エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
【課題】 可撓性があり、衝撃応力に強く、かつ、水分や酸素に対してより高い遮蔽性を有するパッシベーション膜を形成する。
【解決手段】 エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、パッシベーション膜は、ターゲット材料として炭素を用い、ＡｒガスとＯ２ガスとＮ２ガスとを含む混合ガスをスパッタガスとして真空チャンバーＷ内に供給し、スパッタ法により成膜するようにしてあり、そのスパッタ法によるパッシベーション膜の成膜条件を、Ａｒガスの供給流量を５〜１００ｓｃｃｍ（８．４５×１０−３〜１．６９×１０−１Ｐａ・ｍ３／ｓ）、Ｏ２ガスの供給流量を０〜５０ｓｃｃｍ（０〜８．４５×１０−２Ｐａ・ｍ３／ｓ）、Ｎ２ガスの供給流量を０〜４０ｓｃｃｍ（０〜６．７６×１０−２Ｐａ・ｍ３／ｓ）、真空チャンバーＷ内の真空度を０．０１〜１０Ｐａとしてある。
【解決手段】 エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、パッシベーション膜は、ターゲット材料として炭素を用い、ＡｒガスとＯ２ガスとＮ２ガスとを含む混合ガスをスパッタガスとして真空チャンバーＷ内に供給し、スパッタ法により成膜するようにしてあり、そのスパッタ法によるパッシベーション膜の成膜条件を、Ａｒガスの供給流量を５〜１００ｓｃｃｍ（８．４５×１０−３〜１．６９×１０−１Ｐａ・ｍ３／ｓ）、Ｏ２ガスの供給流量を０〜５０ｓｃｃｍ（０〜８．４５×１０−２Ｐａ・ｍ３／ｓ）、Ｎ２ガスの供給流量を０〜４０ｓｃｃｍ（０〜６．７６×１０−２Ｐａ・ｍ３／ｓ）、真空チャンバーＷ内の真空度を０．０１〜１０Ｐａとしてある。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の一方側に、第１電極、発光層を含む導電性層、第２電極の順に形成し、前記導電性層を保護するパッシベーション膜をアモルファス窒化炭素にて形成してあるエレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記のようなエレクトロルミネッセンス素子は、基板の一方側に、第１電極と第２電極とからなる一対の電極とその一対の電極間に有機化合物からなる発光層を含む導電性層を形成し、一対の電極間にバイアス電圧をかけることにより、有機化合物からなる発光層で発光を起こさせるものである。
【０００３】
有機化合物からなる発光層は、空気中の水分や酸素の影響を受けやすく、特性の劣化が著しいので、導電性層を保護するパッシベーション膜として、空気中の水分や酸素に対して高い遮蔽性が求められている。
また、基板として、例えば、ポリマー基板など可撓性のあるものを用い、エレクトロルミネッセンス素子を折り曲げ箇所などに適応することが考えられている。この場合には、パッシベーション膜が、基板から加わる応力によって破損しないよう、可撓性を有しながら、空気中の水分や酸素に対する遮蔽性を有することが求められている。
【０００４】
そこで、従来のエレクトロルミネッセンス素子では、パッシベーション膜をアモルファス窒化炭素にて形成し、そのパッシベーション膜は、アルカン、アルケンまたはアルキンを１種以上含むガスと、窒素又はアンモニアを含むガスとを原材料として気相成長法によって成膜している（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２８２２３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
アモルファス窒化炭素にて形成したパッシベーション膜は、可撓性があり、空気中の水分や酸素に対する遮蔽性も有している。
しかしながら、基板として、例えば、ポリマー基板などを用いた場合には、ガラス基板と比較すると、基板自体が空気中の水分や酸素を透過し易い。このため、可撓性があり、かつ、より緻密でガス遮断効果の高いパッシベーション膜が求められている。
【０００７】
本発明は、かかる点に着目してなされたものであり、その目的は、可撓性があり、衝撃応力に強く、かつ、空気中の水分や酸素に対してより高い遮蔽性を有するパッシベーション膜を形成したエレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この目的を達成するために、本発明にかかるエレクトロルミネッセンス素子の製造方法の特徴構成は、基板の一方側に、第１電極、発光層を含む導電性層、第２電極の順に形成し、前記導電性層を保護するパッシベーション膜をアモルファス窒化炭素にて形成してあるエレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、前記パッシベーション膜は、ターゲット材料として炭素を用い、ＡｒガスとＯ２ガスとＮ２ガスとを含む混合ガスをスパッタガスとして真空チャンバー内に供給し、スパッタ法により成膜するようにしてあり、そのスパッタ法による前記パッシベーション膜の成膜条件を、Ａｒガスの供給流量を５〜１００ｓｃｃｍ（８．４５×１０−３〜１．６９×１０−１Ｐａ・ｍ３／ｓ）、Ｏ２ガスの供給流量を０〜５０ｓｃｃｍ（０〜８．４５×１０−２Ｐａ・ｍ３／ｓ）、Ｎ２ガスの供給流量を０〜４０ｓｃｃｍ（０〜６．７６×１０−２Ｐａ・ｍ３／ｓ）、前記真空チャンバー内の真空度を０．０１〜１０Ｐａとした点にある。
【０００９】
前記パッシベーション膜をアモルファス窒化炭素にて形成することにより、可撓性があり、衝撃応力に強く、空気中の水分や酸素に対する遮蔽性も有することができる。そして、パッシベーション膜をアモルファス窒化炭素にて形成するに当り、上記の成膜条件にてスパッタ法により、アモルファス窒化炭素からなるパッシベーション膜を形成することで、より緻密でガス遮断効果の高いパッシベーション膜を形成できる。
したがって、可撓性があり、衝撃応力に強く、かつ、空気中の水分や酸素に対してより高い遮蔽性を有するパッシベーション膜を形成したエレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供できるに至った。
【００１０】
本発明にかかるエレクトロルミネッセンス素子の第２特徴構成は、前記パッシベーション膜が、前記導電性層を中央にして、前記第１電極よりも外側に形成してある第１パッシベーション膜と前記第２電極よりも外側に形成してある第２パッシベーション膜とからなる。
【００１１】
すなわち、第１パッシベーション膜と第２パッシベーション膜とが、導電性層を挟み込むので、空気中の水分や酸素に対してより高い遮蔽性を有することができる。しかも、基板に加わる応力を第１パッシベーション膜と第２パッシベーション膜とで分散する状態で受けることができ、基板に加わる応力に対する損傷を防止し易い。
【００１２】
本発明にかかるエレクトロルミネッセンス素子の第３特徴構成は、前記パッシベーション膜として、前記導電性層の側周囲を覆う第３パッシベーション膜を形成した点にある。
【００１３】
すなわち、第３パッシベーション膜にて導電性層の側周囲からの空気中の水分や酸素の侵入を阻止することができ、空気中の水分や酸素に対してより高い遮蔽性を有することができる。
【００１４】
本発明にかかるエレクトロルミネッセンス素子の第４特徴構成は、前記パッシベーション膜として、前記第１電極と前記導電性層との間、または、前記導電性層と前記第２電極との間の少なくとも一方に第４パッシベーション膜を形成した点にある。
【００１５】
すなわち、第４パッシベーション膜が、導電性層に対する空気中の水分や酸素の侵入を導電性層の間際で阻止することができ、空気中の水分や酸素に対してより高い遮蔽性を有することができる。
しかも、第４パッシベーション膜にて導電性層自体に可撓性を持たせることができ、折り曲げ箇所などに適応し易いエレクトロルミネッセンス素子を形成できる。
そして、第１電極と導電性層との間に第４パッシベーション膜を形成すると、この第４パッシベーション膜上に第１電極を形成することになる。また、導電性層と第２電極との間に第４パッシベーション膜を形成すると、この第４パッシベーション膜上に第２電極を形成することになる。したがって、第１電極や第２電極を形成する際の導電性層のダメージを防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明にかかるエレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法について図面に基づいて説明する。
〔第１実施形態〕
図１に示すように、この第１実施形態におけるエレクトロルミネッセンス素子（以下、ＥＬ素子と略称する）１は、第１基板２の上方側（一方側）に、第１電極４、発光層５を含む導電性層６、第２電極７の順に積層して形成するとともに、第１基板２の下方側（他方側）に第１パッシベーション膜３を形成してある。
前記第１電極４上には、導電性層６の側周囲を覆うように封止物質（例えば、可撓性を有するエポキシ樹脂や紫外線硬化樹脂）８を塗布し、その封止物質８の外側を囲む封止体９を設けている。
そして、第２基板１０上に第２パッシベーション膜１１が形成され、この第２基板１０が、第２パッシベーション膜１１を封止物質８に接触させる状態で、封止物質８および封止体９の上部を閉塞し、導電性層６を外部と遮断してある。
【００１７】
このようにして、導電性層６を中央にして、第１電極の外側に第１パッシベーション膜３を形成するとともに、第２電極７の外側にも第２パッシベーション膜１１を形成して、第１パッシベーション膜３と第２パッシベーション膜１１とで導電性層６を挟み込むようにしている。
【００１８】
前記第１基板２および第２基板１０は、例えば、ポリマー基板などの可撓性のある基板を用い、第１基板２上の第１パッシベーション膜３と第２基板１０上の第２パッシベーション膜１１とをアモルファス窒化炭素にて形成する。
前記第１基板２および第２基板１０は、その厚みを例えば１０μｍ〜２００μｍに形成してあり、第１パッシベーション膜３および第２パッシベーション膜１１は、その厚みを例えば２０ｎｍ〜５０ｎｍに形成してある。
【００１９】
前記第１電極４は、酸化インジウムと酸化スズの合金にて透明陽極として形成し、第２電極７は、マグネシウム、セシウム、リチウムなどの金属とアルミニウム、銀などとの合金にて陰極として形成している。
前記第１電極４は、その厚みを例えば１５０ｎｍに形成してあり、第２電極７は、その厚みを例えば１５０ｎｍに形成してある。そして、第１電極４と第２電極７との間にバイアス電圧をかけて、発光層５を発光させる。
【００２０】
前記導電性層６は、第１電極４上に、正孔注入層６ａ、正孔輸送層６ｂ、発光層５の順に積層した３層構造にて形成してある。
前記正孔注入層６ａは、例えば、ＰＥＤＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）−ＰＳＳ（ポリスチレンサルフォネート）誘導体にて形成してあり、その厚みを例えば４０ｎｍに形成してある。
前記正孔輸送層６ｂは、４，４’−ｂｉｓ〔Ｎ−（１−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌ−ａｍｉｎｏ〕−ｂｉｐｈｅｎｙｌ（α−ＮＰＤ）、または、Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ（ＴＰＤ）にて形成してあり、その厚みを例えば５０ｎｍに形成してある。
前記発光層５は、キノリノール錯体である８−ｈｙｄｒｏｘｑｕｉｎｏｌｉｎｅ ａｌｕｍｉｎｕｍ（Ａｌｑ３）にて形成してあり、その厚みを例えば１０〜２００ｎｍに形成してある。
【００２１】
このＥＬ素子１の製造方法について説明する。
まず、ターゲット材料として炭素を用い、ＡｒガスとＯ２ガスとＮ２ガスとを含む混合ガスをスパッタガスとして真空チャンバー内に供給し、スパッタ室と成膜室とが分離された対向ターゲットスパッタ法により第１基板２上に第１パッシベーション膜３を成膜するようにしてある。
この対向ターゲットスパッタ法では、図２に示すように、スパッタ室としての真空チャンバーＷ内に、一対のターゲット１２が向かい合せになるように平行に配置し、そのターゲット１２にＡｒガスとＯ２ガスとＮ２ガスとを含むスパッタガスを高速で衝突させる。すると、ターゲット１２を構成する炭素とＮ２ガスと反応させる状態でアモルファス窒化炭素を叩き出し、この叩き出したアモルファス窒化炭素を成膜室の基体１３として設けられる第１基板２上に付着させる。このようにして第１パッシベーション膜３を成膜している。
そして、一対のターゲット１２の夫々には、一対のターゲット１２間にターゲット面に垂直な磁力線Ｐを発生させるべく、磁石１４が設けられ、電子は磁力線Ｐに巻きつくようにして一対のターゲット１２間を往復運動し、電子をターゲット１２の近傍に閉じ込めて基体１３に与えるダメージを小さくしている。
【００２２】
また、平板マグネトロンスパッタ法ではターゲットと試料とが同じ試料室にあり、試料に成膜する際に試料表面に大きなダメージが与えられ、ＥＬ素子１の特性を劣化させる要因となっていた。そこで、上述の如く、スパッタ室と成膜室とが分離された対向ターゲットスパッタ法により第１パッシベーション膜３を成膜し、成膜面へのダメージを少なくできる。
しかも、成膜条件を厳密に制御することにより試料表面へのダメージが少なく、また高い成膜速度で良質の薄膜が成膜できる成膜条件を見出すことができる。そこで、この見出した成膜条件を適用して第１パッシベーション膜３を成膜する。
【００２３】
第１パッシベーション膜３の成膜条件を、Ａｒガスの供給流量を５〜１００ｓｃｃｍ（８．４５×１０−３〜１．６９×１０−１Ｐａ・ｍ３／ｓ）、Ｏ２ガスの供給流量を０〜５０ｓｃｃｍ（０〜８．４５×１０−２Ｐａ・ｍ３／ｓ）、Ｎ２ガスの供給流量を０〜４０ｓｃｃｍ（０〜６．７６×１０−２Ｐａ・ｍ３／ｓ）、真空チャンバーＷ内の真空度を０．０１〜１０Ｐａとしてある。一対のターゲット１２間に、８４０Ｖの電圧をかける。
【００２４】
次に、ターゲット材料を酸化インジウムと酸化スズの合金を用い、Ａｒガスなどをスパッタガスとして真空チャンバー内に供給し、スパッタ法により第１基板２のうち、第１パッシベーション膜３が形成された側とは反対側に第１電極４を形成する。
次に、分子線蒸着法により、第１電極４上に正孔注入層６ａ、正孔輸送層６ｂ、発光層５の順に形成し、真空蒸着法により、発光層５上に第２電極７を形成する。
【００２５】
その後、導電性層６の周囲を覆うようにして封止物質８を第１電極４上に塗布し、その封止物質８の外側に封止体９を設ける。
また、第１基板２上に第１パッシベーション膜３を成膜するのと同様に、スパッタ法により第２基板１０上にも第２パッシベーション膜１１を成膜しておき、この第２パッシベーション膜１１が形成された第２基板１０を、第２パッシベーション膜１１を封止物質８に接触させる状態で、封止物質８および封止体９の上部に設けて、ＥＬ素子１を製造する。
【００２６】
上記第１実施形態におけるＥＬ素子１について評価する。
第１パッシベーション膜３および第２パッシベーション膜１１の成膜条件を、Ａｒガスの供給流量を４５ｓｃｃｍ（７．６０５×１０−１Ｐａ・ｍ３／ｓ）、Ｏ２ガスの供給流量を６ｓｃｃｍ（１．０１４×１０−１Ｐａ・ｍ３／ｓ）、Ｎ２ガスの供給流量を３ｓｃｃｍ（５．０７×１０−２Ｐａ・ｍ３／ｓ）、真空チャンバー内の真空度を約２×１０−１Ｐａとする。
【００２７】
そして、第１パッシベーション膜３および第２パッシベーション膜１１の膜厚を約４０ｎｍとしたときの耐久性を図３に示す。
図３に示すものでは、動作力が２．５Ｎで、直径１．３ｍｍの金属棒にてＥＬ素子１に応力を印加したときの耐久性を示している。図３から、半減寿命は打点回数十万回以上であり、第１基板２から加わる応力によって第１パッシベーション膜３が破損しないように十分な耐久性を有する。
また、第１パッシベーション膜３および第２パッシベーション膜１１を設けないＥＬ素子では、二時間程度でＥＬ素子の輝度が半減する。それに対して、上述の成膜条件にて第１パッシベーション膜３および第２パッシベーション膜１１を成膜したＥＬ素子では、１．３ｍｍΦ、４０Ｎの応力を加えた一万回の打鍵試験を行っても、ＥＬ素子の輝度が半減する程度であり、十万回の打鍵試験を行っても、ＥＬ素子は破壊しなかった。
【００２８】
第１パッシベーション膜３および第２パッシベーション膜１１の膜厚を約４０ｎｍとし、Ｏ２ガスの供給流量を変化させたときのＥＬ素子の光の透過率を図４に示す。
この図４から、Ｏ２ガスの供給流量を６〜８ｓｃｃｍ（１．０１４×１０−１〜１．３５１×１０−１Ｐａ・ｍ３／ｓ）とすると、可視域（およそ４００ｎｍ〜８００ｎｍ）では、６０％以上の透過率を確保できる。
第１パッシベーション膜３および第２パッシベーション膜１１を成膜するに当り、透過率の向上に加え、柔軟性を向上するために、Ｏ２ガスの供給が必要である。ただし、８ｓｃｃｍ（１．３５１×１０−１Ｐａ・ｍ３／ｓ）では透過率が最も良い結果を示すものの成膜速度が半分に減少する。２ｓｃｃｍ（３．３８×１０−２Ｐａ・ｍ３／ｓ）では第１パッシベーション膜３および第２パッシベーション膜１１の柔軟性が損なわれる虞がある。したがって、第１パッシベーション膜３および第２パッシベーション膜１１の膜厚を約４０ｎｍとすると、Ｏ２ガスの供給流量は６ｓｃｃｍ（１．０１４×１０−１Ｐａ・ｍ３／ｓ）のときが最適である。
【００２９】
〔第２実施形態〕
この第２実施形態のＥＬ素子１Ａは、図５に示すように、上記第１実施形態のＥＬ素子１において導電性層６の側周囲を覆うように封止物質８を塗布する代わりに、パッシベーション膜として、導電性層６の側周囲を覆う第３パッシベーション膜１５を形成してある。
そして、この第３パッシベーション膜１５も、上記第１実施形態で述べた如く、第１基板２上に第１パッシベーション膜３を成膜するのと同様に、スパッタ法により形成してある。
【００３０】
また、第３パッシベーション膜１３は、導電性層６の側周囲だけでなく、その上方側をも覆うように形成され、封止体９が、その第３パッシベーション膜１３の全体を覆うように設けてある。
【００３１】
〔第３実施形態〕
この第３実施形態のＥＬ素子１Ｂは、図６に示すように、パッシベーション膜として、導電性層６と第２電極７との間に第４パッシベーション膜１６を形成してある。
そして、この第４パッシベーション膜１６も、上記第１実施形態で述べた如く、第１基板２上に第１パッシベーション膜３を成膜するのと同様に、スパッタ法により形成してある。
【００３２】
図７および図８に基づいて、第４パッシベーション膜１６について考察する。
最初に、第４パッシベーション膜１６を設けていないＥＬ素子と第４パッシベーション膜１６を設けたＥＬ素子１Ｂとを比較する。
まず、第４パッシベーション膜１６を設けていないＥＬ素子と第４パッシベーション膜１６を設けたＥＬ素子１Ｂとに対して、設定時間（例えば、約２４時間）の耐久試験を行う。その後、第４パッシベーション膜１６を設けていないＥＬ素子と第４パッシベーション膜１６を設けたＥＬ素子１Ｂとに対して、第１電極４と第２電極７との間にかけるバイアス電圧を変化させて比較する。
【００３３】
図７は、耐久試験を行ったのち、第１電極４と第２電極７との間にかけるバイアス電圧を変化させたときの電流密度およびＥＬ強度の変化を示したものである。縦軸を電流密度（Ａ／ｃｍ２）およびＥＬ強度（ｃｄ／ｍ２）とし、横軸を電圧（Ｖ）としている。
そして、図７中、黒塗り丸、黒塗り三角が第４パッシベーション膜１６を設けていない場合を示し、白抜き丸、白抜き三角が厚みが５ｎｍの第４パッシベーション膜１６を設けた場合を示している。また、黒塗り丸、白抜き丸が電流密度（Ａ／ｃｍ２）を示しており、黒塗り三角、白抜き三角がＥＬ強度（ｃｄ／ｍ２）を示している。
【００３４】
この図７から、第４パッシベーション膜１６を設けていないＥＬ素子よりも、厚みが５ｎｍの第４パッシベーション膜１６を設けたＥＬ素子１Ｂの方が、電流密度およびＥＬ強度ともに高いことが分かる。したがって、第４パッシベーション膜１６を設けたＥＬ素子１Ｂの方が、耐久性の面で良好である。
【００３５】
次に、第４パッシベーション膜１６を設ける場合、その膜厚について考察する。
第４パッシベーション膜１６の膜厚を変化させたときに透過率がどのように変化するかの点から考察する。
図８は、第４パッシベーション膜１６の膜厚を、５ｎｍ〜２０ｎｍまで５ｎｍずつ変化させたときの波長と透過率との関係を示したものである。縦軸を光の透過率（％）とし、横軸を波長（ｎｍ）としている。
【００３６】
図８から、第４パッシベーション膜１６の膜厚が薄いほど、透過率は高い値であり、第４パッシベーション膜１６の膜厚が厚くなるほど、透過率は減少する。そして、第４パッシベーション膜１６の膜厚を２０ｎｍとしたときにも、可視域（およそ４００ｎｍ〜８００ｎｍ）で、６０％程度の透過率は確保できる。
したがって、第４パッシベーション膜１６の膜厚は、最大２０ｎｍとするのが好適である。
【００３７】
〔別実施形態〕
（１）上記第１〜３実施形態において、第１基板２の下方側に第１パッシベーション膜３を形成しているが、第１基板２の上方側に第１パッシベーション膜１を形成し、その第１パッシベーション膜上に第１電極４を形成するように実施することが可能である。
また、第１基板２の下方側および上方側の両側に、第１パッシベーション膜を形成することも可能である。
【００３８】
（２）上記第３実施形態では、導電性層６と第２電極７との間に第４パッシベーション膜１６を形成してあるが、導電性層６と第１電極４との間に第４パッシベーション膜を形成することも可能である。
また、導電性層６と第２電極７との間、および、導電性層６と第１電極４との間の両方に第４パッシベーション膜を形成することも可能である。
【００３９】
（３）上記第１〜３実施形態において、第１パッシベーション膜３上に、熱硬化樹脂（数μｍ）、紫外硬化樹脂（数μｍ）の順に積層するように形成して実施してもよい。
【００４０】
（４）上記第１〜３実施形態では、導電性層６が発光層５を含む３層構造としているが、導電性層６を何層構造にするかは適宜変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明は、基板の一方側に、第１電極、発光層を含む導電性層、第２電極の順に形成し、導電性層を保護するパッシベーション膜をアモルファス窒化炭素にて形成してあるエレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法に適応可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】第１実施形態におけるＥＬ素子の断面図
【図２】スパッタ法を説明する概略図
【図３】ＥＬ強度と打点回数との関係を示すグラフ
【図４】Ｏ２ガスの供給流量を変化させたときの透過率の変化を示すグラフ
【図５】第２実施形態におけるＥＬ素子の断面図
【図６】第３実施形態におけるＥＬ素子の断面図
【図７】第３実施形態においてバイアス電圧を変化させたときの電流密度およびＥＬ強度の変化を示すグラフ
【図８】第３実施形態において第４パッシベーション膜の膜厚を変化させたときの透過率の変化を示すグラフ
【符号の説明】
【００４３】
２ 基板（第１基板）
３ 第１パッシベーション膜
４ 第１電極
５ 発光層
６ 導電性層
７ 第２電極
１１ 第２パッシベーション膜
１５ 第３パッシベーション膜
１６ 第４パッシベーション膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の一方側に、第１電極、発光層を含む導電性層、第２電極の順に形成し、前記導電性層を保護するパッシベーション膜をアモルファス窒化炭素にて形成してあるエレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記のようなエレクトロルミネッセンス素子は、基板の一方側に、第１電極と第２電極とからなる一対の電極とその一対の電極間に有機化合物からなる発光層を含む導電性層を形成し、一対の電極間にバイアス電圧をかけることにより、有機化合物からなる発光層で発光を起こさせるものである。
【０００３】
有機化合物からなる発光層は、空気中の水分や酸素の影響を受けやすく、特性の劣化が著しいので、導電性層を保護するパッシベーション膜として、空気中の水分や酸素に対して高い遮蔽性が求められている。
また、基板として、例えば、ポリマー基板など可撓性のあるものを用い、エレクトロルミネッセンス素子を折り曲げ箇所などに適応することが考えられている。この場合には、パッシベーション膜が、基板から加わる応力によって破損しないよう、可撓性を有しながら、空気中の水分や酸素に対する遮蔽性を有することが求められている。
【０００４】
そこで、従来のエレクトロルミネッセンス素子では、パッシベーション膜をアモルファス窒化炭素にて形成し、そのパッシベーション膜は、アルカン、アルケンまたはアルキンを１種以上含むガスと、窒素又はアンモニアを含むガスとを原材料として気相成長法によって成膜している（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２８２２３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
アモルファス窒化炭素にて形成したパッシベーション膜は、可撓性があり、空気中の水分や酸素に対する遮蔽性も有している。
しかしながら、基板として、例えば、ポリマー基板などを用いた場合には、ガラス基板と比較すると、基板自体が空気中の水分や酸素を透過し易い。このため、可撓性があり、かつ、より緻密でガス遮断効果の高いパッシベーション膜が求められている。
【０００７】
本発明は、かかる点に着目してなされたものであり、その目的は、可撓性があり、衝撃応力に強く、かつ、空気中の水分や酸素に対してより高い遮蔽性を有するパッシベーション膜を形成したエレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この目的を達成するために、本発明にかかるエレクトロルミネッセンス素子の製造方法の特徴構成は、基板の一方側に、第１電極、発光層を含む導電性層、第２電極の順に形成し、前記導電性層を保護するパッシベーション膜をアモルファス窒化炭素にて形成してあるエレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、前記パッシベーション膜は、ターゲット材料として炭素を用い、ＡｒガスとＯ２ガスとＮ２ガスとを含む混合ガスをスパッタガスとして真空チャンバー内に供給し、スパッタ法により成膜するようにしてあり、そのスパッタ法による前記パッシベーション膜の成膜条件を、Ａｒガスの供給流量を５〜１００ｓｃｃｍ（８．４５×１０−３〜１．６９×１０−１Ｐａ・ｍ３／ｓ）、Ｏ２ガスの供給流量を０〜５０ｓｃｃｍ（０〜８．４５×１０−２Ｐａ・ｍ３／ｓ）、Ｎ２ガスの供給流量を０〜４０ｓｃｃｍ（０〜６．７６×１０−２Ｐａ・ｍ３／ｓ）、前記真空チャンバー内の真空度を０．０１〜１０Ｐａとした点にある。
【０００９】
前記パッシベーション膜をアモルファス窒化炭素にて形成することにより、可撓性があり、衝撃応力に強く、空気中の水分や酸素に対する遮蔽性も有することができる。そして、パッシベーション膜をアモルファス窒化炭素にて形成するに当り、上記の成膜条件にてスパッタ法により、アモルファス窒化炭素からなるパッシベーション膜を形成することで、より緻密でガス遮断効果の高いパッシベーション膜を形成できる。
したがって、可撓性があり、衝撃応力に強く、かつ、空気中の水分や酸素に対してより高い遮蔽性を有するパッシベーション膜を形成したエレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供できるに至った。
【００１０】
本発明にかかるエレクトロルミネッセンス素子の第２特徴構成は、前記パッシベーション膜が、前記導電性層を中央にして、前記第１電極よりも外側に形成してある第１パッシベーション膜と前記第２電極よりも外側に形成してある第２パッシベーション膜とからなる。
【００１１】
すなわち、第１パッシベーション膜と第２パッシベーション膜とが、導電性層を挟み込むので、空気中の水分や酸素に対してより高い遮蔽性を有することができる。しかも、基板に加わる応力を第１パッシベーション膜と第２パッシベーション膜とで分散する状態で受けることができ、基板に加わる応力に対する損傷を防止し易い。
【００１２】
本発明にかかるエレクトロルミネッセンス素子の第３特徴構成は、前記パッシベーション膜として、前記導電性層の側周囲を覆う第３パッシベーション膜を形成した点にある。
【００１３】
すなわち、第３パッシベーション膜にて導電性層の側周囲からの空気中の水分や酸素の侵入を阻止することができ、空気中の水分や酸素に対してより高い遮蔽性を有することができる。
【００１４】
本発明にかかるエレクトロルミネッセンス素子の第４特徴構成は、前記パッシベーション膜として、前記第１電極と前記導電性層との間、または、前記導電性層と前記第２電極との間の少なくとも一方に第４パッシベーション膜を形成した点にある。
【００１５】
すなわち、第４パッシベーション膜が、導電性層に対する空気中の水分や酸素の侵入を導電性層の間際で阻止することができ、空気中の水分や酸素に対してより高い遮蔽性を有することができる。
しかも、第４パッシベーション膜にて導電性層自体に可撓性を持たせることができ、折り曲げ箇所などに適応し易いエレクトロルミネッセンス素子を形成できる。
そして、第１電極と導電性層との間に第４パッシベーション膜を形成すると、この第４パッシベーション膜上に第１電極を形成することになる。また、導電性層と第２電極との間に第４パッシベーション膜を形成すると、この第４パッシベーション膜上に第２電極を形成することになる。したがって、第１電極や第２電極を形成する際の導電性層のダメージを防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明にかかるエレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法について図面に基づいて説明する。
〔第１実施形態〕
図１に示すように、この第１実施形態におけるエレクトロルミネッセンス素子（以下、ＥＬ素子と略称する）１は、第１基板２の上方側（一方側）に、第１電極４、発光層５を含む導電性層６、第２電極７の順に積層して形成するとともに、第１基板２の下方側（他方側）に第１パッシベーション膜３を形成してある。
前記第１電極４上には、導電性層６の側周囲を覆うように封止物質（例えば、可撓性を有するエポキシ樹脂や紫外線硬化樹脂）８を塗布し、その封止物質８の外側を囲む封止体９を設けている。
そして、第２基板１０上に第２パッシベーション膜１１が形成され、この第２基板１０が、第２パッシベーション膜１１を封止物質８に接触させる状態で、封止物質８および封止体９の上部を閉塞し、導電性層６を外部と遮断してある。
【００１７】
このようにして、導電性層６を中央にして、第１電極の外側に第１パッシベーション膜３を形成するとともに、第２電極７の外側にも第２パッシベーション膜１１を形成して、第１パッシベーション膜３と第２パッシベーション膜１１とで導電性層６を挟み込むようにしている。
【００１８】
前記第１基板２および第２基板１０は、例えば、ポリマー基板などの可撓性のある基板を用い、第１基板２上の第１パッシベーション膜３と第２基板１０上の第２パッシベーション膜１１とをアモルファス窒化炭素にて形成する。
前記第１基板２および第２基板１０は、その厚みを例えば１０μｍ〜２００μｍに形成してあり、第１パッシベーション膜３および第２パッシベーション膜１１は、その厚みを例えば２０ｎｍ〜５０ｎｍに形成してある。
【００１９】
前記第１電極４は、酸化インジウムと酸化スズの合金にて透明陽極として形成し、第２電極７は、マグネシウム、セシウム、リチウムなどの金属とアルミニウム、銀などとの合金にて陰極として形成している。
前記第１電極４は、その厚みを例えば１５０ｎｍに形成してあり、第２電極７は、その厚みを例えば１５０ｎｍに形成してある。そして、第１電極４と第２電極７との間にバイアス電圧をかけて、発光層５を発光させる。
【００２０】
前記導電性層６は、第１電極４上に、正孔注入層６ａ、正孔輸送層６ｂ、発光層５の順に積層した３層構造にて形成してある。
前記正孔注入層６ａは、例えば、ＰＥＤＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）−ＰＳＳ（ポリスチレンサルフォネート）誘導体にて形成してあり、その厚みを例えば４０ｎｍに形成してある。
前記正孔輸送層６ｂは、４，４’−ｂｉｓ〔Ｎ−（１−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌ−ａｍｉｎｏ〕−ｂｉｐｈｅｎｙｌ（α−ＮＰＤ）、または、Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ（ＴＰＤ）にて形成してあり、その厚みを例えば５０ｎｍに形成してある。
前記発光層５は、キノリノール錯体である８−ｈｙｄｒｏｘｑｕｉｎｏｌｉｎｅ ａｌｕｍｉｎｕｍ（Ａｌｑ３）にて形成してあり、その厚みを例えば１０〜２００ｎｍに形成してある。
【００２１】
このＥＬ素子１の製造方法について説明する。
まず、ターゲット材料として炭素を用い、ＡｒガスとＯ２ガスとＮ２ガスとを含む混合ガスをスパッタガスとして真空チャンバー内に供給し、スパッタ室と成膜室とが分離された対向ターゲットスパッタ法により第１基板２上に第１パッシベーション膜３を成膜するようにしてある。
この対向ターゲットスパッタ法では、図２に示すように、スパッタ室としての真空チャンバーＷ内に、一対のターゲット１２が向かい合せになるように平行に配置し、そのターゲット１２にＡｒガスとＯ２ガスとＮ２ガスとを含むスパッタガスを高速で衝突させる。すると、ターゲット１２を構成する炭素とＮ２ガスと反応させる状態でアモルファス窒化炭素を叩き出し、この叩き出したアモルファス窒化炭素を成膜室の基体１３として設けられる第１基板２上に付着させる。このようにして第１パッシベーション膜３を成膜している。
そして、一対のターゲット１２の夫々には、一対のターゲット１２間にターゲット面に垂直な磁力線Ｐを発生させるべく、磁石１４が設けられ、電子は磁力線Ｐに巻きつくようにして一対のターゲット１２間を往復運動し、電子をターゲット１２の近傍に閉じ込めて基体１３に与えるダメージを小さくしている。
【００２２】
また、平板マグネトロンスパッタ法ではターゲットと試料とが同じ試料室にあり、試料に成膜する際に試料表面に大きなダメージが与えられ、ＥＬ素子１の特性を劣化させる要因となっていた。そこで、上述の如く、スパッタ室と成膜室とが分離された対向ターゲットスパッタ法により第１パッシベーション膜３を成膜し、成膜面へのダメージを少なくできる。
しかも、成膜条件を厳密に制御することにより試料表面へのダメージが少なく、また高い成膜速度で良質の薄膜が成膜できる成膜条件を見出すことができる。そこで、この見出した成膜条件を適用して第１パッシベーション膜３を成膜する。
【００２３】
第１パッシベーション膜３の成膜条件を、Ａｒガスの供給流量を５〜１００ｓｃｃｍ（８．４５×１０−３〜１．６９×１０−１Ｐａ・ｍ３／ｓ）、Ｏ２ガスの供給流量を０〜５０ｓｃｃｍ（０〜８．４５×１０−２Ｐａ・ｍ３／ｓ）、Ｎ２ガスの供給流量を０〜４０ｓｃｃｍ（０〜６．７６×１０−２Ｐａ・ｍ３／ｓ）、真空チャンバーＷ内の真空度を０．０１〜１０Ｐａとしてある。一対のターゲット１２間に、８４０Ｖの電圧をかける。
【００２４】
次に、ターゲット材料を酸化インジウムと酸化スズの合金を用い、Ａｒガスなどをスパッタガスとして真空チャンバー内に供給し、スパッタ法により第１基板２のうち、第１パッシベーション膜３が形成された側とは反対側に第１電極４を形成する。
次に、分子線蒸着法により、第１電極４上に正孔注入層６ａ、正孔輸送層６ｂ、発光層５の順に形成し、真空蒸着法により、発光層５上に第２電極７を形成する。
【００２５】
その後、導電性層６の周囲を覆うようにして封止物質８を第１電極４上に塗布し、その封止物質８の外側に封止体９を設ける。
また、第１基板２上に第１パッシベーション膜３を成膜するのと同様に、スパッタ法により第２基板１０上にも第２パッシベーション膜１１を成膜しておき、この第２パッシベーション膜１１が形成された第２基板１０を、第２パッシベーション膜１１を封止物質８に接触させる状態で、封止物質８および封止体９の上部に設けて、ＥＬ素子１を製造する。
【００２６】
上記第１実施形態におけるＥＬ素子１について評価する。
第１パッシベーション膜３および第２パッシベーション膜１１の成膜条件を、Ａｒガスの供給流量を４５ｓｃｃｍ（７．６０５×１０−１Ｐａ・ｍ３／ｓ）、Ｏ２ガスの供給流量を６ｓｃｃｍ（１．０１４×１０−１Ｐａ・ｍ３／ｓ）、Ｎ２ガスの供給流量を３ｓｃｃｍ（５．０７×１０−２Ｐａ・ｍ３／ｓ）、真空チャンバー内の真空度を約２×１０−１Ｐａとする。
【００２７】
そして、第１パッシベーション膜３および第２パッシベーション膜１１の膜厚を約４０ｎｍとしたときの耐久性を図３に示す。
図３に示すものでは、動作力が２．５Ｎで、直径１．３ｍｍの金属棒にてＥＬ素子１に応力を印加したときの耐久性を示している。図３から、半減寿命は打点回数十万回以上であり、第１基板２から加わる応力によって第１パッシベーション膜３が破損しないように十分な耐久性を有する。
また、第１パッシベーション膜３および第２パッシベーション膜１１を設けないＥＬ素子では、二時間程度でＥＬ素子の輝度が半減する。それに対して、上述の成膜条件にて第１パッシベーション膜３および第２パッシベーション膜１１を成膜したＥＬ素子では、１．３ｍｍΦ、４０Ｎの応力を加えた一万回の打鍵試験を行っても、ＥＬ素子の輝度が半減する程度であり、十万回の打鍵試験を行っても、ＥＬ素子は破壊しなかった。
【００２８】
第１パッシベーション膜３および第２パッシベーション膜１１の膜厚を約４０ｎｍとし、Ｏ２ガスの供給流量を変化させたときのＥＬ素子の光の透過率を図４に示す。
この図４から、Ｏ２ガスの供給流量を６〜８ｓｃｃｍ（１．０１４×１０−１〜１．３５１×１０−１Ｐａ・ｍ３／ｓ）とすると、可視域（およそ４００ｎｍ〜８００ｎｍ）では、６０％以上の透過率を確保できる。
第１パッシベーション膜３および第２パッシベーション膜１１を成膜するに当り、透過率の向上に加え、柔軟性を向上するために、Ｏ２ガスの供給が必要である。ただし、８ｓｃｃｍ（１．３５１×１０−１Ｐａ・ｍ３／ｓ）では透過率が最も良い結果を示すものの成膜速度が半分に減少する。２ｓｃｃｍ（３．３８×１０−２Ｐａ・ｍ３／ｓ）では第１パッシベーション膜３および第２パッシベーション膜１１の柔軟性が損なわれる虞がある。したがって、第１パッシベーション膜３および第２パッシベーション膜１１の膜厚を約４０ｎｍとすると、Ｏ２ガスの供給流量は６ｓｃｃｍ（１．０１４×１０−１Ｐａ・ｍ３／ｓ）のときが最適である。
【００２９】
〔第２実施形態〕
この第２実施形態のＥＬ素子１Ａは、図５に示すように、上記第１実施形態のＥＬ素子１において導電性層６の側周囲を覆うように封止物質８を塗布する代わりに、パッシベーション膜として、導電性層６の側周囲を覆う第３パッシベーション膜１５を形成してある。
そして、この第３パッシベーション膜１５も、上記第１実施形態で述べた如く、第１基板２上に第１パッシベーション膜３を成膜するのと同様に、スパッタ法により形成してある。
【００３０】
また、第３パッシベーション膜１３は、導電性層６の側周囲だけでなく、その上方側をも覆うように形成され、封止体９が、その第３パッシベーション膜１３の全体を覆うように設けてある。
【００３１】
〔第３実施形態〕
この第３実施形態のＥＬ素子１Ｂは、図６に示すように、パッシベーション膜として、導電性層６と第２電極７との間に第４パッシベーション膜１６を形成してある。
そして、この第４パッシベーション膜１６も、上記第１実施形態で述べた如く、第１基板２上に第１パッシベーション膜３を成膜するのと同様に、スパッタ法により形成してある。
【００３２】
図７および図８に基づいて、第４パッシベーション膜１６について考察する。
最初に、第４パッシベーション膜１６を設けていないＥＬ素子と第４パッシベーション膜１６を設けたＥＬ素子１Ｂとを比較する。
まず、第４パッシベーション膜１６を設けていないＥＬ素子と第４パッシベーション膜１６を設けたＥＬ素子１Ｂとに対して、設定時間（例えば、約２４時間）の耐久試験を行う。その後、第４パッシベーション膜１６を設けていないＥＬ素子と第４パッシベーション膜１６を設けたＥＬ素子１Ｂとに対して、第１電極４と第２電極７との間にかけるバイアス電圧を変化させて比較する。
【００３３】
図７は、耐久試験を行ったのち、第１電極４と第２電極７との間にかけるバイアス電圧を変化させたときの電流密度およびＥＬ強度の変化を示したものである。縦軸を電流密度（Ａ／ｃｍ２）およびＥＬ強度（ｃｄ／ｍ２）とし、横軸を電圧（Ｖ）としている。
そして、図７中、黒塗り丸、黒塗り三角が第４パッシベーション膜１６を設けていない場合を示し、白抜き丸、白抜き三角が厚みが５ｎｍの第４パッシベーション膜１６を設けた場合を示している。また、黒塗り丸、白抜き丸が電流密度（Ａ／ｃｍ２）を示しており、黒塗り三角、白抜き三角がＥＬ強度（ｃｄ／ｍ２）を示している。
【００３４】
この図７から、第４パッシベーション膜１６を設けていないＥＬ素子よりも、厚みが５ｎｍの第４パッシベーション膜１６を設けたＥＬ素子１Ｂの方が、電流密度およびＥＬ強度ともに高いことが分かる。したがって、第４パッシベーション膜１６を設けたＥＬ素子１Ｂの方が、耐久性の面で良好である。
【００３５】
次に、第４パッシベーション膜１６を設ける場合、その膜厚について考察する。
第４パッシベーション膜１６の膜厚を変化させたときに透過率がどのように変化するかの点から考察する。
図８は、第４パッシベーション膜１６の膜厚を、５ｎｍ〜２０ｎｍまで５ｎｍずつ変化させたときの波長と透過率との関係を示したものである。縦軸を光の透過率（％）とし、横軸を波長（ｎｍ）としている。
【００３６】
図８から、第４パッシベーション膜１６の膜厚が薄いほど、透過率は高い値であり、第４パッシベーション膜１６の膜厚が厚くなるほど、透過率は減少する。そして、第４パッシベーション膜１６の膜厚を２０ｎｍとしたときにも、可視域（およそ４００ｎｍ〜８００ｎｍ）で、６０％程度の透過率は確保できる。
したがって、第４パッシベーション膜１６の膜厚は、最大２０ｎｍとするのが好適である。
【００３７】
〔別実施形態〕
（１）上記第１〜３実施形態において、第１基板２の下方側に第１パッシベーション膜３を形成しているが、第１基板２の上方側に第１パッシベーション膜１を形成し、その第１パッシベーション膜上に第１電極４を形成するように実施することが可能である。
また、第１基板２の下方側および上方側の両側に、第１パッシベーション膜を形成することも可能である。
【００３８】
（２）上記第３実施形態では、導電性層６と第２電極７との間に第４パッシベーション膜１６を形成してあるが、導電性層６と第１電極４との間に第４パッシベーション膜を形成することも可能である。
また、導電性層６と第２電極７との間、および、導電性層６と第１電極４との間の両方に第４パッシベーション膜を形成することも可能である。
【００３９】
（３）上記第１〜３実施形態において、第１パッシベーション膜３上に、熱硬化樹脂（数μｍ）、紫外硬化樹脂（数μｍ）の順に積層するように形成して実施してもよい。
【００４０】
（４）上記第１〜３実施形態では、導電性層６が発光層５を含む３層構造としているが、導電性層６を何層構造にするかは適宜変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明は、基板の一方側に、第１電極、発光層を含む導電性層、第２電極の順に形成し、導電性層を保護するパッシベーション膜をアモルファス窒化炭素にて形成してあるエレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法に適応可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】第１実施形態におけるＥＬ素子の断面図
【図２】スパッタ法を説明する概略図
【図３】ＥＬ強度と打点回数との関係を示すグラフ
【図４】Ｏ２ガスの供給流量を変化させたときの透過率の変化を示すグラフ
【図５】第２実施形態におけるＥＬ素子の断面図
【図６】第３実施形態におけるＥＬ素子の断面図
【図７】第３実施形態においてバイアス電圧を変化させたときの電流密度およびＥＬ強度の変化を示すグラフ
【図８】第３実施形態において第４パッシベーション膜の膜厚を変化させたときの透過率の変化を示すグラフ
【符号の説明】
【００４３】
２ 基板（第１基板）
３ 第１パッシベーション膜
４ 第１電極
５ 発光層
６ 導電性層
７ 第２電極
１１ 第２パッシベーション膜
１５ 第３パッシベーション膜
１６ 第４パッシベーション膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方側に、第１電極、発光層を含む導電性層、第２電極の順に形成し、前記導電性層を保護するパッシベーション膜をアモルファス窒化炭素にて形成してあるエレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記パッシベーション膜は、ターゲット材料として炭素を用い、ＡｒガスとＯ２ガスとＮ２ガスとを含む混合ガスをスパッタガスとして真空チャンバー内に供給し、スパッタ法により成膜するようにしてあり、
そのスパッタ法による前記パッシベーション膜の成膜条件を、Ａｒガスの供給流量を５〜１００ｓｃｃｍ（８．４５×１０−３〜１．６９×１０−１Ｐａ・ｍ３／ｓ）、Ｏ２ガスの供給流量を０〜５０ｓｃｃｍ（０〜８．４５×１０−２Ｐａ・ｍ３／ｓ）、Ｎ２ガスの供給流量を０〜４０ｓｃｃｍ（０〜６．７６×１０−２Ｐａ・ｍ３／ｓ）、前記真空チャンバー内の真空度を０．０１〜１０Ｐａとしてあるエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２】
前記パッシベーション膜が、前記導電性層を中央にして、前記第１電極よりも外側に形成してある第１パッシベーション膜と前記第２電極よりも外側に形成してある第２パッシベーション膜とからなる請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記パッシベーション膜として、前記導電性層の側周囲を覆う第３パッシベーション膜を形成してある請求項２に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記パッシベーション膜として、前記第１電極と前記導電性層との間、または、前記導電性層と前記第２電極との間の少なくとも一方に第４パッシベーション膜を形成してある請求項３に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１】
基板の一方側に、第１電極、発光層を含む導電性層、第２電極の順に形成し、前記導電性層を保護するパッシベーション膜をアモルファス窒化炭素にて形成してあるエレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記パッシベーション膜は、ターゲット材料として炭素を用い、ＡｒガスとＯ２ガスとＮ２ガスとを含む混合ガスをスパッタガスとして真空チャンバー内に供給し、スパッタ法により成膜するようにしてあり、
そのスパッタ法による前記パッシベーション膜の成膜条件を、Ａｒガスの供給流量を５〜１００ｓｃｃｍ（８．４５×１０−３〜１．６９×１０−１Ｐａ・ｍ３／ｓ）、Ｏ２ガスの供給流量を０〜５０ｓｃｃｍ（０〜８．４５×１０−２Ｐａ・ｍ３／ｓ）、Ｎ２ガスの供給流量を０〜４０ｓｃｃｍ（０〜６．７６×１０−２Ｐａ・ｍ３／ｓ）、前記真空チャンバー内の真空度を０．０１〜１０Ｐａとしてあるエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２】
前記パッシベーション膜が、前記導電性層を中央にして、前記第１電極よりも外側に形成してある第１パッシベーション膜と前記第２電極よりも外側に形成してある第２パッシベーション膜とからなる請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記パッシベーション膜として、前記導電性層の側周囲を覆う第３パッシベーション膜を形成してある請求項２に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記パッシベーション膜として、前記第１電極と前記導電性層との間、または、前記導電性層と前記第２電極との間の少なくとも一方に第４パッシベーション膜を形成してある請求項３に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００６−３１０１８０（Ｐ２００６−３１０１８０Ａ）
【公開日】平成１８年１１月９日（２００６．１１．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１３３１３３（Ｐ２００５−１３３１３３）
【出願日】平成１７年４月２８日（２００５．４．２８）
【出願人】（５０４１７６９１１）国立大学法人大阪大学 (1,536)
【出願人】（０００１９４９１８）ホシデン株式会社 (527)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１１月９日（２００６．１１．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年４月２８日（２００５．４．２８）
【出願人】（５０４１７６９１１）国立大学法人大阪大学 (1,536)
【出願人】（０００１９４９１８）ホシデン株式会社 (527)
【Ｆターム（参考）】
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