【課題】成膜速度を損なうことなく、平滑性に優れた薄膜を形成する成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】固体物質を有するターゲット２に、第１のレーザ光源４からレーザ光６を照射して、ターゲット２の固体物質を飛散させる工程と、飛散された固体物質に第２のレーザ光源５からレーザ光７を照射する工程とを有し、飛散された飛散物質を基板３に付着させて成膜する。 （もっと読む）

【課題】 放電初期状態のバッチ間差を保証して、所定の組成の膜を効率よく形成することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】 本発明の成膜方法は、チャンバ内にスパッタリングガスおよび反応ガスを供給して所定の真空度に保ち、チャンバ内に設けられ、ターゲット保持部により基板に対向して保持された金属ターゲットに電圧を印加してスパッタリングを行い基板に所定の膜を形成するものである。ターゲット保持部には、金属ターゲットが基板と対向する側の反対側にマグネットが移動可能に設けられている。マグネットは基板と金属ターゲットとが対向する方向に移動手段により移動される。チャンバ内にスパッタリングガスだけを供給し、この状態で、金属ターゲットに所定の電流または電力を印加させたとき、金属ターゲットの電圧を測定し、かつ放電の検出を開始し、その電圧が所定の電圧で放電が生じるようにマグネットを移動させる。 （もっと読む）

【課題】導電性部材間の短絡を抑制することができる絶縁フランジを提供することを目的とする。
【解決手段】その両端面が一対の導電性部材とそれぞれ接触するように、一対の導電性部材の間に介在し、締結部材４５により導電性部材に締結される絶縁性の環状の第１部材４３ａと、その両端面が導電性部材に接触しないように、第１部材４３ａの内孔に嵌挿された絶縁性の環状の第２部材４３ｂと、を備える、絶縁フランジ。 （もっと読む）

【課題】積極的な加熱処理を伴うことなく、低温で、基材に緻密で均質な結晶質の金属酸化物膜を効果的に形成する技術を提供する。
【解決手段】非晶質を含む金属酸化物膜を、温度１８０℃以下にて、高周波電界中で少なくともアルゴンガスあるいは窒素ガスあるいはそれらを含むガスを励起することにより発生する低温高周波プラズマに曝露することにより、結晶性の金属酸化物薄膜を製造する。好ましい結晶性の金属酸化物薄膜としては、理論密度と比較した相対密度が９０％以上であるものが挙げられる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、チャージングダメージの発生を大幅に改善して、プラズマ処理の安定性および信頼性の向上を実現するとともに、プラズマ処理の面内均一性の向上を実現する。
【解決手段】真空排気可能な処理容器１０に上部電極３８と下部電極１２とが平行に配置され、下部電極１２には第１高周波電源３２より第１整合器３４を介して第１の高周波が印加される。制御部６８は、プラズマ生成に寄与する第１の高周波が、プラズマを生成させる第１の振幅を有する第１の期間とプラズマを実質的に生成させない第２の振幅を有する第２の期間とを所定の周期で交互に繰り返すように、第１高周波電源３２を制御する。 （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系のペロブスカイト型酸化物において、焼結助剤ややアクセプタイオンを添加することなく、Ａサイトに５モル％以上のドナイオンを添加することを可能とする。
【解決手段】本発明のペロブスカイト型酸化物は、下記式（Ｐ）で表されることを特徴とするものである。
（Ｐｂ_{１−ｘ＋δ}Ｍ_ｘ）（Ｚｒ_ｙＴｉ_１−ｙ）Ｏ_ｚ・・・（Ｐ）
（式中、ＭはＢｉ及びランタニド元素からなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０．０５≦ｘ≦０．４。０＜ｙ≦０．７。δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】低コストで、良好な外観を呈する装飾樹脂製品及びこの装飾樹脂材料の製造方法を提供する。
【解決手段】高周波スパッタリングにより平滑化された表面を有する樹脂製の基材１１と、基材１１にドライプロセスにより形成された金属層１２とを備えた装飾樹脂製品、及び、高周波スパッタリングにより樹脂製の基材１１の表面を平滑化する平滑化工程と、平滑化工程後の基材１１にドライプロセスにより金属層１２を形成する装飾工程とを備えた装飾樹脂製品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、簡単な制御で、逆スパッタの防止による膜の高品質化、組成ズレの制御および成膜の再現性向上を図り、膜質の変化のない高品質な圧電膜、絶縁膜や導電体膜などの薄膜を成膜することができるスパッタ方法およびスパッタ装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に、ターゲット材を保持するスパッタ電極およびスパッタ電極と対向離間配置され、基板を保持する基板ホルダを有し、さらに基板ホルダのインピーダンスを調整するための調整可能なインピーダンス回路を備えるインピーダンス調整回路とを有し、インピーダンス回路のインピーダンスが調整されることにより、基板ホルダのインピーダンスが調整され、基板の電位が調整されることにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ヘリカル磁気共振コイルを利用したイオン化物理的気相蒸着装置を提供する。
【解決手段】処理基板を支持する基板ホルダを有した工程チャンバと、工程チャンバに基板ホルダと対向するように設けられて処理基板上に蒸着される物質を提供する蒸着物質ソースと、工程チャンバ内部に工程ガスを注入するためのガス注入ユニットと、基板ホルダにバイアス電位を印加するためのバイアス電源と、工程チャンバ内部に蒸着物質をイオン化させるためのプラズマを発生させ、一端は接地されて他端は電気的に開放されたヘリカル磁気共振コイルと、ヘリカル磁気共振コイルにＲＦ電力を供給するためのＲＦジェネレータとを備えるイオン化物理的気相蒸着装置である。これにより、ヘリカル磁気共振コイルにより非常に低い圧力下、例えばほぼ０．１ｍＴｏｒｒでもプラズマの点火及び保持が可能であり、従来に比べて高密度のプラズマを効率的に発生させられるので、蒸着物質のイオン化率が高まるようになる。 （もっと読む）

【課題】異常の有無及び原因を容易に判別することができるプラズマ処理装置の異常検出器、プラズマ処理システム、及びプラズマ処理装置の異常検出方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理システム１では、マッチングボックス３０を介して取得したＲＦ反射波の出力信号の波形をモニタリングし、この波形に予め設定された所定の閾値を超えるピーク部分が現れたか否かを検出する。そして、ピーク部分が検出された場合には、さらに、ピーク部分が閾値を超えている持続時間の検出、及び予め設定された所定時間内におけるピーク部分の検出回数の計数を行う。このように、ＲＦ反射波の波形におけるピーク部分の持続時間及び検出回数を検出することにより、アークモードと故障モードとで異なるＲＦ反射波の波形の挙動を互いに区別でき、異常の有無及び原因を容易に判断することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＭｇＦ_２等の金属フッ化物をターゲットとしスパッタリング法で成膜するにあたり、光吸収がなくかつ十分な機械的強度を有する薄膜を、ターゲット材料を繰り返し使用することによりエロージョン形状が変化しても、膜厚再現性良く作製可能にする成膜方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】少なくとも金属フッ化物を含む材料をターゲット６とし、放電ガスを成膜室２に導入しながら高周波電力をターゲットに投入してプラズマ１４を発生させ、スパッタリング法で基板３に成膜する成膜方法において、プラズマ発光強度を第１の計測器４１で計測し、その計測結果をフィードバックして放電ガスの成膜室への導入量を調整する工程と、成膜室でのスパッタリング粒子の成膜速度を第２の計測器４２で計測し、その計測結果をフィードバックしてターゲットに投入する高周波電力を調整する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】デュアルマグネトロンスパッタリングの動作および性能を改善すること
【解決手段】管状ターゲット（２）の近傍に磁界（１０３）を形成するように配置された磁気アレイを備え、前記管状ターゲットは、前記磁気アレイを少なくとも部分的に囲み、カソード（２ａ）として作動し、更にアノード（２ｂ）を備え、前記磁気アレイは、基板（３）に対する直角入射角に対して非対称のプラズマ分布を形成するように配置されており、前記カソード（２ａ）から前記アノード（２ｂ）に流れる電子に対する比較的低いインピーダンスパスを生じさせるよう、磁界強化手段（１ｂ）を更に備える、マグネトロンスパッタリング装置（１００）。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内部の分圧分布を簡便に測定する分圧測定方法および分圧測定装置を提供することを目的とする。
【解決手段】真空チャンバ内に備える測定専用の局所プラズマ源９を測定箇所に移動させる移動ステップと、真空チャンバの壁部に設けられ、光が通過する窓を通して、局所プラズマ源が発生させたプラズマからの発光を受光し、受光した発光の発光強度を分光測定することにより、真空チャンバ内の分圧分布を測定する測定ステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板近傍の高周波電力を計測する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１０は、プラズマにより基板Ｇに所望の処理を施す処理容器１００と、処理容器１００の内部に設けられ、基板Ｇを載置するサセプタ１０６（載置台）と、載置台の内部に埋設された給電部１０８と、給電部１０８に接続され、高周波電力を印加する高周波電源１１２とを有する。給電部１０８には、給電部１０８と高周波電源１１２とを接続する電源線１１４のうち処理容器１００の内部に位置する電源線１１４間または給電部１０８の一部または全部に設けられ、シース容量の１０倍以下の容量を有するコンデンサ１０８ａが設けられている。計測手段２０は、プローブ１４２ａ、１４２ｂに接続されたコンデンサ１０８ａの両極の電圧Ｖ_１、Ｖ_２をオシロスコープ１４４ａ、１４４ｂにて計測する。これにより、基板直下の電力を計測することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマを目的の領域で効率よく発生させることが可能なマイクロ波プラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波を発生する発振器１、不要なマイクロ波反射電力から発振器を保護するためのアイソレータ２、マイクロ波を伝播させる導波管３、真空容器内にマイクロ波を放射するためのスロットアンテナ６を多数配置したスロット導波管５、そしてスロット導波管側のマイクロ波のインピーダンスと、マイクロ波発振器側のインピーダンスとを整合させるために必要な整合器４を具備している。スロットアンテナ６前面には真空容器９と導波管内およびスロット導波管内を分離させる誘電体８が備わり、スロット導波管５の上面よりマイクロ波の放射方向にアース電極面１０が広がり、各スロットアンテナ６の正面にはプラズマ化したガスを噴出すためのガスパイプ１１がアース電極面１０より突き出した構成となっている。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによる成膜を行なうための真空槽内のプロセスガスの分布を真空槽の外部より細かくかつ任意に調整することを可能にした真空槽のガス噴出量調整装置を提供する。
【解決手段】真空槽内に配されたガス供給パイプ２７上に互いに大きさが異なる複数のガス噴出口４９を有するロータリスリーブ４８を取付け、操作軸５４を操作し、この操作軸５４に設けられているレバー５８によってロータリスリーブ４８をガス供給パイプ２７に対して相対的に回転させて任意のガス噴出口４９をガス供給口４７に整合させる。 （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系の強誘電体膜において、焼結助剤やアクセプタイオンを添加することなく、Ｂサイトに１０モル％以上のドナイオンを添加することを可能とする。
【解決手段】本発明の強誘電体膜は、多数の柱状結晶からなる柱状結晶膜構造を有し、下記式（Ｐ）で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とするものである。
Ａ_１＋δ［（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）_１−ｙＭ_ｙ］Ｏ_ｚ・・・（Ｐ）
（式中、ＡはＡサイト元素であり、Ｐｂを主成分とする少なくとも１種の元素である。Ｚｒ，Ｔｉ，及びＭはＢサイト元素である。ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，及びＳｂからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０＜ｘ≦０．７、０．１≦ｙ≦０．４。δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】１以上のアスペクト比を有する多層集積回路のビア、スルーホール又はトレンチにＡｌ電気コンタクトを形成する。
【解決手段】スパッタチャンバと、堆積チャンバと、移送チャンバと、を備え、半導体基板上における薄膜層のアパーチャを充填する充填装置において、スパッタチャンバは、スパッタ堆積材料の供給源となるターゲットカソードと、半導体基板を支持するための基板位置決め部材と、ＤＣ電源装置を具備し、ターゲットカソードからスパッタされた種を生成するために使用される第１のプラズマ発生ユニットと、基板位置決め部材に接続された基板バイアスＲＦ電源装置と、ＲＦ電源装置を具備し、ターゲットカソードと基板位置決め部材との間に位置して、ターゲットカソードから前もってスパッタされた種をイオン化又は再イオン化するために使用される第２のプラズマ発生ユニットと、を具備する。 （もっと読む）

本発明は、真空下で基板を対象材料で被膜するべくカソードとして接続される対象からアーク放電を起こしてプラズマを形成するアノードに係る。本発明の目的は、必要なプラント工学上の労力を実質的に増加させることなく少なくとも被膜率を向上させることのできる手段による可能性を提供することである。本発明による、カソードとして接続された対象からアーク放電を起こすことでプラズマを形成するアノードは、その後、既知の方法により対象からある距離を隔てて配置される。同時に、アノード棒がアノード上の対象表面に平行に先ず配置される。加えて、帯状部材は、アノード上に間隙により互いから隔てられて形成される。その後、帯状部材が、アノード棒から基板の方向へ向かい表面に被膜される。この結果、形成されたプラズマは、アノードの帯状部材の２つの対向する面の間に封入される。 （もっと読む）

【課題】 非製品用基板を用いずに処理室内の状態安定化処理を実行可能とすることで，非製品用基板の搬送等にかかる時間を省き，製品用基板の処理のスループットを向上させる。
【解決手段】 処理室２０２内でウエハＷのプロセス処理を開始するのに先立って，サセプタ２０５にウエハＷを載置しない状態で，処理室内に所定のガスを供給しながら処理室内の排気を行って，サセプタ２０５に高周波電力を印加して，処理室内の状態を安定化させる処理を実行させる。 （もっと読む）