【課題】エピタキシャル成長した透明導電性薄膜の製造方法と製造装置および結晶性薄膜の多層構造による、新たなフォトエレクトロニクスデバイスを提供する。
【解決手段】真空室中の基板５を３００℃〜５００℃に加熱し、不活性ガス圧力０．０５Ｐａ〜０．３Ｐａ、酸素分圧５ｘ１０^-4Ｐａ〜１．５ｘ１０^-3Ｐａの範囲に制御し、基板に対して高密度プラズマ照射を行うにより、結晶性基板上に薄膜形成材料をエピタキシャル成長させて透明導電性薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】少ない担持量でかつ同等の性能が得られ、付着した白金が殆ど離脱することがない燃料電池用電極を製造することができる燃料電池用電極製造装置およびその方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバ２と、蒸着材料１１の金属からなるカソード電極、トリガ電極１３、アノード電極２３、トリガ電源３１、およびアークプラズマ発生用の並列に設けられたアーク電源３２とコンデンサ３３を備えた同軸型真空アーク蒸発源５と、前記同軸型真空アーク蒸発源５と対向して配置され、被蒸着体７である粉体状担体を収容する容器７３と、前記容器７３内で前記粉体状担体を攪拌する攪拌手段３と、前記攪拌手段３による攪拌過程で生じた前記粉体状担体の塊を粉砕するために、前記容器内の底面を叩く粉砕手段８５とを有し、前記粉体状担体に前記金属を蒸着させて燃料電池用電極を製造する燃料電池用電極製造装置１及びその方法。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング方法および装置において、低温プロセスで高品質な膜を形成するとともに、膜の性質を自由に制御可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング法を用いる真空成膜装置による成膜方法であって、ターゲット材料を分解するためにスパッタリング用プラズマを用い、かつ前記スパッタリング用プラズマとは個別に制御可能な表面改質用プラズマを用いて成膜中の成膜表面にイオンを照射することを特徴とする成膜方法を用いた。 （もっと読む）

【課題】回転プラズマによるプラズマ処理を安定且つ制御可能にして、プラズマ処理の品質を向上させることのできるプラズマ流生成方法、プラズマ処理方法、プラズマ発生装置及びそれを用いたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】４象限Ｚ１〜Ｚ４における各周波数は７、１５、６、２０Ｈｚに設定されている。この周波数可変により、４分割された回転角領域におけるプラズマの回転速度を異ならせることができる。プラズマＰ２とＰ４の周回速度がプラズマＰ１とＰ３よりも速くなっているため、円軌道Ｃを描きながらプラズマＰ１からＰ２、Ｐ３、Ｐ４に周期的に変速回転する回転プラズマを照射して、第１象限Ｚ１〜第４象限Ｚ４において均一な成膜処理を施す。 （もっと読む）

【課題】Ｒｏｌｌ Ｔｏ Ｒｏｌｌ方式で、基材の搬送速度を非常に速い条件に設定しても、基材上に絶縁性の高品質な薄膜を成膜することが可能なプラズマアシスト付きの真空成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器内の上部に、成膜用ドラム１３に巻き掛けられた基材１１がその被成膜面１１０を下向きにして配設されるとともに、上記真空容器内の底部には、蒸着材料２を蒸発させる蒸着源１７と、この蒸着源から蒸発した上記蒸着材料に向けてプラズマを照射するプラズマガンとが、上記被成膜面の下方に配置されており、上記プラズマガンは、上記基材の流れ方向に対して直交する方向から、上記被成膜面に向けて配置されている。これにより、薄膜形成前の基材の被成膜面に対してプラズマを照射する前処理、プラズマアシストによる成膜、基材に形成された薄膜に対してプラズマを照射する後処理が１台で逐次連続的に行える。 （もっと読む）

【課題】プラズマの回り込みを効果的に抑制して被処理基板の意図しない部分に膜が成膜されることを防止することのできるインライン型プラズマ成膜装置を提供する。
【解決手段】インライン型プラズマ成膜装置１Ａは、搬送路４上において被処理基板１００を搬送する複数の搬送ローラ３と、被処理基板１００の上面に面するようにプラズマを生成することで被処理基板１００の上面に膜を成膜するプラズマ生成部と、被処理基板１００の下面に膜が成膜されることを防止する成膜防止部材５とを備えている。成膜防止部材５は、プラズマが生成される領域に搬送路４を挟んで対面する領域でかつ搬送ローラ３が位置する部分を除く領域を上方から見て実質的に満たすように配置され、被処理基板１００の下面に対面するように設けられた平面状の成膜防止面５ａを含み、当該成膜防止面５ａの幅は、被処理基板１００の幅よりも大きく構成されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理において被処理物品へのイオン照射量を示すイオン電流密度を、イオン電流計測器に頼ることなく、プローブ計測器を利用して、プラズマ密度や電子温度と併せて計測できるイオン電流密度計測方法及び装置を提供する。
【解決手段】静電プローブ法により真空チャンバ内プラズマ密度ｎ及び電子温度Ｔｅを求め、それにより得られた該プラズマ密度ｎ及びプラズマ電位Ｔｅに基づいて、被処理物品へのイオン照射量を示すイオン電流密度Ｊを、Ｊ＝ｎｑ〔√（ｋ・Ｔｅ／Ｍ）〕・ｅｘｐ（−１／２）（該式においてｑはイオン電荷量、ｋはボルツマン定数、Ｍはイオン質量）を用いて算出し、算出されるイオン電流密度が、被処理物品へ目的とする処理を施すためのイオン照射量を示すイオン電流密度へ向かうようにプラズマ密度を調整すべくプラズマ生成装置を制御するプラズマ処理方法及び装置。該方法を実施するためのプログラム及びそれを記録した記録媒体。 （もっと読む）

【課題】 長尺な基板を長手方向に搬送しつつ成膜行なう成膜装置であって、不要な領域にプラズマが生成されることを防止し、この不要なプラズマに起因する基板の損傷等の無い高品質な製品を安定して作製できる成膜装置を提供する。
【解決手段】 第１ユニットと、基板の搬送系を有する第２ユニットとを組み合わせて構成され、かつ、成膜中に、前記第１ユニットと第２ユニットとの間に電位差を生じないことにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

ペデスタル上に支持されたウエハにプラズマ処理を行うための装置および方法を提供する。本装置は、ウエハを支持することができるペデスタル、可変容量を有する可変コンデンサ、可変コンデンサのキャパシタンスを変える可変コンデンサに取り付けられたモータ、モータを回転させてモータに接続されたモータコントローラ、およびペデスタルに接続された可変コンデンサからの出力部を含むことができる。可変コンデンサの所望の状態は、プロセスコントローラにおける処理方策に関連づけられている。処理方策が実行されると、可変コンデンサは所望の状態に置かれる。
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【課題】面内分布の均一性に優れた膜を成膜することができるようにし、優れた性能の電子デバイスを容易に製造することができるようにするスパッタリング技術の実現。
【解決手段】スパッタリング装置は、基板２１をその処理面の面方向に沿って回転可能に保持する基板ホルダ２２と、基板２１の周囲に配設され、基板２１の処理面に磁場を形成する基板側磁石３０と、基板２１の斜め上方に配置され、放電用の電力が印加されるカソード４１と、基板２１の回転位置を検出する位置検出部２３と、該位置検出部２３が検出した回転位置に応じて、前記放電用の電力を制御するコントローラ５とを備える。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、基材表面に低ダメージのマグネトロンプラズマを容易に形成することを可能とし、かつ前記マグネトロンプラズマで反応性を高めることにより高品質かつ高速で化合物薄膜を形成できるスパッタ成膜装置およびスパッタ膜の製造方法に関する。具体的には、基材およびスパッタ膜が磁性体であっても、スパッタ用電源以外のプラズマ用電源を用いなくとも、基材表面で高密度のプラズマを生成して反応性を高めることが可能であり、高品質かつ高速でスパッタ膜を形成できるスパッタ成膜装置およびスパッタ膜の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
真空に排気可能な容器内に、平板型マグネトロンカソードと基材保持機構とが対向して配置されているスパッタ成膜装置において、前記マグネトロンカソードと前記基材保持機構との間に、前記マグネトロンカソードの放電面を囲んで環状の磁性体が配置されていることを特徴とする、スパッタ成膜装置。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法により、酸化物半導体膜上に薄膜を成膜する際に、酸化物半導体膜のプラズマダメージを膜面内均一性良く抑制して成膜する。
【解決手段】基板Ｂ上に成膜された、Ｉｎと、Ｇａ，Ｚｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｎ，Ｓｂ，ＣｄおよびＧｅからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素とを含む酸化物半導体膜１上に、基板ＢとターゲットＴとを対向させて、プラズマを用いるスパッタ法によりターゲットＴの構成元素を含む薄膜２を形成する成膜方法において、薄膜２の成膜時のプラズマ中のプラズマ電位Ｖｓ（Ｖ）と、基板Ｂの基板電位Ｖｓｕｂ（Ｖ）との電位差を０Ｖ超２０Ｖ以下とする。 （もっと読む）

【課題】 リフトオフ加工を前提とするスパッタリング装置において、リフトオフ後にバリが残るという不具合を確実かつ安定的に解消する。
【解決手段】 本発明に係るスパッタリング装置１０の真空槽１２内は、差圧シールド２６内の空間２４と、それ以外の空間４０とに、隔離されている。そして、差圧シールド２６内の空間２４に、ターゲット１４が配置されており、それ以外の空間４０に、基板３４が配置されている。さらに、高いエネルギを持つプラズマ２２は、差圧シールド２６内の空間２４に閉じ込められる。これにより、基板３５上に付着した被膜粒子がプラズマ２２の影響を受けて当該基板３５上で移動するというスパッタリング法特有の性質が抑制される。この結果、基板３４上に形成された逆パターンのアンダーカット部への被膜粒子の回り込みが防止され、ひいてはリフトオフ後にバリが残るという不都合が解消される。 （もっと読む）

【課題】タッチパネルに用いた際のペン入力耐久性に優れ、特に後述の摺動耐久試験に記載のポリアセタール製のペンを使用し、５．０Ｎの荷重で１０万回の摺動試験後でも透明導電性薄膜の劣化がない、透明導電性フィルムの製造方法を提供すること。
【解決手段】透明プラスチックフィルム基材上に、紫外線硬化型樹脂を主たる構成成分とする硬化物層、及び透明導電性薄膜をこの順に積層した透明導電性フィルムの製造方法であって、前記透明導電性フィルムに含有する揮発成分量が３０ｐｐｍ以下であり、紫外線照射による架橋反応の後に加熱処理を施す透明導電性フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】プラズマ式の蒸着法により蒸着膜を成膜する際、特に蒸着材の昇華が始まる初期段階において、従来よりも低エネルギーでの成膜を実現し得る蒸着材の製造方法及び該方法により製造された蒸着材を提供する。
【解決手段】蒸着材１０の表面に突起１１を１又は２以上形成する第５工程を含み、突起１１の蒸着材１０表面から最大高さが１〜５ｍｍであって、突起１１の蒸着材１０表面から突出する部分の最大幅が１〜５ｍｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 スプラッシュやパーティクルの発生に直結するアーク放電発生時の電流上昇を効果的に制限しつつ、アーク処理終了時に放電電圧が過大となることを防止し得る電源装置を提供する。
【解決手段】 本発明の電源装置Ｅは、プラズマＰに接触するターゲットＴに直流電圧を印加する直流電源部２と、この直流電源部からの正負の出力５ａ、５ｂにて電極に発生するアーク放電を検出すると共に、そのアーク放電の消孤処理をし得るアーク処理部３とを備える。アーク処理部によりアーク放電の発生が検知され、消孤処理が開始されたときに前記電極への出力が定電流特性を有し、その消孤処理の終了までに前記電極への出力が定電圧特性を有するように、前記出力を切り換える出力特性切換回路６、ＳＷ２を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマにより処理される被処理基板外周部における電界の不均一性を改善し、長期的に安定した性能を得ることのできるプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】被処理基板載置用電極上であって被処理基板の外周を取り囲むように設けられたフォーカスリングを有するプラズマ処理装置において、フォーカスリングは、被処理基板載置用電極上面の静電吸着膜上に設けられ導体からなる第一のフォーカスリングと、第一のフォーカスリングの上に設けられ誘電体からなる第二のフォーカスリングと、第二のフォーカスリングの上に設けられ導体からなる第三のフォーカスリングからなり、第一のフォーカスリングは、上面高さを被処理基板の上面高さと略等しくし、かつ、プラズマに接するように設けた。 （もっと読む）

【課題】高周波電力の他に直流電圧を印加する容量結合型のプラズマ処理装置を前提として、良好なプラズマを得ることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】チャンバ１０内に対向して配置される上部電極３４および下部電極１６との間に処理ガスのプラズマを形成してウエハＷにプラズマエッチングを施すプラズマエッチング装置であって、上部電極３４に高周波電力を供給してプラズマを形成するための高周波電源４８と、上部電極３４に直流電圧を印加する可変直流電源５０と、高周波電源４８および可変直流電源５０を制御する制御部９５とを具備し、制御部９５は、高周波電源４８からの給電を開始した時点またはそれ以降に、可変直流電源５０からの印加電圧が設定値となるように制御して、プラズマ形成時の異常放電を抑制する。 （もっと読む）

【課題】プラズマを利用して基板等に所定の処理を施す処理装置において、プラズマの状態にアーク放電のような異常放電がある場合に小電力環境でラジカルやイオンを消滅させることなく異常放電を解消することで、動作信頼性に優れ処理効率の良いプラズマ処理を実現する高周波プラズマ処理方法及び高周波プラズマ処理装置を得る。
【解決手段】 二つの電極６１，６２が所定の間隔あけて対向配置された真空容器５内に所定のガスを導入し、処理対象物７を前記二つの電極６１，６２の電極間に配置した状態で、真空容器５内が通常放電状態のときは高周波電源１からの高周波信号を、異常放電状態のときは前記高周波信号と前記高周波信号よりも周波数の低い中間周波数信号とで振幅変調したものを出力し、その出力の最大振幅レベルを所定の振幅に増幅させて前記電極間に印加することにより、放電を発生させてプラズマ１４を形成し前記処理対象物７に所定の処理を施す。 （もっと読む）

【課題】単一のスパッタリングチャンバを用いて基板に形成された開口部内へのＡｌ材料の埋め込みを適切に行えるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１００は、スパッタリングチャンバ３０と、カソードユニット４１およびアノードＡ間の放電によりプラズマを形成可能なプラズマガン４０と、プラズマガン４０から放出されたプラズマ２２を磁界の作用によりシート状に変形可能な磁界発生手段２４Ａ、２４Ｂと、を備える。シートプラズマ２７は、スパッタリングチャンバ３０内の基板３４ＢとＡｌターゲット３５Ｂとの間を通過するように誘導され、シートプラズマ２７中の荷電粒子によってＡｌターゲット３５ＢからスパッタリングされたＡｌ材料が基板３４Ｂの開口部に堆積する際に、Ａｌ堆積膜２００のカバレッジ性が、プラズマ放電電流ＩＤ、ターゲットバイアス電圧ＶＢ、および、ターゲット−基板間距離Ｌに基づいて調整される。 （もっと読む）