基板を連続的に真空洗浄する方法であって、
-汚染の点から、スパッタリング効率が低く、化学的に活性な種を選択すること、
-少なくとも１つのリニアイオンソースを用いて、スパッタリング効率の低い種を主に含むガス混合物、特に酸素をベースとしたもの、からプラズマを発生させること、
-該基板の少なくとも一の表面部を該プラズマの照射対象とし、該イオン種が、該表面部に吸着または付着した汚染を、化学反応により、少なくとも部分的に除去することを特徴とする方法に関する発明である。 （もっと読む）

本発明は、ターゲットの背後の長方形ターゲット(32)の短側面(32c,32d)に沿って配置される操縦導体(62,64,66,68)を含む操縦磁場源と、ターゲット(32)の対向する長側面(32a,32b)に生成された磁場間のプラズマ流を閉じ込めるターゲット(32)の長側面(32a,32b)に沿って配置された磁気焦点合わせシステムとを提供する。プラズマ焦点合わせシステムは、カソードの作用軸からプラズマ流を偏向させるのに用いられ得る。各操縦導体(62,64,66,68)は、独立して制御され得る。さらなる実施形態において、電気的に独立している操縦導体(62,64,66,68)は、カソード板(32)の対向する長側面(32a,32b)に沿って配置され、一つの導体を流れる電流を変化させることにより、アークスポットの経路を浸食溝を広げるようにシフトする。本発明は、複数の内部アノードも提供し、プラズマ流を偏向するための取り囲みアノードを任意的に提供する。 （もっと読む）

物質処理に使用されるプラズマを制御するための方法および装置は、プラズマ容器および電源に連結された、共振回路およびスイッチ部の共同作用を特徴とする。プラズマ容器にあるプラズマの状態に関連する信号を取得するためのセンサーは、前記スイッチ部のクローズドループ制御に対応している。共振回路を短絡するためにスイッチ部を閉じることにより、前記センサーによって検出されたプラズマの好ましくない状態を取り除くことができる。 （もっと読む）

プラズマプロセスシステムは、プラズマ特性のその場測定を行う診断装置を備える。この診断装置は、通常、プラズマプロセスチャンバ内に配置された非侵襲性センサアレイと、このセンサを刺激する電気回路と、プラズマプロセスをモニタまたは制御するために、センサの測定値を記録して通信する手段とを備える。一実施形態では、このセンサは、入射荷電粒子電流と電子温度とを、プロセスシステム内のプラズマ境界近傍で測定する動的にパルス化したデュアルフローティング・ラングミュアプローブである。このプラズマ測定値を用いて、プロセス用プラズマの状態をモニタしてもよいし、プラズマプロセスを制御するのに用いるために、このプラズマ測定値をプロセスシステムコントローラに提供してもよい。 （もっと読む）

製造装置および方法は、ＴｉＡｌＮ等の融点の大きく異なる金属成分を持つ多元系被膜を、原料利用効率が高く、膜質の良い、溶融蒸発型イオンプレーティング法により作製する。この時、原料（４）を蒸発させるに必要な電力を最初に供給し、その後、最初の電力より順次増大した電力を、必要な最大電力に至るまで繰り返して供給する。同時に、原料を蒸発させるに必要な最初の領域にプラズマ（７）を収束させるためのプラズマ制御を行い、続いて、最初のプラズマ領域より最大のプラズマ領域に至るまでプラズマを連続的に順次移動・拡大せしめるプラズマ制御を行い、原料の未溶融部位を順次溶解させる。 （もっと読む）