【課題】ターゲットのスパッタ速度を磁界により容易に調整可能なシート状プラズマによるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１００は、プラズマ２２を輸送方向に向けて放出可能なプラズマガン４０と、輸送方向に延びる輸送空間２１を有する形成室２０と、形成室２０の輸送空間を輸送方向に対して交差する向きに挟み、同極同士が向き合った磁界発生手段の対２４Ａ、２４Ｂと、輸送空間２１に連通する成膜室３０と、成膜室３０内に配置されたターゲット３５Ｂを輸送方向に沿った向きに挟み、異極同士が向き合った電磁コイルの対３２、３３と、電源Ｖ３とを備え、プラズマ２２は、磁界発生手段の対２４Ａ、２４Ｂの磁界によりシート状に拡がり、バイアス電圧によるターゲット３５Ｂへのシート状プラズマ２７中の荷電粒子の入射に基づくターゲット電流量が、電磁コイルの対２４Ａ、２４Ｂのコイル磁界に基づき調整される装置である。 （もっと読む）

【課題】安定的にｐ型のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を成膜することができるｐ型Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜の成膜方法を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｉｎ，Ｇａ，及びＺｎを含むターゲット２を用い、酸素ガス，窒素ガス及び不活性ガスを含む雰囲気下で、複数のカソード３，４に交互にパルス電圧を印加してスパッタすることにより、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜中に窒素を導入し、ｐ型のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 二次電子によって発生するウェハーの汚染を防止できるプラズマを用いたイオン注入装置を提供する。また、ＲＦ電界によってチェンバー内で発生するアーク放電を低減できるプラズマを用いたイオン注入装置を提供する。さらに、広い圧力条件で安定的なプラズマの生成を可能にし、薄い接合深さを維持しながら、多量のイオンをウェハーに注入するのに適したプラズマを生成できるプラズマを用いたイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ発生ユニットと、該プラズマ発生ユニットから生成されたプラズマのイオンを試料に注入するためのイオン注入ユニットと、該イオン注入ユニットに設けられ、帯電現象を防止するために接地された伝導体と、を含んでプラズマを用いたイオン注入装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】物理気相蒸着（ＰＶＤ）装置とＰＶＤ法を開示する。
【解決手段】ターゲットと基板との間の処理空間にアノードを延ばすことで、基板への堆積の均一度が上昇する。アノードはプラズマ内で励起される電子の接地経路となり、プラズマ内の電子をチャンバ壁部に集めるのではなく、処理空間全体にわたって均一に分散させる。プラズマ内で電子を均一に分散させることで、基板上に材料が均一に堆積される。アノードを冷却液で冷却してアノードの温度を制御し、剥離を軽減してもよい。アノードは処理空間全体にわたって、スパッタリングターゲットの背面全体を二次元方向に走査するマグネトロンの長辺に直角に配置してもよい。走査マグネトロンによりアノードの局所的な加熱が軽減される。 （もっと読む）

プラズマ処理チャンバ内のプラズマ非拘束状態を検出するように設計されている汎用プラズマ非拘束状態検出システムと方法とが開示されている。このシステムと方法は処理とは独立したレシピに依存する方法でプラズマ非拘束状態の存在を信頼性高く、正確に検出するように設計されている。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子の保護膜形成する際に、効果的に成膜速度の低減を防ぎ、かつ、有機ＥＬ素子の物理的ダメージを抑えた、スパッタリング法による有機ＥＬ素子の製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板上に形成した有機エレクトロルミネッセンス素子上に保護膜を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、プラズマ発光強度をモニターして、反応性ガスの導入量を制御するプラズマエミッションモニタリングによるスパッタリング法で、前記保護膜を形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】良好な強誘電体膜を容易に効率よく製造する強誘電体膜の製造方法及び強誘電体膜の製造装置を提供する。
【解決手段】ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、カソードに設けた強誘電体を原料とするターゲットを用いて、アノードに設けた基板の上に強誘電体膜を形成する強誘電体膜の製造方法において、前記基板を加熱するための基板加熱工程と、前記強誘電体膜となる、前記基板に飛来し堆積する前記強誘電体の帯電した粒子を中和するための帯電粒子中和工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】面積の大きな基材に対して、均一に、スパッタリングによる成膜と、プラズマイオン注入による表面改質とを行うことが可能な基材表面処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の基材表面処理装置１００は、成膜槽３０と、該成膜槽３０の内部にシート状プラズマ２７を発生させるシート状プラズマ発生装置と、前記成膜槽３０の内部に配置されたスパッタリングターゲット３３Ａと、該スパッタリングターゲット３３Ａに対向するよう前記成膜槽３０の内部に配置された基材３４Ａを保持可能な基材ホルダ３４と、前記スパッタリングターゲット３３Ａに、前記シート状プラズマ２７の電位に対して負の直流バイアス電圧を印加するためのバイアス電圧印加装置Ｖ_２と、前記基材ホルダ３４を介して前記基材３４Ａに、前記シート状プラズマ２７の電位に対して負のパルス電圧を印加するためのパルス電圧印加装置Ｐと、を備える。 （もっと読む）

【課題】エロージョンの進行したターゲットによりスパッタリングしても良好な結晶性を有する強誘電体膜を形成し、歩留まりを向上させる技術を提供する。
【解決手段】減圧成膜室１１と、被処理基板１４の温度を調整可能な静電チャック手段１２と、被処理基板１４に高周波マグネトロンスパッタするためのターゲットと１５と、減圧成膜室１１に放電ガスを供給するガス供給手段１１ａと、被処理基板１４とターゲット１５との間に放電電圧を印加し、かつターゲット１５がそれまでに放電した電気の積算電力量Ｌ１（ｋＷｈ）を計測する電源手段１７と、静電チャック手段１２と電源手段１７とを制御する制御手段１８とを備え、ターゲット１５がそれまでに放電した電気の積算電力量に基づいてスパッタリングに最適な被処理基板１４の温度を算出し、被処理基板１４を所定の温度に調整した後にスパッタリングする。 （もっと読む）

【課題】層状堆積物と柱状堆積物の技術的利点、すなわち、低熱伝導性、良好な寿命、良好な耐腐食性、および高い収率と堆積速度という利点を併せ持つ堆積物を得ることを可能にする。
【解決手段】本発明は基板上に材料を堆積する方法の分野に関する。それは、基板上に熱障壁として働き、堆積前に粉体の状態である材料を堆積する方法に関する。粉体は第１プラズマトーチ（１０）のプラズマジェット（１２）および少なくとも１個の第２プラズマトーチ（２０）のプラズマジェット（２２）中に導入され、第１プラズマトーチ（１０）および少なくとも１個の第２プラズマトーチ（２０）は容器（２）中に配設され、そのプラズマジェット（１２、２２）が交差して粉体を気化する合成プラズマジェット（３０）を生成するように配列され、基板（４０）は合成プラズマジェット（３０）の軸上に配置される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成する重合膜の膜厚の分布を、容易かつ確実に制御できる成膜装置を提供すること。
【解決手段】成膜装置１は、チャンバー２と、膜を形成する基板１０を保持する静電チャック（保持手段）３と、チャンバー２内に膜材料を含むガスを供給するガス供給手段４と、静電チャック３との間に電界を付与する電界付与手段５と、チャンバー２内を減圧する減圧手段６とを備えている。この成膜装置１は、電界を付与することにより、膜材料を含むガスをプラズマ化するとともに、膜材料を重合して、基板１０の表面に重合膜を形成する。また、静電チャック３は、基板１０を保持する保持部３１と、保持部３１内に埋設された複数の吸着用電極と、これらの吸着用電極に電圧を印加する電源３３とを有している。そして、成膜装置１は、複数の吸着用電極に印加する電圧の値を異ならせることにより、形成される重合膜の厚さの分布を制御するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】スパッタ装置における異常放電を防止するためのスパッタ装置を提供する。
【解決手段】スパッタ装置１は、ターゲット２の周囲を囲み、スパッタ粒子を放出させるための開口部６を有し、導電性材料からなるカバー４と、ターゲット２からのスパッタ粒子を基板３上に付着させるための開口部７を有し、導電性材料からなるカバー５と、カバー４と５の間に配置され、開口部６と７とを環状部の中空部を通して連通させ、絶縁性材料からなるＯリングと８を有する。さらに、スパッタ装置１は、カバー４と５の少なくとも一方の、Ｏリング８側の面上に絶縁性材料を介して設けられ、導電性材料からなるカバー９とを有する。 （もっと読む）

【課題】原料粒子に超微粒子を均一に付着させることが可能な粉体処理装置の提供。
【解決手段】移動機構によって原料粒子を移動させながら、真空雰囲気中で超微粒子を付着させる粉体処理装置１であり、振動発生装置２９によって原料粒子を転がり移動させながら、蒸気を到達させる。蒸気中の超微粒子が均一に付着する。偏向装置５２によって電荷質量比が大きな微小荷電粒子を偏向させて原料粒子に到達させ、中性粒子や巨大荷電粒子が到達しないようにすると、超微粒子によって均一な薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】従来知られている硬質皮膜の耐摩耗性をさらに向上させることのできる切削工具用硬質皮膜を提供することを目的とする。
【解決手段】工具の表面に被覆される硬質皮膜であって、（Ｃｒ_1-a-bＡｌ_aＳｉ_b）（Ｂ_xＣ_yＮ_1-x-y）からなり、それぞれの原子比が、
０＜ａ≦０．４
０．０５≦ｂ≦０．３５
０．２５≦１−ａ−ｂ≦０．９
０≦ｘ≦０．１５
０≦ｙ≦０．５
または、（Ｍ_1-a-bＡｌ_aＳｉ_b）（Ｂ_xＣ_yＮ_1-x-y）からなり、それぞれの原子比が、
０．０５≦ａ≦０．５
０．１＜ｂ≦０．３５
０≦ｘ≦０．１５
０≦ｙ≦０．５
（但し、Ｍは、ＴｉとＣｒ）
からなる硬質皮膜を提供する。 （もっと読む）

【課題】強いポテンシャル変調を有するとともに、ヘテロ界面においても急峻なN原子の濃度勾配を有する、GaNAs等のIII-V(N)族化合物半導体多層体の製造方法を提供する。
【解決手段】真空容器にGa(III族元素)粒子ビーム源、As(V族元素)粒子ビーム源、及びN(窒素)粒子ビーム源を設け、GaNAs層(N含有層)を形成する際にのみプラズマを点火して窒素粒子ビームを生成し、GaAs層(N非含有層)を形成する際にはプラズマを消火することによりGaAs層のN原子含量を1%未満としかつGaNAs層のN原子含量を1〜10%とする化合物半導体多層積層体の製造が可能となった。 （もっと読む）

電気又は電子装置を式(Ｉ) [式中R¹、R²及びR³は独立に水素、アルキル、ハロアルキル又は場合によりハロ置換されたアリールより選択され、またR⁴はX-R⁵基であり、式中R⁵はアルキル又はハロアルキル基であり、またXは結合、式-C(O)O(CH₂)_nY-で示される基(式中nは1ないし10の整数であり、Yは結合又はスルホンアミド基である)、又は-(O)_pR⁶(O)_q(CH₂)_t-基(式中R⁶は場合によりハロ置換されたアリールであり、pは0又は1、qは0又は1であり、またtは0であるか又は1ないし10の整数であり、ただしqが1ならばtは0以外である)である。] で示される化合物を含んでなるパルスプラズマに、該装置の表面上に高分子層を堆積させるに足る時間にわたり暴露することによって形成されることを特徴とする高分子被膜を有する電気又は電子装置。この種の装置は液体特に環境液体による損傷から保護される。
（もっと読む）

【課題】特にスパッタなどのプロセスを用いて半導体や液晶基板などを製造する製造装置分野において、プロセスの過程で発生するアークを抑制し、発生したアークエネルギを最小限に抑えるのに適した交流型の電源装置およびその装置におけるアーク抑制方法を提供する。
【解決手段】交流電源装置６２は、アース電流検出器６５、電力制御／発振部６３、発振制御手段６４および直流制御用電源３７を備える。交流電源装置６２のシャーシと負荷装置２４のシャーシ６６との間にアース線を接続し、かつ商用交流電源２２と交流電源装置６２のシャーシとの間にアース線を接続する。アース電流検出器６５はアース電流を検出し、発振制御手段６４は、アース検出器６５により検出されたアース電流に基づいてアークの発生を検出し、高周波電力変換器３０に負荷装置２４へのエネルギ供給を遮断させる。 （もっと読む）

【課題】アークを迅速かつ確実に識別することができる、アーク識別方法およびアーク識別装置を提供すること。
【解決手段】ａ．評価信号である出力信号または出力信号と関連する信号が、評価信号の半波が正の場合には基準値を超える時点、または、評価信号の半波が負の場合には基準値を下回る時点を突き止め、ｂ．当該時点に続く時点、すなわち、評価信号が同じ半波内で、評価信号の半波が正の場合には基準値を下回る時点、または評価信号の半波が負の場合には基準値を上回る時点を突き止め、c．当該時点のうちの少なくとも１つの時点を用いて、少なくとも１つの時間区間を突き止め、ｄ．出力信号の後続の半波に対して、ステップａ）〜ｃ）を繰り返し、ｅ．相応する時間区間を比較し、ｆ．相応する時間区間が所定の許容差を超えて相違している場合にアーク識別信号を生成する、プラズマ処理におけるアーク識別方法。 （もっと読む）

【課題】
異常放電防止機能が働く際には、直流電源装置から異常放電防止装置に流れる電流を最小にすること。
【解決手段】
真空装置の異常放電防止装置は、真空負荷における異常放電発生の発生を検出したときに異常放電検出信号を発生、又は異常放電発生の予兆を検出したときに異常放電予知信号を発生、あるいは前記真空負荷における異常放電の発生を予防するために周期的に発生される異常放電予防信号を発生し、インバータと制御回路との間に設けられたゲート回路は、異常放電防止装置が異常放電に関する信号を出力するときに、前記制御回路と前記インバータのスイッチング半導体素子の制御端子との間を予め設定された通過禁止期間だけ遮断して、通過禁止期間中は制御信号を前記インバータに通過させず、通過禁止期間が経過したときに制御信号を前記インバータに通過させることを特徴とする真空装置。 （もっと読む）

【課題】アーク放電の発生を防止すると共に、負荷装置へ供給する高周波交流電力の遮断制御を高速にかつ連続的に実現可能な交流電源装置およびその装置におけるアーク防止方法を提供する。
【解決手段】電流レベル設定器３３は、直流電力指令値および放電電圧値から演算された値と、高周波トランス１０の巻線比とに基づいて電流レベル指令値を設定する。指令選択器３４は、定常モードの電流レベル指令値または起動・再起動モードの電流レベル指令値を設定する。第１の比較器４３は、電流レベル値と電流レベル指令値とを比較し、電流レベル値が電流レベル指令値と同等または上回ったときに、遮断信号発生器４４に制御遮断信号を出力させる。ゲート制御・遮断器５４は、スイッチング制御信号ＧのパルスをＯＦＦする。 （もっと読む）