【課題】 複数枚のターゲットを並設し、この並設したターゲットに、複数台のバイポーラパルス電源を介してバイポーラパルス状に電力投入してスパッタリング法を実施する際に、簡単な制御でスイッチングノイズの影響を受け難くしてターゲットに精度よく投入電力できるようにする。
【解決手段】 対をなすターゲット毎に、直流電力供給源からの正負の直流出力端に接続したブリッジ回路５２の各スイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ４のオン、オフを切換えてバイポーラパルス状に電力供給し、各ターゲットをスパッタリングするスパッタリング方法において、前記直流電力供給源からの正負の直流出力間に設けた出力短絡用スイッチング素子ＳＷ０の短絡状態で前記スイッチング素子のオン、オフの切換えを行うと共に、出力短絡用スイッチング素子の切換えのタイミングをブリッジ回路毎に相互にずらす。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ターゲット上でのアーク放電の発生を長期的に抑制でき、かつ、速い成膜速度にて非常に薄い膜を高い面内均一性で確保できるスパッタリング方法及び装置を提供するものである。
【解決手段】真空容器中に、形成したい薄膜の成分の一部または全部からなる複数のターゲットを配し、前記真空容器中にガスを導入し前記複数のターゲットのうち少なくとも一つのターゲットに電圧を印加することで真空容器中にプラズマを発生させ、絶縁物の成膜を行うスパッタリング方法において、正の逆パルスを印加する毎に周波数または印加時間の少なくとも１つを変化させる。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜の成膜後に別な工程を付加することなく透明導電膜にテクスチャを形成することを可能にし、テクスチャを備えた透明導電膜を容易に形成することが可能な透明導電膜の製造装置を提供する。
【解決手段】互いに対面するバッキングプレート（第一電極）２３と基板トレイ２２との間、即ち、ターゲット２４と基板２１との間には、第二電極２７が形成される。この第二電極２７は、例えば、ターゲット２４の周縁と基板２１の周縁とを結ぶ面Ｓによって区画された領域Ｅよりも外側で、側端がこの面Ｓに臨むように配されていれば良い。この第二電極２７は、負電位の電圧が印加するための第二電源１６に接続され、スパッタリング時に負電位の電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】Ｚｎ含有複合酸化物膜の成膜方法において、Ｚｎ抜け問題を解決して、所望の組成比を有する良質のＺｎ含有複合酸化物膜の成膜を可能とする。
【解決手段】 プラズマを用いるスパッタ法により、ターゲットホルダ上のターゲットの構成材料を、ターゲットと離隔した位置にある成膜基板に成膜するＺｎ含有複合酸化物膜の成膜方法において、成膜時のプラズマ中のプラズマ電位Ｖｓ（Ｖ）とフローティング電位Ｖｆ（Ｖ）との電位差Ｖｓ−Ｖｆ（Ｖ）を、成膜された膜中のＺｎが逆スパッタされる閾値以下となるように制御して膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、簡単な制御で、逆スパッタの防止による膜の高品質化、組成ズレの制御および成膜の再現性向上を図り、膜質の変化のない高品質な圧電膜、絶縁膜や導電体膜などの薄膜を成膜することができるスパッタリング方法およびスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に、ターゲット材を保持するスパッタ電極およびスパッタ電極と対向離間配置され、基板を保持する基板ホルダを有し、さらに基板ホルダのインピーダンスを調整するための調整可能なインピーダンス回路を備えるインピーダンス調整回路とを有し、インピーダンス回路のインピーダンスが調整されることにより、基板ホルダのインピーダンスが調整され、基板の電位が調整されることにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 基板ホルダーが移動しても、整合状態が大きく変化することなく、インピーダンスの整合状態が維持されることを課題とする。
【解決手段】上記課題を解決するため、本願に係わる基板処理装置は、処理チャンバー、前記処理チャンバー内に位置し、基板を保持するための基板ホルダー、前記基板ホルダーに高周波電力を供給するための高周波電源、前記基板ホルダーと前記高周波電源との電気的に間に位置する整合器及び前記基板ホルダーと前記整合器を一体に移動させる移動機構を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマガンの放電時において中間電極を流れる電流の制限を適切に行えるプラズマ装置を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ装置１００は、カソードユニット４１および中間電極Ｇ₁、Ｇ₂を有して、カソードユニット４１と中間電極Ｇ₁、Ｇ₂との間にグロー放電を形成するとともに、カソードユニット４１とアノードＡとの間にアーク放電を形成するプラズマガン４０と、プラズマガン４０に電力を供給するプラズマガン電源５０と、を備え、グロー放電時およびアーク放電時に中間電極Ｇ₁、Ｇ₂を流れる電流を制限する抵抗値を変更可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】長尺の基材フィルムを一度に投入でき、かつ連続成膜した導電性薄膜の抵抗値分布を保証し制御することができるとともに均一な膜質の導電性薄膜を連続して形成できる真空成膜装置を提供する。
【解決手段】ロール・トゥ・ロール方式真空成膜装置５０において、導電性フィルム５８の表面抵抗値を測定する非接触式の抵抗測定手段５６に加えて、成膜手段５５ｂと巻取り手段５４との間に導電性フィルム５８の光線透過率及び／または光線反射率を連続して計測する光線測定手段６０と、抵抗測定手段５６で測定された表面抵抗値及び光線測定手段６０で計測された光線透過率及び／または光線反射率に基づいて導電性薄膜の膜特性が均一になるように成膜手段５５ａ，５５ｂの成膜条件を調整する制御手段６５を備える構成にした。 （もっと読む）

【課題】 複数の磁石を必要とせず、磁石の表面の磁束密度を容易に均一化する磁石ホルダを備えるスパッタリング装置を安価に提供する。
【解決手段】 スパッタリング装置が、プラズマガンと、プラズマ形成室と、一対の磁石１１Ａ，１１Ｂと、一対の磁石ホルダ２５Ａ，２５Ｂと、真空成膜室と、電磁コイルと、電源と、を備え、前記一対の磁石ホルダは、それぞれ、その有効主面に対向する第１の構成部材２８Ａ，２８Ｂと、前記有効主面以外の部分に対向する第２の構成部材２６Ａ，２６Ｂ，２７Ａ，２７Ｂと、を有し、第１の構成部材２８Ａ，２８Ｂが磁性材料からなる。 （もっと読む）

【課題】良質の膜、特に、成膜室内残留水分に起因する酸素及び（又は）水素の取り込みの抑制された膜を形成できるアーク式イオンプレーティングによる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器（成膜室）２内の水分を冷却捕捉する冷却器５１部分が室２内に設置されたコールドトラップ装置５と、蒸発源１のカソード１１のカソード材料蒸発面１１１の前方において収束せず平行進行又は発散する磁力線ｍＬからなる磁場をプラズマの生成領域に印加する磁場形成手段３００と、カソード材料蒸発面１１１におけるいずれの位置からも冷却器５１を見通せなくするとともに磁場形成手段３００が発する磁力線ｍＬに沿ってプラズマが冷却器５１へ達することを遮るための遮蔽部材６とを備えているアーク式イオンプレーティングによる成膜装置Ａ。 （もっと読む）

【課題】予め定めた加速エネルギで加速されなくなったイオンの被成膜物品への接触による膜密着性低下、膜質悪化等の不良膜形成が抑制され、それだけ所望の良好な膜を形成できる膜形成方法及び該方法の実施に用いることができる膜形成装置を提供する。
【解決手段】成膜室１内のホルダ２に被成膜物品Ｗを支持させ、プラズマ生成部（例えばアーク蒸発源４及びガス供給装置５を含むプラズマ生成部）にてプラズマを生成し、該プラズマ中のイオンをイオン加速装置６により物品Ｗへ向け加速照射し、該イオン加速照射工程を１回又は２回以上実施して物品Ｗに膜形成する膜形成方法及びこれを実施する装置Ａ。物品Ｗへのイオン加速照射工程では、イオン加速エネルギが予め定めた基準加速エネルギよりも、予め定めた基準時間を超えて連続的に低くなると、プラズマの物品Ｗとの接触を予め定めた時間断つ。 （もっと読む）

ワークピース上への材料のプラズマ支援物理的気相堆積において、金属ターゲットは、ワークピースの直径未満の、ターゲットからワークピースまでの間隔を横断してワークピースに面する。キャリアガスは、チャンバー内に導入され、チャンバー内のガス圧力は、平均自由行程が前記間隔の５％未満である閾値圧力以上に維持される。ＶＨＦ発生器からのＲＦプラズマ源電力は、ターゲットに容量結合プラズマを発生させるためにターゲットに印加され、そのＶＨＦ発生器は、３０ＭＨｚを越える周波数を有する。プラズマは、ワークピースを通ってＶＨＦ発生器の周波数での第１のＶＨＦ大地帰還経路を提供することによってワークピースまで前記間隔を横断して広げられる。
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【課題】比較的簡単な構成でドロップレットをより確実に排除することができる成膜装置及び成膜方法並びに磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録装置の製造方法を提供する。
【解決手段】グラファイトからなる筒状のアノード電極２４の内側に、グラファイトからなるカソード電極２１が配置される。アノード電極２４とカソード電極２１との間に電源２６から電力が供給し、アーク放電を発生させてカソード電極２１の周囲に炭素イオンを含むプラズマを生成する。このプラズマは、アノード電極２４に設けられた開口部を介して外部に出て、コイル２５による磁場で進行方向が曲げられ、基板まで搬送される。そして、プラズマ中の炭素イオンが基板の面上に堆積してＤＬＣ膜が形成される。一方、アーク放電により発生したドロップレットは、磁場の影響を殆ど受けず、プラズマの搬送方向とは無関係の方向に飛散して、ＤＬＣ膜に付着することが回避される。 （もっと読む）

【課題】高周波プラズマ発生セルから放出されるＨＢ（High brightness）放電プラズマフラックスに含まれる電気的に中性な励起原子、基底原子および励起分子を含む活性種量を、電流をもって直接的に検出し、該検出電流値に基づき活性種フラックス量を算定する、高精度でかつ製造コストの安価な原子フラックス測定装置を提供すること。
【解決手段】 直流電源により予め定めた負電位にバイアスされた原子プローブ電極の前方に配置した荷電粒子排除器により高周波プラズマ発生セルから放出されるＨＢ放電プラズマに含まれる活性種フラックスに含まれる荷電粒子を排除して上記原子プローブ電極に活性種フラックスを導入し、該原子プローブ電極における上記活性種の電離に応じて上記第１電流検出器により検出される電流値に基づき演算手段によりＨＢ放電プラズマに含まれる活性種フラックスに含まれる原子フラックス量を算定する。 （もっと読む）

【課題】 速い成膜速度においても膜が受けるダメージを最小限に留めることができ、かつ連続成膜可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】反応性スパッタリング法を用いて金属化合物を成膜する際に支持基板にバイアス電圧を印加するバイアススパッタリング法を実施する装置であって、
支持基板搬送部と、該支持基板搬送部と対向するように設けられたターゲットを含むカソードとを有し、支持基板搬送部とターゲットの間を支持基板が搬送されることによって金属化合物を成膜し、
支持基板上にて、磁場が閉じアーチ状磁力線の平行または平行に近いトンネル部分が連続で楕円ないし多角形を描くようにＳ極とＮ極のうち一方の磁極とそれを囲む逆の磁極とを有するマグネットを支持基板搬送部の支持基板と反対側に配置し、
前記トンネル部分に対し同一平面上で略垂直な方向に支持基板を搬送しながら成膜することを特徴とする反応性スパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング装置及びスパッタリング装置を使用した平板表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内部に設置されて基板を支持する基板支持部と、基板上に蒸着されるターゲット物質を含むターゲット部と、基板のエッジを取り囲むように基板と所定間隔離隔されて配置されるマスク部と、マスク部を支持し、アース電位に接続されるシールド部と、マスク部とシールド部とを結合させ、絶縁性物質を含む絶縁部材と、スパッタリング装置の非放電時に、マスク部の短絡如何を検出できるマスク短絡検出手段と、を備えるスパッタリング装置である。 （もっと読む）

基板に形成された高いアスペクト比を有するキャビティの表面上に、絶縁層をスパッタ堆積するための方法および装置が提供される。絶縁層に含まれる材料から少なくとも一部が形成されるターゲットおよび基板が、ハウジングによって画定される実質的に閉鎖されたチャンバ内に設けられる。実質的に閉鎖されたチャンバ内でプラズマが点火され、少なくとも一部がターゲットの表面の近傍にプラズマを含むように磁界がターゲットの表面の近傍に生成される。カソードとアノードとの間に高出力電気パルスを反復的に確立するように、電圧を急速に上昇させる。電気パルスの平均出力は少なくとも０．１ｋＷであり、任意でより大きくすることができる。スパッタ堆積の動作パラメータは、金属モードと反応モードとの間の移行モードで、絶縁層のスパッタ堆積を促進するように制御される。
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【課題】優れた結晶性を有するＩＩＩ族窒化物半導体層を形成できる製造装置を提供する。
【解決手段】基板１１上にＩＩＩ族窒化物半導体層をスパッタ法によって形成するための製造装置であって、チャンバ４１と、チャンバ４１内に配置されたＩＩＩ族元素を含有するターゲット４７と、ターゲット４７をスパッタして原料粒子を基板１１に供給する第１プラズマを発生させる第１プラズマ発生手段５１と、窒素元素を含む第２プラズマを発生させる第２プラズマ発生手段５２と、第１プラズマ発生手段５１と第２プラズマ発生手段５２とを制御して、チャンバ４１内に第１プラズマと第２プラズマとを交互に発生させる制御手段とを備えるＩＩＩ族窒化物半導体層の製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】基板の向きにかかわらず、均一に処理することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】中間電極から引き出されたプラズマに磁界を印加して扁平に広げ、さらに、磁界を印加して、凸型のプラズマ１１に変形させる。基板保持部１６は、基板６を保持する面が、プラズマ１１に対して凹型のドーム状である。これにより、均一なプラズマを基板に接触させることができる。また、坩堝８として開口径が、基板ホルダー１６の径より小さいものを用いることより、基板６到達時の蒸気量を基板６上で均一にすることができ、イオンプレーティングによる均一成膜が可能である。 （もっと読む）

本発明は、基材が次々と少なくとも１つのプラズマ処理ゾーンを通り搬送される、１つ又は複数の鋼製品を含む連続基材のプラズマ処理用の方法及びシステムであって、処理ゾーン内でプラズマを発生させるための電力が、基材がこのゾーンを通過しているときこの処理ゾーン内に存在する基材の面積に応じて変化することを特徴とする方法及びシステムに関する。
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