ディスク基板成膜装置の稼動率を飛躍的に向上させることにより、生産の効率化、及び生産コストの低減を図ることができるという極めて優れた効果を奏する。
【０１０８】
また、請求項３２記載の発明によれば、該溝部の稜線が該ディスク基板設置中心を中心に同心円状となるようにしたことにより、該基板ホルダー表面に形成した溝部が基板機械特性及びメディア信号特性に与える影響を飛躍的に低減させることが可能となった。
【０１０９】
また、請求項３３または３４記載の発明によれば、該溝部の稜線を形成するエッジ部にテーパーを設けたり、Ｒ加工を施したりすることにより、該基板ホルダー表面に形成した溝部の稜線部が該ディスク基板と接触することによる傷を低減することができた。
【０１１０】
また、請求項３５または３６記載の発明によれば、該基板ホルダーのディスク基板と接触する面に、フッ化黒鉛（ＣＦ）ｎやフッ素樹脂（ＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＦＥＰ）の撥水性粉末を用いた複合メッキ、或いはフルオロアルキル基を有するクロロシラン系化学吸着剤を用いた処理等の撥水処理を用いる潤滑処理を施すことにより、ディスク基板が基板ホルダーと接触することによる傷を飛躍的に低減することができた。
【０１１１】
また、請求項３７記載の発明によれば、基板ホルダーのディスク基板と接触する面をＰＴＦＥ、ポリアセタール等の潤滑性をもった材料で構成することにより、ディスク基板が基板ホルダーと密着保持することによる傷を飛躍的に低減することができた。
【０１１２】
また、請求項３８記載の発明によれば、該溝部に通じる流路を形成することにより、光ディスク基板成膜装置からのディスク基板の搬出時において、この非接触空間からベントガスを導入することが可能となり、該ディスク基板を該基板ホルダーに密着させた場合に生じる真空吸着を未然に防ぎ、安定した基板搬送を行なうことができるようになった。
【０１１３】
また、請求項３９記載の発明によれば、成膜中に基板が変形することを少なくできる。このため、より薄い基板を用いた場合にも、従来の基板と同様に取り扱うことができ、成膜工程のスループット低下を防ぐことができる。また、光ディスクの品質を高めると共に、光ディスク製品の歩留まりを高めることができる。また、基板を基板ホルダーに真空チャックによって吸着でき、より薄い基板を用いた場合にも、基板の変形を防ぐことができる。このため、光ディスクの品質を高めると共に、光ディスク製品の歩留まりを高めることができる。以上のことから、請求項３９記載の発明によれば、より薄い光ディスク基板を用いても、光ディスク基板が変形せず、しかもスループットを低下させることがない光ディスク基板成膜方法を提供することができる。
【０１１４】
また、請求項４０記載の発明によれば、基板を基板ホルダーに真空チャックによって吸着でき、０．６ｍｍ厚の基板を用いた場合にも、基板の変形を防ぐことができる。このため、貼り合わせ式の光ディスクの品質を高めると共に、光ディスク製品の歩留まりを高めることができる。
【０１１５】
また、請求項４１記載の発明によれば、基板ホルダーと基板とを吸着するための専用の構成を設けることなく、成膜の間中、基板ホルダーと基板とを吸着することができる。このため、本発明の光ディスク基板成膜装置の構成を簡易化すると共に、自動的に光ディスク基板の吸着を解除し、取り外しの際に基板が損なわれることを防ぐことができる。
【０１１６】
また、請求項４２記載の発明によれば、基板ホルダーと基板とを吸着するための専用の構成を設けることなく、成膜の間中、基板ホルダーと基板とを吸着することができる。このため、本発明の光ディスク基板成膜装置の構成を簡易化すると共に、自動的に光ディスク基板の吸着を解除し、０．６ｍｍ以下の厚さの基板に対しても取り外しの際に基板が損なわれることを防ぐことができる。
【０１１７】
また、請求項４３記載の発明によれば、成膜中に基板が変形することを少なくできる。このため、より薄い基板を用いた場合にも、従来の基板と同様に成膜することができ、成膜工程のスループット低下を防ぐことができる。また、光ディスクの品質を高めると共に、光ディスク製品の歩留まりを高めることができる。また、基板を基板ホルダーに真空チャックによって吸着でき、より薄い基板を用いた場合にも、基板の変形を防ぐことができる。このため、光ディスクの品質を高めると共に、光ディスク製品の歩留まりをいっそう高めることができる。以上のことから、請求項４３記載の発明によれば、より薄い光ディスク基板を用いても、光ディスク基板が変形せず、しかもスループットを低下させることがない光ディスク基板成膜方法を提供することができる。
【０１１８】
また、請求項４４記載の発明によれば、成膜時に裏面となる光ディスクの光入射面に傷が付くことを防ぎ、光ディスクの品質を高めると共に、光ディスク製品の歩留まりをいっそう高めることができる。
【０１１９】
また、請求項４５記載の発明によれば、基板に熱を加えることなく保護膜を形成し、基板の熱による変形をいっそう低減することができる。
【０１２０】
また、請求項４６記載の発明によれば、コーターなどの装置が無い場合にも保護膜を形成し、保護膜の形成方法を多様化することができる。
【０１２１】
また、請求項４７記載の発明によれば、成膜条件が良く知られていて、しかも保護膜に適した材質の膜を選択することができる。このため、裏面の保護に好適な保護膜を形成することができる。
【０１２２】
請求項４８記載の発明によれば、反りのない基板を歩留りよく製造することができる。
【０１２３】
また、請求項４９、５０または５１記載の発明によれば、請求項６の基板ホルダーを簡便・安価に製造することができる。基板保持面の表面処理では、上記トリアジン処理が特に好ましく、比較的安価で高い表面潤滑効果を得ることができる。
【０１２４】
また、請求項５２記載の発明によれば、請求項８〜１２記載の発明の効果を得ることができる基板ホルダーが提供される。
【０１２５】
また、請求項５３記載の発明によれば、生産の効率化、及び生産コストの低減を図った光ディスクを得ることができる。
【０１２６】
また、請求項５４〜５９記載の発明によれば、反射放熱層にＡｇ系合金膜を用い、かつ硫化亜鉛と酸化ケイ素の混合体からなる上部誘電体保護層と反射放熱層との間に耐硫化性導電体層を設けた本発明の相変化記録型光ディスクによれば、反射放熱層にＡｌを用いた場合に比べて、より速くディスクをスパッタ成膜でき、温度上昇が小さいため反りも小さい。また耐硫化性導電体層の存在によりＡｇの劣化を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０１２７】
以下、本発明の光ディスク基板成膜装置、光ディスク基板成膜方法、基板ホルダーの製造方法、基板ホルダー、光ディスクおよび相変化記録型光ディスクの最適な実施の形態について、添付の図面を参照して、実施の形態１〜１７の順で詳細に説明する。
【０１２８】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１の光ディスク基板成膜装置の基板搬送室と成膜室との上面を示す図であり、この基本的な構成は実施の形態１〜３で共通のものである。実施の形態１の光ディスク基板成膜装置は、光ディスク基板の面上に薄膜を成膜して光ディスクを作成する光ディスク基板成膜装置である。実施の形態１〜３では、いずれも、この光ディスク基板に０．６ｍｍの厚さを有するものを用いるものとする。なお、０．６ｍｍの標記成形基板の厚みは、公差±５０μｍを含むものである。
【０１２９】
このうち、図示した構成は、基板搬送室１０と、基板搬送室１０の外周面に設けられた５つの成膜室２ａ〜２ｅと、各成膜室２ａ〜２ｅに向けて光ディスク基板１（図２）を固定するための基板ホルダー６ａ〜６ｆとを有している。また、基板搬送室１０は、真空に保持されていて、この真空状態をブレークすること無しに光ディスク基板１を各成膜室に搬送する。搬出・搬入口２０は、真空と大気圧との間のロードロック機構を有し、光ディスク基板１を基板ホルダーｆにロード、アンロードする機能を持っている。なお、この基板ホルダー６ａ〜６ｆの構成については、後述するものとする。
【０１３０】
また、基板ホルダー６ａ〜６ｆには、基板搬送アーム４ａ〜４ｆが接続されていて、基板搬送アーム４ａ〜４ｆは、中心部３０に固定されている。中心部３０は、図示しない駆動部によって回転するよう構成されている。この回転に伴って基板ホルダー６ａ〜６ｆは、一つの光ディスク基板１を順次成膜室２ａ〜２ｅに設定することができる。
【０１３１】
実施の形態１では、以上のように構成された光ディスク基板成膜装置を、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＺｎＳ．ＳｉＯ2、Ａｌの３種類の膜を周知のスパッタリング技術によって生成するものとしている。このために実施の形態１では、成膜室２ａおよび成膜室２ｂをＺｎＳ．ＳｉＯ2膜（誘電体層）の成膜専用とし、成膜室２ｃをＡｇＩｎＳｂＴｅ膜（記憶層）の成膜専用とし、成膜室２ｄをＺｎＳ．ＳｉＯ2膜（上層誘電体層）の成膜専用とし、さらに成膜室２ｅをＡｌ膜（反射層）の成膜専用としている。そして、一つの光ディスク基板１が順次成膜室２ａ〜２ｅに設定されることにより、以上の各膜が連続的に成膜され、光ディスクが形成される。
【０１３２】
なお、実施の形態１〜３では、いずれの場合も、このようにして成膜される膜のトータル膜厚を３７０ｎｍとした。また、スパッタ工程のタクトタイムは、２５ｓｅｃである。
【０１３３】
図２は、図１に示した基板ホルダー６ａの横断面図である。なお、他の基板ホルダー６ｂ〜６ｆについては、図２に示した基板ホルダーと同様に構成されたものであるから、説明および図示を略すものとする。基板ホルダー６ａは、光ディスク基板１を固定する円板であるホルダー部３と、ホルダー部３をその中心で支持するアーム部４ａとを有している。このホルダー部３は、成膜室２ａに向けて光ディスク基板１を固定する。
【０１３４】
光ディスク基板１は、内周マスク１１と外周マスク１２とによってホルダー部３上に固定され、内周マスク１１、外周マスク１２から露出している光ディスク基板１の領域Ｓ（被成膜領域）にのみ膜が生成される。なお、実施の形態１では、アーム部４ａに真空チャック用の貫通孔７ａ（一点鎖線で示す）を設け、ホルダー部３に真空チャック部を設けている。このような真空チャック部により、光ディスク基板１は、ホルダー部３上へいっそう強固に固定されることになる。
【０１３５】
図３は、このようなホルダー部３の基本的な構成を説明する図であって、上方の図はホルダー部３の断面図であり、また、下方の図はホルダー部３の上面図である。なお、図３の断面図は、上面図中の破線Ａ−Ａ'に沿うものである。図３のように、ホルダー部３は、光ディスク基板１を光ディスク基板１の中心点に近い位置で固定する内周マスク１１と、周縁部に近い位置で固定する外周マスク１２とを有している。内周マスク１１、外周マスク１２は、いずれも光ディスク基板１の一部を覆い、ホルダー部３の上面との間に光ディスク基板１を挟み込むようにして光ディスク基板１を固定している。このため、光ディスク基板１表面のうち、内周マスク１１、外周マスク１２に固定されていない部分だけが被成膜領域Ｓとなる。なお、実施の形態１では、このような内周マスク１１の半径を２０ｍｍ、外周マスクの半径を５９ｍｍとした。
【０１３６】
このとき、実施の形態１では、被成膜領域Ｓの裏面全体と、被成膜領域Ｓ下のホルダー部３の上面とを密着させ、このホルダー部３の上面を密着支持面Ｓ'としている。なお、被成膜領域Ｓおよび密着支持面Ｓ'の範囲をそれぞれの近傍に矢印で示す。このような密着支持面Ｓ'には、光ディスク基板１の領域Ｓの裏面よりも硬度の小さい部材（保護部材）が設けられ、密着して固定することで光ディスク基板１の裏面に傷が付くことを防いでいる。成膜時に裏面となる面は、光ディスク読取時の光入射面となる面である。このことから、実施の形態１は、光ディスクの光入射面に傷が付くことを防ぎ、その品質を高めることができる。
【０１３７】
この保護部材としては、現在、光ディスク基板１としてポリカーボネイト基板が多く用いられていることから、ポリカーボネイドよりも硬度の小さいシリコンゴム部材が考えられる。図４は、ホルダー部３の密着支持面Ｓ'にシリコンゴム部材１５を設けた状態を示す図である。
【０１３８】
以上のように構成された実施の形態１の光ディスク基板成膜装置では、以下の方法によって光ディスクを形成する。先ず、光ディスク基板１が、基板ホルダー６ｆの内周マスク１１、外周マスク１２および真空チャックによってホルダー部３の上面に固定される。固定された光ディスク基板１は、図１に示した搬出・搬入口２０から光ディスク基板成膜装置内に搬入される。このとき、光ディスク基板１の裏面は、図３のように、密着支持面Ｓ'と密着している。
【０１３９】
続いて、成膜室２ａ〜成膜室２ｅに向けて基板ホルダー６ｆを順次設定し、基板ホルダー６ｆに固定された光ディスク基板１に連続的に誘電体層、記憶層などとなる各膜を成膜する。この成膜条件は、以下の通りである。
１．ＺｎＳ．ＳｉＯ2膜（誘電体層）
投入電力：３ＫＷ，
成膜室気圧（Ａｒガス圧力）：０．２７Ｐａ（２×１０-3Ｔｏｒｒ）
２．ＡｇＩｎＳｂＴｅ膜（記憶層）
投入電力：０．４ＫＷ，
成膜室気圧（Ａｒガス圧力）：０．２７Ｐａ（２×１０-3Ｔｏｒｒ）
３．ＺｎＳ．ＳｉＯ2膜（上層誘電体層）
投入電力：０．４ＫＷ，
成膜室気圧（Ａｒガス圧力）：０．２７Ｐａ（２×１０-3Ｔｏｒｒ）
４．Ａｌ膜（反射層）
投入電力：９ＫＷ，
成膜室気圧（Ａｒガス圧力）：０．２７Ｐａ（２×１０-3Ｔｏｒｒ）
なお、このとき、基板搬送室１０の圧力は、０．０１３Ｐａ（１×１０-4Ｔｏｒｒ）である。
【０１４０】
成膜が完了すると、実施の形態１の光ディスク基板成膜装置では、内周マスク１１、外周マスク１２を取り外すマグネット部材（図示せず）を光ディスク基板１の上方に近づける。内周マスク１１、外周マスク１２は、マグネット部材との間に発生する磁力によってマグネット部材側に引かれ、ホルダー部３から取り外される。このとき、光ディスク基板１は、真空チャックによって密着支持部Ｓ'に密着している。続いて、内周マスク１１、外周マスク１２が外された光ディスク基板１の中央部分に光ディスク基板吸引用のロボット（図示せず）が接近し、光ディスク基板１を吸引して取り外す。以上の処理により、光ディスク基板成膜装置で行われる工程が完了する。
【０１４１】
このような実施の形態１の光ディスク基板成膜装置および光ディスク基板成膜方法では、光ディスク基板１が密着支持面Ｓ'に密着しているから、成膜中に光ディスク基板１の変形が起こり難くなる。このため、実施の形態１は、光ディスク基板１を薄くした場合にも光ディスク基板１の変形を抑えることができる。
【０１４２】
なお、本発明は、このような実施の形態１に限定されるものではない。例えば、実施の形態１では、密着支持面Ｓ'に光ディスク基板１よりも硬度の小さい保護部材を設けるようにしている。しかし、このような構成に代えて、例えば、成膜工程の以前に光ディスク基板１の裏面に保護膜を形成する工程（裏面保護膜形成工程）を入れるようにしても良い。このような裏面保護膜形成工程としては、光ディスク基板１の裏面にＵＶ硬化樹脂をスピンコートするものが考えられる。
【０１４３】
また、光ディスク基板１の裏面に予めスパッタリングによって保護膜を形成するものも考えられる。なお、この方法によって保護膜を形成する場合、形成される保護膜は、シリコン窒化膜と、シリコン酸化膜と、チタン窒化膜と、インジウム、チタン、酸素の化合物とのうちのいずれか一つ、あるいはこの複数の積層膜とすることが考えられる。以上のように、光ディスク基板１の裏面に保護膜を形成する場合、ホルダー部３の密着支持面Ｓ'には、特に保護部材を設ける必要が無く、母材（ステンレスなど）の状態であっても良い。
【０１４４】
さらに、実施の形態１では、例えば、図５のように、内周マスク１１、外周マスク１２が取り外された光ディスク基板１を密着支持面Ｓ'から剥がす爪部４０を設けても良い。なお、図５は、爪部４０以外は前述した図３と同様の図面であるから、同一の部材については同一の符号を付し、説明を一部略すものとする。爪部４０は、図中の光ディスク基板中心に向かって移動するよう構成されている。この移動範囲は、例えば、図５上方の断面図中の位置から光ディスク基板１の周縁部よりも２ｍｍ内側（直径６０ｍｍの光ディスク基板であれば、直径５８ｍｍの位置）とする。
【０１４５】
このような爪部４０は、内周マスク１１、外周マスク１２が取り外された光ディスク基板１に向かってその２ｍｍ内側まで移動する。この移動によって、爪部４０の傾斜部４０ａは、光ディスク基板１の裏面とホルダー部３の上面との間に入り込み、光ディスク基板１を密着支持面Ｓ'から機械的に剥がすよう作用する。このため、光ディスク基板取り外し用のロボットは、比較的弱い吸引力で光ディスク基板１を吸引することができるようになる。
【０１４６】
このような構成は、成膜中に光ディスク基板１を充分に吸着しながら、取り外しの際の吸引力を弱めることができ、より薄い光ディスク基板１を用いた場合にも、取り外し時に光ディスク基板が損なわれることを防ぐことができる。
【０１４７】
（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２について説明する。実施の形態２は、先に述べたホルダー部３の密着支持面Ｓ'に溝部を設けたものである。図６は、実施の形態２の溝部を有するホルダー部２３の断面図（図中、上方）および上面図（図中、下方）である。なお、図６の断面図は、上面図中の破線Ａ−Ａ'に沿うものである。なお、図６では、説明の便宜上、断面図には光ディスク基板１が固定された状態を示し、上面図では光ディスク基板１を図示せず、ホルダー部２３の上面を示すものとする。
【０１４８】
図６のように、ホルダー部２３は、ホルダー部３と同様に内周マスク２１と、外周マスク２２とを有している。そして、このホルダー部２３の密着支持面Ｓ'には、溝部２３ａが設けられている。実施の形態２の溝部２３ａは、上面図に示したように、ホルダー部２３の中心で直交する２本の直線と、ホルダー部２３と中心が一致した２つの同心円とを組み合わせた形状を有している。
【０１４９】
このように構成することにより、実施の形態２は、密着支持面Ｓ'と光ディスク基板１とが部分的に密着することになり、真空チャックされた光ディスク基板１を比較的弱い力で取り外すことができる。このため、光ディスク基板取り外し用のロボットの吸引力を弱く設定することができ、光ディスク基板１を薄くした場合にも、取り外しの際に光ディスク基板が損なわれることを防ぐことができる。
【０１５０】
なお、本発明は、このような実施の形態２に限定されるものではない。例えば、ホルダー部２３に設けられる溝部２３ａの形状は、光ディスク基板１が密着支持面Ｓ'と密着する部分と離れる部分との割合が適切になるものであればどのようなものであっても良い。
【０１５１】
（実施の形態３）
実施の形態３は、実施の形態１で説明した光ディスク基板成膜装置のように、基板搬送室１０と、少なくとも成膜室２ａとを備え、基板搬送室１０、成膜室２ａの間に基板ホルダーを配置するよう構成されたものにおいてなされるものである。そして、この基板ホルダーに、基板搬送室１０と成膜室２ａ〜２ｅ（実施の形態３では、光ディスク基板成膜装置が成膜室２ａ〜２ｅを備え、このすべての基板ホルダーに貫通孔を設けたものとして以降の説明を行う）とに通じる貫通孔を設けている。さらに、成膜中、成膜が行われている成膜室２ａ〜２ｅを基板搬送室よりも高い圧力に保つようにしたものである。
【０１５２】
以下、このような実施の形態３について説明する。図７は、実施の形態３の貫通孔３３ａを有するホルダー部３３の断面図（図中、上方）および上面図（図中、下方）である。なお、図７の断面図は、上面図中の破線Ａ−Ａ'に沿うものである。なお、図７では、説明の便宜上、断面図には光ディスク基板１が固定された状態を示し、上面図では光ディスク基板１を図示せず、ホルダー部３３の上面を示すものとする。
【０１５３】
図７のように、ホルダー部３３は、内周マスク３１と、外周マスク３２とを有している。そして、ホルダー部３３の密着支持面Ｓ'には、貫通孔３３ａが設けられている。実施の形態３の貫通孔３３ａは、上面図に示したように、ホルダー部３３の中心から放射状に配置されていて、その一方の端部が成膜室２ａ〜２ｅと通じていて、他方の端部が基板搬送室１０に通じている。
【０１５４】
以上のように構成された実施の形態３の光ディスク基板成膜装置では、以下の方法によって光ディスクを形成する。先ず、光ディスク基板１が、基板ホルダー６ｆの内周マスク３１、外周マスク３２によってホルダー部３３の上面に固定される。そして、図１に示した搬出・搬入口２０から光ディスク基板成膜装置内に搬入される。このとき、光ディスク基板１は、図７の断面図のように、貫通孔３３ａを除く部分がホルダー部３３の密着支持面Ｓ'と密着している。
【０１５５】
続いて、成膜室２ａ〜成膜室２ｅに向けて基板ホルダー６ｆを順次設定し、基板ホルダー６ｆに固定された光ディスク基板１に実施の形態１で述べた成膜条件で各膜を成膜する。このとき、実施の形態１で述べた成膜条件によれば、成膜室２ａ〜２ｅの気圧はいずれも０．２７Ｐａ（２×１０-3Ｔｏｒｒ）である。これに対して、基板搬送室１０の気圧は、０．０１３Ｐａ（１×１０-4Ｔｏｒｒ）である。したがって、光ディスク基板１は、この圧力差により貫通孔３３ａを除く密着支持面Ｓ'と成膜の間中密着することになる。
【０１５６】
このように構成することにより、実施の形態３は、真空チャックを用いることなく光ディスク基板１を成膜の間中ホルダー部３３に密着しておくことができる。このため真空チャックの設備が無い環境でも本発明の光ディスク基板成膜装置が使用でき、装置の使い勝手を高めることができる。また、専用の真空チャックの機構を設ける必要がないことから、光ディスク基板成膜装置の構成を簡易にすることができる。
【０１５７】
さらに、実施の形態３では、このため、真空チャック解除のタイミングを制御することなく成膜の終了と同時に光ディスク基板１の真空チャックがなくなる。このため、光ディスク基板１を薄くした場合にも、光ディスク基板が取り外しの際に損なわれることを自動的に防ぐことができる。
【０１５８】
なお、本発明は、このような実施の形態３に限定されるものではない。例えば、ホルダー部３３に設けられる貫通孔３３ａの配置および形状は、光ディスク基板１が密着支持面Ｓ'と密着する部分と離れる部分との割合が適切になるものであればどのようなものであっても良い。
【０１５９】
（実施の形態１〜実施の形態３の効果の検証）
本発明の発明者らは、実施の形態１〜実施の形態３で説明した光ディスク基板成膜装置および光ディスク基板成膜方法を用いて成膜を行った。そして、このときの光ディスク基板の最大反り量を測定し、実施の形態で得られる効果を検証した。以下にこの結果を示す。なお、最大反り量とは、成膜後の光ディスク基板のうち、最も反りが大きかった部位の反り量である。また、反り量は、光ディスク基板の理想的な面に対し、実際の光ディスク基板面の接線がなす角度で定義した（以降、最大反り角度という）例と、光ディスク基板の理想的な面と実際の光ディスク基板面との位置の相違を長さで表した（以降、最大反り量という）例との二つについて示す。
【０１６０】
１．最大反り角度の例
従来の光ディスク基板成膜装置および方法で成膜された光ディスク基板
…４度
実施の形態１の光ディスク基板成膜装置および方法で成膜された光ディスク基板…０．６度（密着支持面：シリコンゴム、裏面の保護膜なし）
…０．５度（密着支持面：ステンレス、裏面の保護膜：ＵＶ硬化樹脂）
実施の形態２の光ディスク基板成膜装置および方法で成膜された光ディスク基板…０．５度（密着支持面：ステンレス、裏面の保護膜：ＵＶ硬化樹脂）
実施の形態３の光ディスク基板成膜装置および方法で成膜された光ディスク基板…０．５度（密着支持面：ステンレス、裏面の保護膜：ＵＶ硬化樹脂）
【０１６１】
２．最大反り量の例
図８は、１．２ｍｍ、０．７ｍｍ、０．６ｍｍ、０．３ｍｍの光ディスク基板を用い、この各々に対して先に述べた本発明の実施の形態１ないし３の装置および方法で成膜を行い、この最大反り量と、同じ厚さを持った光ディスクに対して従来技術を用いて成膜を行った際の最大反り量とを比較した図である。この際の標記成形基板の厚みは、公差±５０μｍを含むものである。また、図９は、図８に示した最大反り量と光ディスク基板厚との関係をグラフ化して示す図である。なお、実施の形態３の１（実施の形態３−１）、２（実施の形態３−２）の別は、ホルダーの形状が相違することによるもので、実施の形態３−１が図６に示したホルダー部２３を用いた例、実施の形態３−２が、図７に示したホルダー部３３を用いた例を示すものである。
【０１６２】
図８、図９によれば、貼り合わせの光ディスクに使用される０．６ｍｍ厚基板の最大反り量は、従来技術で成膜した場合には５５０μｍ、本願発明を用いて成膜した場合には２９０〜３００μｍと約半分程度に低減していることが明らかである。なお、貼り合わせ式の光ディスクの製造工程において、成膜後の基板は、この後工程で貼り合わされて反りを矯正される。しかし、最大反り量が５５０μｍある基板では、この矯正によっても貼り合わされた基板の反り量を製品としての規格を満たす程度に小さくすることは難しい。これに対して本願発明で得られた最大反り量２９０〜３００μｍの基板では、貼り合わせの工程によって基板の反り量を規格の許容範囲内に収めることが充分可能である。
【０１６３】
さらに本願発明の実施の形態１〜３によれば、０．６ｍｍ厚以下の厚さを持つ基板に対しても、最大反り量を３００μｍ台とすることができる。このような本願発明は、０．６ｍｍ以下の厚さを持つ基板を用いて貼り合わせ式の光ディスク形成を実現し得る。
【０１６４】
（実施の形態４）
図１０は基板ホルダー２０１の断面図であって、光ディスク基板２２１を保持した状態を示すものである。図１１は図１０の平面図であって、基板を保持する前の状態を示すものである。この図１０、１１において符号２０２は外周マスク、符号２０３は内周マスクである。この基板ホルダー２０１では、基板２２１裏面と接する基板保持面の全面にサンドブラスト加工による粗面化処理が施されており、この粗面化処理部（粗面部）２０４の表面粗さＲｍａｘは４０μｍ以上、５０μｍ以下の範囲内にある。
【０１６５】
光ディスク基板２２１として、射出成形により得られた厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板を上記基板ホルダー２０１で保持し、このホルダーをスパッタ成膜装置にセットし、誘電体層としてＺｎＳ．ＳｉＯ2 、記録層としてＡｇｌｎＳｂＴｅ、反射層としてＡｌをそれぞれ成膜した。
【０１６６】
すなわち成膜に際しては、基板２２１を基板ホルダー２０１に載せ、基板２２１の中心部を内周マスク２０３で、外周部を外周マスク２０２でそれぞれ固定し、スパッタリングにより所望の薄膜を成膜した。この場合、成膜のトータル膜厚を３５０〜４００ｎｍの範囲にして実験を行った。
【０１６７】
（比較例１、２）
比較用の基板ホルダーとして、（１）図１２に示す従来の基板ホルダー２１１と、（２）基板保持面の全面が平坦に仕上げられ（粗面化処理が施されていない）、したがって基板２２１裏面の全面に密着した状態で基板を保持する形態の基板ホルダー（図略）とを用意し、実施の形態４と同一条件でスパッタリングにより所望の薄膜を成膜した。実施の形態４および比較例１、２の結果を表１に示す。なお、図１２において、２１２は外周マスク、２１３は内周マスク、２１４は溝、２２１は光ディスク基板を示す。
【０１６８】
【表１】
【０１６９】
表１で明らかなように、本発明を適用することで基板の変形が抑えられ、しかも基板ホルダーからの基板取出しも容易に行うことができた。この結果、本発明により、品質の良い（基板反りのない）成膜基板を生産性良く（取出し性良好）製造することができるようになった。これに対し、比較例１、２に係る基板ホルダーでは基板が大きく変形するか、または基板ホルダーからの基板取出しが難しくなる問題があった。図１２の基板ホルダーでは、基板取出し性が良好であるものの基板の反りが大きくなったのは、円環状の溝２１４を設けたからである。
【０１７０】
（実施の形態５）
基板保持面の一部または全面にサンドブラスト加工による粗面化処理を施した後、この粗面部分にトリアジンチオールを用いる有機メッキを施すことにより、表面粗さＲｍａｘが４０μｍ以上、５０μｍ以下の範囲内にある基板ホルダーを用意した。上記有機メッキは、一般的な金属メッキと同様にトリアジンチオールの電解液中でメッキを行うことにより、金属皮膜ではなくトリアジンチオールの有機皮膜が形成されるものである。このトリアジン処理では、皮膜の厚さのみを容易に高精度に制御することができるうえ、金属メッキにはない潤滑性と撥水性を得ることができる。したがって、金属メッキと同様な設備があれば、簡単にトリアジンチオールの有機皮膜を作製することが可能である。また、この有機皮膜は、比較的安価に形成できるだけでなく、高温環境下でも剥離しにくいという長所がある。
【０１７１】
したがって、実施の形態５の基板ホルダーでは上記粗面化処理と、トリアジンチオールの有機皮膜による表面潤滑処理とを行ったので、基板の反り防止効果に加えて、粗面化処理のみを行ったホルダーに比較して、（１）基板取出し性（取出しの安定性：取出しの容易さ）が更に向上するとともに、（２）取り出した基板裏面の傷が低減するという効果も得られた。上記（１）（２）の効果は、基板ホルダーの基板保持面に潤滑性を付与したことによるものであると考えられる。
【０１７２】
（実施の形態６）
実施の形態４と同様であるが基板ホルダーの基板保持面の一部をＰＴＦＥとした。そのため、あらかじめサンドブラスト加工により片面を粗面化したＰＴＦＥ板を作製し、これを基板ホルダーの所定部分に接着した。スパッタ装置で用いられる基板ホルダーおよびマスクは一般的に金属材料で構成されるが、本実施の形態では基板と接する部分のみを自己潤滑性に富むプラスチックで構成することで、基板の傷を防ぐことが可能となる。その結果、実施の形態５と同様に基板の反り防止・取出し性向上・基板の傷低減に関して大きな改善効果が得られた。なお、ＰＴＦＥの代わりに、ＰＯＭ（ポリアセタール）樹脂などを用いることもできる。また、自己潤滑性プラスチックを基板ホルダーの一部に使用することで、基板ホルダーの構造・仕様を大幅に変更することなく、所期の効果が得られる。すなわち、基板ホルダーの必要な部分にのみ高価な材料を用い、その他の部分には従来どおりの金属材料を用いることにより、コスト的にも大きな負担にならないで、本発明のホルダーを実現することができた。
【０１７３】
以上、本発明を実施の形態４〜５をもとに説明したが、表面粗さなどは基板変形に影響のない範囲で大きくしても何ら問題はない。また、本発明は光ディスク基板のスパッタ装置用の基板ホルダーに限られるものではなく、薄肉で変形しやすい各種基板にスパッタ処理を施すための基板ホルダーに有効に適用することができるものである。
【０１７４】
（実施の形態７、８）
図１３は、本発明の実施の形態７を示す要部平面概略図で、図中、３０１は基板ホルダー、３０２は光記録媒体の基板、３０３はセンターホール部、３０４は多孔性部材、３０５は溝部である。図１４は、実施の形態７における基板ホルダー３０１と、当該基板ホルダー３０１に装着した光記録媒体の基板３０２とを示す部分断面概略図である。図１５は、本発明の基板ホルダーに用いる多孔性部材３０４の形状の一例を説明するための図で、図中、３０４ｐは平面部である。
【０１７５】
実施の形態７は、基板ホルダー３０１に溝部３０５が設けられ、その溝部３０５に気体の通過が可能な多孔性部材３０４が配されている。溝部３０５は、基板３０２に接触する領域内から非接触領域内に延伸するように配され、多孔性部材３０４が基板３０２に接触する領域を、真空槽内の空間で露出する領域とを有するように設定される。このとき、多孔性部材３０４の表面は、基板ホルダー３０１の表面と同一の高さとなるように配される。
【０１７６】
図１６は、本発明の実施の形態８を示す要部平面概略図である。図１７は、本発明の実施の形態８における基板ホルダー３０１と、当該基板ホルダー３０１に装着した光記録媒体の基板３０２とを示す部分断面概略図である。
【０１７７】
実施の形態８は、基板ホルダー３０１における、プラスチック製の基板３０２の非成膜面に接触する領域内に溝部３０５が設けられ、その溝部３０５に多孔性部材３０４が配される。そして、多孔性部材３０４の裏面側に多孔性部材３０４より小面積の貫通孔３０６を備える。貫通孔３０６の面積を多孔性部材３０４の面積より小さくするのは、多孔性部材３０４を安定して保持する面を確保するためである。
【０１７８】
実施の形態７、８において、多孔性部材３０４の表面は、基板ホルダー３０１の基板接触面と同一の高さを有しており、プラスチック製の基板３０２の変形を阻止するとともに、多孔性であるがために気体の通過が容易となるため、基板取り出し時における基板ホルダー３０１と基板３０２との気密密着（真空吸着）による搬送障害（例ば移送ロボットによる基板３０２の取り損ないや、それに伴うロボットアームの変形等）を避けることができる。
【０１７９】
多孔性部材３０４は、基板ホルダー３０１が受ける熱エネルギによる基板ホルダー３０１内部の温度分布が生じないように、熱伝導性の良い材料で構成することが好適である。また、基板表面に微少な傷などを生じさせないようにするために、高分子材料または表面に高分子材料を被覆した材料や、弾性体材料で構成するとよい。
【０１８０】
多孔性部材３０４は、粒子材料を加熱成形法や常温のプレス成形法等によって一体化成形することにより得られ、粒子間の連続空隙により通気性を得る。この多孔性部材３０４に用いる熱伝導性の良い粒子材料としては、小径のＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｇ、黄銅などの良熱伝導性で比較的柔かい材質の金属ボールが好適である。このとき、単なるボール形状のままでは、各金属ボールにおける基板３０２との接触が点接触となるため安定しない。したがって、金属ボールをプレス（常温）やホットプレスにより成形し、図１５に示すごとくに、ボールの一部に平面部３０４ｐを持たせたものなどがを用いるのが良い。あるいは、基板３０２との接触面のみに平面部を有していれば良いので、多孔性部材３０４を切削して平面性を持たせるようにしてもよい。
【０１８１】
また、多孔性部材３０４に用いる高分子材料および弾性体としては、基板ホルダー３０１の温度分布の均一性が保てる場合（例えば±５℃以内）は単体の材料でもよいが、均一性が保てない場合は、導電性または良熱伝導性の物質との混合物とした方が良い。導電性または良熱伝導性で混合に適した材料としてはＡｇの微粒子、黒鉛の粉末などの無機導電材やテトラフルオロほう酸テトラｎ−ブチルアンモニウムなどの有機導電材を用いることができる。
【０１８２】
実施の形態７および実施の形態８の基板ホルダーを具体化した実施例を以下に説明する。
【０１８３】
（実施例１）
基板ホルダー３０１のプラスチック平面基板セット面上に形成した深さ２．０ｍｍ、幅１０ｍｍ、長さ３０ｍｍの長穴形状の溝部３０５にちょうど入るように、直径が約０．５〜１ｍｍ程度の球状の銅粒を原材料として１０〜４０体積％の空隙が残るよう成形型により加圧成形し、多孔性部材３０４を製作した。この多孔性部材３０４を、その表面が基板ホルダー３０１の基板セット面と同一平面となるように溝部３０５の内部に配置した。得られた基板ホルダー３０１に、ポリカーボネート性の１２０φサイズで厚さ０．６ｍｍの光ディスク用の基板３０２をセットした。長穴形状の溝部３０５は、基板３０２の裏面に接触する領域の長さが約２０ｍｍ、基板３０２から外れた領域の長さが約１０ｍｍとなるように配されている。また、基板３０２から外れた領域にある多孔性部材３０４の前面側には、成膜物質が直接付着しないようにステンレス製マスクを配置した。
【０１８４】
上記の基板ホルダー３０１を用いて、約１５０ｎｍ厚みの第一誘電体層、約３０ｎｍ厚みの記録層、約２０ｎｍ厚みの第二誘電体層、および約６０ｎｍ厚みの反射層をトータル９０秒かけて真空雰囲気で順次成膜した。光ディスク用の基板３０２の温度は、成膜面で１１０〜１２５℃まで上昇したが、基板ホルダー３０１の内部の温度分布は、１０００枚成膜後で±２〜３℃の範囲であり、基板３０２の機械的な変形も生じなかった。また真空装置内での基板搬送上の脱着トラブルも起きなかった。さらに、光ディスクとしての特性評価を行ったところ、ラジアル方向またはタンジェンシャル方向のチルトはそれぞれ±０．４０°、±０．１５°の範囲であり、記録消去上の信号異常は見られなかった。
【０１８５】
（実施例２）
基板ホルダー３０１のプラスチック平面基板セット面上に形成した深さ１．５ｍｍ、幅１０ｍｍ、長さ２０ｍｍの長穴形状の溝部３０５にちょうど入るように、直径が約０．５〜１ｍｍ程度の球状の銅粒を原材料として１０〜４０体積％の空隙が残るように成形型により加圧成形し、多孔性部材３０４を作製した。この多孔性部材３０４を、その表面が基板ホルダー３０１の基板セット面に同一平面となるように溝部３０５の内部に配置した。長穴形状の溝部３０５は、光ディスク用の基板３０２を基板ホルダー３０１に装着したときに、その基板３０２に全て覆われるように設定されている。また基板ホルダー３０１には、溝部３０５の中央の位置に幅５ｍｍ、長さ１０ｍｍの長穴形状の貫通孔３０６を形成してある。上記の基板ホルダーを用いて、実施例１と全く同じ手順で光ディスク用基板に各材料を真空成膜したところ、実施例１と同じ良好な評価結果を得た。
【０１８６】
（実施例３）
多孔性部材３０４として、直径が約０．５〜１ｍｍ程度の銅粒またはプラスチック粒の表層に、黒鉛微粉を混合した接着性高分子材料（たとえば、カーボンフィラー入りアクリル系コート剤；藤倉化成製ドータイトＸＣ１２）を微量コートした後、実施例１および２の寸法に固化したものを用い、実施例１および２と同様にテストした。熱変形および光ディスクとしての評価結果は、実施例１と同じ良好な評価結果であった。
【０１８７】
（比較例３）
基板ホルダーとして、大きさ１０φの貫通孔が４個設けられたホルダを使用し、その他成膜条件等を上記実施例と同じにして、光ディスク用の基板に各材料を真空成膜した。基板の温度は、同様に１１０〜１２５℃まで上昇した。このとき、基板の機械的な変形が見られた。ただし、この場合は貫通孔があるため、成膜後の基板取り損ないは発生しなかった。さらに、光ディスクとしての特性評価を行ったところ、ラジアル方向またはタンジェンシャル方向のチルトはそれぞれ±１．２０〜２．５０°以上、±０．７０〜２．５０°以上の範囲となり、記録消去上の異常が認められた。
【０１８８】
（比較例４）
基板ホルダーとして、貫通孔および溝部等を有していない平面ホルダを使用し、その他成膜条件等を上記実施例と同じにして、光ディスク用の基板に各材料を真空成膜した。基板温度の上昇は、比較例３と同様であったが、このとき、基板の機械的な変形は見られなかった。光ディスクとしての特性評価においても、実施例１と同等の評価結果が得られた。しかし、約１０％程度の確率で基板の気密吸着が発生したため成膜後の基板取り損ないが発生した。
【０１８９】
（実施の形態９）
図１８は、実施の形態９の光ディスク基板成膜装置の要部概略構成を示し、図において、４０１は基板ホルダー、４０１ａは成膜領域の基板裏面において基板ホルダーが基板に接触する部分である基板支持部、４０２は内周マスク、４０３は外周マスク、４０４は基板、Winは内周マスク４０２の外周側エッジから基板支持部４０１ａの内周側エッジまでの幅、Woutは外周マスク４０３の内周側エッジから基板支持部４０１ａの外周側エッジまでの幅である。ここでは、内周マスク４０２として、直径４１ｍｍのものを用いた。また、外周マスク４０３は基板４０４の最外周から０．５ｍｍ内側までをマスクするものを用いた。基板４０４の裏面が基板ホルダー４０１に接する範囲Ｃは、内周マスク４０２の外周側エッジから４ｍｍ外側の位置から、外周マスクの内周側エッジから１ｍｍ内側の位置（すなわち、Win＝４ｍｍ、Wout＝１ｍｍ）とした。
【０１９０】
上記のごとくの構造を用いて図２１に示すような構成による光ディスクを作製した。作製方法はいずれもＲＦマグネトロンスパッタ法を用い、装置としてはいわゆる枚葉型スパッタ装置を用いた。比較のために、図１９および図２０に示すような構造を有する基板ホルダーを用いて同様な条件で光ディスクを作製した。なお、図２０の基板ホルダーは、従来より使用されている構成で、前述したごとくに基板ホルダー４０１が基板４０４の裏面の全面に接触するので、基板の反りに対しては影響は小さいが、基板搬送上の不具合が生じ易いものである。
【０１９１】
これらのディスクの反り量を比較した結果を図２２に示す。反り量はディスクの半径５８ｍｍの位置における成膜前後の差として示す。この結果から本発明の構成は、図２０の構成のものと同程度の反り量のディスクが得られた。
【０１９２】
（実施の形態１０）
図１８に示した基板ホルダーの形状で、図２３に示すように、WinおよびWoutの寸法を変えてＮｏ．１〜Ｎｏ．１４のサンプルを作製し、実施の形態９と同様に成膜を行って（Ｎｏ．１は実施の形態９と同じ構成）、基板の反り量と１００枚連続成膜した際に基板脱着が失敗した枚数とを評価した。図２３に示す結果から、基板の反り量を１００μｍ程度に小さく抑え、かつ基板脱着をスムーズに行うためには、Winが２〜１０ｍｍ、Woutが０．５〜５ｍｍの範囲で基板ホルダーの基板支持部を基板に接触させるようにするとよいことが解る。
【０１９３】
（実施の形態１１）
図２５は、本発明による実施の形態１１の構成を示す部分概略構成図である。本実施の形態は、上記の実施の形態９で用いた図１８の基板ホルダーの基板支持部１ａにおけるエッジ部４０１ｅに、テーパ面ｔによるテーパ形状を付与したものである。このようなテーパ形状を有する基板ホルダーのサンプルであって、図２４に示すごとくのサンプルＮｏ．１５〜Ｎｏ．２１を作製し、それぞれについて実施の形態９と同様に成膜を行って評価した。さらにこのとき基板４０４とエッジ部４０１ｅとが接する部分の基板表面を顕微鏡で観察した。なお、テーパ部のテーパ角θは図２５に示す様に基板ホルダー４０１の基板接触面と、テーパ部のテーパ面ｔとのなす角として定義される。
【０１９４】
図２４の結果からも分かるように、エッジ部のテーパ角θが０および０．５°の場合に成膜した基板の一部分に傷が生じているのが観察され、１．０°以上では基板には傷は生じなかった。また、基板変形量（反り量）は、テーパ角θが０．５〜２．０°の範囲では、テーパ形状を設けない場合（テーパ角＝０°）と同等で１００μｍであったが、テーパ角θが２．５°では１５０μｍに増大し、３．０°ではさらに増大して２００μｍであった。したがって、エッジ部４０１ｅに１．０〜２．０°の範囲でテーパ角θを付与することにより、基板の反り量を小さくでき、かつ基板ホルダーのエッジ部４０１ｅによる基板の傷などを防ぐことができる。
【０１９５】
（実施の形態１２）
図２７は、本発明による実施の形態１２の構成を示す部分概略構成図である。本実施の形態は、上記の実施の形態９で用いた図１８の構成のエッジ部４０１ｅに、幅Ｈのサイズのシリコンゴム５が設けられている。上記の幅Ｈは、図２７に示す様に基板４０４の半径方向のシリコンゴム５の長さとして定義される。図２７に示す構成で、図２６に示すごとくの基板ホルダーのサンプルＮｏ．２２〜Ｎｏ．２７を作製し、それぞれについて実施の形態１１と同様に成膜を行い評価した。図２６に示すように、本実施の形態の構成により、基板の反り量を１００μｍ程度に小さく抑えることができ、かつ基板ホルダーのエッジ部４０１ｅによる基板の傷などを防ぐことができた。このとき、シリコンゴムの幅Ｈが０．１ｍｍ未満では基板変形によるエッジ部４０１ｅへのメカニカルな負荷を回避できず、また、０．５ｍｍを越えると基板変形の抑制が期待できない。なお、本実施の形態ではエッジ部４０１ｅにシリコンゴムを用いたが、本実施の形態で得られた効果はシリコンゴムに限定されるものではなく、樹脂成形体等、基板の硬度より低い硬度をもつ材料であれば、適用することができる。
【０１９６】
（実施の形態１３）
図２８に、一般的な光ディスク基板成膜装置のロードロック室の概略断面図を示す。図において、５０１は基板、５０２はスタックリング、５０３は内周マスク、５０４は外周マスク、５０５は電磁石、５０６は光ディスク基板成膜装置外部搬送用基板ホルダー（以下、外部搬送用基板ホルダーと記載する）、５０７は光ディスク基板成膜装置内部搬送用基板ホルダー（以下、内部搬送用基板ホルダーと記載する）、５０８は光ディスク基板成膜装置内部搬送用アーム、５０９は磁石、５１０はＯリング、５１１は光ディスク基板成膜装置筐体、５１２はスタックリングよけ溝、５１３はロードロック室である。本実施の形態１３では、図に示す構成の光ディスク基板成膜装置を例に挙げて説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１９７】
本発明の光ディスク基板成膜装置について、本発明を適用した基板ホルダー部を図２９に示す。５２２は光ディスク基板成膜装置筐体側給気口（筐体側給気口と記載する）、５２３は光ディスク基板成膜装置筐体側給気路（以下、筐体側給気路と記載する）、５２４は基板ホルダー側給気口、５２５は基板ホルダー側給気路である。
【０１９８】
先ず、図２８に基づいて光ディスク基板成膜装置の基板搬入・搬出過程を説明する。基板５０１は、外部搬送用基板ホルダー５０６のオンした電磁石５０５に磁気的に取り付けられた内周マスク５０３および外周マスク５０４上に設置され、ロードロック室５１３に搬送される。この際、外部搬送用基板ホルダー５０６と内部搬送用基板ホルダー５０７および光ディスク基板成膜装置筐体５１１とによってロードロック室５１３の閉空間が形成される。次に、外部搬送用基板ホルダー５０６の電磁石５０５をオフし、内周マスク５０３、外周マスク５０４および基板５０１は内部搬送用基板ホルダー５０７に設置された磁石５０９により磁気的に固定される。
【０１９９】
また、図２８においては省略し、明記してないが、ロードロック室５１３は真空排気ポンプにより排気され、所定の真空度に達した時点で内部搬送用基板ホルダー５０７がスパッタ成膜室に移動し、所望の成膜を行なう。スパッタ構成層が多層ある場合は、内部搬送用基板ホルダー５０７は順次任意数のスパッタ室を経由する。内部搬送用基板ホルダー５０７は、スパッタ成膜終了後にロードロック室５１３の所定の位置に戻ってくる。
【０２００】
また、図２８においては省略し、明記してないが、ロードロック室５１３にはベント用のガス、一般的には窒素ガスが導入され、該ロードロック室内は大気圧に解放される。基板を基板ホルダーに密着させる構造においては、この時点で基板と基板ホルダーが真空吸着し、基板ホルダーからの基板の脱離が困難となる。
大気解放後は、外部搬送用基板ホルダー５０６の電磁石５０５をオンして外部搬入用基板ホルダー５０６に内周マスク５０３、外周マスク５０４および基板５０１が固定され、光ディスク基板成膜装置外に搬送される。
【０２０１】
基板ホルダーを図２９に示す構造とすることにより、光ディスク基板成膜装置からの基板搬出時の基板と基板ホルダーの真空吸着の問題を解決することができた。以下に説明する。
【０２０２】
図２９において、内部搬送用基板ホルダー５０７がロードロック室５１３の所定の位置に設置されている状態において、筐体側給気路５２３が基板ホルダー側給気路５２５と連結される構造とした。この連結においては、筐体側給気路５２３と基板ホルダー側給気路５２５がＯリング５１０等によって機密性を持った結合状態とする方法と、連結部に機密性を持たせない方法がある。機密性を持たせる方法としては、上記の他に双方の連結時にテーパーを持たせる等の様々な方法があるがこれに限るものではない。機密性を持たせた場合と持たせない場合の動作の差異については後述する。
【０２０３】
図２９は機密性を持たせない場合の例であり、以下、この構成に関して説明する。基板ホルダー側給気口５２４は、基板ホルダーの円周を４分割した放射状の位置にφ２ｍｍ穴で各３個配置し、その内の一つはスタックリングよけ溝５１２内に設けた。また、該基板ホルダー側給気口５２４は、基板が基板ホルダーを覆う範囲内に限定した。ここにおいて、基板ホルダー側給気口５２４の形、配置、サイズ、個数、また、基板ホルダー側給気路５２５の形状については、これに限るものではない。また、基板ホルダー側給気口５２４のエッジ部には０．５ｍｍのＲをつけた。このＲの値については、これに限るものではなく、該基板ホルダー側給気口５２４の大きさ、位置等により種々の適正値が存在する。このＲを付けることにより、該基板ホルダー側給気口５２４と、基板裏面が接触することによる基板裏面の傷つきをなくすことができた。また、これと併用或いは単独で基板ホルダー表面に潤滑処理を施すことにより飛躍的に基板裏面の傷つきをなくすことができることを見い出した。
【０２０４】
実施の形態１３では、該潤滑処理としてトリアジン処理を用いたが、これに限るものではなく、フッ化黒鉛（ＣＦ）nやフッ素樹脂（ＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＦＥＰ）の撥水性粉末を用いた複合メッキ、或いはフルオロアルキル基を有するクロロシラ系化学吸着剤を用いた処理等の撥水処理等も有効であった。
【０２０５】
上記構成において、スパッタ成膜が終了して、内部搬送用基板ホルダー５０７がロードロック室５１３の所定の位置に戻ってくると、筐体側給気路５２３と基板ホルダー側給気路５２５が連結する。その後、ロードロック室５１３内をベントした後に、基板は基板ホルダーに真空吸着した状態となったが、筐体側給気路５２３から基板ホルダー側給気路５２５を経て基板ホルダー側給気口５２４に窒素ガスを供給することにより基板は容易に基板ホルダーから脱離し、外部搬送用基板ホルダー５０６により光ディスク基板成膜装置外に搬送することができた。この際の供給ガス圧は１．１×１０5 Ｐａ（１．１ｂａｒ）としたが、大気圧を越える圧力であれば何ら問題はない。供給ガスについては窒素ガスに限るものではなく、一般的に危険性のないガスであれば何ら問題はない。
【０２０６】
また、筐体側給気路５２３から基板ホルダー側給気路５２５を経て基板ホルダー側給気口５２４に流すガスによりロードロック室５１３内のベントガスを兼ねる方法も試みたが、基板は基板ホルダーに真空吸着することなく、外部搬送用基板ホルダー５０６により光ディスク基板成膜装置外に搬送することができた。この際の供給ガス圧は初期に０．１×１０5 Ｐａ（０．１ｂａｒ）、０．５ｓｅｃ後に１．１×１０5 Ｐａ（１．１ｂａｒ）としたが、これに限るものではない。ベントガスを兼ねない方法と比較して低圧の供給ガスでも十分な基板脱離効果が得られることが特徴である。
【０２０７】
次に、筐体側給気口５２２と基板ホルダー側給気路５２５の連結を機密性を持った結合状態とする場合と機密性を持たせない場合の差異について説明する。
先ず、機密性を持たせた場合においては、ロードロック室５１３排気時に筐体側給気路５２３および基板ホルダー側給気路５２５がロードロック室排気用のポンプでは効率的な排気ができないため、別途給気路を単独に排気する機構を設けた。その一例が図３０であり、図２９のＣ部にあたる部分について限定して示してある。５３０はバイパス弁である。
【０２０８】
ロードロック室排気時に筐体側給気路５２３とロードロック室５１３の間に設けたバイパス弁５３０を開けることにより、ロードロック室５１３排気と同時に筐体側給気路５２３および基板ホルダー側給気路５２５も排気される。排気後、該バイパス弁５３０は閉じ、スパッタ成膜が終了した基板がロードロック室５１３に搬送されたときには、筐体側給気路５２３および基板ホルダー側給気路５２５を連結して密閉した流路を介して基板の基板ホルダーへの真空吸着を解除するためのガスが供給される。
【０２０９】
また、もう一つの方法として、図３１に示すように筐体側給気路５２３に別途排気路を設置する方法がある。この図は図２９のＣ部にあたる部分について限定して示してある。５３１は給気路排気用バルブ、５３２は真空ポンプである。この給気路排気用バルブ５３１の動作も前記のバイパス弁５３０と同様であり、また真空ポンプ５３２はロードロック室５１３排気用のポンプと併用することも可能である。上記構成は装置機構が複雑になる反面、筐体側給気路５２３および基板ホルダー側給気路５２５を基板裏面に通じる密閉した流路とすることができ、基板の基板ホルダーへの真空吸着現象の絶大な解放効果を得ることができる。
【０２１０】
これに対し、機密性を持たせない場合については、ロードロック室排気時に、筐体側給気口５２２および基板ホルダー側給気路５２５の連結部から十分に排気できるため、前述したような筐体側給気路５２３および基板ホルダー側給気路５２５を別途排気する手段を講じる必要がなく、装置構成を簡素化することができる。この反面、基板の基板ホルダーからの脱離にあたって、供給ガスの圧力を高めにする必要性が生じてくるが、容易に解決できる問題であり、本発明の効果を奏するにあたっては何ら問題とはならない。
【０２１１】
また、図中には示していないが、機密性を持たせる、持たせないに関わらず、筐体側給気路５２３の上流にはロードロック室排気時に閉じるバルブが必要であることは言うまでもない。ロードロック室の排気速度を考慮すると、該バルブの位置は筐体側給気路５２３に極力近い位置にあることが望ましい。
【０２１２】
（実施の形態１４）
次に、実施の形態１４の光ディスク基板成膜装置に用いる基板ホルダー部の構成を図３２に示す。なお、５１４は溝部である。図２９においては、基板ホルダー側給気口５２４から流出させるガスの流路が基板と基板ホルダーで形成された閉空間で終端された構成となっていたが、図３２においては、基板と基板ホルダーの間の解放空間に基板ホルダー側給気口５２４が配置された構成の場合を取り上げた。基本的な構成動作は図２９と同様であり、詳細な説明は省略し、本例特有の動作に関して説明する。
【０２１３】
図３２の例においても、図２９と同様に、スパッタ成膜が終了して、内部搬送用基板ホルダー５０７がロードロック室５１３の所定の位置に戻ってくると、筐体側給気路５２３と基板ホルダー側給気路５２５が連結する。その後、ロードロック室５１３内をベントした後に基板は基板ホルダーに真空吸着した状態となったが、筐体側給気路５２３から基板ホルダー側給気路５２５経て基板ホルダー側給気口５２４に窒素ガスを供給することにより基板は基板ホルダーから脱離し、外部搬送用基板ホルダー５０６により光ディスク基板成膜装置外に搬送することができた。
【０２１４】
図３２は図２９と比較して筐体側給気口５２２と基板ホルダー側給気路５２５を機密性を持たせて連結した際にもロードロック室排気時に筐体側給気路５２３および基板ホルダー側給気路５２５内の排気のための図３０、図３１で説明した機構が必要なくなり、装置構成を簡素化できる。なお、図３２では基板ホルダー側給気口５２４をスタックリングよけ溝５１２部に形成したが、これに限るものではなく、溝部５１４に配置することも可能であり、また、該基板ホルダー側給気口５２４の形、配置、個数等、および溝部の幅、形状等についてもこれに限るものではない。
【０２１５】
また、基板ホルダー表面の溝部については、基板裏面に接するエッジ部にＲをつけておくことが、基板裏面の傷対策上有効であることはいうまでもない。また、基板ホルダー表面の潤滑処理についての効果も図２９と同様である。
【０２１６】
（実施の形態１５）
次に、実施の形態１５の光ディスク基板成膜装置に用いる基板ホルダー部の構成を図３３に示す。溝部５１４は基板配置時に該基板で覆われる基板ホルダーの範囲内に設けた。本例は図２９と同様の構成動作であり、詳細な説明は割愛する。なお、図３３においては、基板ホルダー側給気口５２４をスタックリングよけ溝５１２部に形成したが、これに限るものではなく、溝部５１４に配置することも可能であり、また、該基板ホルダー側給気口５２４の形、配置、個数等、および溝部の幅、形状等についてもこれに限るものではない。
【０２１７】
また、基板ホルダー表面の溝部については、基板裏面に接するエッジ部にＲをつけておくことが、基板裏面の傷対策上有効であることはいうまでもない。また、基板ホルダー表面の潤滑処理についての効果も図２９と同様である。
【０２１８】
（実施の形態１６）
図３４に、一般的な多層成膜用枚葉光ディスク基板成膜装置の概要上面図を示す。なお、図において、６１０は基板搬入・搬出室、６１１〜６１７は成膜室、６２０は基板ホルダー、６２１はアーム、６２２は回転軸である。
【０２１９】
図３５に、従来の基板ホルダーの断面構造を、該基板ホルダーが基板搬入・搬出室に位置する場合について示す。図中の６３１はディスク基板、６３２はスタックリング、６３３は内周マスク、６３４は外周マスク、６３５は電磁石、６３６は外部搬送用基板ホルダー、６３７は内部搬送用基板ホルダー、６３８は内部搬送用アーム、６３９は磁石、６４０はＯリング、６４１は光ディスク基板成膜装置筐体、６４２はスタックリングよけ溝、６４３はロードロック室、６４４は肉盗部である。
【０２２０】
上記の内部搬送用基板ホルダーに、本発明を適用した一例を図３６に示す。６５０は基板ホルダー、６５１は溝部、６５２は流路、６５３は溝内部−排気・ベント口である。本態様例では、基板ホルダー表面に、ディスク基板設置中心を中心に内径２８ｍｍ、外径３８ｍｍの溝部６５１を形成した。また、該溝部の深さは０．５ｍｍとした。また、該溝部以外の部分は該ディスク基板と密着する構造とした。
【０２２１】
この基板ホルダーを用いて、成膜室６１１、成膜室６１２、成膜室６１３で誘電体層、成膜室６１４で記録層、成膜室６１５で誘電体層、成膜室６１６、成膜室６１７で反射層の順に積層成膜を行なった。なお、成膜材料は誘電体層としてＺｎＳ・ＳｉＯ2、記録層としてＡｇＩｎＳｂＴｅ、反射層としてＡｌを用いた。トータルの膜厚は４００ｎｍとなるようにした。また、ディスク基板としては、ＤＶＤメディア用の０．６ｍｍ厚のポリカーボネート基板を用いた。なお、成膜室の構成、成膜材料、成膜膜厚およびディスク基板はこれに限るものではない。
【０２２２】
また、比較のため、従来の基板ホルダーの一例として、図３８に示す基板ホルダーを用いて同様の成膜実験を行なった。この基板ホルダー表面には、ディスク基板設置中心から半径３３ｍｍの位置に、φ１５ｍｍの円形の溝部６５１ｂを円周方向を３分割する位置に３つ形成し、該溝部の深さは０．５ｍｍとした。また、該溝部以外の部分は該ディスク基板を密着する構造とした。
【０２２３】
ディスク基板には、基板搬入・搬出室からの基板投入、成膜室１〜７での成膜、基板搬入・搬出室からの基板搬出の一連の工程を経て、上記多層膜を形成した。双方の基板ホルダーともディスク基板搬出の際には、基板ホルダー表面に形成した溝部がディスク基板／基板ホルダー間へのベントガス導入口として機能し、安定した基板搬送を実現することができ、同様の効果を奏した。
【０２２４】
しかしながら、従来の基板ホルダーにおいては、ディスク基板を基板ホルダーに密着保持したにも関わらず、基板機械特性およびメディア信号特性に不良が発生し、この要因は基板ホルダー表面の溝部であるものと特定された。これに対し、本発明の基板ホルダーによれば、良好な基板機械特性およびメディア信号特性が得られた。この結果を図３９および図４０に示す。
【０２２５】
図３９は基板機械特性の代表・Ｔ−Ｔｉｌｔの３３ｍｍ位置における結果で、６６０は本発明のホルダー使用時、６６１は従来のホルダー使用時のものである。図４０はメディア信号特性の代表・反射率変動についての３３ｍｍ位置における結果で、６６２は本発明のホルダー使用時、６６３は従来のホルダー使用時のものである。ここでは、特性の変化が顕著な代表特性について示したが、他の特性についても少なからず同様の結果となっている。
【０２２６】
従来の基板ホルダーにおいては、基板ホルダー表面に形成した溝部の影響により、Ｔ−Ｔｉｌｔが大きく乱れ、また反射率変動についても溝部に対応した明確な信号変動６６４が観察されている。これらの特性の乱れは溝部位置３３ｍｍ以外にも及んでいた。これに対し、本発明の基板ホルダーにおいては、Ｔ−Ｔｉｌｔは成膜前の特性からほとんど変化せず、良好な基板機械特性を示し、反射率変動についても全く乱れのない特性が得られている。ここでは溝部中心位置に当たる３３ｍｍ位置での結果を挙げたが、溝部を形成する稜線位置２８ｍｍ、３８ｍｍおよびこれ以外の内外周すべての位置で同様の結果が得られている。
【０２２７】
上記説明したように、ディスク基板を基板ホルダーに密着させる構成において、本発明の基板ホルダーの構成のみがディスク基板の安定搬送と、基板機械特性およびメディア信号特性の確保を実現する唯一の手段であり、双方の要求に対して絶大な効果を奏するものである。一方、ディスク基板を基板ホルダーに密着させる場合の課題として、ディスク基板裏面の傷の問題があるが、本態様例において、本発明の１つである「溝部の稜線を形成するエッジ部にテーパーを設ける」方法を採用したところ、溝部の稜線がディスク基板と接触することによる傷不良を低減することができた。ここにおいて、テーパーとしてはＣ０．３ｍｍの面取り加工とした。ただし、テーパー形状はこれに限るものではない。
【０２２８】
また、該エッジ部にＲ加工を施すことによって、より効果的に傷不良の低減を図ることができた。ここにおいては、溝深さを１．５ｍｍに変更し、Ｒ１．０ｍｍの加工を施した。ただし、Ｒ加工形状はこれに限るものではない。また、本発明において、基板ホルダーのディスク基板と接触する面にＰＴＦＥの撥水性粉末を用いた複合メッキを施したところ、ディスク基板が基板ホルダーと面で接触する部分に生じる傷不良を低減させることができた。この処理の代わりに基板ホルダー自体をＰＴＦＥで作製した場合にも同様の効果が得られた。
【０２２９】
図３７に、前記と同様の光ディスク基板成膜装置において、内部搬送用基板ホルダーに本発明を適用した他の一例を示す。本態様例では、基板ホルダー表面にディスク基板設置中心を中心に内径３０ｍｍ、外径３５ｍｍ、および内径４５ｍｍ、外径５０ｍｍの溝部を形成した。また、該溝部の深さは０．５ｍｍとした。また、該溝部以外の部分は該ディスク基板と密着する構造とした。この基板ホルダーを用いて、前記と同様のスパッタ成膜実験を行なったところ、ディスク基板のすべての位置において、前記と同様の良好な基板機械特性およびメディア信号特性が得られた。その他の結果についても、全く同様であった。
【０２３０】
（実施の形態１７）
図４１は実施の形態１７の相変化記録型光ディスクの基本的な構成を示す断面図である。図に示すように、基板７０１上に順次形成された、下部誘電体保護層７０２、相変化記録層７０３、上部誘電体保護層７０４、耐硫化性導電体層７０５、Ａｇ系反射放熱層７０６、樹脂接着層７０７、張り合わせ用ダミー基板７０８から構成されている。該下部及び上部誘電体保護層はＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる。図からも明らかなように本発明の特徴は、反射放熱層が多層化され、誘電体保護層側に耐硫化性導電体層７０５を設けたこと、反射放熱層７０６がＡｇ系合金であることである。このため反射放熱層の成膜時間は従来のＡｌ系合金単層の場合の３分の１程度となる。
【０２３１】
なお、前記積層体中の耐硫化性導電体層とは、硫黄との化合力がＡｇと比して小さく、保存信頼性において、ＺｎＳと接触していても反射率変動が非常に小さい導電体の層をいう。
【０２３２】
各層の膜厚は光学的、熱的特性から最適化するが、６３５ｎｍの光を用いるＤＶＤ系メディアの場合、下部誘電体保護層７０２はＺｎＳ−ＳｉＯ2のような屈折率２付近の誘電体の場合、５０〜２５０ｎｍ位の膜厚である、望ましくは５０〜８０ｎｍまたは１６０〜２２０ｎｍ程度である。相変化記録層７０３は熱的な理由で、急冷構造の方がマーク形成がきれいにでき易いため、カルコゲン系であれば、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系、ＧｅＳｂＴｅ系などにかかわらず、８〜３０ｎｍ、望ましくは１３〜２２ｎｍである。上部誘電体保護層７０４は放熱層へ熱を導かねばならないので、余り厚くすることはできない。７〜６０ｎｍ程度、望ましくは１０〜３０ｎｍである。耐硫化性導電体層は、上層Ａｇの硫化を防ぐということでは厚い方がよいが、放熱性をよくして繰り返し書き換えの信頼性を向上させるためには上層Ａｇ系反射放熱層よりも薄いことが好ましい。反射放熱層は反射率が飽和するのは８０ｎｍ以下でよいが、放熱性をよくして繰り返し書き換えの信頼性を向上させるために１００〜２００ｎｍが好ましい。
【０２３３】
以下、実施例５、６によりさらに具体的に説明する。
【０２３４】
（実施例５）
プラスチック基板として、厚さが０．６ｍｍのポリカーボネート基板とポリオレフィン基板の２種を用意した。これら各基板上にマグネトロンスパッタ装置を用いて表２、表３に示す記録媒体（光ディスク）を成膜した。この場合、反射放熱層は純Ａｇとした。得られた相変化記録型光ディスクを８０℃８５％ＲＨに１０００時間保持した後、ビットエラーレート（ＢＥＲ）を測定した。ＢＥＲが初期値の２倍以上となった場合を寿命終止と定義した。
【０２３５】
下記表２、表３において、
膜厚は固定。下部誘電体保護層１５０ｎｍ、相変化記録層２０ｎｍ、上部誘電体保護層２０ｎｍ、耐硫化性導電体層２０ｎｍ、反射放熱層１００ｎｍ。
寿命：ディスク全面のビットエラーレートが初期値の２倍となった時間が８０℃８５％相対湿度の保存にて１０００時間以上を○、８００時間程度もつものを△、８００時間程度にも満たないものを×とした。
評価条件：６３５ｎｍ、ＮＡ０．６０、線速３．５ｍ／ｓ、記録密度０．４μｍ／ｂｉｔ。
反射層成膜速度：Ａｌのスパッタレートの２倍以上を○とした。
基板：「PC/PO」は、ＰＣはポリカーボネート、ＰＯはポリオレフィンを表わし、これら基板２種を用いてそれぞれ評価したことを表わす。
記録層：「AgInSbTe/GeSbTe」は、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＳｅＴｅの記録層２種についてそれぞれ評価したことを表わす。
【０２３６】
【表２】
【０２３７】
【表３】
【０２３８】
（実施例６）
プラスチック基板として、厚さが０．６ｍｍのポリカーボネート基板とポリオレフィン基板の２種を用意した。これらの各基板上にマグネトロンスパッタ装置を用いて表４〜表６に示す記録媒体（光ディスク）を成膜した。この場合、耐硫化性導電体層をＡｌＴｉ0.01とした。得られた相変化記録型光ディスクを８０℃８５％ＲＨに１０００時間保持した後、ビットエラーレート（ＢＥＲ）を測定した。ＢＥＲが初期値の２倍以上となった場合を寿命終止と定義した。
【０２３９】
下記表４〜表６において、
膜厚は固定。下部誘電体保護層１５０ｎｍ、相変化記録層２０ｎｍ、上部誘電体保護層２０ｎｍ、耐硫化性導電体層２０ｎｍ、反射放熱層１００ｎｍ。
寿命：ディスク全面のビットエラーレートが初期値の２倍となった時間が８０℃８５％相対湿度の保存にて１０００時間以上を○、８００時間程度もつものを△、８００時間程度にも満たないものを×とした。
評価条件：６３５ｎｍ、ＮＡ０．６０、線速３．５ｍ／ｓ、記録密度０．４μｍ／ｂｉｔ。
反射層成膜速度：Ａｌのスパッタレートの２倍以上を○、２倍未満を×とした。
基板：「PC/PO」は、ＰＣはポリカーボネート、ＰＯはポリオレフィンを表わし、これら基板２種を用いてそれぞれ評価したことを表わす。
記録層：「AgInSbTe/GeSbTe」は、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＳｅＴｅの記録層２種についてそれぞれ評価したことを表わす。
反射放熱層：例えば「Ag26％Cu2％Ni」は、Ｃｕが２６％、Ｎｉが２％、残り７２％がＡｇであることを表わす。
【０２４０】
【表４】
【０２４１】
【表５】
【０２４２】
【表６】
【０２４３】
表４〜表６から分かるように、本発明による反射放熱層を多層化したディスク、すなわちＡｇ系合金膜と、上部誘電体保護層との間に耐硫化性導電体層を用いたディスクは、反射放熱層がＡｇ１層である場合に比べ、耐久性が増していることが分かる。なお、耐硫化性導電体層はＴｉＮxなどの一般式で示しているが、成膜条件によっては必ずしも化学量論組成に一致するものではない。しかし、化学的に安定な化学量論組成組成近傍で良い結果が得られる。
【０２４４】
さらに表４〜表６からはＡｇ反射層にＰｄやＲｈ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕなどを添加するとさらに耐久性が向上することが分かる。基板の反りは、Ａｇ系合金の反射放熱膜を用いた場合は小さいのに対し、Ａｌ系反射放熱膜を用いた場合は反りは大きくなっている。
【０２４５】
前述したように実施の形態１７の相変化記録型光ディスクは、誘電体保護層がＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる相変化記録型光ディスクの反射放熱層をＡｇ系合金／耐硫化性導電体膜の積層構造とするものである。すなわち、プラスチック基板上に、下部誘電体保護層、相変化記録層、上部誘電体保護層、耐硫化性導電体層、Ａｇ系合金反射放熱層を順に積層した構成となる。
【０２４６】
なお、前記Ａｇ系合金としては、例えばＡｇＣｕＮｉ、ＡｇＷ、ＡｇＰｄ、ＡｇＰｄＴｉ、ＡｇＰｄＣｕ、ＡｇＡｌ、ＡｇＩｎ、ＡｇＩｒ、ＡｇＺｎ、ＡｇＲｕ、ＡｇＣｒ、ＡｇＶ、ＡｇＴｉ、ＡｇＹ、ＡｇＣｅ、ＡｇＰｒ、ＡｇＮｄ、ＡｇＳｍ、ＡｇＥｕ、ＡｇＧｄ、ＡｇＰｔ、ＡｇＲｈ、ＡｇＴａ等が例示される。Ａｇは熱伝導がＡｌより優れているために、Ａｌと同じ放熱効果を得るのにＡｌよりも薄くてよい。さらにＡｇは同一電力でのスパッタレートがＡｌの３倍速い。このため、少ない膜厚の放熱層を、より速く成膜でき、薄膜形成時の基板の温度上昇が抑えられる。一方、Ａｇは硫黄と接触すると硫化して変化するため、Ａｇ系反射放熱層とＺｎＳ−ＳｉＯ2保護層との間に薄い耐硫化性導電体層を設け、Ａｇと硫黄が直接触れない構成としたことによりＡｇの硫化を抑制することができた。
【０２４７】
耐硫化性導電体層の厚さは、放熱性をよくして繰り返し書き換えの信頼性を向上させるために反射放熱層の厚さよりも薄くすることが好ましい。用いる材料としては、Ａｌ膜またはＡｌＣｕx、ＡｌＳｉx、ＡｌＳｉxＣｕy、ＡｌＳｃx、ＡｌＴｉx、もしくはＡｌＳｉxＴｉyからなり、この場合のｘ、ｙは０．５以下、好ましくは０．２以下、より好ましくは０．１以下であるＡｌを含む合金膜、Ｔｉ膜、Ｚｒ膜、もしくはＨｆ膜からなりる高融点金属膜またはＴｉxＮy、ＴｉxＳｉy、ＺｒxＮy、ＺｒxＳｉy、ＨｆxＮY、もしくはＨｆxＳｉyからなり、ＴｉxＮy、ＺｒxＮy、ＨｆxＮY、において、ｘ＋ｙ＝１で、０．１＜ｘ＜０．７、好ましくは０．３＜ｘ＜０．６、より好ましくは０．４５＜ｘ＜０．５５、ＴｉxＳｉy、ＺｒxＳｉy、ＨｆxＳｉyにおいて、ｘ＋ｙ＝１で、０．１＜ｘ＜０．７、好ましくは０．２＜ｘ＜０．６、より好ましくは０．３３＜ｘ＜０．５３である高融点金属を含む合金膜、Ｔａ膜またはＴａxＮy、もしくはＴａxＳｉyからなるＴａを含む合金膜であり、ＴａxＮyにおいて、ｘ＋ｙ＝１で、０．１＜ｘ＜０．７、好ましくは０．３＜ｘ＜０．６、より好ましくは０．４５＜ｘ＜０．５５、ＴａxＳｉyにおいて、ｘ＋ｙ＝１で、０．１＜ｘ＜０．７、好ましくは０．２＜ｘ＜０．６、より好ましくは０．３３＜ｘ＜０．５３、Ｗ膜またはＷxＮy、もしくはＷxＳｉyからなるＷを含む合金膜であり、ＷxＮyにおいて、ｘ＋ｙ＝１で、０．１＜ｘ＜０．７、好ましくは０．３＜ｘ＜０．６、より好ましくは０．４５＜ｘ＜０．５５、ＷxＳｉyにおいて、ｘ＋ｙ＝１で、０．１＜ｘ＜０．７、好ましくは０．２＜ｘ＜０．６、より好ましくは０．３３＜ｘ＜０．５３とするのが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【０２４８】
【図１】本発明の実施の形態１〜３で共通の基板搬送室と成膜室との上面を示す図である。
【図２】実施の形態１の基板ホルダーの横断面図である。
【図３】実施の形態１のホルダー部の構成を説明する図であって、ホルダー部の上面図（下方）と、上面図中に記した破線Ａ−Ａ'に沿う断面図（上方）である。
【図４】実施の形態１のホルダー部の密着支持面Ｓ'にシリコンゴム部材を設けた状態を示す図である。
【図５】図２に示したホルダー部に爪を設けた構成を説明するための図である。
【図６】実施の形態２のホルダー部の上面図（下方）と、上面図中に記した破線Ａ−Ａ'に沿う断面図（上方）である。
【図７】実施の形態３のホルダー部の上面図（下方）と、上面図中に記した破線Ａ−Ａ'に沿う断面図（上方）である。
【図８】本発明の実施の形態１〜３の効果を説明するための図である。
【図９】図８に示した内容を、グラフ化して示す図である。
【図１０】実施の形態４に係る基板ホルダーの断面図であって、基板を保持した状態を示すものである。
【図１１】図１０の平面図であって、基板を保持する前の状態を示すものである。
【図１２】従来の基板ホルダーの断面図であって、基板を保持した状態を示すものである。
【図１３】本発明の実施の形態７を示す要部平面概略図である。
【図１４】本発明の実施の形態７における基板ホルダーと、当該基板ホルダーに装着した光記録媒体基板とを示す部分断面概略図である。
【図１５】本発明の基板ホルダーに用いる多孔性部材の形状の一例を説明するための図である。
【図１６】本発明の実施の形態８を示す要部平面概略図である。
【図１７】本発明の実施の形態８における基板ホルダーと、当該基板ホルダーに装着した光記録媒体基板とを示す部分断面概略図である。
【図１８】実施の形態９による光ディスク基板成膜装置の要部概略構成図である。
【図１９】実施の形態９の光ディスク基板成膜装置との構造の違いによる成膜特性を比較するための比較例を示す要部概略構成図である。
【図２０】実施の形態９の光ディスク基板成膜装置との構造の違いによる成膜特性を比較するための他の比較例を示す要部概略構成図である。
【図２１】基板反り量と基板の搬送安定性とを評価する基板サンプルの構成を示す表である。
【図２２】基板ホルダーの種類と基板反り量を示す表である。
【図２３】実施の形態１０の光ディスク基板成膜装置における基板ホルダーと基板との接触面積を変えて基板反り量と脱着安定性とを評価した結果を示す表である。
【図２４】基板ホルダーの基板支持部におけるエッジ部のテーパ角を変えて基板反り量と基板の傷とを評価した結果を示す表である。
【図２５】実施の形態１１における基板ホルダーの基板支持部におけるエッジ部に設けるテーパ形状を説明するための部分概略図である。
【図２６】基板ホルダーのエッジ部に配するシリコンゴムの幅を変えて基板反り量と搬送安定性とを評価した結果を示す表である。
【図２７】実施の形態１２における基板ホルダーのエッジ部に設けるシリコンゴムを説明するための部分概略構成図である。
【図２８】光ディスク基板成膜装置の概略断面図である。
【図２９】実施の形態１３の光ディスク基板成膜装置に用いられる基板ホルダー部の一例を示した図である。
【図３０】図２９の筐体側給気路部分の拡大図である。
【図３１】図２９の筐体側給気路部分の他の拡大図である。
【図３２】実施の形態１４の光ディスク基板成膜装置に用いられる基板ホルダー部の構成を示す説明図である。
【図３３】実施の形態１５の光ディスク基板成膜装置に用いられる基板ホルダー部の構成を示す説明図である。
【図３４】多層成膜用枚葉光ディスク基板成膜装置の概略上面図である。
【図３５】従来の基板ホルダーの断面を示した図である。
【図３６】本発明の装置に用いられる基板ホルダー部の一例を示した図である。
【図３７】本発明の装置に用いられる基板ホルダー部の他の一例を示した図である。
【図３８】従来の基板ホルダー部の一例を示した図である。
【図３９】基板機械特性を測定した結果を示すグラフである。
【図４０】メディア信号特性を測定した結果を示すグラフである。
【図４１】実施の形態１７の相変化記録型光ディスクの一例を示す概略構成図である。
【図４２】従来の基板ホルダーの断面を例示する図である。
【符号の説明】
【０２４９】
１ 光ディスク基板
２ａ〜２ｅ 成膜室
３、２３、３３ ホルダー部
４ａ〜４ｆ 基板搬送アーム
６ａ〜６ｆ 基板ホルダー
７ａ 貫通孔（真空チャック用）
１０ 基板搬送室
１１、２１、３１ 内周マスク
１２、２２、３２ 外周マスク
１５ シリコンゴム部材
２０ 搬出・搬入口
２３ａ 溝部
３３ａ 貫通孔
４０ 爪部
２０１ 基板ホルダー
２０２ 外周マスク
２０３ 内周マスク
２０４ 粗面部（粗面化処理部）
３０１ 基板ホルダー
３０２ 基板
３０３ センターホール部
３０４ 多孔性部材
３０４ｐ 平面部
３０５ 溝部
３０６ 貫通孔
４０１ 基板ホルダー
４０１ａ 基板支持部
４０１ｅ エッジ部
４０２ 内周マスク
４０３ 外周マスク
４０４ 基板
４０５ シリコンゴム
５０１ 基板
５０２ スタックリング
５０３ 内周マスク
５０４ 外周マスク
５０５ 電磁石
５０６ 外部搬送用基板ホルダー
５０７ 内部搬送用基板ホルダー
５０８ 光ディスク基板成膜装置内部搬送用アーム
５０９ 磁石
５１０ Ｏリング
５１１ 光ディスク基板成膜装置筐体
５１２ スタックリングよけ溝
５１３ ロードロック室
５１４ 溝部
５２２ 光ディスク基板成膜装置筐体側給気口
５２３ 光ディスク基板成膜装置筐体側給気路
５２４ 基板ホルダー側給気口
５２５ 基板ホルダー側給気路
５３０ バイパス弁
５３１ 給気路排気用バルブ
５３２ 真空ポンプ
６１０ 基板搬入・搬出室
６１１〜６１７ 成膜室
６２０ 基板ホルダー
６２１ アーム
６２２ 回転軸
６３１ ディスク基板
６３２ スタックリング
６３３ 内周マスク
６３４ 外周マスク
６３５ 電磁石
６３６ 外部搬送用基板ホルダー
６３７ 内部搬送用基板ホルダー
６３８ 内部搬送用アーム
６３９ 磁石
６４０ Ｏリング
６４１ 光ディスク基板成膜装置筐体
６４２ スタックリングよけ溝
６４３ ロードロック室
６４４ 肉盗部
６５０ 基板ホルダー
６５１ 溝部
６５１ｂ 溝部
６５２ 流路
６５３ 溝内部−排気・ベント口
６６０ 本発明のホルダー使用時の数値
６６１ 従来のホルダー使用時の数値
６６２ 本発明のホルダー使用時の数値
６６３ 従来のホルダー使用時の数値
６６４ 信号変動部分
７０１ 基板
７０２ 下部誘電体保護層
７０３ 相変化記録層
７０４ 上部誘電体保護層
７０５ 耐硫化性導電体層
７０６ 反射放熱層
７０７ 樹脂接着層
７０８ 貼り合わせ用基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクの製造技術に関し、より詳細には、光ディスク基板の表面にスパッタ法により記録層等の成膜を行う光ディスク基板成膜装置、これを用いる成膜方法、上記装置を構成する基板ホルダーの製造方法、上記装置を構成する基板ホルダー、上記装置で製造した光ディスクおよび反射放熱層にＡｇ系合金を用いた相変化記録型光ディスクに関する。なお、これらの技術は、光ディスクメディア（ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等）に応用される。
【背景技術】
【０００２】
従来、光ディスクは、熱可塑性樹脂などの基板（光ディスク基板）上に誘電体層と記録層とを繰り返し積層して形成するのが一般的である。このような光ディスクの多くは、一度に複数の光ディスク基板に対して成膜ができる、いわゆる枚葉式の成膜装置によって作成されている。
【０００３】
光ディスク基板を作成する枚葉式の成膜装置には、成膜が行われる成膜室を複数備え、この成膜室の各々が一つの基板搬送室でつながるように構成されたものがある。このような成膜装置では、いったん装置内に搬送された光ディスク基板を、基板搬送室を通じて各成膜室に順次搬送し、それぞれ種類の異なる誘電体層あるいは記録層を成膜して積層した後に装置外へ取り出している。こうした成膜装置の構成は、一度に複数の誘電体層や記録層が形成でき、成膜工程のスループットを高めることに有効である。
【０００４】
成膜装置の成膜室と基板搬送室とは、成膜中の光ディスク基板を支持する基板ホルダーによって仕切られるよう構成される。図４２に、このような基板ホルダーの断面を示して説明する。
【０００５】
図示した基板ホルダー１００は、光ディスク基板１０１が置かれる円形の支持板３５と、支持板３５を支持するアーム部３７とを有している。支持板３５には、光ディスク基板１０１を中心近くで固定する内周マスク３８（固定部分Ａとする）と、周縁部の近くで固定する外周マスク３９（固定部分Ｂとする）とが備えられている。図示の如く、内周マスク３８と外周マスク３９とによって、光ディスク基板１０１を挟むようにして固定している。
【０００６】
このとき、基板ホルダー１００は、固定部分Ａと固定部分Ｂとでだけ光ディスク基板１０１が支持板３５と接触するようにし、その他の部分では支持板３５との間に間隙ａが空くように固定している。このため、光ディスク基板１０１が支持板３５から取り外しやすくなり、取り外し時に光ディスク基板が損なわれることを防ぐことができる。
【０００７】
ところで、近年、光ディスクの記録容量を６５０ＭＢから４．７ＧＢへ大容量化する要請がある。この要請に応えるため、光ディスクを２枚貼り合わせて光ディスクの両面にデータを記録する技術がある。このような貼り合わせ式の光ディスクでは、使用される光ディスク基板の厚さを従来の１．２ｍｍから０．６ｍｍと半分にすることが必要である。光ディスク基板の厚さが薄くなると、当然のことながら、その機械的および熱的な強度が低下する。このため、成膜中に光ディスク基板が変形し、製品としての規格を満たすことができないものが増えることが考えられる。この点は、特に、成膜工程のスループットを従来通りに維持しようとした場合に深刻になる。
【０００８】
また、光ディスク（光記録ディスク）では、成形基板上に光学的に記録・再生が可能な情報記録部が設けられ、文書やデータ等のファイル用ディスクとして用いられている。この光ディスクを使用するに際しては、これを高速で回転させながら、１μｍ程度に絞り込んだレーザ光を照射し、焦点調整および位置検出を行いながら、記録層からデータを読み出し、または記録層にデータを記録する。
【０００９】
各種光ディスクメディアにおいては反射層、記録層、誘電体層あるいは保護層をスパッタにより成膜する工程が不可欠となっている。スパッタ成膜は、真空中でＡｒプラズマ等を発生させ、このプラズマ中のイオンによってターゲット表面をたたき、対向する基板に膜を堆積させる方法であるため、スパッタ成膜時の熱の発生は避けることができない。一般的に光ディスクにおいては、ディスク基板にポリカーボネート等の高分子材料が用いられているため、成膜室内の温度上昇はディスク基板の変形を引き起こす要因となる。特に、連続高速成膜を行う場合、厚肉成膜を行う場合、あるいは同一基板に２層以上の成膜を繰り返し行う場合等においては顕著な問題となり、また、ＤＶＤメディアに用いられる０．６ｍｍの薄肉基板を用いる場合には、更に重大な問題となる。
【００１０】
この問題を解決するため、例えば、光記録媒体用スパッタホルダおよび光記録媒体の製造方法には、光記録媒体製造用のスパッタ装置において、被成膜基板を保持するスパッタホルダ（基板ホルダー）として、基板に接触する外周部と内周部とで高さが異なるものを設け、この基板ホルダー上に基板を保持し、スパッタ成膜によって基板が反る方向と逆方向に基板を歪ませた状態でスパッタ成膜を行うことにより、基板変形を低減させるようにしたスパッタ装置が提案されている（特許文献１参照）。
【００１１】
さらに、従来、光ディスクを製造する際において、平面基板を真空成膜装置（光ディスク基板成膜装置）の基板ホルダーに装着して成膜処理をする場合、基板裏面と基板ホルダーとの間隙部分のガスが真空排気時になかなか排気されず、設定圧力に至るまでの排気時間が長引くことがある。一方で、成膜を行った基板を成膜装置から取り出す際に、基板が基板ホルダーに真空吸着した状態で開放されないために、基板取り出し搬送上障害となることがある。
【００１２】
上記のごとくの問題に対し、例えば、記録媒体基板押さえにガス抜き孔を設けた構造のホルダが開示され（特許文献２参照）、また、記録媒体基板押さえと基板ホルダー（反記録面側）にガス抜き孔を設けた構造のホルダが開示されている（特許文献３参照）。これら従来の技術では、基板ホルダーにガス抜き孔を設けることで基板裏面のガスの排気および基板吸着の防止を図っている。
【００１３】
一方、近年、書き換え型光ディスクとして、相変化を利用したものが盛んに用いられるようになった。相変化記録型光ディスクは、一般に任意のピッチで凹凸を形成した透明プラスチック基板、誘電体材料としてＺｎＳ−ＳｉＯ2を用いた下部誘電体保護層、ＧｅＳｂＴｅやＩｎＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ等のカルコゲン系記録材料を用いた相変化記録層、前記下部誘電体保護層と同様、ＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる上部誘電体保護層、主としてＡｌ系の合金やＡｕ、Ａｇ等を用いた反射放熱層から構成され、これら各層もまたスパッタ法により成膜されるのが一般的である。
【００１４】
【特許文献１】特開平１０−８１９６４号公報
【特許文献２】特開平２−２７３３４５号公報
【特許文献３】実開平４−１３７５２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、上記特許文献１によれば、基板の半径方向の反りに関しては考慮されているものの、基板の円周方向についての基板機械特性に関しては何ら対策がなされているものではなく、総合的に見ると、スパッタ成膜による基板変形に関わる対策としては必ずしも十分でないという問題点があった。
【００１６】
例えば、ＤＶＤメディアの生産においては、一般的に０．６ｍｍの基板にスパッタ成膜後、０．６ｍｍのブランク基板を貼り合わせる方法が採られる。貼り合わせ工程においては、円周方向の反りを矯正することが困難であることから、スパッタ成膜において極力円周方向の反りを低く抑えておくことが重要な課題であるが、上記従来の方法ではこの問題を解決することができない。
【００１７】
また、上記特許文献２や、特許文献３によれば、基板ホルダーから基板を取り出す際の真空吸着を防ぐことができるものの、プラスチック材料製の基板の場合、成膜時に飛着した粒子からの入射エネルギの蓄積が生じると、プラスチック材料基板の蓄熱のため基板温度の上昇が発生し易く、この際、基板裏面に密着するホルダー側の面に、真空吸着を防ぐための溝を形成することは、密着部と溝部とに温度差が生じてしまい、基板の熱変形という新たな課題を抱えることとなる。
【００１８】
上述したごとくに、プラスチック材料製基板の場合では、入射する熱エネルギが基板の機械精度に悪影響を与える場合がある。特に、光ディスクのように、その表面に微細なピットが形成されるものでは、歪みによる機械的精度の低下が記録情報の記録・読み出しや消去上の大きな障害となる。さらに各種の光ディスクの製造においては、反射層、記録層、誘電体層、あるいは保護層をスパッタ装置により順次連続的に高速成膜する工程が不可欠となっており、したがって、入射する熱エネルギの蓄積が生じ易い。特にＤＶＤメディア基板のように０．６ｍｍの薄肉基板を用いる場合には、熱変形が起こり易く、機械精度維持の上では更に重大な問題となってくる。
【００１９】
さらに、基板の熱変形等によって搬送上のトラブルが発生すると、装置故障の原因となるばかりでなく、生産面においては、設備の稼動率を極端に低下させることにつながり、コストアップおよび生産率低下等の弊害を引き起こす原因となる。更に、基板ホルダーからの基板取り出しの際に、上記の真空吸着が生じると、搬送系側で仮に引き剥がすことができたとしても、基板裏面への傷等の問題につながって、生産の歩留まりを低下させることになり、また、基板搬送プロセスの高速化を図る上でも重大な障害となる。
【００２０】
また、相変化記録型光ディスクにおいても、生産を高速化しようとして、膜形成時のスパッタ電力を上げようとすると、基板の温度が著しく上昇し、基板が反ってしまい、記録再生を行えなくなるという問題が生じている。特に、基板の厚さを薄くしたＤＶＤ系の記録ディスクはさらに熱に弱い。
【００２１】
なお、相変化記録型光ディスクの反射層に関連する公報として、特開平１０−１６２４３５号公報には反射層としてＭｇ中にＡｇ等を添加して用い、繰り返し特性の向上を図ることが記載されている。
【００２２】
本発明は上記に鑑みてなされたものであって、０．６ｍｍ以下のより薄い光ディスク基板を用いても光ディスク基板が変形せず、しかもスループットを低下させることがない光ディスク基板成膜装置および光ディスク基板成膜方法を提供することを目的とする。
【００２３】
また、本発明は上記に鑑みてなされたものであって、スパッタ成膜中に光ディスク基板の薄膜成膜部分の裏面の少なくとも一部分を、基板ホルダーと密着させて成膜する装置において、スパッタ成膜後の成膜済み基板の取り出し・搬送を効率良く、且つ高速に行えるようにすることを目的とする。
【００２４】
また、本発明は上記に鑑みてなされたものであって、スパッタ成膜時の基板変形を低減させ、かつ安定な基板搬送を実現させることを目的とする。
【００２５】
また、本発明は上記に鑑みてなされたものであって、基板の変形を抑制し、かつスパッタ成膜後に基板ホルダーから基板を取り出す際の基板と基板ホルダーとの真空吸着を回避し、安定した基板取り出し動作を実行できる光ディスク基板成膜装置と該装置が備える基板ホルダーとを提供することを目的とする。
【００２６】
また、本発明は上記に鑑みてなされたものであって、光ディスク基板成膜装置において、高速成膜、厚肉成膜、薄肉ディスクへの成膜、同一基板への２層以上の繰り返し成膜等を行なう場合においても、良好な基板機械特性およびメディア信号特性を確保した光ディスクを歩留まりよく、安定して生産し、かつ基板搬送上のトラブルもなく、高い稼動率での生産を実現できるようにすることを目的とする。
【００２７】
また、本発明は上記に鑑みてなされたものであって、スパッタ成膜によって生じる基板変形を低減させ、かつ安定な基板搬送を行うことができ、さらに基板と基板ホルダーを密着させることに起因する基板表面の傷の発生を防ぐことを目的とする。
【００２８】
さらに、本発明は上記に鑑みてなされたものであって、ＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷのような相変化記録膜を高速でスパッタ成膜しても基板の反りが小さく、またＡｇ系反射放熱層の劣化が抑制された相変化記録型光ディスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２９】
上記の目的を達成するために、請求項１に係る光ディスク基板成膜装置は、基板の面上に薄膜を成膜して光ディスクを作成する光ディスク基板成膜装置であって、成膜中に基板を固定する基板ホルダーを備え、前記基板ホルダーは、基板のうち、成膜される領域である被成膜領域の裏面の少なくとも一部と密着する密着支持面を有し、前記密着支持面に基板を吸着固定する真空チャック部を有する一方、前記密着支持面は、溝部を有することを特徴とするものである。このように構成することにより、基板が基板ホルダーに支持される領域が増し、熱、あるいは塑性変形によって成膜中に基板が損なわれることが少なくなる。また、基板の被成膜領域の裏面を基板ホルダーに真空チャックによって吸着することができるようになる。また、密着支持面の一部が基板と密着されなくなり、密着支持面と基板との密着力をこの面積によって調整することができる。
【００３０】
また、請求項２に係る光ディスク基板成膜装置は、基板の面上に薄膜を成膜して光ディスクを作成する光ディスク基板成膜装置であって、成膜中に基板を固定する基板ホルダーを備え、前記基板ホルダーは、基板のうち、成膜される領域である被成膜領域の裏面の少なくとも一部と密着する密着支持面を有し、密着支持面に基板を吸着固定する真空チャック部を有する一方、吸着された基板を取り外すための取外し用爪を有することを特徴とするものである。このように構成することにより、基板が基板ホルダーに支持される領域が増し、熱、あるいは塑性変形によって成膜中に基板が損なわれることが少なくなる。また、基板の被成膜領域の裏面を基板ホルダーに真空チャックによって吸着することができるようになる。また、真空チャックで密着支持面に吸引された基板を取り外しやすくすることができる。
【００３１】
また、請求項３に係る光ディスク基板成膜装置は、基板の面上に薄膜を成膜して光ディスクを作成する光ディスク基板成膜装置であって、成膜中に基板を固定する基板ホルダーを備え、前記基板ホルダーは、基板のうち、成膜される領域である被成膜領域の裏面の少なくとも一部と密着する密着支持面を有し、基板に対して成膜を行う成膜室と、成膜室よりも低圧力に保たれる基板搬送室との間に配置され、密着支持面は、基板搬送室と成膜室とに通じる貫通孔を有することを特徴とするものである。このように構成することにより、基板が基板ホルダーに支持される領域が増し、熱、あるいは塑性変形によって成膜中に基板が損なわれることが少なくなる。また、基板の被成膜領域の裏面を基板ホルダーに真空チャックによって吸着することができるようになる。また、成膜室を基板搬送室との圧力差によって基板ホルダーと基板とを吸着することができ、基板ホルダーと基板とを吸着するための専用の構成を設ける必要が無くなる。
【００３２】
また、請求項４に係る光ディスク基板成膜装置は、基板裏面を基板ホルダーに密着させることにより光ディスク基板を前記基板ホルダーで保持して基板表面にスパッタ成膜を行う光ディスク基板成膜装置であって、前記基板ホルダーは、基板裏面と接する基板保持面の少なくとも一部が粗面となっていることを特徴とする。このように基板ホルダーの基板保持面を粗面化することにより、基板の半径方向および円周方向の反りを抑えることできるうえ、基板が基板ホルダーに密着することがなくなり、基板ホルダーからの基板の剥離性が向上する。
【００３３】
また、請求項５に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項４に記載の光ディスク基板成膜装置において、前記基板ホルダーが、基板裏面と接する基板保持面の少なくとも一部の表面粗さＲｍａｘ（最大高さ）が１０μｍ以上、５００μｍ以下であることを特徴とする。このように基板保持面の少なくとも一部の表面粗さＲｍａｘを１０μｍ以上、５００μｍ以下とすることで、さらに基板ホルダーからの基板の剥離性が向上する。この場合、基板保持面の全面にわたって上記数値範囲内で粗面化することが好ましい。基板保持面のＲｍａｘが１０μｍ未満では、上記剥離性向上効果が不十分となり、Ｒｍａｘが５００μｍを超えると、粗面に沿う形で基板が変形しやすくなる。
【００３４】
また、請求項６に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項５に記載の光ディスク基板成膜装置において、前記基板ホルダーが、基板裏面と接する基板保持面の少なくとも一部に潤滑処理が施され、かつ該潤滑処理部分の表面粗さＲｍａｘが１０μｍ以上、５００μｍ以下となっていることを特徴とする。このような基板ホルダーを作製するには、あらかじめ基板保持面の粗面化の程度を上記範囲より高い値にシフトさせておき、所定の潤滑処理を施した後（該処理により表面粗さが低下する）の表面粗さＲｍａｘが上記範囲内となるようにする。潤滑性のある粗面とすることで、基板保持面の転写に起因する基板裏面の傷発生が抑えられる。なお、本発明において上記潤滑処理は、基板保持面のうち上記粗面化部分および平坦面部分に施してもよいし、平坦面部分にのみ施してもよい。
【００３５】
また、請求項７に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項５に記載の光ディスク基板成膜装置において、前記基板ホルダーが、基板裏面と接する基板保持面の少なくとも一部が自己潤滑性のプラスチック材料で形成され、かつ該部分の表面粗さＲｍａｘが１０μｍ以上、５００μｍ以下となっていることを特徴とする。この基板ホルダーによれば、請求項３の基板ホルダーと同じく基板裏面の傷発生を抑えることできる。上記自己潤滑性プラスチック材料としては、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＰＯＭ（ポリアセタール）などが挙げられる。なお、本発明において上記自己潤滑性プラスチック材料で形成されている領域は、基板保持面のうち上記粗面化部分およびそれ以外の部分であってもよいし、粗面化部分以外の部分のみであってもよい。
【００３６】
また、請求項８に係る光ディスク基板成膜装置は、成膜対象とする基板を装着して該基板を保持する基板ホルダーを有する光ディスク基板成膜装置であって、前記基板ホルダーが、該基板ホルダーに前記基板を装着したときに、前記基板ホルダーと前記基板とが接触する領域内から接触しない領域内に延伸する溝部を有し、該溝部に通気性を有する多孔性部材が配設されていることを特徴としたものである。
【００３７】
また、請求項９に係る光ディスク基板成膜装置は、成膜対象とする基板を装着して該基板を保持する基板ホルダーを有する光ディスク基板成膜装置であって、前記基板ホルダーが、該基板ホルダーに前記基板を装着したときに、前記基板ホルダーが前記基板と接触する領域内に溝部を有し、該溝部に通気性を有する多孔性部材が配設され、さらに前記溝部から前記基板ホルダーと前記基板との非接触領域に連通する貫通孔が設けられていることを特徴としたものである。
【００３８】
また、請求項１０に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項８または９に記載の光ディスク基板成膜装置において、前記多孔性部材が、熱伝導性の良い材料により形成されていることを特徴としたものである。
【００３９】
また、請求項１１に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項８または９に記載の光ディスク基板成膜装置において、前記多孔性部材が、高分子材料により、または表面に高分子材料を被覆した材料により形成されていることを特徴としたものである。
【００４０】
また、請求項１２に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項８または９に記載の光ディスク基板成膜装置において、前記多孔性部材が、弾性体材料で形成されていることを特徴としたものである。
【００４１】
また、請求項１３に係る光ディスク基板成膜装置は、光ディスク基板を装着して保持する基板ホルダーと、前記光ディスクの内周側の所定領域をマスクする内周マスクと、前記光ディスクの外周側の所定領域をマスクする外周マスクとを有し、前記内周マスクおよび外周マスクを用いて前記光ディスク基板の表面に薄膜を成膜する光ディスク基板成膜装置において、前記基板ホルダーは、前記薄膜の成膜領域内で前記光ディスク基板に裏面側から接触する基板支持部を有し、該基板支持部は、前記内周マスクの外周側エッジから２ないし１０ｍｍ外側のラインと、前記外側マスクの内周側エッジから０．５ｍｍないし５ｍｍ内側のラインとの間の領域で、前記光ディスク基板に接触することを特徴としたものである。
【００４２】
また、請求項１４に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項１３に記載の光ディスク基板成膜装置において、０．３ｍｍ〜０．８ｍｍ厚みの前記光ディスク基板を薄膜の成膜対象とすることを特徴としたものである。
【００４３】
また、請求項１５に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項１３に記載の光ディスク基板成膜装置において、前記基板支持部のエッジ部がテーパ形状を有することを特徴としたものである。
【００４４】
また、請求項１６に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項１５に記載の光ディスク基板成膜装置において、前記テーパ形状におけるテーパ面と前記基板支持部の光ディスク基板接触面とのなす角として定義されるテーパ角は、１．０〜２．０ｄｅｇｒｅｅであることを特徴とする。
【００４５】
また、請求項１７に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項１３に記載の光ディスク基板成膜装置において、前記基板支持部のエッジ部が、前記光ディスク基板の硬度よりも低い硬度の低硬度材料で構成されていることを特徴としたものである。
【００４６】
また、請求項１８に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項１７に記載の光ディスク基板成膜装置において、前記低硬度材料は、光ディスクの半径方向の幅が０．１〜０．５ｍｍであることを特徴としたものである。
【００４７】
また、請求項１９に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項１７に記載の光ディスク基板成膜装置において、前記低硬度材料は、シリコンゴムであることを特徴としたものである。
【００４８】
また、請求項２０に係る光ディスク基板成膜装置は、光ディスク製造工程の中で、ディスク基板上に反射層、記録層、保護層、または誘電体層等のいずれか、或いは前記の２層以上の層構成を組み合わせて積層成膜するスパッタ成膜に用いる光ディスク基板成膜装置において、基板ホルダーの基板設置面と被成膜基板の間に限定した部分、および同範囲内の少なくとも、基板と基板ホルダーの接触によって基板ホルダー側に形成される閉空間部分にガスを導入できるように該基板ホルダー側に給気部を備えたことを特徴とするものである。この機構を具備することにより、被成膜基板裏面を基板ホルダーに密着させて成膜を行なった場合においても、スパッタ成膜終了後に基板を取り出す際に該給気部からガスを供給することにより、真空中でのスパッタ成膜過程を経て、基板ホルダーに真空吸着した基板を取り外すことが可能となる。また、ガスによる真空解放現象を利用しているため、基板取り出し時の基板裏面への傷等の問題をなくすことができる。
【００４９】
また、請求項２１に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項２０に記載の光ディスク基板成膜装置において、スパッタ成膜終了後から基板搬出までの間に、該給気部からガスを供給することを特徴とするものである。
【００５０】
また、請求項２２に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項２１に記載の光ディスク基板成膜装置において、該給気部から供給するガスにより、光ディスク基板成膜装置の基板挿入・搬出用の大気と真空の間の中間室（以下、ロードロック室と称する）のベントガスを兼ねることを特徴とするものである。
【００５１】
また、請求項２３に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項２０に記載の光ディスク基板成膜装置において、光ディスク基板成膜装置筺体のロードロック室の閉空間を形成する内壁部に光ディスク基板成膜装置外部からのガス導入口を具備させ、また、該基板ホルダーに該給気部と通じるガス供給口を具備させ、ロードロック室の所定の位置に該基板ホルダーが移動した際に限り、光ディスク基板成膜装置筺体の該ガス導入口と該基板ホルダーの該ガス供給口が連結されるようにしたことを特徴とするものである。
【００５２】
また、請求項２４に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項２３に記載の光ディスク基板成膜装置において、該光ディスク基板成膜装置筺体の該ガス導入口と該基板ホルダーの該ガス供給口をＯリングを介して連結させることを特徴とするものである。
【００５３】
また、請求項２５に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項２３に記載の光ディスク基板成膜装置において、該光ディスク基板成膜装置筺体の該ガス導入口と該基板ホルダーの該ガス供給口の連結部がお互いに重なり合うテーパーを持った構造であることを特徴とするものである。
【００５４】
また、請求項２６に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項２３〜２５のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置において、該光ディスク基板成膜装置筺体の該ガス導入口と該基板ホルダーの該ガス供給口の連結によって形成されるガス導入路において、該光ディスク基板成膜装置筺体のガス導入口とロードロック室をつなげるバイパス弁を具備させ、ロードロック室の真空排気時に限り該バイパス弁を開くことを特徴とするものである。
【００５５】
また、請求項２７に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項２３〜２５のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置において、該光ディスク基板成膜装置筺体の該ガス導入口と該基板ホルダーの該ガス供給口の連結によって形成されるガス導入路において、該光ディスク基板成膜装置筺体のガス導入路に、単独に真空排気できる排気路を付設し、ロードロック室の真空排気時に限り該排気路から真空排気することを特徴とするものである。
【００５６】
また、請求項２８に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項２０に記載の光ディスク基板成膜装置において、該基板ホルダーに基板を配置した際に、基板裏面と該基板ホルダーの接触部と非接触部の境界を形成する基板ホルダー側のエッジ部、少なくとも該給気部の孔端エッジ部をＲ加工しておくことを特徴とするものである。
【００５７】
また、請求項２９に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項２０に記載の光ディスク基板成膜装置において、該基板ホルダー表面に潤滑処理を施したことを特徴とするものである。
【００５８】
また、請求項３０に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項２９に記載の光ディスク基板成膜装置において、該潤滑処理として、フッ化黒鉛（ＣＦ）ｎやフッ素樹脂（ＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＦＥＰ）の撥水性粉末を用いた複合メッキ、或いはフルオロアルキル基を有するクロロシラン系化学吸着剤を用いた処理等の撥水処理を行なうことを特徴とするものである。
【００５９】
また、請求項３１に係る光ディスク基板成膜装置は、反射層、記録層、保護層、または誘電体層等のいずれか、或いは前記の２層以上の層構成を組み合わせて積層成膜を行なうスパッタ成膜に用いる光ディスク基板成膜装置において、ディスク基板の成膜領域に対応した基板ホルダー表面の領域内に、ディスク基板設置中心を中心に周方向に１周させた溝部で、「該溝部を構成する稜線の任意位置での接線」と、「同位置における、該ディスク基板設置中心を中心にした円周の接線」とのなす鋭角がすべての位置で３０度以下となる構造の溝部を少なくとも１本形成し、かつ、ディスク基板設置時に、該溝部以外の部分が少なくとも該ディスク基板の成膜領域裏面を密着保持する構造としたことを特徴とするものである。
【００６０】
また、請求項３２に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項３１に記載の光ディスク基板成膜装置において、該溝部の稜線が、該ディスク基板設置中心を中心に同心円状となるようにしたことを特徴とするものである。
【００６１】
また、請求項３３に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項３１または３２に記載の光ディスク基板成膜装置において、該溝部の稜線を形成するエッジ部にテーパーを設けたことを特徴とするものである。
【００６２】
また、請求項３４に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項３１または３２に記載の光ディスク基板成膜装置において、該溝部の稜線を形成するエッジ部にＲ加工を施したことを特徴とするものである。
【００６３】
また、請求項３５に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項３１〜３４のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置において、該基板ホルダーの少なくとも該ディスク基板と接触する面に潤滑処理を施したことを特徴とするものである。
【００６４】
また、請求項３６に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項３５に記載の光ディスク基板成膜装置において、該潤滑処理として、フッ化黒鉛（ＣＦ）ｎやフッ素樹脂（ＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＦＥＰ）の撥水性粉末を用いた複合メッキ、或いはフルオロアルキル基を有するクロロシラン系化学吸着剤を用いた処理等の撥水処理を行なうことを特徴とするものである。
【００６５】
また、請求項３７に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項３１〜３６のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置において、該基板ホルダーの少なくとも該ディスク基板と接触する面をＰＴＦＥ、ポリアセタールに代表される潤滑性をもつ材料で構成することを特徴とするものである。
【００６６】
また、請求項３８に係る光ディスク基板成膜装置は、請求項３１〜３７のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置において、該基板ホルダーのディスク基板設置面以外の部分で、かつ該ディスク基板の光ディスク基板成膜装置への搬入・搬出時に真空排気およびベントされる部分から、該溝部内に通じる流路を形成したことを特徴とするものである。
【００６７】
また、請求項３９に係る光ディスク基板成膜方法は、基板ホルダーに固定された基板上に薄膜を成膜して光ディスクを作成する光ディスク基板成膜方法であって、基板ホルダーは、基板を固定する際に、基板が固定される面の少なくとも一部と、基板のうちの成膜される領域である被成膜領域の裏面の少なくとも一部とを密着して基板を支持することを特徴とするものである。このように構成することにより、基板が基板ホルダーに支持される領域が増し、熱、あるいは塑性変形によって成膜中に基板が損なわれることが少なくなる。また、基板の被成膜領域の裏面を基板ホルダーに真空チャックによって吸着することができるようになる。
【００６８】
また、請求項４０に係る光ディスク基板成膜方法は、基板ホルダーに固定された基板上に薄膜を成膜して光ディスクを作成する光ディスク基板成膜方法であって、基板ホルダーは、０．６ｍｍ以下の厚さを有する基板を固定する際に、基板が固定される面の少なくとも一部と、基板のうちの成膜される領域である被成膜領域の裏面の少なくとも一部とを密着して基板を支持することを特徴とするものである。このように構成することにより、基板が基板ホルダーに支持される領域が増し、厚さが０．６ｍｍ以下の基板についても、熱、あるいは塑性変形によって成膜中に基板が損なわれることが少なくなる。また、基板の被成膜領域の裏面を基板ホルダーに真空チャックによって吸着することができるようになる。
【００６９】
また、請求項４１に係る光ディスク基板成膜方法は、基板に対して成膜を行う成膜室と、前記成膜室に基板を搬送する基板搬送室と、前記基板搬送室と前記成膜室との間に配置され、前記基板搬送室と前記成膜室とに通じる貫通孔を有する基板ホルダーを有する光ディスク基板成膜装置によって行われる光ディスク基板成膜方法であって、前記基板搬送室よりも前記成膜室を高い圧力に保つことにより、前記基板ホルダー上に基板を固定して成膜を行う成膜工程を含むことを特徴とするものである。このように構成することにより、基板ホルダーに基板を吸着するための専用の構成を設けることなく、成膜の間中、基板ホルダーに基板を吸着することができる。
【００７０】
また、請求項４２に係る光ディスク基板成膜方法は、基板に対して成膜を行う成膜室と、成膜室に基板を搬送する基板搬送室と、基板搬送室と成膜室との間に配置され、基板搬送室と前記成膜室とに通じる貫通孔を有する基板ホルダーを有する光ディスク基板成膜装置によって行われる光ディスク基板成膜方法であって、基板ホルダーは、０．６ｍｍ以下の厚さを有する基板を固定する際、基板搬送室よりも成膜室を高い圧力に保つことによって基板ホルダー上に基板を固定して成膜を行う成膜工程を含むことを特徴とするものである。このように構成することにより、０．６ｍｍ以下の厚さを有する基板についても、基板ホルダーと基板とを吸着するための専用の構成を設けることなく、成膜の間中、基板ホルダーに基板を吸着することができる。
【００７１】
また、請求項４３に係る光ディスク基板成膜方法は、請求項４１または４２に記載の光ディスク基板成膜方法において、成膜工程では、基板上の成膜される領域である被成膜領域の裏面の少なくとも一部を基板ホルダーと密着させることを特徴とするものである。このように構成することにより、成膜中に基板が基板ホルダーに支持される領域が増し、成膜時の熱によって基板が変形することが少なくなる。
【００７２】
また、請求項４４に係る光ディスク基板成膜方法は、請求項４０〜４２のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜方法において、成膜工程が、成膜工程の以前に基板ホルダーと密着する基板の裏面に裏面を保護するための膜である保護膜を形成する裏面保護膜形成工程をさらに含むことを特徴とするものである。このように構成することにより、成膜時に裏面となる光ディスクの光入射面に傷が付くことを防ぐことができる。
【００７３】
また、請求項４５に係る光ディスク基板成膜方法は、請求項４４に記載の光ディスク基板成膜方法において、裏面保護膜形成工程では、紫外線を照射することによって硬化する樹脂であるＵＶ硬化樹脂をスピンコートすることによって保護膜を形成することを特徴とするものである。このように構成することにより、基板に熱を加えることなく保護膜を形成することができる。
【００７４】
また、請求項４６に係る光ディスク基板成膜方法は、請求項４４に記載の光ディスク基板成膜方法において、裏面保護膜形成工程では、スパッタリングによって保護膜を形成することを特徴とするものである。このように構成することにより、コーターなどの装置が無い場合にも保護膜を形成することができる。
【００７５】
また、請求項４７に係る光ディスク基板成膜方法は、請求項４６に記載の光ディスク基板成膜方法において、スパッタリングによって形成される保護膜は、シリコン窒化膜と、シリコン酸化膜と、チタン窒化膜と、インジウム、チタン、酸素の化合物とのうちのいずれか一つ、あるいは複数の積層膜であることを特徴とするものである。このように構成することにより、成膜条件が良く知られていて、しかも保護膜に適した材質の膜を選択することができる。
【００７６】
また、請求項４８に記載の光ディスク基板成膜方法は、基板裏面を基板ホルダーに密着させることにより光ディスク基板を前記基板ホルダーで保持して基板表面にスパッタ成膜を行う方法において、請求項４〜７のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置を用いることを特徴とする。この成膜方法によれば、基板の半径方向および円周方向の反りを抑えることできるうえ、基板を基板ホルダーから簡便・円滑に剥離させることができる。
【００７７】
また、請求項４９に記載の基板ホルダーの製造方法は、請求項６に記載の基板ホルダーを作製するに際し、基板裏面と接する基板保持面の少なくとも一部に粗面化処理を施した後、該粗面部分に、フッ化黒鉛（ＣＦ）ｎまたはフッ素樹脂の微粉末（これらは潤滑性と撥水性とを兼ね備えた微粉末である）を用いる複合メッキによる潤滑処理を施すことにより、該潤滑処理部分の表面粗さＲｍａｘを１０μｍ以上、５００μｍ以下とすることを特徴とする。上記複合メッキによれば上記粗面部分に、フッ化黒鉛（ＣＦ）ｎまたはフッ素樹脂からなる皮膜が形成される。上記フッ素樹脂しては、例えばＰＴＦＥ、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）、ＦＥＰ（テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体）が挙げられる。
【００７８】
また、請求項５０に記載の基板ホルダーの製造方法は、請求項６に記載の基板ホルダーを作製するに際し、基板裏面と接する基板保持面の少なくとも一部に粗面化処理を施した後、該粗面部分に、フルオロアルキル基を有するクロロシラン系化学吸着剤を用いる潤滑処理を施すことにより、該潤滑処理部分の表面粗さＲｍａｘを１０μｍ以上、５００μｍ以下とすることを特徴とする。
【００７９】
また、請求項５１に記載の基板ホルダーの製造方法は、請求項６に記載の基板ホルダーを作製するに際し、基板裏面と接する基板保持面の少なくとも一部に粗面化処理を施した後、該粗面部分に、トリアジンチオールを用いる有機メッキを施すことにより、該潤滑処理部分の表面粗さＲｍａｘを１０μｍ以上、５００μｍ以下とすることを特徴とする。上記有機メッキの結果、上記粗面部分にトリアジンチオールからなる有機性薄膜が形成される。
【００８０】
また、請求項５２に係る基板ホルダーは、請求項８〜１２のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置が有する基板ホルダーであることを特徴とする。
【００８１】
また、請求項５３に係る光ディスクは、請求項３１〜３８のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置で作製することを特徴とする。
【００８２】
また、請求項５４に係る相変化記録型光ディスクは、基板上に硫化亜鉛と酸化ケイ素の混合体からなる下部誘電体保護層、相変化記録層、硫化亜鉛と酸化ケイ素の混合体からなる上部誘電体保護層および反射放熱層を少なくとも構成層とする相変化記録型光ディスクにおいて、反射放熱層がＡｇを主成分とし、かつ上部誘電体保護層と反射放熱層との間に耐硫化性導電体層を設けることを特徴とするものである。
【００８３】
また、請求項５５に係る相変化記録型光ディスクは、請求項５４に記載の相変化記録型光ディスクにおいて、耐硫化性導電体層の厚さが反射放熱層の厚さよりも薄いことを特徴とするものである。
【００８４】
また、請求項５６に係る相変化記録型光ディスクは、請求項５４または５５に記載の相変化記録型光ディスクにおいて、耐硫化性導電体層がＡｌまたはＡｌＣｕx、ＡｌＳｉx、ＡｌＳｉxＣｕy、ＡｌＳｃX、ＡｌＴｉx、もしくはＡｌＳｉxＴｉyからなるＡｌを含む合金膜であることを特徴とするものである。
【００８５】
また、請求項５７に係る相変化記録型光ディスクは、請求項５４または５５記載の相変化記録型光ディスクにおいて、耐硫化性導電体層がＴｉ膜、Ｚｒ膜、もしくはＨｆ膜からなる高融点金属膜またはＴｉxＮy、ＴｉxＳｉy、ＺｒxＮy、ＺｒxＳｉy、ＨｆxＮy、もしくはＨｆxＳｉyからなる高融点金属を含む合金膜であることを特徴とするものである。
【００８６】
また、請求項５８に係る相変化記録型光ディスクは、請求項５４または５５に記載の相変化記録型光ディスクにおいて、耐硫化性導電体層がＴａまたはＴａxＮy、もしくはＴａxＳｉyからなるＴａを含む合金膜であることを特徴とするものである。
【００８７】
また、請求項５９に係る相変化記録型光ディスクは、請求項５４または５５に記載の相変化記録型光ディスクにおいて、耐硫化性導電体層がＷ膜またはＷxＮy、もしくはＷxＳｉyからなるＷを含む合金膜であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００８８】
以上説明したように、請求項１記載の発明によれば、成膜中に基板が変形することを少なくできる。このため、より薄い基板を用いた場合にも、従来の基板と同様に取り扱うことができ、成膜工程のスループット低下を防ぐことができる。また、光ディスクの品質を高めると共に、光ディスク製品の歩留まりを高めることができる。また、基板を基板ホルダーに真空チャックによって吸着でき、より薄い基板を用いた場合にも、基板の変形を防ぐことができる。このため、光ディスクの品質を高めると共に、光ディスク製品の歩留まりを高めることができる。以上のことから、請求項１記載の発明によれば、より薄い光ディスク基板を用いても、光ディスク基板が変形せず、しかもスループットを低下させることがない光ディスク基板成膜装置を提供することができる。また、密着支持面と基板との密着力を調整することにより、基板を密着支持面から取り外しやすくする。このため、基板を真空チャックした場合にも基板を比較的小さな力で取り外すことができ、取り外しの際に基板が損なわれることを防ぐことができる。
【００８９】
また、請求項２記載の発明によれば、成膜中に基板が変形することを少なくできる。このため、より薄い基板を用いた場合にも、従来の基板と同様に取り扱うことができ、成膜工程のスループット低下を防ぐことができる。また、光ディスクの品質を高めると共に、光ディスク製品の歩留まりを高めることができる。また、基板を基板ホルダーに真空チャックによって吸着でき、より薄い基板を用いた場合にも、基板の変形を防ぐことができる。このため、光ディスクの品質を高めると共に、光ディスク製品の歩留まりを高めることができる。以上のことから、請求項２記載の発明によれば、より薄い光ディスク基板を用いても、光ディスク基板が変形せず、しかもスループットを低下させることがない光ディスク基板成膜装置を提供することができる。また、基板が密着支持面から剥がれやすくしている。このため、真空チャックされた基板でも比較的小さな力で取り外すことができ、取り外しの際に基板が損なわれることを防ぐことができる。
【００９０】
また、請求項３記載の発明によれば、成膜中に基板が変形することを少なくできる。このため、より薄い基板を用いた場合にも、従来の基板と同様に取り扱うことができ、成膜工程のスループット低下を防ぐことができる。また、光ディスクの品質を高めると共に、光ディスク製品の歩留まりを高めることができる。また、基板を基板ホルダーに真空チャックによって吸着でき、より薄い基板を用いた場合にも、基板の変形を防ぐことができる。このため、光ディスクの品質を高めると共に、光ディスク製品の歩留まりを高めることができる。以上のことから、請求項３記載の発明によれば、より薄い光ディスク基板を用いても、光ディスク基板が変形せず、しかもスループットを低下させることがない光ディスク基板成膜装置を提供することができる。また、成膜室と基板搬送室との間に圧力差をつけることによって基板ホルダーと基板とを吸着することができる。このため、本発明の光ディスク基板成膜装置の構成を簡易化するとともに、自動的に光ディスク基板の吸着を解除し、取り外しの際に基板が損なわれることを防ぐことができる。
【００９１】
また、請求項４記載の発明によれば、基板ホルダーの基板保持面を粗面化することにより、基板の半径方向および円周方向の反りを抑えることできるうえ、基板が基板ホルダーに密着することがなくなり、基板ホルダーからの基板の剥離性が向上する。
【００９２】
また、請求項５記載の発明によれば、基板保持面の少なくとも一部の表面粗さＲｍａｘを１０μｍ以上、５００μｍ以下とすることで、上記請求項４の発明による効果が著しく高まる。
【００９３】
また、請求項６または７記載の発明によれば、基板の反りが抑えられるうえ、スパッタ成膜後の基板ホルダーからの基板取出しの容易さが更に向上する。また、基板裏面に傷が発生しにくくなるという効果も得られる。
【００９４】
また、請求項８記載の発明によれば、多孔性の部材をプラスチック製平面基板の非成膜面が接触する部分と接触する部分からはずれた部分に連なるように配置することにより、基板ホルダーの機械的強度を減じることなくプラスチック平面基板の熱変形防止効果と気密密着防止効果を維持できる。
【００９５】
また、請求項９記載の発明によれば、平面基板の非成膜面と接触する領域内に多孔性部材を配置し、多孔性の部材の裏面側に、基板ホルダーを貫通する貫通孔を設けることにより、成膜時の飛着物が付着しないので多孔性部材を交換する必要が無く、基板の熱変形防止効果と気密密着防止効果を維持できる。
【００９６】
また、請求項１０記載の発明によれば、多孔性部材が熱伝導性の良い材料で構成されているので、基板ホルダー表面での熱分布の不連続が発生せず、最も安定して基板の熱変形防止効果と気密密着防止効果を維持できる。
【００９７】
また、請求項１１記載の発明によれば、多孔性部材が高分子材料または表面に高分子材料を被覆した材料で構成されているので、基板の表面に傷を付けることなく基板の熱変形防止効果と気密密着防止効果を維持できる。
【００９８】
また、請求項１２記載の発明によれば、多孔性部材が弾性体で構成されているので、基板の表面に傷を付けることなく平面基板の熱変形防止効果と気密密着防止効果を維持できる。
【００９９】
また、請求項１３記載の発明によれば、成膜時の基板変形を防ぐことができ、また基板裏面の全体が基板ホルダーに接触することがないので、真空吸着により基板取りだし動作が不安定になることを抑えることができる。また、基板変形が少なく、かつ安定な基板搬送を行うことができる光ディスク成膜装置を提供できる。
【０１００】
また、請求項１４記載の発明によれば、基板変形を防ぎかつ安定して取り出し動作を実行できる光ディスク基板の厚さが与えられる。
【０１０１】
また、請求項１５記載の発明によれば、基板ホルダーの基板支持部のエッジにテーパ形状を付与することにより、基板支持部のエッジにおいて、基板に対し集中的にメカニカルな負荷がかかる事を防ぐことができ、基板の局所的な変形や基板表面が傷つくことを防ぐ事ができる。
【０１０２】
また、請求項１６記載の発明によれば、基板支持部のエッジに付与するテーパ形状の最適テーパ角が与えられる。
【０１０３】
また、請求項１７記載の発明によれば、基板支持部のエッジを基板の硬度より低い硬度の材料で構成することによって、基板表面が傷つくことを防ぐことができる。
【０１０４】
また、請求項１８記載の発明によれば、基板ホルダーのエッジ部に付与する低硬度の材料の最適な寸法が与えられる。
【０１０５】
また、請求項１９記載の発明によれば、基板ホルダーのエッジ部に付与する低硬度の材料の具体的な材料が与えられ、この材料を用いることにより基板表面の傷つきを防止する効果を高めることができる。
【０１０６】
また、請求項２０〜３０記載の発明によれば、基板ホルダーの基板設置面と被成膜基板の間に限定した部分、及び同範囲内の少なくとも基板と基板ホルダーの接触によって基板ホルダー側に形成される閉空間部分に、該基板ホルダー表面に設けた該給気部からガスを導入できるようになる。このため、スパッタ成膜後の成膜済み基板の取り出し・搬送を効率良く、且つ高速に行うことができる。また、光ディスク基板成膜装置筐体の該ガス導入口と該基板ホルダーの該ガス供給口が、機密性を持って連結した場合においても、光ディスク基板成膜装置筐体のガス導入路から該基板ホルダーの給気部にかけての流路内を真空排気することが可能となる。また、基板が基板ホルダーに密着して配置された場合においても、基板裏面の傷を防止することができるという極めて優れた効果を奏する。
【０１０７】
また、請求項３１記載の発明によれば、該成膜領域の少なくとも一部を基板ホルダーと密着する構造により、該基板ホルダー表面に溝部を有しつつも、スパッタ成膜した際に、良好な基板機械特性及びメディア信号特性を得ることのできる基板ホルダーを実現することができた。すなわち、光ディスク基板成膜装置において、高速成膜、厚肉成膜、薄肉ディスクへの成膜、同一基板への２層以上の繰り返し成膜等を行なった場合でも、良好な基板機械特性及びメディア信号特性を確保した光情報記録媒体を安定して提供することが可能となった。また、連続成膜時の基板搬送トラブルをなくし、光ディスク基板成膜装置の稼動率を飛躍的に向上させることにより、生産の効率化、及び生産コストの低減を図ることができるという極めて優れた効果を奏する。
【０１０８】
また、請求項３２記載の発明によれば、該溝部の稜線が該ディスク基板設置中心を中心に同心円状となるようにしたことにより、該基板ホルダー表面に形成した溝部が基板機械特性及びメディア信号特性に与える影響を飛躍的に低減させることが可能となった。
【０１０９】
また、請求項３３または３４記載の発明によれば、該溝部の稜線を形成するエッジ部にテーパーを設けたり、Ｒ加工を施したりすることにより、該基板ホルダー表面に形成した溝部の稜線部が該ディスク基板と接触することによる傷を低減することができた。
【０１１０】
また、請求項３５または３６記載の発明によれば、該基板ホルダーのディスク基板と接触する面に、フッ化黒鉛（ＣＦ）ｎやフッ素樹脂（ＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＦＥＰ）の撥水性粉末を用いた複合メッキ、或いはフルオロアルキル基を有するクロロシラン系化学吸着剤を用いた処理等の撥水処理を用いる潤滑処理を施すことにより、ディスク基板が基板ホルダーと接触することによる傷を飛躍的に低減することができた。
【０１１１】
また、請求項３７記載の発明によれば、基板ホルダーのディスク基板と接触する面をＰＴＦＥ、ポリアセタール等の潤滑性をもった材料で構成することにより、ディスク基板が基板ホルダーと密着保持することによる傷を飛躍的に低減することができた。
【０１１２】
また、請求項３８記載の発明によれば、該溝部に通じる流路を形成することにより、光ディスク基板成膜装置からのディスク基板の搬出時において、この非接触空間からベントガスを導入することが可能となり、該ディスク基板を該基板ホルダーに密着させた場合に生じる真空吸着を未然に防ぎ、安定した基板搬送を行なうことができるようになった。
【０１１３】
また、請求項３９記載の発明によれば、成膜中に基板が変形することを少なくできる。このため、より薄い基板を用いた場合にも、従来の基板と同様に取り扱うことができ、成膜工程のスループット低下を防ぐことができる。また、光ディスクの品質を高めると共に、光ディスク製品の歩留まりを高めることができる。また、基板を基板ホルダーに真空チャックによって吸着でき、より薄い基板を用いた場合にも、基板の変形を防ぐことができる。このため、光ディスクの品質を高めると共に、光ディスク製品の歩留まりを高めることができる。以上のことから、請求項３９記載の発明によれば、より薄い光ディスク基板を用いても、光ディスク基板が変形せず、しかもスループットを低下させることがない光ディスク基板成膜方法を提供することができる。
【０１１４】
また、請求項４０記載の発明によれば、基板を基板ホルダーに真空チャックによって吸着でき、０．６ｍｍ厚の基板を用いた場合にも、基板の変形を防ぐことができる。このため、貼り合わせ式の光ディスクの品質を高めると共に、光ディスク製品の歩留まりを高めることができる。
【０１１５】
また、請求項４１記載の発明によれば、基板ホルダーと基板とを吸着するための専用の構成を設けることなく、成膜の間中、基板ホルダーと基板とを吸着することができる。このため、本発明の光ディスク基板成膜装置の構成を簡易化すると共に、自動的に光ディスク基板の吸着を解除し、取り外しの際に基板が損なわれることを防ぐことができる。
【０１１６】
また、請求項４２記載の発明によれば、基板ホルダーと基板とを吸着するための専用の構成を設けることなく、成膜の間中、基板ホルダーと基板とを吸着することができる。このため、本発明の光ディスク基板成膜装置の構成を簡易化すると共に、自動的に光ディスク基板の吸着を解除し、０．６ｍｍ以下の厚さの基板に対しても取り外しの際に基板が損なわれることを防ぐことができる。
【０１１７】
また、請求項４３記載の発明によれば、成膜中に基板が変形することを少なくできる。このため、より薄い基板を用いた場合にも、従来の基板と同様に成膜することができ、成膜工程のスループット低下を防ぐことができる。また、光ディスクの品質を高めると共に、光ディスク製品の歩留まりを高めることができる。また、基板を基板ホルダーに真空チャックによって吸着でき、より薄い基板を用いた場合にも、基板の変形を防ぐことができる。このため、光ディスクの品質を高めると共に、光ディスク製品の歩留まりをいっそう高めることができる。以上のことから、請求項４３記載の発明によれば、より薄い光ディスク基板を用いても、光ディスク基板が変形せず、しかもスループットを低下させることがない光ディスク基板成膜方法を提供することができる。
【０１１８】
また、請求項４４記載の発明によれば、成膜時に裏面となる光ディスクの光入射面に傷が付くことを防ぎ、光ディスクの品質を高めると共に、光ディスク製品の歩留まりをいっそう高めることができる。
【０１１９】
また、請求項４５記載の発明によれば、基板に熱を加えることなく保護膜を形成し、基板の熱による変形をいっそう低減することができる。
【０１２０】
また、請求項４６記載の発明によれば、コーターなどの装置が無い場合にも保護膜を形成し、保護膜の形成方法を多様化することができる。
【０１２１】
また、請求項４７記載の発明によれば、成膜条件が良く知られていて、しかも保護膜に適した材質の膜を選択することができる。このため、裏面の保護に好適な保護膜を形成することができる。
【０１２２】
請求項４８記載の発明によれば、反りのない基板を歩留りよく製造することができる。
【０１２３】
また、請求項４９、５０または５１記載の発明によれば、請求項６の基板ホルダーを簡便・安価に製造することができる。基板保持面の表面処理では、上記トリアジン処理が特に好ましく、比較的安価で高い表面潤滑効果を得ることができる。
【０１２４】
また、請求項５２記載の発明によれば、請求項８〜１２記載の発明の効果を得ることができる基板ホルダーが提供される。
【０１２５】
また、請求項５３記載の発明によれば、生産の効率化、及び生産コストの低減を図った光ディスクを得ることができる。
【０１２６】
また、請求項５４〜５９記載の発明によれば、反射放熱層にＡｇ系合金膜を用い、かつ硫化亜鉛と酸化ケイ素の混合体からなる上部誘電体保護層と反射放熱層との間に耐硫化性導電体層を設けた本発明の相変化記録型光ディスクによれば、反射放熱層にＡｌを用いた場合に比べて、より速くディスクをスパッタ成膜でき、温度上昇が小さいため反りも小さい。また耐硫化性導電体層の存在によりＡｇの劣化を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０１２７】
以下、本発明の光ディスク基板成膜装置、光ディスク基板成膜方法、基板ホルダーの製造方法、基板ホルダー、光ディスクおよび相変化記録型光ディスクの最適な実施の形態について、添付の図面を参照して、実施の形態１〜１７の順で詳細に説明する。
【０１２８】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１の光ディスク基板成膜装置の基板搬送室と成膜室との上面を示す図であり、この基本的な構成は実施の形態１〜３で共通のものである。実施の形態１の光ディスク基板成膜装置は、光ディスク基板の面上に薄膜を成膜して光ディスクを作成する光ディスク基板成膜装置である。実施の形態１〜３では、いずれも、この光ディスク基板に０．６ｍｍの厚さを有するものを用いるものとする。なお、０．６ｍｍの標記成形基板の厚みは、公差±５０μｍを含むものである。
【０１２９】
このうち、図示した構成は、基板搬送室１０と、基板搬送室１０の外周面に設けられた５つの成膜室２ａ〜２ｅと、各成膜室２ａ〜２ｅに向けて光ディスク基板１（図２）を固定するための基板ホルダー６ａ〜６ｆとを有している。また、基板搬送室１０は、真空に保持されていて、この真空状態をブレークすること無しに光ディスク基板１を各成膜室に搬送する。搬出・搬入口２０は、真空と大気圧との間のロードロック機構を有し、光ディスク基板１を基板ホルダーｆにロード、アンロードする機能を持っている。なお、この基板ホルダー６ａ〜６ｆの構成については、後述するものとする。
【０１３０】
また、基板ホルダー６ａ〜６ｆには、基板搬送アーム４ａ〜４ｆが接続されていて、基板搬送アーム４ａ〜４ｆは、中心部３０に固定されている。中心部３０は、図示しない駆動部によって回転するよう構成されている。この回転に伴って基板ホルダー６ａ〜６ｆは、一つの光ディスク基板１を順次成膜室２ａ〜２ｅに設定することができる。
【０１３１】
実施の形態１では、以上のように構成された光ディスク基板成膜装置を、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＺｎＳ．ＳｉＯ2、Ａｌの３種類の膜を周知のスパッタリング技術によって生成するものとしている。このために実施の形態１では、成膜室２ａおよび成膜室２ｂをＺｎＳ．ＳｉＯ2膜（誘電体層）の成膜専用とし、成膜室２ｃをＡｇＩｎＳｂＴｅ膜（記憶層）の成膜専用とし、成膜室２ｄをＺｎＳ．ＳｉＯ2膜（上層誘電体層）の成膜専用とし、さらに成膜室２ｅをＡｌ膜（反射層）の成膜専用としている。そして、一つの光ディスク基板１が順次成膜室２ａ〜２ｅに設定されることにより、以上の各膜が連続的に成膜され、光ディスクが形成される。
【０１３２】
なお、実施の形態１〜３では、いずれの場合も、このようにして成膜される膜のトータル膜厚を３７０ｎｍとした。また、スパッタ工程のタクトタイムは、２５ｓｅｃである。
【０１３３】
図２は、図１に示した基板ホルダー６ａの横断面図である。なお、他の基板ホルダー６ｂ〜６ｆについては、図２に示した基板ホルダーと同様に構成されたものであるから、説明および図示を略すものとする。基板ホルダー６ａは、光ディスク基板１を固定する円板であるホルダー部３と、ホルダー部３をその中心で支持するアーム部４ａとを有している。このホルダー部３は、成膜室２ａに向けて光ディスク基板１を固定する。
【０１３４】
光ディスク基板１は、内周マスク１１と外周マスク１２とによってホルダー部３上に固定され、内周マスク１１、外周マスク１２から露出している光ディスク基板１の領域Ｓ（被成膜領域）にのみ膜が生成される。なお、実施の形態１では、アーム部４ａに真空チャック用の貫通孔７ａ（一点鎖線で示す）を設け、ホルダー部３に真空チャック部を設けている。このような真空チャック部により、光ディスク基板１は、ホルダー部３上へいっそう強固に固定されることになる。
【０１３５】
図３は、このようなホルダー部３の基本的な構成を説明する図であって、上方の図はホルダー部３の断面図であり、また、下方の図はホルダー部３の上面図である。なお、図３の断面図は、上面図中の破線Ａ−Ａ'に沿うものである。図３のように、ホルダー部３は、光ディスク基板１を光ディスク基板１の中心点に近い位置で固定する内周マスク１１と、周縁部に近い位置で固定する外周マスク１２とを有している。内周マスク１１、外周マスク１２は、いずれも光ディスク基板１の一部を覆い、ホルダー部３の上面との間に光ディスク基板１を挟み込むようにして光ディスク基板１を固定している。このため、光ディスク基板１表面のうち、内周マスク１１、外周マスク１２に固定されていない部分だけが被成膜領域Ｓとなる。なお、実施の形態１では、このような内周マスク１１の半径を２０ｍｍ、外周マスクの半径を５９ｍｍとした。
【０１３６】
このとき、実施の形態１では、被成膜領域Ｓの裏面全体と、被成膜領域Ｓ下のホルダー部３の上面とを密着させ、このホルダー部３の上面を密着支持面Ｓ'としている。なお、被成膜領域Ｓおよび密着支持面Ｓ'の範囲をそれぞれの近傍に矢印で示す。このような密着支持面Ｓ'には、光ディスク基板１の領域Ｓの裏面よりも硬度の小さい部材（保護部材）が設けられ、密着して固定することで光ディスク基板１の裏面に傷が付くことを防いでいる。成膜時に裏面となる面は、光ディスク読取時の光入射面となる面である。このことから、実施の形態１は、光ディスクの光入射面に傷が付くことを防ぎ、その品質を高めることができる。
【０１３７】
この保護部材としては、現在、光ディスク基板１としてポリカーボネイト基板が多く用いられていることから、ポリカーボネイドよりも硬度の小さいシリコンゴム部材が考えられる。図４は、ホルダー部３の密着支持面Ｓ'にシリコンゴム部材１５を設けた状態を示す図である。
【０１３８】
以上のように構成された実施の形態１の光ディスク基板成膜装置では、以下の方法によって光ディスクを形成する。先ず、光ディスク基板１が、基板ホルダー６ｆの内周マスク１１、外周マスク１２および真空チャックによってホルダー部３の上面に固定される。固定された光ディスク基板１は、図１に示した搬出・搬入口２０から光ディスク基板成膜装置内に搬入される。このとき、光ディスク基板１の裏面は、図３のように、密着支持面Ｓ'と密着している。
【０１３９】
続いて、成膜室２ａ〜成膜室２ｅに向けて基板ホルダー６ｆを順次設定し、基板ホルダー６ｆに固定された光ディスク基板１に連続的に誘電体層、記憶層などとなる各膜を成膜する。この成膜条件は、以下の通りである。
１．ＺｎＳ．ＳｉＯ2膜（誘電体層）
投入電力：３ＫＷ，
成膜室気圧（Ａｒガス圧力）：０．２７Ｐａ（２×１０-3Ｔｏｒｒ）
２．ＡｇＩｎＳｂＴｅ膜（記憶層）
投入電力：０．４ＫＷ，
成膜室気圧（Ａｒガス圧力）：０．２７Ｐａ（２×１０-3Ｔｏｒｒ）
３．ＺｎＳ．ＳｉＯ2膜（上層誘電体層）
投入電力：０．４ＫＷ，
成膜室気圧（Ａｒガス圧力）：０．２７Ｐａ（２×１０-3Ｔｏｒｒ）
４．Ａｌ膜（反射層）
投入電力：９ＫＷ，
成膜室気圧（Ａｒガス圧力）：０．２７Ｐａ（２×１０-3Ｔｏｒｒ）
なお、このとき、基板搬送室１０の圧力は、０．０１３Ｐａ（１×１０-4Ｔｏｒｒ）である。
【０１４０】
成膜が完了すると、実施の形態１の光ディスク基板成膜装置では、内周マスク１１、外周マスク１２を取り外すマグネット部材（図示せず）を光ディスク基板１の上方に近づける。内周マスク１１、外周マスク１２は、マグネット部材との間に発生する磁力によってマグネット部材側に引かれ、ホルダー部３から取り外される。このとき、光ディスク基板１は、真空チャックによって密着支持部Ｓ'に密着している。続いて、内周マスク１１、外周マスク１２が外された光ディスク基板１の中央部分に光ディスク基板吸引用のロボット（図示せず）が接近し、光ディスク基板１を吸引して取り外す。以上の処理により、光ディスク基板成膜装置で行われる工程が完了する。
【０１４１】
このような実施の形態１の光ディスク基板成膜装置および光ディスク基板成膜方法では、光ディスク基板１が密着支持面Ｓ'に密着しているから、成膜中に光ディスク基板１の変形が起こり難くなる。このため、実施の形態１は、光ディスク基板１を薄くした場合にも光ディスク基板１の変形を抑えることができる。
【０１４２】
なお、本発明は、このような実施の形態１に限定されるものではない。例えば、実施の形態１では、密着支持面Ｓ'に光ディスク基板１よりも硬度の小さい保護部材を設けるようにしている。しかし、このような構成に代えて、例えば、成膜工程の以前に光ディスク基板１の裏面に保護膜を形成する工程（裏面保護膜形成工程）を入れるようにしても良い。このような裏面保護膜形成工程としては、光ディスク基板１の裏面にＵＶ硬化樹脂をスピンコートするものが考えられる。
【０１４３】
また、光ディスク基板１の裏面に予めスパッタリングによって保護膜を形成するものも考えられる。なお、この方法によって保護膜を形成する場合、形成される保護膜は、シリコン窒化膜と、シリコン酸化膜と、チタン窒化膜と、インジウム、チタン、酸素の化合物とのうちのいずれか一つ、あるいはこの複数の積層膜とすることが考えられる。以上のように、光ディスク基板１の裏面に保護膜を形成する場合、ホルダー部３の密着支持面Ｓ'には、特に保護部材を設ける必要が無く、母材（ステンレスなど）の状態であっても良い。
【０１４４】
さらに、実施の形態１では、例えば、図５のように、内周マスク１１、外周マスク１２が取り外された光ディスク基板１を密着支持面Ｓ'から剥がす爪部４０を設けても良い。なお、図５は、爪部４０以外は前述した図３と同様の図面であるから、同一の部材については同一の符号を付し、説明を一部略すものとする。爪部４０は、図中の光ディスク基板中心に向かって移動するよう構成されている。この移動範囲は、例えば、図５上方の断面図中の位置から光ディスク基板１の周縁部よりも２ｍｍ内側（直径６０ｍｍの光ディスク基板であれば、直径５８ｍｍの位置）とする。
【０１４５】
このような爪部４０は、内周マスク１１、外周マスク１２が取り外された光ディスク基板１に向かってその２ｍｍ内側まで移動する。この移動によって、爪部４０の傾斜部４０ａは、光ディスク基板１の裏面とホルダー部３の上面との間に入り込み、光ディスク基板１を密着支持面Ｓ'から機械的に剥がすよう作用する。このため、光ディスク基板取り外し用のロボットは、比較的弱い吸引力で光ディスク基板１を吸引することができるようになる。
【０１４６】
このような構成は、成膜中に光ディスク基板１を充分に吸着しながら、取り外しの際の吸引力を弱めることができ、より薄い光ディスク基板１を用いた場合にも、取り外し時に光ディスク基板が損なわれることを防ぐことができる。
【０１４７】
（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２について説明する。実施の形態２は、先に述べたホルダー部３の密着支持面Ｓ'に溝部を設けたものである。図６は、実施の形態２の溝部を有するホルダー部２３の断面図（図中、上方）および上面図（図中、下方）である。なお、図６の断面図は、上面図中の破線Ａ−Ａ'に沿うものである。なお、図６では、説明の便宜上、断面図には光ディスク基板１が固定された状態を示し、上面図では光ディスク基板１を図示せず、ホルダー部２３の上面を示すものとする。
【０１４８】
図６のように、ホルダー部２３は、ホルダー部３と同様に内周マスク２１と、外周マスク２２とを有している。そして、このホルダー部２３の密着支持面Ｓ'には、溝部２３ａが設けられている。実施の形態２の溝部２３ａは、上面図に示したように、ホルダー部２３の中心で直交する２本の直線と、ホルダー部２３と中心が一致した２つの同心円とを組み合わせた形状を有している。
【０１４９】
このように構成することにより、実施の形態２は、密着支持面Ｓ'と光ディスク基板１とが部分的に密着することになり、真空チャックされた光ディスク基板１を比較的弱い力で取り外すことができる。このため、光ディスク基板取り外し用のロボットの吸引力を弱く設定することができ、光ディスク基板１を薄くした場合にも、取り外しの際に光ディスク基板が損なわれることを防ぐことができる。
【０１５０】
なお、本発明は、このような実施の形態２に限定されるものではない。例えば、ホルダー部２３に設けられる溝部２３ａの形状は、光ディスク基板１が密着支持面Ｓ'と密着する部分と離れる部分との割合が適切になるものであればどのようなものであっても良い。
【０１５１】
（実施の形態３）
実施の形態３は、実施の形態１で説明した光ディスク基板成膜装置のように、基板搬送室１０と、少なくとも成膜室２ａとを備え、基板搬送室１０、成膜室２ａの間に基板ホルダーを配置するよう構成されたものにおいてなされるものである。そして、この基板ホルダーに、基板搬送室１０と成膜室２ａ〜２ｅ（実施の形態３では、光ディスク基板成膜装置が成膜室２ａ〜２ｅを備え、このすべての基板ホルダーに貫通孔を設けたものとして以降の説明を行う）とに通じる貫通孔を設けている。さらに、成膜中、成膜が行われている成膜室２ａ〜２ｅを基板搬送室よりも高い圧力に保つようにしたものである。
【０１５２】
以下、このような実施の形態３について説明する。図７は、実施の形態３の貫通孔３３ａを有するホルダー部３３の断面図（図中、上方）および上面図（図中、下方）である。なお、図７の断面図は、上面図中の破線Ａ−Ａ'に沿うものである。なお、図７では、説明の便宜上、断面図には光ディスク基板１が固定された状態を示し、上面図では光ディスク基板１を図示せず、ホルダー部３３の上面を示すものとする。
【０１５３】
図７のように、ホルダー部３３は、内周マスク３１と、外周マスク３２とを有している。そして、ホルダー部３３の密着支持面Ｓ'には、貫通孔３３ａが設けられている。実施の形態３の貫通孔３３ａは、上面図に示したように、ホルダー部３３の中心から放射状に配置されていて、その一方の端部が成膜室２ａ〜２ｅと通じていて、他方の端部が基板搬送室１０に通じている。
【０１５４】
以上のように構成された実施の形態３の光ディスク基板成膜装置では、以下の方法によって光ディスクを形成する。先ず、光ディスク基板１が、基板ホルダー６ｆの内周マスク３１、外周マスク３２によってホルダー部３３の上面に固定される。そして、図１に示した搬出・搬入口２０から光ディスク基板成膜装置内に搬入される。このとき、光ディスク基板１は、図７の断面図のように、貫通孔３３ａを除く部分がホルダー部３３の密着支持面Ｓ'と密着している。
【０１５５】
続いて、成膜室２ａ〜成膜室２ｅに向けて基板ホルダー６ｆを順次設定し、基板ホルダー６ｆに固定された光ディスク基板１に実施の形態１で述べた成膜条件で各膜を成膜する。このとき、実施の形態１で述べた成膜条件によれば、成膜室２ａ〜２ｅの気圧はいずれも０．２７Ｐａ（２×１０-3Ｔｏｒｒ）である。これに対して、基板搬送室１０の気圧は、０．０１３Ｐａ（１×１０-4Ｔｏｒｒ）である。したがって、光ディスク基板１は、この圧力差により貫通孔３３ａを除く密着支持面Ｓ'と成膜の間中密着することになる。
【０１５６】
このように構成することにより、実施の形態３は、真空チャックを用いることなく光ディスク基板１を成膜の間中ホルダー部３３に密着しておくことができる。このため真空チャックの設備が無い環境でも本発明の光ディスク基板成膜装置が使用でき、装置の使い勝手を高めることができる。また、専用の真空チャックの機構を設ける必要がないことから、光ディスク基板成膜装置の構成を簡易にすることができる。
【０１５７】
さらに、実施の形態３では、このため、真空チャック解除のタイミングを制御することなく成膜の終了と同時に光ディスク基板１の真空チャックがなくなる。このため、光ディスク基板１を薄くした場合にも、光ディスク基板が取り外しの際に損なわれることを自動的に防ぐことができる。
【０１５８】
なお、本発明は、このような実施の形態３に限定されるものではない。例えば、ホルダー部３３に設けられる貫通孔３３ａの配置および形状は、光ディスク基板１が密着支持面Ｓ'と密着する部分と離れる部分との割合が適切になるものであればどのようなものであっても良い。
【０１５９】
（実施の形態１〜実施の形態３の効果の検証）
本発明の発明者らは、実施の形態１〜実施の形態３で説明した光ディスク基板成膜装置および光ディスク基板成膜方法を用いて成膜を行った。そして、このときの光ディスク基板の最大反り量を測定し、実施の形態で得られる効果を検証した。以下にこの結果を示す。なお、最大反り量とは、成膜後の光ディスク基板のうち、最も反りが大きかった部位の反り量である。また、反り量は、光ディスク基板の理想的な面に対し、実際の光ディスク基板面の接線がなす角度で定義した（以降、最大反り角度という）例と、光ディスク基板の理想的な面と実際の光ディスク基板面との位置の相違を長さで表した（以降、最大反り量という）例との二つについて示す。
【０１６０】
１．最大反り角度の例
従来の光ディスク基板成膜装置および方法で成膜された光ディスク基板
…４度
実施の形態１の光ディスク基板成膜装置および方法で成膜された光ディスク基板…０．６度（密着支持面：シリコンゴム、裏面の保護膜なし）
…０．５度（密着支持面：ステンレス、裏面の保護膜：ＵＶ硬化樹脂）
実施の形態２の光ディスク基板成膜装置および方法で成膜された光ディスク基板…０．５度（密着支持面：ステンレス、裏面の保護膜：ＵＶ硬化樹脂）
実施の形態３の光ディスク基板成膜装置および方法で成膜された光ディスク基板…０．５度（密着支持面：ステンレス、裏面の保護膜：ＵＶ硬化樹脂）
【０１６１】
２．最大反り量の例
図８は、１．２ｍｍ、０．７ｍｍ、０．６ｍｍ、０．３ｍｍの光ディスク基板を用い、この各々に対して先に述べた本発明の実施の形態１ないし３の装置および方法で成膜を行い、この最大反り量と、同じ厚さを持った光ディスクに対して従来技術を用いて成膜を行った際の最大反り量とを比較した図である。この際の標記成形基板の厚みは、公差±５０μｍを含むものである。また、図９は、図８に示した最大反り量と光ディスク基板厚との関係をグラフ化して示す図である。なお、実施の形態３の１（実施の形態３−１）、２（実施の形態３−２）の別は、ホルダーの形状が相違することによるもので、実施の形態３−１が図６に示したホルダー部２３を用いた例、実施の形態３−２が、図７に示したホルダー部３３を用いた例を示すものである。
【０１６２】
図８、図９によれば、貼り合わせの光ディスクに使用される０．６ｍｍ厚基板の最大反り量は、従来技術で成膜した場合には５５０μｍ、本願発明を用いて成膜した場合には２９０〜３００μｍと約半分程度に低減していることが明らかである。なお、貼り合わせ式の光ディスクの製造工程において、成膜後の基板は、この後工程で貼り合わされて反りを矯正される。しかし、最大反り量が５５０μｍある基板では、この矯正によっても貼り合わされた基板の反り量を製品としての規格を満たす程度に小さくすることは難しい。これに対して本願発明で得られた最大反り量２９０〜３００μｍの基板では、貼り合わせの工程によって基板の反り量を規格の許容範囲内に収めることが充分可能である。
【０１６３】
さらに本願発明の実施の形態１〜３によれば、０．６ｍｍ厚以下の厚さを持つ基板に対しても、最大反り量を３００μｍ台とすることができる。このような本願発明は、０．６ｍｍ以下の厚さを持つ基板を用いて貼り合わせ式の光ディスク形成を実現し得る。
【０１６４】
（実施の形態４）
図１０は基板ホルダー２０１の断面図であって、光ディスク基板２２１を保持した状態を示すものである。図１１は図１０の平面図であって、基板を保持する前の状態を示すものである。この図１０、１１において符号２０２は外周マスク、符号２０３は内周マスクである。この基板ホルダー２０１では、基板２２１裏面と接する基板保持面の全面にサンドブラスト加工による粗面化処理が施されており、この粗面化処理部（粗面部）２０４の表面粗さＲｍａｘは４０μｍ以上、５０μｍ以下の範囲内にある。
【０１６５】
光ディスク基板２２１として、射出成形により得られた厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板を上記基板ホルダー２０１で保持し、このホルダーをスパッタ成膜装置にセットし、誘電体層としてＺｎＳ．ＳｉＯ2 、記録層としてＡｇｌｎＳｂＴｅ、反射層としてＡｌをそれぞれ成膜した。
【０１６６】
すなわち成膜に際しては、基板２２１を基板ホルダー２０１に載せ、基板２２１の中心部を内周マスク２０３で、外周部を外周マスク２０２でそれぞれ固定し、スパッタリングにより所望の薄膜を成膜した。この場合、成膜のトータル膜厚を３５０〜４００ｎｍの範囲にして実験を行った。
【０１６７】
（比較例１、２）
比較用の基板ホルダーとして、（１）図１２に示す従来の基板ホルダー２１１と、（２）基板保持面の全面が平坦に仕上げられ（粗面化処理が施されていない）、したがって基板２２１裏面の全面に密着した状態で基板を保持する形態の基板ホルダー（図略）とを用意し、実施の形態４と同一条件でスパッタリングにより所望の薄膜を成膜した。実施の形態４および比較例１、２の結果を表１に示す。なお、図１２において、２１２は外周マスク、２１３は内周マスク、２１４は溝、２２１は光ディスク基板を示す。
【０１６８】
【表１】
【０１６９】
表１で明らかなように、本発明を適用することで基板の変形が抑えられ、しかも基板ホルダーからの基板取出しも容易に行うことができた。この結果、本発明により、品質の良い（基板反りのない）成膜基板を生産性良く（取出し性良好）製造することができるようになった。これに対し、比較例１、２に係る基板ホルダーでは基板が大きく変形するか、または基板ホルダーからの基板取出しが難しくなる問題があった。図１２の基板ホルダーでは、基板取出し性が良好であるものの基板の反りが大きくなったのは、円環状の溝２１４を設けたからである。
【０１７０】
（実施の形態５）
基板保持面の一部または全面にサンドブラスト加工による粗面化処理を施した後、この粗面部分にトリアジンチオールを用いる有機メッキを施すことにより、表面粗さＲｍａｘが４０μｍ以上、５０μｍ以下の範囲内にある基板ホルダーを用意した。上記有機メッキは、一般的な金属メッキと同様にトリアジンチオールの電解液中でメッキを行うことにより、金属皮膜ではなくトリアジンチオールの有機皮膜が形成されるものである。このトリアジン処理では、皮膜の厚さのみを容易に高精度に制御することができるうえ、金属メッキにはない潤滑性と撥水性を得ることができる。したがって、金属メッキと同様な設備があれば、簡単にトリアジンチオールの有機皮膜を作製することが可能である。また、この有機皮膜は、比較的安価に形成できるだけでなく、高温環境下でも剥離しにくいという長所がある。
【０１７１】
したがって、実施の形態５の基板ホルダーでは上記粗面化処理と、トリアジンチオールの有機皮膜による表面潤滑処理とを行ったので、基板の反り防止効果に加えて、粗面化処理のみを行ったホルダーに比較して、（１）基板取出し性（取出しの安定性：取出しの容易さ）が更に向上するとともに、（２）取り出した基板裏面の傷が低減するという効果も得られた。上記（１）（２）の効果は、基板ホルダーの基板保持面に潤滑性を付与したことによるものであると考えられる。
【０１７２】
（実施の形態６）
実施の形態４と同様であるが基板ホルダーの基板保持面の一部をＰＴＦＥとした。そのため、あらかじめサンドブラスト加工により片面を粗面化したＰＴＦＥ板を作製し、これを基板ホルダーの所定部分に接着した。スパッタ装置で用いられる基板ホルダーおよびマスクは一般的に金属材料で構成されるが、本実施の形態では基板と接する部分のみを自己潤滑性に富むプラスチックで構成することで、基板の傷を防ぐことが可能となる。その結果、実施の形態５と同様に基板の反り防止・取出し性向上・基板の傷低減に関して大きな改善効果が得られた。なお、ＰＴＦＥの代わりに、ＰＯＭ（ポリアセタール）樹脂などを用いることもできる。また、自己潤滑性プラスチックを基板ホルダーの一部に使用することで、基板ホルダーの構造・仕様を大幅に変更することなく、所期の効果が得られる。すなわち、基板ホルダーの必要な部分にのみ高価な材料を用い、その他の部分には従来どおりの金属材料を用いることにより、コスト的にも大きな負担にならないで、本発明のホルダーを実現することができた。
【０１７３】
以上、本発明を実施の形態４〜５をもとに説明したが、表面粗さなどは基板変形に影響のない範囲で大きくしても何ら問題はない。また、本発明は光ディスク基板のスパッタ装置用の基板ホルダーに限られるものではなく、薄肉で変形しやすい各種基板にスパッタ処理を施すための基板ホルダーに有効に適用することができるものである。
【０１７４】
（実施の形態７、８）
図１３は、本発明の実施の形態７を示す要部平面概略図で、図中、３０１は基板ホルダー、３０２は光記録媒体の基板、３０３はセンターホール部、３０４は多孔性部材、３０５は溝部である。図１４は、実施の形態７における基板ホルダー３０１と、当該基板ホルダー３０１に装着した光記録媒体の基板３０２とを示す部分断面概略図である。図１５は、本発明の基板ホルダーに用いる多孔性部材３０４の形状の一例を説明するための図で、図中、３０４ｐは平面部である。
【０１７５】
実施の形態７は、基板ホルダー３０１に溝部３０５が設けられ、その溝部３０５に気体の通過が可能な多孔性部材３０４が配されている。溝部３０５は、基板３０２に接触する領域内から非接触領域内に延伸するように配され、多孔性部材３０４が基板３０２に接触する領域を、真空槽内の空間で露出する領域とを有するように設定される。このとき、多孔性部材３０４の表面は、基板ホルダー３０１の表面と同一の高さとなるように配される。
【０１７６】
図１６は、本発明の実施の形態８を示す要部平面概略図である。図１７は、本発明の実施の形態８における基板ホルダー３０１と、当該基板ホルダー３０１に装着した光記録媒体の基板３０２とを示す部分断面概略図である。
【０１７７】
実施の形態８は、基板ホルダー３０１における、プラスチック製の基板３０２の非成膜面に接触する領域内に溝部３０５が設けられ、その溝部３０５に多孔性部材３０４が配される。そして、多孔性部材３０４の裏面側に多孔性部材３０４より小面積の貫通孔３０６を備える。貫通孔３０６の面積を多孔性部材３０４の面積より小さくするのは、多孔性部材３０４を安定して保持する面を確保するためである。
【０１７８】
実施の形態７、８において、多孔性部材３０４の表面は、基板ホルダー３０１の基板接触面と同一の高さを有しており、プラスチック製の基板３０２の変形を阻止するとともに、多孔性であるがために気体の通過が容易となるため、基板取り出し時における基板ホルダー３０１と基板３０２との気密密着（真空吸着）による搬送障害（例ば移送ロボットによる基板３０２の取り損ないや、それに伴うロボットアームの変形等）を避けることができる。
【０１７９】
多孔性部材３０４は、基板ホルダー３０１が受ける熱エネルギによる基板ホルダー３０１内部の温度分布が生じないように、熱伝導性の良い材料で構成することが好適である。また、基板表面に微少な傷などを生じさせないようにするために、高分子材料または表面に高分子材料を被覆した材料や、弾性体材料で構成するとよい。
【０１８０】
多孔性部材３０４は、粒子材料を加熱成形法や常温のプレス成形法等によって一体化成形することにより得られ、粒子間の連続空隙により通気性を得る。この多孔性部材３０４に用いる熱伝導性の良い粒子材料としては、小径のＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｇ、黄銅などの良熱伝導性で比較的柔かい材質の金属ボールが好適である。このとき、単なるボール形状のままでは、各金属ボールにおける基板３０２との接触が点接触となるため安定しない。したがって、金属ボールをプレス（常温）やホットプレスにより成形し、図１５に示すごとくに、ボールの一部に平面部３０４ｐを持たせたものなどがを用いるのが良い。あるいは、基板３０２との接触面のみに平面部を有していれば良いので、多孔性部材３０４を切削して平面性を持たせるようにしてもよい。
【０１８１】
また、多孔性部材３０４に用いる高分子材料および弾性体としては、基板ホルダー３０１の温度分布の均一性が保てる場合（例えば±５℃以内）は単体の材料でもよいが、均一性が保てない場合は、導電性または良熱伝導性の物質との混合物とした方が良い。導電性または良熱伝導性で混合に適した材料としてはＡｇの微粒子、黒鉛の粉末などの無機導電材やテトラフルオロほう酸テトラｎ−ブチルアンモニウムなどの有機導電材を用いることができる。
【０１８２】
実施の形態７および実施の形態８の基板ホルダーを具体化した実施例を以下に説明する。
【０１８３】
（実施例１）
基板ホルダー３０１のプラスチック平面基板セット面上に形成した深さ２．０ｍｍ、幅１０ｍｍ、長さ３０ｍｍの長穴形状の溝部３０５にちょうど入るように、直径が約０．５〜１ｍｍ程度の球状の銅粒を原材料として１０〜４０体積％の空隙が残るよう成形型により加圧成形し、多孔性部材３０４を製作した。この多孔性部材３０４を、その表面が基板ホルダー３０１の基板セット面と同一平面となるように溝部３０５の内部に配置した。得られた基板ホルダー３０１に、ポリカーボネート性の１２０φサイズで厚さ０．６ｍｍの光ディスク用の基板３０２をセットした。長穴形状の溝部３０５は、基板３０２の裏面に接触する領域の長さが約２０ｍｍ、基板３０２から外れた領域の長さが約１０ｍｍとなるように配されている。また、基板３０２から外れた領域にある多孔性部材３０４の前面側には、成膜物質が直接付着しないようにステンレス製マスクを配置した。
【０１８４】
上記の基板ホルダー３０１を用いて、約１５０ｎｍ厚みの第一誘電体層、約３０ｎｍ厚みの記録層、約２０ｎｍ厚みの第二誘電体層、および約６０ｎｍ厚みの反射層をトータル９０秒かけて真空雰囲気で順次成膜した。光ディスク用の基板３０２の温度は、成膜面で１１０〜１２５℃まで上昇したが、基板ホルダー３０１の内部の温度分布は、１０００枚成膜後で±２〜３℃の範囲であり、基板３０２の機械的な変形も生じなかった。また真空装置内での基板搬送上の脱着トラブルも起きなかった。さらに、光ディスクとしての特性評価を行ったところ、ラジアル方向またはタンジェンシャル方向のチルトはそれぞれ±０．４０°、±０．１５°の範囲であり、記録消去上の信号異常は見られなかった。
【０１８５】
（実施例２）
基板ホルダー３０１のプラスチック平面基板セット面上に形成した深さ１．５ｍｍ、幅１０ｍｍ、長さ２０ｍｍの長穴形状の溝部３０５にちょうど入るように、直径が約０．５〜１ｍｍ程度の球状の銅粒を原材料として１０〜４０体積％の空隙が残るように成形型により加圧成形し、多孔性部材３０４を作製した。この多孔性部材３０４を、その表面が基板ホルダー３０１の基板セット面に同一平面となるように溝部３０５の内部に配置した。長穴形状の溝部３０５は、光ディスク用の基板３０２を基板ホルダー３０１に装着したときに、その基板３０２に全て覆われるように設定されている。また基板ホルダー３０１には、溝部３０５の中央の位置に幅５ｍｍ、長さ１０ｍｍの長穴形状の貫通孔３０６を形成してある。上記の基板ホルダーを用いて、実施例１と全く同じ手順で光ディスク用基板に各材料を真空成膜したところ、実施例１と同じ良好な評価結果を得た。
【０１８６】
（実施例３）
多孔性部材３０４として、直径が約０．５〜１ｍｍ程度の銅粒またはプラスチック粒の表層に、黒鉛微粉を混合した接着性高分子材料（たとえば、カーボンフィラー入りアクリル系コート剤；藤倉化成製ドータイトＸＣ１２）を微量コートした後、実施例１および２の寸法に固化したものを用い、実施例１および２と同様にテストした。熱変形および光ディスクとしての評価結果は、実施例１と同じ良好な評価結果であった。
【０１８７】
（比較例３）
基板ホルダーとして、大きさ１０φの貫通孔が４個設けられたホルダを使用し、その他成膜条件等を上記実施例と同じにして、光ディスク用の基板に各材料を真空成膜した。基板の温度は、同様に１１０〜１２５℃まで上昇した。このとき、基板の機械的な変形が見られた。ただし、この場合は貫通孔があるため、成膜後の基板取り損ないは発生しなかった。さらに、光ディスクとしての特性評価を行ったところ、ラジアル方向またはタンジェンシャル方向のチルトはそれぞれ±１．２０〜２．５０°以上、±０．７０〜２．５０°以上の範囲となり、記録消去上の異常が認められた。
【０１８８】
（比較例４）
基板ホルダーとして、貫通孔および溝部等を有していない平面ホルダを使用し、その他成膜条件等を上記実施例と同じにして、光ディスク用の基板に各材料を真空成膜した。基板温度の上昇は、比較例３と同様であったが、このとき、基板の機械的な変形は見られなかった。光ディスクとしての特性評価においても、実施例１と同等の評価結果が得られた。しかし、約１０％程度の確率で基板の気密吸着が発生したため成膜後の基板取り損ないが発生した。
【０１８９】
（実施の形態９）
図１８は、実施の形態９の光ディスク基板成膜装置の要部概略構成を示し、図において、４０１は基板ホルダー、４０１ａは成膜領域の基板裏面において基板ホルダーが基板に接触する部分である基板支持部、４０２は内周マスク、４０３は外周マスク、４０４は基板、Winは内周マスク４０２の外周側エッジから基板支持部４０１ａの内周側エッジまでの幅、Woutは外周マスク４０３の内周側エッジから基板支持部４０１ａの外周側エッジまでの幅である。ここでは、内周マスク４０２として、直径４１ｍｍのものを用いた。また、外周マスク４０３は基板４０４の最外周から０．５ｍｍ内側までをマスクするものを用いた。基板４０４の裏面が基板ホルダー４０１に接する範囲Ｃは、内周マスク４０２の外周側エッジから４ｍｍ外側の位置から、外周マスクの内周側エッジから１ｍｍ内側の位置（すなわち、Win＝４ｍｍ、Wout＝１ｍｍ）とした。
【０１９０】
上記のごとくの構造を用いて図２１に示すような構成による光ディスクを作製した。作製方法はいずれもＲＦマグネトロンスパッタ法を用い、装置としてはいわゆる枚葉型スパッタ装置を用いた。比較のために、図１９および図２０に示すような構造を有する基板ホルダーを用いて同様な条件で光ディスクを作製した。なお、図２０の基板ホルダーは、従来より使用されている構成で、前述したごとくに基板ホルダー４０１が基板４０４の裏面の全面に接触するので、基板の反りに対しては影響は小さいが、基板搬送上の不具合が生じ易いものである。
【０１９１】
これらのディスクの反り量を比較した結果を図２２に示す。反り量はディスクの半径５８ｍｍの位置における成膜前後の差として示す。この結果から本発明の構成は、図２０の構成のものと同程度の反り量のディスクが得られた。
【０１９２】
（実施の形態１０）
図１８に示した基板ホルダーの形状で、図２３に示すように、WinおよびWoutの寸法を変えてＮｏ．１〜Ｎｏ．１４のサンプルを作製し、実施の形態９と同様に成膜を行って（Ｎｏ．１は実施の形態９と同じ構成）、基板の反り量と１００枚連続成膜した際に基板脱着が失敗した枚数とを評価した。図２３に示す結果から、基板の反り量を１００μｍ程度に小さく抑え、かつ基板脱着をスムーズに行うためには、Winが２〜１０ｍｍ、Woutが０．５〜５ｍｍの範囲で基板ホルダーの基板支持部を基板に接触させるようにするとよいことが解る。
【０１９３】
（実施の形態１１）
図２５は、本発明による実施の形態１１の構成を示す部分概略構成図である。本実施の形態は、上記の実施の形態９で用いた図１８の基板ホルダーの基板支持部１ａにおけるエッジ部４０１ｅに、テーパ面ｔによるテーパ形状を付与したものである。このようなテーパ形状を有する基板ホルダーのサンプルであって、図２４に示すごとくのサンプルＮｏ．１５〜Ｎｏ．２１を作製し、それぞれについて実施の形態９と同様に成膜を行って評価した。さらにこのとき基板４０４とエッジ部４０１ｅとが接する部分の基板表面を顕微鏡で観察した。なお、テーパ部のテーパ角θは図２５に示す様に基板ホルダー４０１の基板接触面と、テーパ部のテーパ面ｔとのなす角として定義される。
【０１９４】
図２４の結果からも分かるように、エッジ部のテーパ角θが０および０．５°の場合に成膜した基板の一部分に傷が生じているのが観察され、１．０°以上では基板には傷は生じなかった。また、基板変形量（反り量）は、テーパ角θが０．５〜２．０°の範囲では、テーパ形状を設けない場合（テーパ角＝０°）と同等で１００μｍであったが、テーパ角θが２．５°では１５０μｍに増大し、３．０°ではさらに増大して２００μｍであった。したがって、エッジ部４０１ｅに１．０〜２．０°の範囲でテーパ角θを付与することにより、基板の反り量を小さくでき、かつ基板ホルダーのエッジ部４０１ｅによる基板の傷などを防ぐことができる。
【０１９５】
（実施の形態１２）
図２７は、本発明による実施の形態１２の構成を示す部分概略構成図である。本実施の形態は、上記の実施の形態９で用いた図１８の構成のエッジ部４０１ｅに、幅Ｈのサイズのシリコンゴム５が設けられている。上記の幅Ｈは、図２７に示す様に基板４０４の半径方向のシリコンゴム５の長さとして定義される。図２７に示す構成で、図２６に示すごとくの基板ホルダーのサンプルＮｏ．２２〜Ｎｏ．２７を作製し、それぞれについて実施の形態１１と同様に成膜を行い評価した。図２６に示すように、本実施の形態の構成により、基板の反り量を１００μｍ程度に小さく抑えることができ、かつ基板ホルダーのエッジ部４０１ｅによる基板の傷などを防ぐことができた。このとき、シリコンゴムの幅Ｈが０．１ｍｍ未満では基板変形によるエッジ部４０１ｅへのメカニカルな負荷を回避できず、また、０．５ｍｍを越えると基板変形の抑制が期待できない。なお、本実施の形態ではエッジ部４０１ｅにシリコンゴムを用いたが、本実施の形態で得られた効果はシリコンゴムに限定されるものではなく、樹脂成形体等、基板の硬度より低い硬度をもつ材料であれば、適用することができる。
【０１９６】
（実施の形態１３）
図２８に、一般的な光ディスク基板成膜装置のロードロック室の概略断面図を示す。図において、５０１は基板、５０２はスタックリング、５０３は内周マスク、５０４は外周マスク、５０５は電磁石、５０６は光ディスク基板成膜装置外部搬送用基板ホルダー（以下、外部搬送用基板ホルダーと記載する）、５０７は光ディスク基板成膜装置内部搬送用基板ホルダー（以下、内部搬送用基板ホルダーと記載する）、５０８は光ディスク基板成膜装置内部搬送用アーム、５０９は磁石、５１０はＯリング、５１１は光ディスク基板成膜装置筐体、５１２はスタックリングよけ溝、５１３はロードロック室である。本実施の形態１３では、図に示す構成の光ディスク基板成膜装置を例に挙げて説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１９７】
本発明の光ディスク基板成膜装置について、本発明を適用した基板ホルダー部を図２９に示す。５２２は光ディスク基板成膜装置筐体側給気口（筐体側給気口と記載する）、５２３は光ディスク基板成膜装置筐体側給気路（以下、筐体側給気路と記載する）、５２４は基板ホルダー側給気口、５２５は基板ホルダー側給気路である。
【０１９８】
先ず、図２８に基づいて光ディスク基板成膜装置の基板搬入・搬出過程を説明する。基板５０１は、外部搬送用基板ホルダー５０６のオンした電磁石５０５に磁気的に取り付けられた内周マスク５０３および外周マスク５０４上に設置され、ロードロック室５１３に搬送される。この際、外部搬送用基板ホルダー５０６と内部搬送用基板ホルダー５０７および光ディスク基板成膜装置筐体５１１とによってロードロック室５１３の閉空間が形成される。次に、外部搬送用基板ホルダー５０６の電磁石５０５をオフし、内周マスク５０３、外周マスク５０４および基板５０１は内部搬送用基板ホルダー５０７に設置された磁石５０９により磁気的に固定される。
【０１９９】
また、図２８においては省略し、明記してないが、ロードロック室５１３は真空排気ポンプにより排気され、所定の真空度に達した時点で内部搬送用基板ホルダー５０７がスパッタ成膜室に移動し、所望の成膜を行なう。スパッタ構成層が多層ある場合は、内部搬送用基板ホルダー５０７は順次任意数のスパッタ室を経由する。内部搬送用基板ホルダー５０７は、スパッタ成膜終了後にロードロック室５１３の所定の位置に戻ってくる。
【０２００】
また、図２８においては省略し、明記してないが、ロードロック室５１３にはベント用のガス、一般的には窒素ガスが導入され、該ロードロック室内は大気圧に解放される。基板を基板ホルダーに密着させる構造においては、この時点で基板と基板ホルダーが真空吸着し、基板ホルダーからの基板の脱離が困難となる。
大気解放後は、外部搬送用基板ホルダー５０６の電磁石５０５をオンして外部搬入用基板ホルダー５０６に内周マスク５０３、外周マスク５０４および基板５０１が固定され、光ディスク基板成膜装置外に搬送される。
【０２０１】
基板ホルダーを図２９に示す構造とすることにより、光ディスク基板成膜装置からの基板搬出時の基板と基板ホルダーの真空吸着の問題を解決することができた。以下に説明する。
【０２０２】
図２９において、内部搬送用基板ホルダー５０７がロードロック室５１３の所定の位置に設置されている状態において、筐体側給気路５２３が基板ホルダー側給気路５２５と連結される構造とした。この連結においては、筐体側給気路５２３と基板ホルダー側給気路５２５がＯリング５１０等によって機密性を持った結合状態とする方法と、連結部に機密性を持たせない方法がある。機密性を持たせる方法としては、上記の他に双方の連結時にテーパーを持たせる等の様々な方法があるがこれに限るものではない。機密性を持たせた場合と持たせない場合の動作の差異については後述する。
【０２０３】
図２９は機密性を持たせない場合の例であり、以下、この構成に関して説明する。基板ホルダー側給気口５２４は、基板ホルダーの円周を４分割した放射状の位置にφ２ｍｍ穴で各３個配置し、その内の一つはスタックリングよけ溝５１２内に設けた。また、該基板ホルダー側給気口５２４は、基板が基板ホルダーを覆う範囲内に限定した。ここにおいて、基板ホルダー側給気口５２４の形、配置、サイズ、個数、また、基板ホルダー側給気路５２５の形状については、これに限るものではない。また、基板ホルダー側給気口５２４のエッジ部には０．５ｍｍのＲをつけた。このＲの値については、これに限るものではなく、該基板ホルダー側給気口５２４の大きさ、位置等により種々の適正値が存在する。このＲを付けることにより、該基板ホルダー側給気口５２４と、基板裏面が接触することによる基板裏面の傷つきをなくすことができた。また、これと併用或いは単独で基板ホルダー表面に潤滑処理を施すことにより飛躍的に基板裏面の傷つきをなくすことができることを見い出した。
【０２０４】
実施の形態１３では、該潤滑処理としてトリアジン処理を用いたが、これに限るものではなく、フッ化黒鉛（ＣＦ）nやフッ素樹脂（ＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＦＥＰ）の撥水性粉末を用いた複合メッキ、或いはフルオロアルキル基を有するクロロシラ系化学吸着剤を用いた処理等の撥水処理等も有効であった。
【０２０５】
上記構成において、スパッタ成膜が終了して、内部搬送用基板ホルダー５０７がロードロック室５１３の所定の位置に戻ってくると、筐体側給気路５２３と基板ホルダー側給気路５２５が連結する。その後、ロードロック室５１３内をベントした後に、基板は基板ホルダーに真空吸着した状態となったが、筐体側給気路５２３から基板ホルダー側給気路５２５を経て基板ホルダー側給気口５２４に窒素ガスを供給することにより基板は容易に基板ホルダーから脱離し、外部搬送用基板ホルダー５０６により光ディスク基板成膜装置外に搬送することができた。この際の供給ガス圧は１．１×１０5 Ｐａ（１．１ｂａｒ）としたが、大気圧を越える圧力であれば何ら問題はない。供給ガスについては窒素ガスに限るものではなく、一般的に危険性のないガスであれば何ら問題はない。
【０２０６】
また、筐体側給気路５２３から基板ホルダー側給気路５２５を経て基板ホルダー側給気口５２４に流すガスによりロードロック室５１３内のベントガスを兼ねる方法も試みたが、基板は基板ホルダーに真空吸着することなく、外部搬送用基板ホルダー５０６により光ディスク基板成膜装置外に搬送することができた。この際の供給ガス圧は初期に０．１×１０5 Ｐａ（０．１ｂａｒ）、０．５ｓｅｃ後に１．１×１０5 Ｐａ（１．１ｂａｒ）としたが、これに限るものではない。ベントガスを兼ねない方法と比較して低圧の供給ガスでも十分な基板脱離効果が得られることが特徴である。
【０２０７】
次に、筐体側給気口５２２と基板ホルダー側給気路５２５の連結を機密性を持った結合状態とする場合と機密性を持たせない場合の差異について説明する。
先ず、機密性を持たせた場合においては、ロードロック室５１３排気時に筐体側給気路５２３および基板ホルダー側給気路５２５がロードロック室排気用のポンプでは効率的な排気ができないため、別途給気路を単独に排気する機構を設けた。その一例が図３０であり、図２９のＣ部にあたる部分について限定して示してある。５３０はバイパス弁である。
【０２０８】
ロードロック室排気時に筐体側給気路５２３とロードロック室５１３の間に設けたバイパス弁５３０を開けることにより、ロードロック室５１３排気と同時に筐体側給気路５２３および基板ホルダー側給気路５２５も排気される。排気後、該バイパス弁５３０は閉じ、スパッタ成膜が終了した基板がロードロック室５１３に搬送されたときには、筐体側給気路５２３および基板ホルダー側給気路５２５を連結して密閉した流路を介して基板の基板ホルダーへの真空吸着を解除するためのガスが供給される。
【０２０９】
また、もう一つの方法として、図３１に示すように筐体側給気路５２３に別途排気路を設置する方法がある。この図は図２９のＣ部にあたる部分について限定して示してある。５３１は給気路排気用バルブ、５３２は真空ポンプである。この給気路排気用バルブ５３１の動作も前記のバイパス弁５３０と同様であり、また真空ポンプ５３２はロードロック室５１３排気用のポンプと併用することも可能である。上記構成は装置機構が複雑になる反面、筐体側給気路５２３および基板ホルダー側給気路５２５を基板裏面に通じる密閉した流路とすることができ、基板の基板ホルダーへの真空吸着現象の絶大な解放効果を得ることができる。
【０２１０】
これに対し、機密性を持たせない場合については、ロードロック室排気時に、筐体側給気口５２２および基板ホルダー側給気路５２５の連結部から十分に排気できるため、前述したような筐体側給気路５２３および基板ホルダー側給気路５２５を別途排気する手段を講じる必要がなく、装置構成を簡素化することができる。この反面、基板の基板ホルダーからの脱離にあたって、供給ガスの圧力を高めにする必要性が生じてくるが、容易に解決できる問題であり、本発明の効果を奏するにあたっては何ら問題とはならない。
【０２１１】
また、図中には示していないが、機密性を持たせる、持たせないに関わらず、筐体側給気路５２３の上流にはロードロック室排気時に閉じるバルブが必要であることは言うまでもない。ロードロック室の排気速度を考慮すると、該バルブの位置は筐体側給気路５２３に極力近い位置にあることが望ましい。
【０２１２】
（実施の形態１４）
次に、実施の形態１４の光ディスク基板成膜装置に用いる基板ホルダー部の構成を図３２に示す。なお、５１４は溝部である。図２９においては、基板ホルダー側給気口５２４から流出させるガスの流路が基板と基板ホルダーで形成された閉空間で終端された構成となっていたが、図３２においては、基板と基板ホルダーの間の解放空間に基板ホルダー側給気口５２４が配置された構成の場合を取り上げた。基本的な構成動作は図２９と同様であり、詳細な説明は省略し、本例特有の動作に関して説明する。
【０２１３】
図３２の例においても、図２９と同様に、スパッタ成膜が終了して、内部搬送用基板ホルダー５０７がロードロック室５１３の所定の位置に戻ってくると、筐体側給気路５２３と基板ホルダー側給気路５２５が連結する。その後、ロードロック室５１３内をベントした後に基板は基板ホルダーに真空吸着した状態となったが、筐体側給気路５２３から基板ホルダー側給気路５２５経て基板ホルダー側給気口５２４に窒素ガスを供給することにより基板は基板ホルダーから脱離し、外部搬送用基板ホルダー５０６により光ディスク基板成膜装置外に搬送することができた。
【０２１４】
図３２は図２９と比較して筐体側給気口５２２と基板ホルダー側給気路５２５を機密性を持たせて連結した際にもロードロック室排気時に筐体側給気路５２３および基板ホルダー側給気路５２５内の排気のための図３０、図３１で説明した機構が必要なくなり、装置構成を簡素化できる。なお、図３２では基板ホルダー側給気口５２４をスタックリングよけ溝５１２部に形成したが、これに限るものではなく、溝部５１４に配置することも可能であり、また、該基板ホルダー側給気口５２４の形、配置、個数等、および溝部の幅、形状等についてもこれに限るものではない。
【０２１５】
また、基板ホルダー表面の溝部については、基板裏面に接するエッジ部にＲをつけておくことが、基板裏面の傷対策上有効であることはいうまでもない。また、基板ホルダー表面の潤滑処理についての効果も図２９と同様である。
【０２１６】
（実施の形態１５）
次に、実施の形態１５の光ディスク基板成膜装置に用いる基板ホルダー部の構成を図３３に示す。溝部５１４は基板配置時に該基板で覆われる基板ホルダーの範囲内に設けた。本例は図２９と同様の構成動作であり、詳細な説明は割愛する。なお、図３３においては、基板ホルダー側給気口５２４をスタックリングよけ溝５１２部に形成したが、これに限るものではなく、溝部５１４に配置することも可能であり、また、該基板ホルダー側給気口５２４の形、配置、個数等、および溝部の幅、形状等についてもこれに限るものではない。
【０２１７】
また、基板ホルダー表面の溝部については、基板裏面に接するエッジ部にＲをつけておくことが、基板裏面の傷対策上有効であることはいうまでもない。また、基板ホルダー表面の潤滑処理についての効果も図２９と同様である。
【０２１８】
（実施の形態１６）
図３４に、一般的な多層成膜用枚葉光ディスク基板成膜装置の概要上面図を示す。なお、図において、６１０は基板搬入・搬出室、６１１〜６１７は成膜室、６２０は基板ホルダー、６２１はアーム、６２２は回転軸である。
【０２１９】
図３５に、従来の基板ホルダーの断面構造を、該基板ホルダーが基板搬入・搬出室に位置する場合について示す。図中の６３１はディスク基板、６３２はスタックリング、６３３は内周マスク、６３４は外周マスク、６３５は電磁石、６３６は外部搬送用基板ホルダー、６３７は内部搬送用基板ホルダー、６３８は内部搬送用アーム、６３９は磁石、６４０はＯリング、６４１は光ディスク基板成膜装置筐体、６４２はスタックリングよけ溝、６４３はロードロック室、６４４は肉盗部である。
【０２２０】
上記の内部搬送用基板ホルダーに、本発明を適用した一例を図３６に示す。６５０は基板ホルダー、６５１は溝部、６５２は流路、６５３は溝内部−排気・ベント口である。本態様例では、基板ホルダー表面に、ディスク基板設置中心を中心に内径２８ｍｍ、外径３８ｍｍの溝部６５１を形成した。また、該溝部の深さは０．５ｍｍとした。また、該溝部以外の部分は該ディスク基板と密着する構造とした。
【０２２１】
この基板ホルダーを用いて、成膜室６１１、成膜室６１２、成膜室６１３で誘電体層、成膜室６１４で記録層、成膜室６１５で誘電体層、成膜室６１６、成膜室６１７で反射層の順に積層成膜を行なった。なお、成膜材料は誘電体層としてＺｎＳ・ＳｉＯ2、記録層としてＡｇＩｎＳｂＴｅ、反射層としてＡｌを用いた。トータルの膜厚は４００ｎｍとなるようにした。また、ディスク基板としては、ＤＶＤメディア用の０．６ｍｍ厚のポリカーボネート基板を用いた。なお、成膜室の構成、成膜材料、成膜膜厚およびディスク基板はこれに限るものではない。
【０２２２】
また、比較のため、従来の基板ホルダーの一例として、図３８に示す基板ホルダーを用いて同様の成膜実験を行なった。この基板ホルダー表面には、ディスク基板設置中心から半径３３ｍｍの位置に、φ１５ｍｍの円形の溝部６５１ｂを円周方向を３分割する位置に３つ形成し、該溝部の深さは０．５ｍｍとした。また、該溝部以外の部分は該ディスク基板を密着する構造とした。
【０２２３】
ディスク基板には、基板搬入・搬出室からの基板投入、成膜室１〜７での成膜、基板搬入・搬出室からの基板搬出の一連の工程を経て、上記多層膜を形成した。双方の基板ホルダーともディスク基板搬出の際には、基板ホルダー表面に形成した溝部がディスク基板／基板ホルダー間へのベントガス導入口として機能し、安定した基板搬送を実現することができ、同様の効果を奏した。
【０２２４】
しかしながら、従来の基板ホルダーにおいては、ディスク基板を基板ホルダーに密着保持したにも関わらず、基板機械特性およびメディア信号特性に不良が発生し、この要因は基板ホルダー表面の溝部であるものと特定された。これに対し、本発明の基板ホルダーによれば、良好な基板機械特性およびメディア信号特性が得られた。この結果を図３９および図４０に示す。
【０２２５】
図３９は基板機械特性の代表・Ｔ−Ｔｉｌｔの３３ｍｍ位置における結果で、６６０は本発明のホルダー使用時、６６１は従来のホルダー使用時のものである。図４０はメディア信号特性の代表・反射率変動についての３３ｍｍ位置における結果で、６６２は本発明のホルダー使用時、６６３は従来のホルダー使用時のものである。ここでは、特性の変化が顕著な代表特性について示したが、他の特性についても少なからず同様の結果となっている。
【０２２６】
従来の基板ホルダーにおいては、基板ホルダー表面に形成した溝部の影響により、Ｔ−Ｔｉｌｔが大きく乱れ、また反射率変動についても溝部に対応した明確な信号変動６６４が観察されている。これらの特性の乱れは溝部位置３３ｍｍ以外にも及んでいた。これに対し、本発明の基板ホルダーにおいては、Ｔ−Ｔｉｌｔは成膜前の特性からほとんど変化せず、良好な基板機械特性を示し、反射率変動についても全く乱れのない特性が得られている。ここでは溝部中心位置に当たる３３ｍｍ位置での結果を挙げたが、溝部を形成する稜線位置２８ｍｍ、３８ｍｍおよびこれ以外の内外周すべての位置で同様の結果が得られている。
【０２２７】
上記説明したように、ディスク基板を基板ホルダーに密着させる構成において、本発明の基板ホルダーの構成のみがディスク基板の安定搬送と、基板機械特性およびメディア信号特性の確保を実現する唯一の手段であり、双方の要求に対して絶大な効果を奏するものである。一方、ディスク基板を基板ホルダーに密着させる場合の課題として、ディスク基板裏面の傷の問題があるが、本態様例において、本発明の１つである「溝部の稜線を形成するエッジ部にテーパーを設ける」方法を採用したところ、溝部の稜線がディスク基板と接触することによる傷不良を低減することができた。ここにおいて、テーパーとしてはＣ０．３ｍｍの面取り加工とした。ただし、テーパー形状はこれに限るものではない。
【０２２８】
また、該エッジ部にＲ加工を施すことによって、より効果的に傷不良の低減を図ることができた。ここにおいては、溝深さを１．５ｍｍに変更し、Ｒ１．０ｍｍの加工を施した。ただし、Ｒ加工形状はこれに限るものではない。また、本発明において、基板ホルダーのディスク基板と接触する面にＰＴＦＥの撥水性粉末を用いた複合メッキを施したところ、ディスク基板が基板ホルダーと面で接触する部分に生じる傷不良を低減させることができた。この処理の代わりに基板ホルダー自体をＰＴＦＥで作製した場合にも同様の効果が得られた。
【０２２９】
図３７に、前記と同様の光ディスク基板成膜装置において、内部搬送用基板ホルダーに本発明を適用した他の一例を示す。本態様例では、基板ホルダー表面にディスク基板設置中心を中心に内径３０ｍｍ、外径３５ｍｍ、および内径４５ｍｍ、外径５０ｍｍの溝部を形成した。また、該溝部の深さは０．５ｍｍとした。また、該溝部以外の部分は該ディスク基板と密着する構造とした。この基板ホルダーを用いて、前記と同様のスパッタ成膜実験を行なったところ、ディスク基板のすべての位置において、前記と同様の良好な基板機械特性およびメディア信号特性が得られた。その他の結果についても、全く同様であった。
【０２３０】
（実施の形態１７）
図４１は実施の形態１７の相変化記録型光ディスクの基本的な構成を示す断面図である。図に示すように、基板７０１上に順次形成された、下部誘電体保護層７０２、相変化記録層７０３、上部誘電体保護層７０４、耐硫化性導電体層７０５、Ａｇ系反射放熱層７０６、樹脂接着層７０７、張り合わせ用ダミー基板７０８から構成されている。該下部及び上部誘電体保護層はＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる。図からも明らかなように本発明の特徴は、反射放熱層が多層化され、誘電体保護層側に耐硫化性導電体層７０５を設けたこと、反射放熱層７０６がＡｇ系合金であることである。このため反射放熱層の成膜時間は従来のＡｌ系合金単層の場合の３分の１程度となる。
【０２３１】
なお、前記積層体中の耐硫化性導電体層とは、硫黄との化合力がＡｇと比して小さく、保存信頼性において、ＺｎＳと接触していても反射率変動が非常に小さい導電体の層をいう。
【０２３２】
各層の膜厚は光学的、熱的特性から最適化するが、６３５ｎｍの光を用いるＤＶＤ系メディアの場合、下部誘電体保護層７０２はＺｎＳ−ＳｉＯ2のような屈折率２付近の誘電体の場合、５０〜２５０ｎｍ位の膜厚である、望ましくは５０〜８０ｎｍまたは１６０〜２２０ｎｍ程度である。相変化記録層７０３は熱的な理由で、急冷構造の方がマーク形成がきれいにでき易いため、カルコゲン系であれば、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系、ＧｅＳｂＴｅ系などにかかわらず、８〜３０ｎｍ、望ましくは１３〜２２ｎｍである。上部誘電体保護層７０４は放熱層へ熱を導かねばならないので、余り厚くすることはできない。７〜６０ｎｍ程度、望ましくは１０〜３０ｎｍである。耐硫化性導電体層は、上層Ａｇの硫化を防ぐということでは厚い方がよいが、放熱性をよくして繰り返し書き換えの信頼性を向上させるためには上層Ａｇ系反射放熱層よりも薄いことが好ましい。反射放熱層は反射率が飽和するのは８０ｎｍ以下でよいが、放熱性をよくして繰り返し書き換えの信頼性を向上させるために１００〜２００ｎｍが好ましい。
【０２３３】
以下、実施例５、６によりさらに具体的に説明する。
【０２３４】
（実施例５）
プラスチック基板として、厚さが０．６ｍｍのポリカーボネート基板とポリオレフィン基板の２種を用意した。これら各基板上にマグネトロンスパッタ装置を用いて表２、表３に示す記録媒体（光ディスク）を成膜した。この場合、反射放熱層は純Ａｇとした。得られた相変化記録型光ディスクを８０℃８５％ＲＨに１０００時間保持した後、ビットエラーレート（ＢＥＲ）を測定した。ＢＥＲが初期値の２倍以上となった場合を寿命終止と定義した。
【０２３５】
下記表２、表３において、
膜厚は固定。下部誘電体保護層１５０ｎｍ、相変化記録層２０ｎｍ、上部誘電体保護層２０ｎｍ、耐硫化性導電体層２０ｎｍ、反射放熱層１００ｎｍ。
寿命：ディスク全面のビットエラーレートが初期値の２倍となった時間が８０℃８５％相対湿度の保存にて１０００時間以上を○、８００時間程度もつものを△、８００時間程度にも満たないものを×とした。
評価条件：６３５ｎｍ、ＮＡ０．６０、線速３．５ｍ／ｓ、記録密度０．４μｍ／ｂｉｔ。
反射層成膜速度：Ａｌのスパッタレートの２倍以上を○とした。
基板：「PC/PO」は、ＰＣはポリカーボネート、ＰＯはポリオレフィンを表わし、これら基板２種を用いてそれぞれ評価したことを表わす。
記録層：「AgInSbTe/GeSbTe」は、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＳｅＴｅの記録層２種についてそれぞれ評価したことを表わす。
【０２３６】
【表２】
【０２３７】
【表３】
【０２３８】
（実施例６）
プラスチック基板として、厚さが０．６ｍｍのポリカーボネート基板とポリオレフィン基板の２種を用意した。これらの各基板上にマグネトロンスパッタ装置を用いて表４〜表６に示す記録媒体（光ディスク）を成膜した。この場合、耐硫化性導電体層をＡｌＴｉ0.01とした。得られた相変化記録型光ディスクを８０℃８５％ＲＨに１０００時間保持した後、ビットエラーレート（ＢＥＲ）を測定した。ＢＥＲが初期値の２倍以上となった場合を寿命終止と定義した。
【０２３９】
下記表４〜表６において、
膜厚は固定。下部誘電体保護層１５０ｎｍ、相変化記録層２０ｎｍ、上部誘電体保護層２０ｎｍ、耐硫化性導電体層２０ｎｍ、反射放熱層１００ｎｍ。
寿命：ディスク全面のビットエラーレートが初期値の２倍となった時間が８０℃８５％相対湿度の保存にて１０００時間以上を○、８００時間程度もつものを△、８００時間程度にも満たないものを×とした。
評価条件：６３５ｎｍ、ＮＡ０．６０、線速３．５ｍ／ｓ、記録密度０．４μｍ／ｂｉｔ。
反射層成膜速度：Ａｌのスパッタレートの２倍以上を○、２倍未満を×とした。
基板：「PC/PO」は、ＰＣはポリカーボネート、ＰＯはポリオレフィンを表わし、これら基板２種を用いてそれぞれ評価したことを表わす。
記録層：「AgInSbTe/GeSbTe」は、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＳｅＴｅの記録層２種についてそれぞれ評価したことを表わす。
反射放熱層：例えば「Ag26％Cu2％Ni」は、Ｃｕが２６％、Ｎｉが２％、残り７２％がＡｇであることを表わす。
【０２４０】
【表４】
【０２４１】
【表５】
【０２４２】
【表６】
【０２４３】
表４〜表６から分かるように、本発明による反射放熱層を多層化したディスク、すなわちＡｇ系合金膜と、上部誘電体保護層との間に耐硫化性導電体層を用いたディスクは、反射放熱層がＡｇ１層である場合に比べ、耐久性が増していることが分かる。なお、耐硫化性導電体層はＴｉＮxなどの一般式で示しているが、成膜条件によっては必ずしも化学量論組成に一致するものではない。しかし、化学的に安定な化学量論組成組成近傍で良い結果が得られる。
【０２４４】
さらに表４〜表６からはＡｇ反射層にＰｄやＲｈ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕなどを添加するとさらに耐久性が向上することが分かる。基板の反りは、Ａｇ系合金の反射放熱膜を用いた場合は小さいのに対し、Ａｌ系反射放熱膜を用いた場合は反りは大きくなっている。
【０２４５】
前述したように実施の形態１７の相変化記録型光ディスクは、誘電体保護層がＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる相変化記録型光ディスクの反射放熱層をＡｇ系合金／耐硫化性導電体膜の積層構造とするものである。すなわち、プラスチック基板上に、下部誘電体保護層、相変化記録層、上部誘電体保護層、耐硫化性導電体層、Ａｇ系合金反射放熱層を順に積層した構成となる。
【０２４６】
なお、前記Ａｇ系合金としては、例えばＡｇＣｕＮｉ、ＡｇＷ、ＡｇＰｄ、ＡｇＰｄＴｉ、ＡｇＰｄＣｕ、ＡｇＡｌ、ＡｇＩｎ、ＡｇＩｒ、ＡｇＺｎ、ＡｇＲｕ、ＡｇＣｒ、ＡｇＶ、ＡｇＴｉ、ＡｇＹ、ＡｇＣｅ、ＡｇＰｒ、ＡｇＮｄ、ＡｇＳｍ、ＡｇＥｕ、ＡｇＧｄ、ＡｇＰｔ、ＡｇＲｈ、ＡｇＴａ等が例示される。Ａｇは熱伝導がＡｌより優れているために、Ａｌと同じ放熱効果を得るのにＡｌよりも薄くてよい。さらにＡｇは同一電力でのスパッタレートがＡｌの３倍速い。このため、少ない膜厚の放熱層を、より速く成膜でき、薄膜形成時の基板の温度上昇が抑えられる。一方、Ａｇは硫黄と接触すると硫化して変化するため、Ａｇ系反射放熱層とＺｎＳ−ＳｉＯ2保護層との間に薄い耐硫化性導電体層を設け、Ａｇと硫黄が直接触れない構成としたことによりＡｇの硫化を抑制することができた。
【０２４７】
耐硫化性導電体層の厚さは、放熱性をよくして繰り返し書き換えの信頼性を向上させるために反射放熱層の厚さよりも薄くすることが好ましい。用いる材料としては、Ａｌ膜またはＡｌＣｕx、ＡｌＳｉx、ＡｌＳｉxＣｕy、ＡｌＳｃx、ＡｌＴｉx、もしくはＡｌＳｉxＴｉyからなり、この場合のｘ、ｙは０．５以下、好ましくは０．２以下、より好ましくは０．１以下であるＡｌを含む合金膜、Ｔｉ膜、Ｚｒ膜、もしくはＨｆ膜からなりる高融点金属膜またはＴｉxＮy、ＴｉxＳｉy、ＺｒxＮy、ＺｒxＳｉy、ＨｆxＮY、もしくはＨｆxＳｉyからなり、ＴｉxＮy、ＺｒxＮy、ＨｆxＮY、において、ｘ＋ｙ＝１で、０．１＜ｘ＜０．７、好ましくは０．３＜ｘ＜０．６、より好ましくは０．４５＜ｘ＜０．５５、ＴｉxＳｉy、ＺｒxＳｉy、ＨｆxＳｉyにおいて、ｘ＋ｙ＝１で、０．１＜ｘ＜０．７、好ましくは０．２＜ｘ＜０．６、より好ましくは０．３３＜ｘ＜０．５３である高融点金属を含む合金膜、Ｔａ膜またはＴａxＮy、もしくはＴａxＳｉyからなるＴａを含む合金膜であり、ＴａxＮyにおいて、ｘ＋ｙ＝１で、０．１＜ｘ＜０．７、好ましくは０．３＜ｘ＜０．６、より好ましくは０．４５＜ｘ＜０．５５、ＴａxＳｉyにおいて、ｘ＋ｙ＝１で、０．１＜ｘ＜０．７、好ましくは０．２＜ｘ＜０．６、より好ましくは０．３３＜ｘ＜０．５３、Ｗ膜またはＷxＮy、もしくはＷxＳｉyからなるＷを含む合金膜であり、ＷxＮyにおいて、ｘ＋ｙ＝１で、０．１＜ｘ＜０．７、好ましくは０．３＜ｘ＜０．６、より好ましくは０．４５＜ｘ＜０．５５、ＷxＳｉyにおいて、ｘ＋ｙ＝１で、０．１＜ｘ＜０．７、好ましくは０．２＜ｘ＜０．６、より好ましくは０．３３＜ｘ＜０．５３とするのが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【０２４８】
【図１】本発明の実施の形態１〜３で共通の基板搬送室と成膜室との上面を示す図である。
【図２】実施の形態１の基板ホルダーの横断面図である。
【図３】実施の形態１のホルダー部の構成を説明する図であって、ホルダー部の上面図（下方）と、上面図中に記した破線Ａ−Ａ'に沿う断面図（上方）である。
【図４】実施の形態１のホルダー部の密着支持面Ｓ'にシリコンゴム部材を設けた状態を示す図である。
【図５】図２に示したホルダー部に爪を設けた構成を説明するための図である。
【図６】実施の形態２のホルダー部の上面図（下方）と、上面図中に記した破線Ａ−Ａ'に沿う断面図（上方）である。
【図７】実施の形態３のホルダー部の上面図（下方）と、上面図中に記した破線Ａ−Ａ'に沿う断面図（上方）である。
【図８】本発明の実施の形態１〜３の効果を説明するための図である。
【図９】図８に示した内容を、グラフ化して示す図である。
【図１０】実施の形態４に係る基板ホルダーの断面図であって、基板を保持した状態を示すものである。
【図１１】図１０の平面図であって、基板を保持する前の状態を示すものである。
【図１２】従来の基板ホルダーの断面図であって、基板を保持した状態を示すものである。
【図１３】本発明の実施の形態７を示す要部平面概略図である。
【図１４】本発明の実施の形態７における基板ホルダーと、当該基板ホルダーに装着した光記録媒体基板とを示す部分断面概略図である。
【図１５】本発明の基板ホルダーに用いる多孔性部材の形状の一例を説明するための図である。
【図１６】本発明の実施の形態８を示す要部平面概略図である。
【図１７】本発明の実施の形態８における基板ホルダーと、当該基板ホルダーに装着した光記録媒体基板とを示す部分断面概略図である。
【図１８】実施の形態９による光ディスク基板成膜装置の要部概略構成図である。
【図１９】実施の形態９の光ディスク基板成膜装置との構造の違いによる成膜特性を比較するための比較例を示す要部概略構成図である。
【図２０】実施の形態９の光ディスク基板成膜装置との構造の違いによる成膜特性を比較するための他の比較例を示す要部概略構成図である。
【図２１】基板反り量と基板の搬送安定性とを評価する基板サンプルの構成を示す表である。
【図２２】基板ホルダーの種類と基板反り量を示す表である。
【図２３】実施の形態１０の光ディスク基板成膜装置における基板ホルダーと基板との接触面積を変えて基板反り量と脱着安定性とを評価した結果を示す表である。
【図２４】基板ホルダーの基板支持部におけるエッジ部のテーパ角を変えて基板反り量と基板の傷とを評価した結果を示す表である。
【図２５】実施の形態１１における基板ホルダーの基板支持部におけるエッジ部に設けるテーパ形状を説明するための部分概略図である。
【図２６】基板ホルダーのエッジ部に配するシリコンゴムの幅を変えて基板反り量と搬送安定性とを評価した結果を示す表である。
【図２７】実施の形態１２における基板ホルダーのエッジ部に設けるシリコンゴムを説明するための部分概略構成図である。
【図２８】光ディスク基板成膜装置の概略断面図である。
【図２９】実施の形態１３の光ディスク基板成膜装置に用いられる基板ホルダー部の一例を示した図である。
【図３０】図２９の筐体側給気路部分の拡大図である。
【図３１】図２９の筐体側給気路部分の他の拡大図である。
【図３２】実施の形態１４の光ディスク基板成膜装置に用いられる基板ホルダー部の構成を示す説明図である。
【図３３】実施の形態１５の光ディスク基板成膜装置に用いられる基板ホルダー部の構成を示す説明図である。
【図３４】多層成膜用枚葉光ディスク基板成膜装置の概略上面図である。
【図３５】従来の基板ホルダーの断面を示した図である。
【図３６】本発明の装置に用いられる基板ホルダー部の一例を示した図である。
【図３７】本発明の装置に用いられる基板ホルダー部の他の一例を示した図である。
【図３８】従来の基板ホルダー部の一例を示した図である。
【図３９】基板機械特性を測定した結果を示すグラフである。
【図４０】メディア信号特性を測定した結果を示すグラフである。
【図４１】実施の形態１７の相変化記録型光ディスクの一例を示す概略構成図である。
【図４２】従来の基板ホルダーの断面を例示する図である。
【符号の説明】
【０２４９】
１ 光ディスク基板
２ａ〜２ｅ 成膜室
３、２３、３３ ホルダー部
４ａ〜４ｆ 基板搬送アーム
６ａ〜６ｆ 基板ホルダー
７ａ 貫通孔（真空チャック用）
１０ 基板搬送室
１１、２１、３１ 内周マスク
１２、２２、３２ 外周マスク
１５ シリコンゴム部材
２０ 搬出・搬入口
２３ａ 溝部
３３ａ 貫通孔
４０ 爪部
２０１ 基板ホルダー
２０２ 外周マスク
２０３ 内周マスク
２０４ 粗面部（粗面化処理部）
３０１ 基板ホルダー
３０２ 基板
３０３ センターホール部
３０４ 多孔性部材
３０４ｐ 平面部
３０５ 溝部
３０６ 貫通孔
４０１ 基板ホルダー
４０１ａ 基板支持部
４０１ｅ エッジ部
４０２ 内周マスク
４０３ 外周マスク
４０４ 基板
４０５ シリコンゴム
５０１ 基板
５０２ スタックリング
５０３ 内周マスク
５０４ 外周マスク
５０５ 電磁石
５０６ 外部搬送用基板ホルダー
５０７ 内部搬送用基板ホルダー
５０８ 光ディスク基板成膜装置内部搬送用アーム
５０９ 磁石
５１０ Ｏリング
５１１ 光ディスク基板成膜装置筐体
５１２ スタックリングよけ溝
５１３ ロードロック室
５１４ 溝部
５２２ 光ディスク基板成膜装置筐体側給気口
５２３ 光ディスク基板成膜装置筐体側給気路
５２４ 基板ホルダー側給気口
５２５ 基板ホルダー側給気路
５３０ バイパス弁
５３１ 給気路排気用バルブ
５３２ 真空ポンプ
６１０ 基板搬入・搬出室
６１１〜６１７ 成膜室
６２０ 基板ホルダー
６２１ アーム
６２２ 回転軸
６３１ ディスク基板
６３２ スタックリング
６３３ 内周マスク
６３４ 外周マスク
６３５ 電磁石
６３６ 外部搬送用基板ホルダー
６３７ 内部搬送用基板ホルダー
６３８ 内部搬送用アーム
６３９ 磁石
６４０ Ｏリング
６４１ 光ディスク基板成膜装置筐体
６４２ スタックリングよけ溝
６４３ ロードロック室
６４４ 肉盗部
６５０ 基板ホルダー
６５１ 溝部
６５１ｂ 溝部
６５２ 流路
６５３ 溝内部−排気・ベント口
６６０ 本発明のホルダー使用時の数値
６６１ 従来のホルダー使用時の数値
６６２ 本発明のホルダー使用時の数値
６６３ 従来のホルダー使用時の数値
６６４ 信号変動部分
７０１ 基板
７０２ 下部誘電体保護層
７０３ 相変化記録層
７０４ 上部誘電体保護層
７０５ 耐硫化性導電体層
７０６ 反射放熱層
７０７ 樹脂接着層
７０８ 貼り合わせ用基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の面上に薄膜を成膜して光ディスクを作成する光ディスク基板成膜装置であって、
成膜中に基板を固定する基板ホルダーを備え、前記基板ホルダーは、基板のうち、成膜される領域である被成膜領域の裏面の少なくとも一部と密着する密着支持面を有し、前記密着支持面に基板を吸着固定する真空チャック部を有する一方、前記密着支持面は、溝部を有することを特徴とする光ディスク基板成膜装置。
【請求項２】
基板の面上に薄膜を成膜して光ディスクを作成する光ディスク基板成膜装置であって、
成膜中に基板を固定する基板ホルダーを備え、前記基板ホルダーは、基板のうち、成膜される領域である被成膜領域の裏面の少なくとも一部と密着する密着支持面を有し、前記密着支持面に基板を吸着固定する真空チャック部を有する一方、吸着された基板を取り外すための取外し用爪を有することを特徴とする光ディスク基板成膜装置。
【請求項３】
基板の面上に薄膜を成膜して光ディスクを作成する光ディスク基板成膜装置であって、
成膜中に基板を固定する基板ホルダーを備え、前記基板ホルダーは、基板のうち、成膜される領域である被成膜領域の裏面の少なくとも一部と密着する密着支持面を有し、基板に対して成膜を行う成膜室と、前記成膜室よりも低圧力に保たれる基板搬送室との間に配置され、前記密着支持面は、前記基板搬送室と前記成膜室とに通じる貫通孔を有することを特徴とする光ディスク基板成膜装置。
【請求項４】
基板裏面を基板ホルダーに密着させることにより光ディスク基板を前記基板ホルダーで保持して基板表面にスパッタ成膜を行う光ディスク基板成膜装置であって、
前記基板ホルダーは、基板裏面と接する基板保持面の少なくとも一部が粗面となっていることを特徴とする光ディスク基板成膜装置。
【請求項５】
前記基板ホルダーは、基板裏面と接する基板保持面の少なくとも一部の表面粗さＲｍａｘ（最大高さ）が１０μｍ以上、５００μｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項６】
前記基板ホルダーは、基板裏面と接する基板保持面の少なくとも一部に潤滑処理が施され、かつ該潤滑処理部分の表面粗さＲｍａｘが１０μｍ以上、５００μｍ以下となっていることを特徴とする請求項５に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項７】
前記基板ホルダーは、基板裏面と接する基板保持面の少なくとも一部が自己潤滑性のプラスチック材料で形成され、かつ該部分の表面粗さＲｍａｘが１０μｍ以上、５００μｍ以下となっていることを特徴とする請求項５に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項８】
成膜対象とする基板を装着して該基板を保持する基板ホルダーを有する光ディスク基板成膜装置であって、
前記基板ホルダーは、該基板ホルダーに前記基板を装着したときに、前記基板ホルダーと前記基板とが接触する領域内から接触しない領域内に延伸する溝部を有し、該溝部に通気性を有する多孔性部材が配設されていることを特徴とする光ディスク基板成膜装置。
【請求項９】
成膜対象とする基板を装着して該基板を保持する基板ホルダーを有する光ディスク基板成膜装置であって、
前記基板ホルダーは、該基板ホルダーに前記基板を装着したときに、前記基板ホルダーが前記基板と接触する領域内に溝部を有し、該溝部に通気性を有する多孔性部材が配設され、さらに前記溝部から前記基板ホルダーと前記基板との非接触領域に連通する貫通孔が設けられていることを特徴とする光ディスク基板成膜装置。
【請求項１０】
前記多孔性部材は、熱伝導性の良い材料により形成されていることを特徴とする請求項８または９に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項１１】
前記多孔性部材は、高分子材料により、または表面に高分子材料を被覆した材料により形成されていることを特徴とする請求項８または９に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項１２】
前記多孔性部材は、弾性体材料で形成されていることを特徴とする請求項８または９に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項１３】
光ディスク基板を装着して保持する基板ホルダーと、前記光ディスクの内周側の所定領域をマスクする内周マスクと、前記光ディスクの外周側の所定領域をマスクする外周マスクとを有し、前記内周マスクおよび外周マスクを用いて前記光ディスク基板の表面に薄膜を成膜する光ディスク基板成膜装置において、
前記基板ホルダーは、前記薄膜の成膜領域内で前記光ディスク基板に裏面側から接触する基板支持部を有し、該基板支持部は、前記内周マスクの外周側エッジから２〜１０ｍｍ外側のラインと、前記外側マスクの内周側エッジから０．５ｍｍ〜５ｍｍ内側のラインとの間の領域で、前記光ディスク基板に接触することを特徴とする光ディスク基板成膜装置。
【請求項１４】
０．３ｍｍ〜０．８ｍｍ厚みの前記光ディスク基板を薄膜の成膜対象とすることを特徴とする請求項１３に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項１５】
前記基板支持部のエッジ部がテーパ形状を有することを特徴とする請求項１３に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項１６】
前記テーパ形状におけるテーパ面と前記基板支持部の光ディスク基板接触面とのなす角として定義されるテーパ角は、１．０〜２．０度であることを特徴とする請求項１５に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項１７】
前記基板支持部のエッジ部が、前記光ディスク基板の硬度よりも低い硬度の低硬度材料で構成されていることを特徴とする請求項１３に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項１８】
前記低硬度材料は、光ディスクの半径方向の幅が０．１〜０．５ｍｍであることを特徴とする請求項１７に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項１９】
前記低硬度材料は、シリコンゴムであることを特徴とする請求項１７に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項２０】
光ディスク製造工程の中で、ディスク基板上に反射層、記録層、保護層、または誘電体層等のいずれか、或いは前記の２層以上の層構成を組み合わせて積層成膜するスパッタ成膜に用いる光ディスク基板成膜装置において、
基板ホルダーの基板設置面と被成膜基板の間に限定した部分、および同範囲内の少なくとも、基板と基板ホルダーの接触によって基板ホルダー側に形成される閉空間部分にガスを導入できるように該基板ホルダー側に給気部を備えたことを特徴とする光ディスク基板成膜装置。
【請求項２１】
スパッタ成膜終了後から基板搬出までの間に、該給気部からガスを供給することを特徴とする請求項２０に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項２２】
該給気部から供給するガスにより、光ディスク基板成膜装置の基板挿入・搬出用の大気と真空の間の中間室（以下、ロードロック室と称する）のベントガスを兼ねることを特徴とする請求項２１に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項２３】
光ディスク基板成膜装置筺体のロードロック室の閉空間を形成する内壁部に光ディスク基板成膜装置外部からのガス導入口を具備させ、また、該基板ホルダーに該給気部と通じるガス供給口を具備させ、ロードロック室の所定の位置に該基板ホルダーが移動した際に限り、光ディスク基板成膜装置筺体の該ガス導入口と該基板ホルダーの該ガス供給口が連結されるようにしたことを特徴とする請求項２０に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項２４】
該光ディスク基板成膜装置筺体の該ガス導入口と該基板ホルダーの該ガス供給口をＯリングを介して連結させることを特徴とする請求項２３に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項２５】
該光ディスク基板成膜装置筺体の該ガス導入口と該基板ホルダーの該ガス供給口の連結部がお互いに重なり合うテーパーを持った構造であることを特徴とする請求項２３に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項２６】
該光ディスク基板成膜装置筺体の該ガス導入口と該基板ホルダーの該ガス供給口の連結によって形成されるガス導入路において、該光ディスク基板成膜装置筺体のガス導入口とロードロック室をつなげるバイパス弁を具備させ、ロードロック室の真空排気時に限り該バイパス弁を開くことを特徴とする請求項２３〜２５のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項２７】
該光ディスク基板成膜装置筺体の該ガス導入口と該基板ホルダーの該ガス供給口の連結によって形成されるガス導入路において、該光ディスク基板成膜装置筺体のガス導入路に、単独に真空排気できる排気路を付設し、ロードロック室の真空排気時に限り該排気路から真空排気することを特徴とする請求項２３〜２５のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項２８】
該基板ホルダーに基板を配置した際に、基板裏面と該基板ホルダーの接触部と非接触部の境界を形成する基板ホルダー側のエッジ部、少なくとも該給気部の孔端エッジ部をＲ加工しておくことを特徴とする請求項２０に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項２９】
該基板ホルダー表面に潤滑処理を施したことを特徴とする請求項２０に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項３０】
該潤滑処理として、フッ化黒鉛（ＣＦ）ｎやフッ素樹脂（ＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＦＥＰ）の撥水性粉末を用いた複合メッキ、或いはフルオロアルキル基を有するクロロシラン系化学吸着剤を用いた処理等の撥水処理を行なうことを特徴とする請求項２９に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項３１】
反射層、記録層、保護層、または誘電体層等のいずれか、或いは前記の２層以上の層構成を組み合わせて積層成膜を行なうスパッタ成膜に用いる光ディスク基板成膜装置において、
ディスク基板の成膜領域に対応した基板ホルダー表面の領域内に、ディスク基板設置中心を中心に周方向に１周させた溝部で、「該溝部を構成する稜線の任意位置での接線」と、「同位置における、該ディスク基板設置中心を中心にした円周の接線」とのなす鋭角がすべての位置で３０度以下となる構造の溝部を少なくとも１本形成し、かつ、ディスク基板設置時に、該溝部以外の部分が少なくとも該ディスク基板の成膜領域裏面を密着保持する構造としたことを特徴とする光ディスク基板成膜装置。
【請求項３２】
該溝部の稜線が、該ディスク基板設置中心を中心に同心円状となるようにしたことを特徴とする請求項３１に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項３３】
該溝部の稜線を形成するエッジ部にテーパーを設けたことを特徴とする請求項３１または３２に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項３４】
該溝部の稜線を形成するエッジ部にＲ加工を施したことを特徴とする請求項３１または３２に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項３５】
該基板ホルダーの少なくとも該ディスク基板と接触する面に潤滑処理を施したことを特徴とする請求項３１〜３４のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項３６】
該潤滑処理として、フッ化黒鉛（ＣＦ）ｎやフッ素樹脂（ＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＦＥＰ）の撥水性粉末を用いた複合メッキ、或いはフルオロアルキル基を有するクロロシラン系化学吸着剤を用いた処理等の撥水処理を行なうことを特徴とする請求項３５に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項３７】
該基板ホルダーの少なくとも該ディスク基板と接触する面をＰＴＦＥ、ポリアセタールに代表される潤滑性をもつ材料で構成することを特徴とする請求項３１〜３６のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項３８】
該基板ホルダーのディスク基板設置面以外の部分で、かつ該ディスク基板の光ディスク基板成膜装置への搬入・搬出時に真空排気およびベントされる部分から、該溝部内に通じる流路を形成したことを特徴とする請求項３１〜３７のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項３９】
基板ホルダーに固定された基板上に薄膜を成膜して光ディスクを作成する光ディスク基板成膜方法であって、
前記基板ホルダーは、基板を固定する際に、基板が固定される面の少なくとも一部と、基板のうちの成膜される領域である被成膜領域の裏面の少なくとも一部とを密着して基板を支持することを特徴とする光ディスク基板成膜方法。
【請求項４０】
基板ホルダーに固定された基板上に薄膜を成膜して光ディスクを作成する光ディスク基板成膜方法であって、
前記基板ホルダーは、０．６ｍｍ以下の厚さを有する基板を固定する際に、基板が固定される面の少なくとも一部と、基板のうちの成膜される領域である被成膜領域の裏面の少なくとも一部とを密着して基板を支持することを特徴とする光ディスク基板成膜方法。
【請求項４１】
基板に対して成膜を行う成膜室と、前記成膜室に基板を搬送する基板搬送室と、前記基板搬送室と前記成膜室との間に配置され、前記基板搬送室と前記成膜室とに通じる貫通孔を有する基板ホルダーを有する光ディスク基板成膜装置によって行われる光ディスク基板成膜方法であって、
前記基板搬送室よりも前記成膜室を高い圧力に保つことにより、前記基板ホルダー上に基板を固定して成膜を行う成膜工程を含むことを特徴とする光ディスク基板成膜方法。
【請求項４２】
基板に対して成膜を行う成膜室と、前記成膜室に基板を搬送する基板搬送室と、前記基板搬送室と前記成膜室との間に配置され、前記基板搬送室と前記成膜室とに通じる貫通孔を有する基板ホルダーを有する光ディスク基板成膜装置によって行われる光ディスク基板成膜方法であって、
前記基板ホルダーは、０．６ｍｍ以下の厚さを有する基板を固定する際、前記基板搬送室よりも前記成膜室を高い圧力に保つことによって前記基板ホルダー上に基板を固定して成膜を行う成膜工程を含むことを特徴とする光ディスク基板成膜方法。
【請求項４３】
前記成膜工程は、基板上の成膜される領域である被成膜領域の裏面の少なくとも一部を前記基板ホルダーと密着させることを特徴とする請求項４１または４２に記載の光ディスク基板成膜方法。
【請求項４４】
前記成膜工程は、前記成膜工程の以前に前記基板ホルダーと密着する基板の裏面に前記裏面を保護するための膜である保護膜を形成する裏面保護膜形成工程をさらに含むことを特徴とする請求項４０〜４２のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜方法。
【請求項４５】
前記裏面保護膜形成工程は、紫外線を照射することによって硬化する樹脂であるＵＶ硬化樹脂をスピンコートすることによって保護膜を形成するものであることを特徴とする請求項４４に記載の光ディスク基板成膜方法。
【請求項４６】
前記裏面保護膜形成工程は、スパッタリングによって保護膜を形成するものであることを特徴とする請求項４４に記載の光ディスク基板成膜方法。
【請求項４７】
スパッタリングによって形成される前記保護膜は、シリコン窒化膜と、シリコン酸化膜と、チタン窒化膜と、インジウム、チタン、酸素の化合物とのうちのいずれか一つ、あるいは複数の積層膜であることを特徴とする請求項４６に記載の光ディスク基板成膜方法。
【請求項４８】
基板裏面を基板ホルダーに密着させることにより光ディスク基板を前記基板ホルダーで保持して基板表面にスパッタ成膜を行う光ディスク基板成膜方法において、
請求項４〜７のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置を用いることを特徴とする光ディスク基板成膜方法。
【請求項４９】
請求項６に記載の基板ホルダーを作製するに際し、基板裏面と接する基板保持面の少なくとも一部に粗面化処理を施した後、該粗面部分に、フッ化黒鉛（ＣＦ）ｎまたはフッ素樹脂の微粉末を用いる複合メッキによる潤滑処理を施すことにより、該潤滑処理部分の表面粗さＲｍａｘを１０μｍ以上、５００μｍ以下とすることを特徴とする基板ホルダーの製造方法。
【請求項５０】
請求項６に記載の基板ホルダーを作製するに際し、基板裏面と接する基板保持面の少なくとも一部に粗面化処理を施した後、該粗面部分に、フルオロアルキル基を有するクロロシラン系化学吸着剤を用いる潤滑処理を施すことにより、該潤滑処理部分の表面粗さＲｍａｘを１０μｍ以上、５００μｍ以下とすることを特徴とする基板ホルダーの製造方法。
【請求項５１】
請求項６に記載の基板ホルダーを作製するに際し、基板裏面と接する基板保持面の少なくとも一部に粗面化処理を施した後、該粗面部分に、トリアジンチオールを用いる有機メッキを施すことにより、該潤滑処理部分の表面粗さＲｍａｘを１０μｍ以上、５００μｍ以下とすることを特徴とする基板ホルダーの製造方法。
【請求項５２】
請求項８〜１２のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置が有する基板ホルダー。
【請求項５３】
請求項３１〜３８のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置で作製することを特徴とする光ディスク。
【請求項５４】
基板上に硫化亜鉛と酸化ケイ素の混合体からなる下部誘電体保護層、相変化記録層、硫化亜鉛と酸化ケイ素の混合体からなる上部誘電体保護層および反射放熱層を少なくとも構成層とする相変化記録型光ディスクにおいて、
反射放熱層がＡｇを主成分とし、かつ上部誘電体保護層と反射放熱層との間に耐硫化性導電体層を設けることを特徴とする相変化記録型光ディスク。
【請求項５５】
耐硫化性導電体層の厚さが反射放熱層の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項５４に記載の相変化記録型光ディスク。
【請求項５６】
耐硫化性導電体層がＡｌまたはＡｌＣｕx、ＡｌＳｉx、ＡｌＳｉxＣｕy、ＡｌＳｃX、ＡｌＴｉx、もしくはＡｌＳｉxＴｉyからなるＡｌを含む合金膜であることを特徴とする請求項５４または５５に記載の相変化記録型光ディスク。
【請求項５７】
耐硫化性導電体層がＴｉ膜、Ｚｒ膜、もしくはＨｆ膜からなる高融点金属膜またはＴｉxＮy、ＴｉxＳｉy、ＺｒxＮy、ＺｒxＳｉy、ＨｆxＮy、もしくはＨｆxＳｉyからなる高融点金属を含む合金膜であることを特徴とする請求項５４または５５記載の相変化記録型光ディスク。
【請求項５８】
耐硫化性導電体層がＴａまたはＴａxＮy、もしくはＴａxＳｉyからなるＴａを含む合金膜であることを特徴とする請求項５４または５５に記載の相変化記録型光ディスク。
【請求項５９】
耐硫化性導電体層がＷ膜またはＷxＮy、もしくはＷxＳｉyからなるＷを含む合金膜であることを特徴とする請求項５４または５５に記載の相変化記録型光ディスク。
【請求項１】
基板の面上に薄膜を成膜して光ディスクを作成する光ディスク基板成膜装置であって、
成膜中に基板を固定する基板ホルダーを備え、前記基板ホルダーは、基板のうち、成膜される領域である被成膜領域の裏面の少なくとも一部と密着する密着支持面を有し、前記密着支持面に基板を吸着固定する真空チャック部を有する一方、前記密着支持面は、溝部を有することを特徴とする光ディスク基板成膜装置。
【請求項２】
基板の面上に薄膜を成膜して光ディスクを作成する光ディスク基板成膜装置であって、
成膜中に基板を固定する基板ホルダーを備え、前記基板ホルダーは、基板のうち、成膜される領域である被成膜領域の裏面の少なくとも一部と密着する密着支持面を有し、前記密着支持面に基板を吸着固定する真空チャック部を有する一方、吸着された基板を取り外すための取外し用爪を有することを特徴とする光ディスク基板成膜装置。
【請求項３】
基板の面上に薄膜を成膜して光ディスクを作成する光ディスク基板成膜装置であって、
成膜中に基板を固定する基板ホルダーを備え、前記基板ホルダーは、基板のうち、成膜される領域である被成膜領域の裏面の少なくとも一部と密着する密着支持面を有し、基板に対して成膜を行う成膜室と、前記成膜室よりも低圧力に保たれる基板搬送室との間に配置され、前記密着支持面は、前記基板搬送室と前記成膜室とに通じる貫通孔を有することを特徴とする光ディスク基板成膜装置。
【請求項４】
基板裏面を基板ホルダーに密着させることにより光ディスク基板を前記基板ホルダーで保持して基板表面にスパッタ成膜を行う光ディスク基板成膜装置であって、
前記基板ホルダーは、基板裏面と接する基板保持面の少なくとも一部が粗面となっていることを特徴とする光ディスク基板成膜装置。
【請求項５】
前記基板ホルダーは、基板裏面と接する基板保持面の少なくとも一部の表面粗さＲｍａｘ（最大高さ）が１０μｍ以上、５００μｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項６】
前記基板ホルダーは、基板裏面と接する基板保持面の少なくとも一部に潤滑処理が施され、かつ該潤滑処理部分の表面粗さＲｍａｘが１０μｍ以上、５００μｍ以下となっていることを特徴とする請求項５に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項７】
前記基板ホルダーは、基板裏面と接する基板保持面の少なくとも一部が自己潤滑性のプラスチック材料で形成され、かつ該部分の表面粗さＲｍａｘが１０μｍ以上、５００μｍ以下となっていることを特徴とする請求項５に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項８】
成膜対象とする基板を装着して該基板を保持する基板ホルダーを有する光ディスク基板成膜装置であって、
前記基板ホルダーは、該基板ホルダーに前記基板を装着したときに、前記基板ホルダーと前記基板とが接触する領域内から接触しない領域内に延伸する溝部を有し、該溝部に通気性を有する多孔性部材が配設されていることを特徴とする光ディスク基板成膜装置。
【請求項９】
成膜対象とする基板を装着して該基板を保持する基板ホルダーを有する光ディスク基板成膜装置であって、
前記基板ホルダーは、該基板ホルダーに前記基板を装着したときに、前記基板ホルダーが前記基板と接触する領域内に溝部を有し、該溝部に通気性を有する多孔性部材が配設され、さらに前記溝部から前記基板ホルダーと前記基板との非接触領域に連通する貫通孔が設けられていることを特徴とする光ディスク基板成膜装置。
【請求項１０】
前記多孔性部材は、熱伝導性の良い材料により形成されていることを特徴とする請求項８または９に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項１１】
前記多孔性部材は、高分子材料により、または表面に高分子材料を被覆した材料により形成されていることを特徴とする請求項８または９に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項１２】
前記多孔性部材は、弾性体材料で形成されていることを特徴とする請求項８または９に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項１３】
光ディスク基板を装着して保持する基板ホルダーと、前記光ディスクの内周側の所定領域をマスクする内周マスクと、前記光ディスクの外周側の所定領域をマスクする外周マスクとを有し、前記内周マスクおよび外周マスクを用いて前記光ディスク基板の表面に薄膜を成膜する光ディスク基板成膜装置において、
前記基板ホルダーは、前記薄膜の成膜領域内で前記光ディスク基板に裏面側から接触する基板支持部を有し、該基板支持部は、前記内周マスクの外周側エッジから２〜１０ｍｍ外側のラインと、前記外側マスクの内周側エッジから０．５ｍｍ〜５ｍｍ内側のラインとの間の領域で、前記光ディスク基板に接触することを特徴とする光ディスク基板成膜装置。
【請求項１４】
０．３ｍｍ〜０．８ｍｍ厚みの前記光ディスク基板を薄膜の成膜対象とすることを特徴とする請求項１３に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項１５】
前記基板支持部のエッジ部がテーパ形状を有することを特徴とする請求項１３に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項１６】
前記テーパ形状におけるテーパ面と前記基板支持部の光ディスク基板接触面とのなす角として定義されるテーパ角は、１．０〜２．０度であることを特徴とする請求項１５に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項１７】
前記基板支持部のエッジ部が、前記光ディスク基板の硬度よりも低い硬度の低硬度材料で構成されていることを特徴とする請求項１３に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項１８】
前記低硬度材料は、光ディスクの半径方向の幅が０．１〜０．５ｍｍであることを特徴とする請求項１７に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項１９】
前記低硬度材料は、シリコンゴムであることを特徴とする請求項１７に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項２０】
光ディスク製造工程の中で、ディスク基板上に反射層、記録層、保護層、または誘電体層等のいずれか、或いは前記の２層以上の層構成を組み合わせて積層成膜するスパッタ成膜に用いる光ディスク基板成膜装置において、
基板ホルダーの基板設置面と被成膜基板の間に限定した部分、および同範囲内の少なくとも、基板と基板ホルダーの接触によって基板ホルダー側に形成される閉空間部分にガスを導入できるように該基板ホルダー側に給気部を備えたことを特徴とする光ディスク基板成膜装置。
【請求項２１】
スパッタ成膜終了後から基板搬出までの間に、該給気部からガスを供給することを特徴とする請求項２０に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項２２】
該給気部から供給するガスにより、光ディスク基板成膜装置の基板挿入・搬出用の大気と真空の間の中間室（以下、ロードロック室と称する）のベントガスを兼ねることを特徴とする請求項２１に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項２３】
光ディスク基板成膜装置筺体のロードロック室の閉空間を形成する内壁部に光ディスク基板成膜装置外部からのガス導入口を具備させ、また、該基板ホルダーに該給気部と通じるガス供給口を具備させ、ロードロック室の所定の位置に該基板ホルダーが移動した際に限り、光ディスク基板成膜装置筺体の該ガス導入口と該基板ホルダーの該ガス供給口が連結されるようにしたことを特徴とする請求項２０に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項２４】
該光ディスク基板成膜装置筺体の該ガス導入口と該基板ホルダーの該ガス供給口をＯリングを介して連結させることを特徴とする請求項２３に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項２５】
該光ディスク基板成膜装置筺体の該ガス導入口と該基板ホルダーの該ガス供給口の連結部がお互いに重なり合うテーパーを持った構造であることを特徴とする請求項２３に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項２６】
該光ディスク基板成膜装置筺体の該ガス導入口と該基板ホルダーの該ガス供給口の連結によって形成されるガス導入路において、該光ディスク基板成膜装置筺体のガス導入口とロードロック室をつなげるバイパス弁を具備させ、ロードロック室の真空排気時に限り該バイパス弁を開くことを特徴とする請求項２３〜２５のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項２７】
該光ディスク基板成膜装置筺体の該ガス導入口と該基板ホルダーの該ガス供給口の連結によって形成されるガス導入路において、該光ディスク基板成膜装置筺体のガス導入路に、単独に真空排気できる排気路を付設し、ロードロック室の真空排気時に限り該排気路から真空排気することを特徴とする請求項２３〜２５のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項２８】
該基板ホルダーに基板を配置した際に、基板裏面と該基板ホルダーの接触部と非接触部の境界を形成する基板ホルダー側のエッジ部、少なくとも該給気部の孔端エッジ部をＲ加工しておくことを特徴とする請求項２０に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項２９】
該基板ホルダー表面に潤滑処理を施したことを特徴とする請求項２０に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項３０】
該潤滑処理として、フッ化黒鉛（ＣＦ）ｎやフッ素樹脂（ＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＦＥＰ）の撥水性粉末を用いた複合メッキ、或いはフルオロアルキル基を有するクロロシラン系化学吸着剤を用いた処理等の撥水処理を行なうことを特徴とする請求項２９に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項３１】
反射層、記録層、保護層、または誘電体層等のいずれか、或いは前記の２層以上の層構成を組み合わせて積層成膜を行なうスパッタ成膜に用いる光ディスク基板成膜装置において、
ディスク基板の成膜領域に対応した基板ホルダー表面の領域内に、ディスク基板設置中心を中心に周方向に１周させた溝部で、「該溝部を構成する稜線の任意位置での接線」と、「同位置における、該ディスク基板設置中心を中心にした円周の接線」とのなす鋭角がすべての位置で３０度以下となる構造の溝部を少なくとも１本形成し、かつ、ディスク基板設置時に、該溝部以外の部分が少なくとも該ディスク基板の成膜領域裏面を密着保持する構造としたことを特徴とする光ディスク基板成膜装置。
【請求項３２】
該溝部の稜線が、該ディスク基板設置中心を中心に同心円状となるようにしたことを特徴とする請求項３１に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項３３】
該溝部の稜線を形成するエッジ部にテーパーを設けたことを特徴とする請求項３１または３２に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項３４】
該溝部の稜線を形成するエッジ部にＲ加工を施したことを特徴とする請求項３１または３２に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項３５】
該基板ホルダーの少なくとも該ディスク基板と接触する面に潤滑処理を施したことを特徴とする請求項３１〜３４のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項３６】
該潤滑処理として、フッ化黒鉛（ＣＦ）ｎやフッ素樹脂（ＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＦＥＰ）の撥水性粉末を用いた複合メッキ、或いはフルオロアルキル基を有するクロロシラン系化学吸着剤を用いた処理等の撥水処理を行なうことを特徴とする請求項３５に記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項３７】
該基板ホルダーの少なくとも該ディスク基板と接触する面をＰＴＦＥ、ポリアセタールに代表される潤滑性をもつ材料で構成することを特徴とする請求項３１〜３６のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項３８】
該基板ホルダーのディスク基板設置面以外の部分で、かつ該ディスク基板の光ディスク基板成膜装置への搬入・搬出時に真空排気およびベントされる部分から、該溝部内に通じる流路を形成したことを特徴とする請求項３１〜３７のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置。
【請求項３９】
基板ホルダーに固定された基板上に薄膜を成膜して光ディスクを作成する光ディスク基板成膜方法であって、
前記基板ホルダーは、基板を固定する際に、基板が固定される面の少なくとも一部と、基板のうちの成膜される領域である被成膜領域の裏面の少なくとも一部とを密着して基板を支持することを特徴とする光ディスク基板成膜方法。
【請求項４０】
基板ホルダーに固定された基板上に薄膜を成膜して光ディスクを作成する光ディスク基板成膜方法であって、
前記基板ホルダーは、０．６ｍｍ以下の厚さを有する基板を固定する際に、基板が固定される面の少なくとも一部と、基板のうちの成膜される領域である被成膜領域の裏面の少なくとも一部とを密着して基板を支持することを特徴とする光ディスク基板成膜方法。
【請求項４１】
基板に対して成膜を行う成膜室と、前記成膜室に基板を搬送する基板搬送室と、前記基板搬送室と前記成膜室との間に配置され、前記基板搬送室と前記成膜室とに通じる貫通孔を有する基板ホルダーを有する光ディスク基板成膜装置によって行われる光ディスク基板成膜方法であって、
前記基板搬送室よりも前記成膜室を高い圧力に保つことにより、前記基板ホルダー上に基板を固定して成膜を行う成膜工程を含むことを特徴とする光ディスク基板成膜方法。
【請求項４２】
基板に対して成膜を行う成膜室と、前記成膜室に基板を搬送する基板搬送室と、前記基板搬送室と前記成膜室との間に配置され、前記基板搬送室と前記成膜室とに通じる貫通孔を有する基板ホルダーを有する光ディスク基板成膜装置によって行われる光ディスク基板成膜方法であって、
前記基板ホルダーは、０．６ｍｍ以下の厚さを有する基板を固定する際、前記基板搬送室よりも前記成膜室を高い圧力に保つことによって前記基板ホルダー上に基板を固定して成膜を行う成膜工程を含むことを特徴とする光ディスク基板成膜方法。
【請求項４３】
前記成膜工程は、基板上の成膜される領域である被成膜領域の裏面の少なくとも一部を前記基板ホルダーと密着させることを特徴とする請求項４１または４２に記載の光ディスク基板成膜方法。
【請求項４４】
前記成膜工程は、前記成膜工程の以前に前記基板ホルダーと密着する基板の裏面に前記裏面を保護するための膜である保護膜を形成する裏面保護膜形成工程をさらに含むことを特徴とする請求項４０〜４２のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜方法。
【請求項４５】
前記裏面保護膜形成工程は、紫外線を照射することによって硬化する樹脂であるＵＶ硬化樹脂をスピンコートすることによって保護膜を形成するものであることを特徴とする請求項４４に記載の光ディスク基板成膜方法。
【請求項４６】
前記裏面保護膜形成工程は、スパッタリングによって保護膜を形成するものであることを特徴とする請求項４４に記載の光ディスク基板成膜方法。
【請求項４７】
スパッタリングによって形成される前記保護膜は、シリコン窒化膜と、シリコン酸化膜と、チタン窒化膜と、インジウム、チタン、酸素の化合物とのうちのいずれか一つ、あるいは複数の積層膜であることを特徴とする請求項４６に記載の光ディスク基板成膜方法。
【請求項４８】
基板裏面を基板ホルダーに密着させることにより光ディスク基板を前記基板ホルダーで保持して基板表面にスパッタ成膜を行う光ディスク基板成膜方法において、
請求項４〜７のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置を用いることを特徴とする光ディスク基板成膜方法。
【請求項４９】
請求項６に記載の基板ホルダーを作製するに際し、基板裏面と接する基板保持面の少なくとも一部に粗面化処理を施した後、該粗面部分に、フッ化黒鉛（ＣＦ）ｎまたはフッ素樹脂の微粉末を用いる複合メッキによる潤滑処理を施すことにより、該潤滑処理部分の表面粗さＲｍａｘを１０μｍ以上、５００μｍ以下とすることを特徴とする基板ホルダーの製造方法。
【請求項５０】
請求項６に記載の基板ホルダーを作製するに際し、基板裏面と接する基板保持面の少なくとも一部に粗面化処理を施した後、該粗面部分に、フルオロアルキル基を有するクロロシラン系化学吸着剤を用いる潤滑処理を施すことにより、該潤滑処理部分の表面粗さＲｍａｘを１０μｍ以上、５００μｍ以下とすることを特徴とする基板ホルダーの製造方法。
【請求項５１】
請求項６に記載の基板ホルダーを作製するに際し、基板裏面と接する基板保持面の少なくとも一部に粗面化処理を施した後、該粗面部分に、トリアジンチオールを用いる有機メッキを施すことにより、該潤滑処理部分の表面粗さＲｍａｘを１０μｍ以上、５００μｍ以下とすることを特徴とする基板ホルダーの製造方法。
【請求項５２】
請求項８〜１２のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置が有する基板ホルダー。
【請求項５３】
請求項３１〜３８のいずれか一つに記載の光ディスク基板成膜装置で作製することを特徴とする光ディスク。
【請求項５４】
基板上に硫化亜鉛と酸化ケイ素の混合体からなる下部誘電体保護層、相変化記録層、硫化亜鉛と酸化ケイ素の混合体からなる上部誘電体保護層および反射放熱層を少なくとも構成層とする相変化記録型光ディスクにおいて、
反射放熱層がＡｇを主成分とし、かつ上部誘電体保護層と反射放熱層との間に耐硫化性導電体層を設けることを特徴とする相変化記録型光ディスク。
【請求項５５】
耐硫化性導電体層の厚さが反射放熱層の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項５４に記載の相変化記録型光ディスク。
【請求項５６】
耐硫化性導電体層がＡｌまたはＡｌＣｕx、ＡｌＳｉx、ＡｌＳｉxＣｕy、ＡｌＳｃX、ＡｌＴｉx、もしくはＡｌＳｉxＴｉyからなるＡｌを含む合金膜であることを特徴とする請求項５４または５５に記載の相変化記録型光ディスク。
【請求項５７】
耐硫化性導電体層がＴｉ膜、Ｚｒ膜、もしくはＨｆ膜からなる高融点金属膜またはＴｉxＮy、ＴｉxＳｉy、ＺｒxＮy、ＺｒxＳｉy、ＨｆxＮy、もしくはＨｆxＳｉyからなる高融点金属を含む合金膜であることを特徴とする請求項５４または５５記載の相変化記録型光ディスク。
【請求項５８】
耐硫化性導電体層がＴａまたはＴａxＮy、もしくはＴａxＳｉyからなるＴａを含む合金膜であることを特徴とする請求項５４または５５に記載の相変化記録型光ディスク。
【請求項５９】
耐硫化性導電体層がＷ膜またはＷxＮy、もしくはＷxＳｉyからなるＷを含む合金膜であることを特徴とする請求項５４または５５に記載の相変化記録型光ディスク。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【公開番号】特開２００６−３１３６１７（Ｐ２００６−３１３６１７Ａ）
【公開日】平成１８年１１月１６日（２００６．１１．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１６１４５４（Ｐ２００６−１６１４５４）
【出願日】平成１８年６月９日（２００６．６．９）
【分割の表示】特願２０００−２００５（Ｐ２０００−２００５）の分割
【原出願日】平成１２年１月７日（２０００．１．７）
【出願人】（０００００６７４７）株式会社リコー (37,907)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１１月１６日（２００６．１１．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年６月９日（２００６．６．９）
【分割の表示】特願２０００−２００５（Ｐ２０００−２００５）の分割
【原出願日】平成１２年１月７日（２０００．１．７）
【出願人】（０００００６７４７）株式会社リコー (37,907)
【Ｆターム（参考）】
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