【課題】量産対応のスパッタリング装置において、基板を入れ替えることによりプラズマ放電が不安定になることを抑制し、膜中への不純物混入による品質低下などが発生しないスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】回転テーブル６４、チムニ型防着板６７などのプラズマ放電空間近傍の構成物や電位関係の変化に同期させて、ターゲット６３に対して高周波電源６９から供給している高周波電力を制御し、プラズマの不安定要因を除去して不純物混入のない高品質な成膜を行なうスパッタリング方法である。 （もっと読む）

【課題】 非製品用基板を用いずに処理室内の状態安定化処理を実行可能とすることで，非製品用基板の搬送等にかかる時間を省き，製品用基板の処理のスループットを向上させる。
【解決手段】 処理室２０２内でウエハＷのプロセス処理を開始するのに先立って，サセプタ２０５にウエハＷを載置しない状態で，処理室内に所定のガスを供給しながら処理室内の排気を行って，サセプタ２０５に高周波電力を印加して，処理室内の状態を安定化させる処理を実行させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマの状態を乱すことなく、粒子密度を正確に測定できる光源を実現すること。
【解決手段】本光源は、管状の筐体１２と、筐体の内壁に沿って設けられた、冷却媒体を流通させる冷却媒体流通路３０と、筐体の先端に配設されたレンズ５０と、レンズの手前であって、筐体内部において、その筐体の軸に垂直に、相互に平行に、配設された第１電極４４及び第２電極４６と、その間に配設された絶縁スペーサ４６とを有する。第１電極、絶縁スペーサ及び第２電極の中央部を軸の方向に貫通する孔４７を有する。冷却媒体流通路の内壁に沿って、放電ガスを、レンズの裏面に向かって導入し、レンズで反射させて、孔を通して、流通させる放電ガス流通路を設けた。 （もっと読む）

【課題】陽極に形成された反応生成物を取り除くことができるシートプラズマ装置を提供する。
【解決手段】本発明のシートプラズマ装置１００は、内部を減圧可能な減圧容器６０と、プラズマガン１０と、減圧容器の内部においてプラズマを受ける平板状の陽極５１と、減圧容器の一部を成すように形成され、その内部に円柱状のプラズマ２２を流動させかつこの円柱状のプラズマをシート状のプラズマ２７に変形させるシートプラズマ変形槽２０と、減圧容器の一部を成すように形成された成膜槽３０と、陽極を回転させる回転機構７５と、陽極の背後にかつ円柱状のプラズマの中心軸２２Ａ上に配置された永久磁石５２と、シート状のプラズマと離れた位置に陽極の前面に対向するように配置された清掃部材７６と、清掃部材を陽極に押し付ける押付機構８１と、清掃部材とシート状のプラズマとの間に配置された遮蔽板８２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラズマ−エンハンスドコーティングプロセスをサポートする装置（８）に関する。
【解決手段】該装置は、プラズマ及び／又はコートされる基板及び／又はプラズマ生成のために設けられた電極の近傍に配置可能であり、プラズマ領域の側部又は面、又は基板又は基板を運搬する運搬要素を配置できる面、又は電極の１つ又はその一部を少なくとも部分的に囲む、又は制限するフレームが設けられていて、ガス状媒体を吸引可能な１つ又はいくつかの吸引開口部１０のあるキャビティ又は吸引チャネル１３が含まれている。 （もっと読む）

【課題】シート形状のプラズマを用い、処理対象が３次元構造である場合でも処理を均一に行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】中間電極から陽極に向かって引き出されたプラズマに対して、対向する方向からプラズマ軸に向かう一対の磁界を印加して該方向に交差する方向にプラズマ径を広げ、プラズマの断面形状を扁平にする。一対の磁界の印加方向を軸を中心に回転させ、プラズマの扁平な方向を軸を中心に傾斜させる。これにより、立体構造の基板の端部（側面部）にプラズマを傾斜させて接近させることができるため、基板の中央部と端部の処理速度の分布を低減し、処理速度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】被堆積面がダメージを受け難くかつ膜組成の変更が容易なマグネトロンスパッタリング技術を提供する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、各々が方向５１に延びた形状を有するターゲット部２１および２２を方向５２に並べてなりかつターゲット部２１および２２は組成が異なるスパッタリングターゲット２と、カソードマグネット１１と、基板３と、枠体１４１とこれに支持されたトラップマグネット１４３ａおよび１４３ｂとを備えたスパッタリングトラップ１４とを、ターゲット２と基板３とが枠体１４１の開口部１４２を挟んで向き合いかつターゲット２がカソードマグネット１１と基板３との間に介在するように配置し、カソードマグネット１１がターゲット部２１および２２と順次向き合うようにカソードマグネット１１をターゲット２に対して方向５２に相対的に移動させながらマグネトロンスパッタリング法により基板３上に膜を形成することを含む。 （もっと読む）

本発明は、プラズマ処理装置内に用いられるＲＦシャッターアセンブリを含む。ＲＦシャッターアセンブリは、プロセスの間、基板及びシャドウフレームの下でのプラズマクリープの総量を低減し、これにより不要な表面上で発生する堆積の量を低減する。不要な表面上での堆積の量を低減することにより、パーティクルの剥がれ落ち及びこれによる基板の汚染が低減されうる。
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【課題】プラズマを用いる成膜装置および成膜方法において、良質な膜を安定的に成膜できるようにする。
【解決手段】成膜ガスＧの導入と排気が可能な真空容器３１０と、真空容器３１０内に配置される、ターゲットＴを保持するターゲットホルダ１２と、ターゲットホルダ１２に対向して配置され、膜が形成される成膜用基板Ｂを保持する基板ホルダ１１と、ターゲットホルダ１２と成膜基板側との間にプラズマ空間Ｐを生成するプラズマ生成部１２、１３とを備えた成膜装置３００において、ターゲットホルダ１２の成膜基板側の外周を取囲み、成膜ガスＧが通過する間隙２０４を有するシールド層２５０aを、上下方向に複数間隔をおいて重なるようにターゲットＴと非接触状態で配置してなるシールド２５０を有する。 （もっと読む）

【課題】
本発明はプラズマベースイオン注入・成膜法を用いて、シール材、ドクターブレード、回転ローラー、粘着防止ロール、シート等に用いるフッ素系合成樹脂の表面を、印刷インク、塗料、液晶溶液、試薬、食品材料等となじみやすく・濡れやすくための親水化改質技術を提供するものである。
【解決手段】
プラズマベースイオン注入・成膜法を用いて、真空中で少なくとも一原子以上の酸素およびケイ素を含有するプラズマを発生させ、負の高エネルギー高周波パルス電圧を印加して、酸素およびケイ素イオン注入による傾斜構造と脱フッ素化後の極性基反応物を形成したフッ素系合成樹脂物品及びその親水化改質方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】
本発明はプラズマベースイオン注入・成膜法を用いて、耐食性タンクの内張材、回転ローラー表面、気密パッキン表面、各種粘着防止ロール、シート等のフッ素系合成樹脂の表面を、金属やセラミックス、他の高分子樹脂とを高い接着力を得るための表面改質技術を提供するものである。
【解決手段】
プラズマベースイオン注入・成膜法を用いて、真空中で少なくとも一原子以上のアルゴンまたは窒素を含有するアルゴンや窒素プラズマを発生させ、負の高エネルギー高周波パルス電圧を印加して、アルゴンまたは窒素イオン注入と傾斜構造を持った微細な凹凸形状を形成したフッ素系合成樹脂物品及びその表面改質方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】処理率が過大に低下することなく処理品質に対する高い要求も考慮される、アーク放電を識別する方法、アーク放電識別装置およびプラズマ給電部を提供する。
【解決手段】プラズマにおいて発生したアーク放電を識別するためにプラズマプロセスの特性量ＫＧを監視し、アーク放電の識別後に第１の時間ｔ１待機し、続いて特性量ＫＧを再度検査する、プラズマプロセスにおけるアーク放電を識別する方法であって、第１の時間ｔ１の経過後にアーク放電が識別されない場合には、アーク放電を抑制する第１の対抗措置を実施する。 （もっと読む）

基板上にコーティングを形成するためにターゲットのスパッタリングを発生させるための装置が提供される。本装置は、カソード及びアノードを具備するマグネトロンを備える。上記マグネトロンには電源が動作可能に接続され、上記電源には少なくとも一つのキャパシタが動作可能に接続される。本装置は、また、上記少なくとも一つのキャパシタに動作可能に接続されたインダクタンスを備える。第１のスイッチは、上記マグネトロンを充電させるために上記マグネトロンに上記電源を動作可能に接続し、上記第１の電源は、第１のパルスにより上記マグネトロンを充電させるように構成される。第２のスイッチは、上記マグネトロンを放電させるために動作可能に接続される。第２のスイッチは、第２のパルスにより上記マグネトロンを放電させるように構成される。
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【課題】比較的低温下で、シリコンドットの欠陥発生や集合、プラズマダメージを抑制して、粒径の制御性よく、基板間での再現性よくシリコンドットを形成する。また、比較的低温下で、シリコンドット粒径の制御性及び絶縁膜厚さの制御性良好に基板間での再現性よくシリコンドット及び絶縁膜を形成する。
【解決手段】低インダクタンス内部アンテナ１２（２２）にてシリコンドット形成用ガス（絶縁膜形成用ガス）から誘導結合プラズマを生成させ、該誘導結合プラズマのもとで基板ＳにシリコンドットＳｉＤ（絶縁膜Ｆ）を形成し、且つ、プラズマが不安定状態にある間は基板Ｓを不安定プラズマに曝さない状態におき、プラズマが安定化すると基板Ｓを安定化プラズマに臨ませてシリコンドット形成（絶縁膜形成）を開始させるシリコンドット形成方法及び装置１（シリコンドット及び絶縁膜付き基板の形成方法及び装置Ａ）。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_x膜、ＳｉＯＮ膜などのシリコン化合物薄膜の形成において、所望の屈折率と所望の希土類添加状態とが実現できるようにする。
【解決手段】まず、内部を所定の圧力に減圧した後、ガス導入部１０６からガスを導入し、プラズマ生成室１０１で第１プラズマを発生させる。また、ガス導入部１３３からＡｒなどのスパッタガスを導入しスパッタ室１０３内で第２プラズマを発生させる。このように２つのプラズマを生成した状態で、第１プラズマとソースガス導入部１０７から供給されるシリコンソースガスとにより、成膜室１０２内の設置されている基板１０５の表面にＰＥＣＶＤ法により薄膜を形成させる。同時に、スパッタ室１０３において、第２プラズマにより希土類元素ターゲット１２１をスパッタし、このことにより発生した元素を基板１０５に形成されている薄膜に添加させる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法等のプラズマを用いる気相成長法により膜を成膜する成膜方法において、良質な膜を安定的に成膜することを可能とする。
【解決手段】成膜温度Ｔｓ（℃）と、成膜時のプラズマ中のプラズマ電位Ｖｓ（Ｖ）と、成膜される膜の特性との関係に基づいて、成膜条件を決定する。１種又は複数種のＰｂ含有ペロブスカイト型酸化物からなる圧電膜では、下記式（１）及び（２）、又は（３）及び（４）を充足する範囲で成膜条件を決定することが好ましい。
４００≦Ｔｓ（℃）≦４７５・・・（１）、
２０≦Ｖｓ（Ｖ）≦５０・・・・・・（２）、
４７５≦Ｔｓ（℃）≦６００・・・（３）、
Ｖｓ（Ｖ）≦４０・・・・・・（４） （もっと読む）

【課題】 基板の第１部分に導電性領域を形成する方法を提供する。
【解決手段】 本方法は、パルス変調電気バイアスの下で実質的に完全に電離した金属イオンのフィルタリングされたビームに第１部分を露出させる工程を含む。本方法は、ＦＣＶＡ(フィルタ処理陰極真空アーク)法を用いて、フィルタリングされたイオンビームを生成し、高アスペクト比のバイアおよびトレンチにおいてもコンフォーマルな金属コーティングの形成を可能にする。また本方法は、バイアおよびトレンチを充填した導電性配線の形成も可能にする。実施の形態は、銅イオンの堆積に関する。基板に金属を堆積する適応ＦＣＶＡ装置および基板に衝突するイオンビームを制御する制御装置も、開示される。制御装置は、既存のフィルタリングされたイオンビーム源内に組み込むのに適している。 （もっと読む）

【課題】プラズマを用いる成膜装置および成膜方法において、良質な膜を安定的に成膜できるようにする。
【解決手段】成膜ガスＧの導入と排気が可能な真空容器３１０と、真空容器３１０内に配置される、ターゲットＴを保持するターゲットホルダ１２と、ターゲットホルダ１２に対向して配置され、膜が形成される成膜用基板Ｂを保持する基板ホルダ１１と、ターゲットホルダ１２と成膜基板側との間にプラズマ空間Ｐを生成するプラズマ生成部１２、１３とを備えた成膜装置３００において、ターゲットホルダ１２の成膜基板側の外周を取囲み、成膜ガスＧが通過する間隙２０４を有するシールド層２５０aを、上下方向に複数間隔をおいて重なるようにターゲットＴと非接触状態で配置してなるシールド２５０を有する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法等のプラズマを用いる気相成長法により膜を成膜する成膜方法において、良質な膜を安定的に成膜することを可能とする。
【解決手段】成膜温度Ｔｓ（℃）と、成膜時のプラズマ中のプラズマ電位Ｖｓ（Ｖ）とフローティング電位Ｖｆ（Ｖ）との差であるＶｓ−Ｖｆ（Ｖ）と、成膜される膜の特性との関係に基づいて、成膜条件を決定する。１種又は複数種のＰｂ含有ペロブスカイト型酸化物からなる圧電膜では、下記式（１）及び（２）を充足する範囲で成膜条件を決定することが好ましい。
Ｔ（℃）≧４００・・・（１）、
−０．２Ｔｓ＋１００＜Ｖｓ−Ｖｆ（Ｖ）＜−０．２Ｔｓ＋１３０・・・（２） （もっと読む）

【課題】交流電源が接続されたターゲット対を複数並設し、異なる交流電源に接続された相互に隣接するターゲット間の出力電位差を原因とするグロー放電の揺らぎを抑えて安定したプラズマ雰囲気を形成するとともに、異常放電が生じた場合に発生する大きなアークエネルギーを抑えることができる薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供することを課題とする。
【解決手段】並設したターゲット対のうち、異なる交流電源に接続された相互に隣接するターゲット間の出力を比較し、出力電位差が所定値を超えた場合に、上記交流電源の出力を調整して出力電位差を上記所定値以下に収束させる薄膜形成方法とこの薄膜形成方法を実施する薄膜形成装置を提供する。
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