【課題】成膜面積の拡大を可能とし、かつ、膜厚分布をより均一化できるシート状プラズマ発生装置と、これを用いた成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマガンから収束コイルにより引き出したプラズマビームを、プラズマビームの進行方向に対して直交する方向に延び、対向して互いに平行に配置されて対になっている永久磁石からなるシート化マグネットによって形成される磁場の中に通過させてシート状に変形させるシート状プラズマ発生装置において、シート化マグネットには、プラズマビームの中心側に対応する部分における反発磁場強度の方が、プラズマビームの外縁側に対応する部分における反発磁場強度より強いシート化マグネットが少なくとも一つ含まれている。 （もっと読む）

【課題】蒸着とエッチングを組み合わせる同時的および連続的な処理における均一なプラズマ処理に寄与するように、プラズマを生成および調整する。また、ｉＰＶＤにより、高アスペクト比の被覆性に対し、均一なプラズマ処理を提供する。
【解決手段】開口端が処理スペースに面する状態で、中空体をチャンバ軸の上に位置決めすることによって、処理チャンバの軸へのピークに対する傾向を持ったプラズマ分布の均一性が改善される。中空体は中央から離れたプラズマの分布を制御し、プラズマの中央への配置を可能にする。中空体の幾何学構成は、所与の状態にプラズマを均一化ならしめるよう最適化できる。同時的および連続的なエッチングとｉＰＶＤ処理のような、組み合わせられた蒸着とエッチング処理において、中空体はエッチングのための均一なプラズマを提供する一方で、蒸着のために蒸着パラメータを最適化することを可能にする。 （もっと読む）

【課題】比較的低温下で、安価に、安全に結晶性シリコン薄膜を得て、該結晶性シリコン薄膜から容易に終端処理された結晶性シリコン薄膜を得ることができる結晶性シリコン薄膜の形成方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコンスパッタターゲットＴと被成膜物品Ｓを設置した成膜室１内に水素ガスを導入し、高周波電力を印加して、プラズマ発光における波長６５６ｎｍでの水素原子ラジカルの発光スペクトル強度Ｈα及び波長４１４ｎｍでのシランラジカルの発光スペクトル強度ＳｉＨ^* との比（Ｈα／ＳｉＨ^* ）が０．３〜１．３であるプラズマを発生させ、該プラズマにてシリコンスパッタターゲットＴをケミカルスパッタリングして被成膜物品Ｓ上に結晶性シリコン薄膜を形成し、次いで、終端処理室１０において、終端処理用ガスに高周波電力を印加することで発生させた終端処理用プラズマのもとで該結晶性シリコン薄膜の表面を終端処理する。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりの低下を抑制し、プラズマ処理装置の稼働率の向上が可能な管理システムを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の処理室５０でプラズマを生成する高周波のインピーダンス整合器５４の調節パラメータの時系列データを収集する収集ユニット６２と、プラズマ処理装置により参照基板を処理して収集した調節パラメータの参照時系列データより管理基準データを作成する基準作成部３０と、プラズマ処理装置による対象基板の処理において、調節パラメータを参照時系列データの初期値に設定する初期設定部３２と、高周波の反射波を最小にするように調節された調節パラメータの対象時系列データを記録する記録部３４と、対象時系列データを管理基準データと比較してプラズマ処理装置の異常を判定する判定部３６とを備える （もっと読む）

【課題】コーティング前寸法と後寸法の差が小さい薄膜が要求される小径工具において、クリーニングの効果を損なうことなく、小径工具への成膜速度を抑制し、大径工具との同時処理を可能とするコーティング装置を提供。
【解決手段】コーティング装置内のプラズマイオン４（又はアークイオン）の照射を受ける位置に、自転ジグＣには、コーティングを施す工具刃部の外径が0.2mm 以上4.0mm 未満の小径工具10が挿入固定され、小径工具10先端から工具回転軸方向への間隔14が、1mm 以上20mm未満の位置に、プラズマイオン４（又はアークイオン）の照射を遮断する、小径工具10以外の遮蔽物11を設置した。 （もっと読む）

【課題】コーティング前寸法と後寸法の差が小さい薄膜が要求されるコーティング小径工具において、クリーニングの効果を損なうことなく、小径工具への成膜速度を抑制し、大径工具との同時処理を可能とするコーティング装置を提供。
【解決手段】コーティング装置１内に処理基材５を取り囲み、１側にコーティング前に基材表面をクリーニングするプラズマ発生源４が配置され、他側にコーティング金属成分を発生する蒸発源２が配置され、コーティング金属成分を発生する蒸発源２と処理基材５の一部との間にのみ（図１でみて上半分の処理基材５との間にのみ）網目間隔が 1mm以上20mm未満のメッシュ６を配置し、かつ、メッシュ６はクリーニングするプラズマ発生源４と処理基材５との間には配置しないようにした。 （もっと読む）

【課題】気相反応処理装置における剥離処理の終点検出方法を提供する。
【解決手段】処理チャンバ内に配置した触媒体に電力を供給して高温加熱し、高温加熱された触媒体により反応ガスを分解して処理を行う際の終点検出方法において、排気ライン１７にバイパス通路２１が設けられ、このバイパス通路２１に排気ガスが流通する放電管２２が接続され、放電管２２から発生する排気ガス中に含まれる特定成分の発光スペクトルを検出し、この検出結果に基づいて処理終点を決定するようにする。 （もっと読む）

【課題】水素原子を含む非単結晶炭素からなる堆積膜を形成する堆積膜形成装置内のクリーニングに適した、酸素プラズマを用いたクリーニング方法を提供する。
【解決手段】水素原子を含む非単結晶炭素からなる堆積膜を形成する堆積膜形成装置内のクリーニング方法において、該クリーニング方法は酸素原子を含むプラズマによって実施される第一工程及び、酸素原子を含みかつ第一工程とは装置内の圧力が異なるプラズマによって実施される第二工程からなり、第一工程における装置内圧力をｘ〔Ｐａ〕、第二工程における装置内圧力をｙ〔Ｐａ〕及び、非単結晶炭素からなる堆積膜を形成する際の装置内圧力をｚ〔Ｐａ〕とした場合において、
ｘ＜ｚ＜ｙ 或いは ｙ＜ｚ＜ｘ
が成り立つことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】一様なプラズマ処理を行うこと。
【解決手段】半導体用プラズマ処理装置における非一様性を低減させるためのシステム（４０）であって、基板支持体（１４）を囲み得る寸法のものとされ、かつ、少なくとも３個という複数のセグメントから形成された、リング形状電極（５０）と；この電極の各セグメントに対して接続された電気エネルギー供給源と；この電気エネルギー供給源に対して接続されたコントローラ（６０）と；を具備し、コントローラが、電極の各セグメントを順次的に励起するようにして電気エネルギーを供給するようにプログラムされており、これにより、基板支持体の周縁回りにおける基板の非一様性の処理に影響を与え得るものとされている。 （もっと読む）

【課題】 基板への荷電粒子の衝突を抑えることで、基板表面のダメージおよび温度上昇を抑制するとともに、高速に基板表面に薄膜形成可能なマグネトロンスパッタリング装置およびこれを用いた薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 ターゲット3と基板4との間に、移動自在なグリッド電極9が設けられている。グリッド電極9がターゲット3と基板4との間にある状態で、一定時間薄膜を形成した後、ターゲット3と基板4との間にグリッド電極9を介在させない状態で、さらに薄膜形成を行う。 （もっと読む）

【課題】
真空負荷に逆電圧を印加するための半導体スイッチ素子のオフに伴う電力損失を抑制し、温度上昇を制限すると共に、逆電圧電源の小容量化などを実現すること。
【解決手段】
半導体スイッチ素子５がオンするときに直流電源１とは逆極性の出力電圧を逆電圧電源４から真空負荷３に印加する真空装置において、直列接続されているダイオード８とコンデンサ７とを半導体スイッチ素子５に跨って並列に接続し、パルストランス１０の１次巻線の一端を、ダイオード８とコンデンサ７との間に接続すると共に、その他端を半導体スイッチ素子５と逆電圧電源４との間に接続し、直流電源１の出力端子間に、ダイオード１２を介してパルストランス１０の２次巻線を接続し、半導体スイッチ素子５のオフ時にコンデンサ７のエネルギーを半導体スイッチ素子５のオン時にパルストランス１０を介して直流電源１に帰還する真空装置。 （もっと読む）

【課題】 プラズマビームの移動速度を効率よく高められるのみならず、作製及び構成が簡単なプラズマ加速装置及び該装置を備えるプラズマ処理システムを提供する。
【解決手段】 プラズマ加速装置は、一端部を開放する出口を有するチャンネルと、チャンネル内にガスを供給するガス供給部と、チャンネル内のガスにイオン化エネルギーを供給してプラズマビームを生成するプラズマ生成部、チャンネル内に所定の間隔を隔てて横方向に配置され、生成されたプラズマビームを電場によって出口に向かって加速する複数の格子からなるプラズマ加速部とを含む。 （もっと読む）

【課題】 ヘッド浮上特性に優れた有用なディスクリートトラック型磁気記録媒体を提供すべく、最適な基板の凹凸寸法と保護膜層の厚さとの関係を明らかにする。
【解決手段】 段差ｈ（ｎｍ）の凹凸を有する非磁性基板の表面に磁性層と保護膜層を形成したものであって、該凹凸パターンの凸部におけるカーボン保護膜層厚さの最大値をａ、凹部におけるカーボン保護膜層厚さの最小値をｂとしたときに、これらａ，ｂ，ｈの関係が下記式
４．０≦ｂ−ａ≦１９．８・・・・・・・（１）
４．５≦ｂ≦２５・・・・・・・・・・・（２）
４．０≦ｈ≦２０．０・・・・・・・・・（３）
を満足する磁気記録媒体、及びこの磁気記録媒体を組み込んだ磁気記録再生装置。 （もっと読む）

【目的】例えばＤＬＣ膜とバッファ膜といった多層膜を、ドロップレットの影響を受けることなく高純度に、かつ円滑に積層形成することのできるプラズマ表面処理方法、プラズマ処理装置及びそのプラズマ処理装置によって表面処理された被処理物の提供する。
【構成】２種類の第１プラズマ１６及び第２プラズマ１７を使用する。各プラズマは、第１プラズマ発生部２、第２プラズマ発生部３において真空雰囲気下に設定されたアーク放電部で真空アーク放電を行って発生させる真空アークプラズマである。各プラズマ発生に伴って生じるドロップレット２３を分離、除去して、第１プラズマ１６及び第２プラズマ１７を共通輸送ダクト１０を経由してプラズマ処理部１に誘導する。このとき、第１プラズマ１６及び第２プラズマ１７を共通輸送ダクト１０に導入するタイミングを制御して、プラズマ処理部１内のワークＷ表面に対して積層膜形成等の表面処理加工が行われる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は半導体ＬＳＩデバイス表面の超平滑化や、それらを加工するための精密仕上げ加工仕上げに用いられる研磨用設備、特に各部品を超平滑化するための研磨用部材の耐摩耗性、耐食性、耐汚染性など性能を高品質化するために提供されたもので、研磨用部材を減圧下において、負の高周波パルス電圧を印加して、カーボン＋ケイ素イオン注入と傾斜構造を持った高品位な炭素膜膜を被覆した物品を提供するものである。
【解決手段】
プラズマベースイオン注入・成膜法を用いて、２種類以上の材質の異なる部材に対して、真空中で少なくとも一原子以上のカーボンとケイ素を含有する炭化水素系／ケイ素系混合ガスを導入してプラズマを発生させ、負の高周波パルス電圧を印加して、カーボン＋ケイ素イオン注入と傾斜構造を持った高品位な炭素膜膜を形成した研磨用部材及びその表面処理方法を提供する。 （もっと読む）

マグネトロンスパッタリングシステムで、ピーク電力密度が１ｋＷ／ｃｍ^２超で、ピーク電力を０．１ＭＷ〜数ＭＷまで供給できる能力を有するパルスＤＣ電源を備えたシステムが提供される。高度イオン化状態のスパッタリングプラズマが、最初にアーク放電状態となることなく、生成する。電源には、パルス回路を含み、そのパルス回路は、エネルギー蓄積キャパシターと、プラズマからパルス回路を遮断するためのスイッチ手段を有するインダクターと直列に接続しており、その手段はまた、アーク条件を検出し、インダクターエネルギーをエネルギー蓄積キャパシターへとリサイクルする。そのエネルギー蓄積キャパシターと、直列に接続したインダクターは、プラズマに見合ったインピーダンスを供給し、電流の立ち上がり速度と、アーク時のピークの大きさを制限し、プラズマへの電圧パルスを整形する。
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【課題】 プラズマ処理装置よる連続生産とメンテナンスとを繰返す装置の稼動において、異常放電発生の推移と不良基板発生の相関を一度把握し、その後の繰返し装置稼動において異常放電発生推移を監視し、不良基板の発生を抑制する品質管理を一括で行えるようにしたプラズマ処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理方法は、電源装置に設けた異常放電検出手段を用いてプラズマに伴う２μｓ以上の持続時間の異常放電を検出し、検出した異常放電の単位時間当たりの発生回数或いは累積発生回数を計数し、計数した異常放電の単位時間当たりの発生回数或いは累積発生回数を予め設定した値と比較し、比較結果に基きプロセス条件を制御することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 ターゲット表面に、広い範囲で高いイオン密度のプラズマを形成し、更に高いイオン密度のプラズマを無駄なく、効果的に基板まで移動させ、成膜することを狙ったものである。
【解決手段】 基板上に膜を形成するための多重磁極マグネトロンスパッタリング成膜装置であって、上記ターゲットの裏面中央部に一方の磁極からなる中心磁石が配設され、上記ターゲットの裏面円周方向周囲に他方の磁極からなる複数の外周磁石が配設され、上記ターゲット表面の円周方向外側位置に第１外部磁石及び第２外部磁石が配設され、上記ターゲットと上記基板とを結ぶ方向を軸としてコイルが巻回され、上記コイルに高周波電力が付与され、上記ターゲット及び上記基板間に電力が印加され、ターゲットから膜材料粒子が放出され、基板に成膜される。 （もっと読む）

製造安定化装置および方法は、ＴｉＡｌＮ等の融点の大きく異なる金属成分を持つ多元系被膜を、単一のルツボ（３）と収束プラズマ（７）とを用いて、高原料利用効率で、膜質良く作製する。この時、原料（４）を蒸発させるに必要な電力を最初に供給し、その後、最初の電力より順次増大した電力を、必要な最大電力に至るまで繰り返して供給する。或いは、原料を蒸発させるに必要な最初の領域にプラズマ（７）を収束させるためのプラズマ制御を行い、続いて、最初のプラズマ領域より最大のプラズマ領域に至るまでプラズマを連続的に順次移動・拡大せしめるプラズマ制御を行い、原料の未溶融部位（４ｂ）を順次溶解させる。原料は、焼結体または圧粉成型体（４）とする。
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【課題】 同軸磁化プラズマ生成装置において、プラズマ塊を連続的に安定して生成すること。
【解決手段】 外部導体２３と内部導体２４を同軸状に配置し、外部導体２３のリング状凸部２３１の付近にバイアス磁界発生用の円筒状の電磁コイル２７を配置してある。外部導体２３と内部導体２４には、パワークローバ回路２５（容量の小さいコンデンサＣ１と容量の大きいコンデンサＣ２からなる）を接続してある。コンデンサＣ１の充電電圧は、コンデンサＣ２の充電電圧よりも高く充電してある。ガス供給管２２からプラズマ生成ガスを供給し、パワークローバ回路２５の充電電圧を外部導体２３と内部導体２４に印加すると、リング状凸部２３１と内部導体２４の間に放電が発生してプラズマＰが生成する。プラズマＰは、ローレンツ力により加速されて開放端へ移動し、プラズマ塊ＰＭとなって放出される。パワークローバ回路２５は、コンデンサＣ１，Ｃ２を組み合わせることにより、立ち上りが急峻で減衰が緩やかな負荷電流を発生することができる。 （もっと読む）