【課題】光学損失の少ない多層膜を製造する方法と装置を生産すること。
【解決手段】被覆装置又は反応装置に対して相対的に移動可能な少なくとも１つの基板上で、第一の層の上に、反応性成分を有する第二の層の堆積を行い、かつ少なくとも１つの層の構造および／または化学量論比の変更を反応装置によって行う多層膜を製造する方法において、所定の値以下に多層膜の光学損失を低下させるために、第一の層に隣り合う第二の層の領域内に、厚さｄ₁を有し、かつ反応性成分の不足ＤＥＦがＤＥＦ₁値よりも小さい値を有する境界面の構成を行い、第二の層の瞬間の厚さｄ（ｔ）の値を、有利には第二の層の堆積の間に算出し、かつｄ（ｔ）がｄ₁よりも大きくなり次第、反応性成分の不足ＤＥＦがＤＥＦ₁よりも大きい値を有する第二の層の堆積を行うことを特徴とする、多層膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】連続稼動中において、プラズマガンに投入するパワーを経時的に上昇させることなく、均一な膜厚で成膜することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１３と、真空チャンバの内部に備えられた成膜材料２２にプラズマを放出するプラズマガン９と、プラズマガンに放電ガスを供給する放電ガス供給部とを有する成膜装置は、放電ガスの流量を変更することができるマスフローコントローラ２５と、マスフローコントローラに接続された、マスフローコントローラによる流量の変更を予め決められた設定に基づいて制御する制御回路２６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 均一な成膜が得られるようにしたプラズマスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 本発明はターゲットプレートの半径線に渡り均一のスパッタ速度を作り出すためにターゲットプレートの近傍で半径方向に均一なイオンとラジカルの密度を提供することを企図している。この処理装置は、上部電極１２と下部電極１３を含む反応容器１１と、上部電極に固定されたターゲットプレート１４とから構成される。基板１５は下部電極の上に搭載される。さらに上部電極に接続されかつＨＦまたはＶＨＦの領域で動作する高周波電源１６と、上部電極と下部電極の間で二次的プラズマがその内側表面の前で生成されるようにしたプラズマシールドリング２０とを備える。初期プラズマと二次的プラズマの合成プラズマに基づいてターゲットプレートの下側に半径方向に均一なイオン密度とラジカル密度が作り出され得る。 （もっと読む）

【課題】成膜材の物性との違いに関わらずドーピング材を自由に選択可能なイオンプレーティング装置を提供すること。
【解決手段】真空チャンバ３と、プラズマガン４と、プラズマビームＰが照射されるハース５とを備え、ハース５は、タブレット２１を真空チャンバ３の内部に露出するように配置する凹部２４ａと、真空チャンバ３の内部における露出面において成膜時にドーピングされるドーピング材２２を支持する環状溝２３ｂとを有し、ハース５の露出面のうちプラズマビームＰが照射される被照射面の面積により、ハース５の被照射面における電流密度を調整することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲット周りに金属の膜を付けず、安定した遷移状態の放電が続いている状況の下で、所定金属の化合物膜を高い生産性を持って成膜する反応性スパッタリング方法及び光学部材を提供する。
【解決手段】反応性スパッタリング方法が、真空チャンバ内に不活性ガスと反応性ガスとを導入し、該真空チャンバ内の成膜基体に、スパッタリングターゲットと反応性ガスとの化合物膜を形成する反応性スパッタリング方法で、所望の成膜を行うスパッタリングターゲットへの印加電力よりも低い印加電力で、遷移状態となるような印加電圧を設定した状態で放電を開始後、印加電圧及び反応性ガスの導入量を制御することで遷移状態を維持しつつ、所望の成膜を行う投入電力とスパッタリングターゲットの反応状態に移行させるようにする。 （もっと読む）

【課題】 プラズマが不安定に成らない様にする。
【解決手段】 絶縁性物質で形成された円筒部材２と、プラズマガスを円筒部材２内に供給するためのガスリング３と、粉末材料とキャリアガスを円筒部材２内に供給するためのパイプＱ´が挿入されており、ガスリング３の中心軸に沿って設けられたプローブ１１´と、円筒部材２の外側に巻かれた誘導コイル４を備えており、誘導コイル４に高周波電力を供給することによって円筒部材２内に高周波誘導熱プラズマを発生させる様に成っている。パイプＱ´の少なくとも先端部分とプローブ１１´の中心孔Ｈ内の少なくとも先端部分のそれぞれに係脱可能な係合部を形成している。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内におけるプラズマ濃度の偏りを小さくし、ワークに抵抗値のばらつきの小さな被膜を成膜することができるイオンプレーティング装置を提供すること。
【解決手段】真空チャンバ３と、真空チャンバ３内にプラズマビームＰを発生するプラズマガン４と、真空チャンバ３内においてプラズマビームＰが照射されるハース５と、ハース５に収容されたタブレット２１を真空チャンバ３内に露出するように支持するタブレット支持棒２５と、真空チャンバ３内にプラズマガン４に対向する位置に設けられた電極部７と、真空チャンバ３内にプラズマガン４と電極部７との対向空間を挟んで、ハース５に対向する位置にワークＷを支持する搬送部６とを備え、電極部７は、ハース５に照射されるプラズマビームＰの一部を分流し、分流したプラズマビームＰが照射される構成とした。 （もっと読む）

【課題】 真空状態にある容器の内部で、直流放電によりプラズマを発生させた場合であっても、プラズマの状態変化を、精度良くかつ高い自由度で検出できる技術を提供する。
【解決手段】 アノード１２およびカソード１３の間となるプラズマ処理容器１１の側壁の外面に、磁気センサ２１を設け、プラズマ処理容器１１のプラズマ生成空間に生成したプラズマＰの流れの周囲に発生する磁界を計測する。磁界変化量生成部は、磁気センサ２１で計測された磁界の初期値と当該初期値から変化した変化値との差分である、電磁界の変化量を生成し、プラズマ変化情報としてプラズマ処理制御部１７に出力する。プラズマ処理制御部１７は、取得したプラズマ変化情報に基づいて、例えば、プラズマ生成用電源１４の印加電圧を変化させる等の制御を行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマビームの照射位置の調整精度を向上させることができると共に、調整作業の作業効率を向上させることができるイオンプレーティング装置およびプラズマビーム照射位置調整プログラムを提供すること。
【解決手段】プラズマガン４と、プラズマビームＰの目標照射位置を中心として周方向に略等角度で４つの分割部１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄに分割されたハース５と、各分割部に一対一で接続されて電流を測定する４つの電流計１９ａ、１９ｂ、１９ｃ、１９ｄと、プラズマガン４側の磁界を形成するガン電磁石１５と、ハース５側の磁界を形成するハース電磁石２９と、ガン電磁石１５およびハース電磁石２９を制御してプラズマビームＰの照射位置を調整する位置調整部８とを備え、各分割部は互いに絶縁されており、位置調整部は、各電流計の測定値に応じてプラズマビームの照射位置を目標照射位置に近づけるように調整する構成を備えた。 （もっと読む）

【課題】高速・高能率切削が可能な、ＴｉＡｌＮよりも耐摩耗性に優れた硬質皮膜を得るための有用な製造方法を提供する。
【解決手段】所定の組成および結晶構造を有する硬質皮膜を製造するための方法であって、ターゲットを構成する金属の蒸発およびイオン化をアーク放電にて行うアークイオンプレーティング法において、該ターゲットの蒸発面にほぼ直交して前方に発散ないし平行に進行する磁力線を形成し、この磁力線によって被処理体近傍における成膜ガスのプラズマ化を促進すると共に、前記被処理体に印加するバイアス電位をアース電位に対して−５０Ｖ〜−３００Ｖとして成膜する。 （もっと読む）

【課題】同一バッチ内において基体表面に形成する化合物膜の膜厚分布を均一にする作業を簡素化でき、かつ長期間にわたり安定した化合物膜の形成ができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】所定の真空度に保たれたチャンバと、前記チャンバ内に配置された基体と、前記チャンバ内に反応性ガスまたは不活性ガスのどちらかもしくは両方からなるガスを供給するガス供給管と、前記チャンバ内に配置されたターゲットとを備え、前記基体表面に前記ターゲットの化合物膜を形成するスパッタリング装置であって、前記ガス供給管に前記チャンバ内へ前記ガスを吹き出すための複数のガス供給孔をその孔径を調整可能に設け、前記ガス供給孔の吹き出し部の前方には前記ガス供給孔から吹き出される前記ガスを拡散する拡散板が配設される。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】圧電体から成る基板の真空処理方法を提供する。
【解決手段】圧電体から成る処理基板１５を本プロセスであるプラズマ処理時に真空処理装置１内で吸着装置３０が吸着する前に、前プロセスとして処理プラズマの下で処理基板１５の表面の帯電電圧の極性と大きさを測定する。本プロセスの時に、前プロセスで測定した処理基板１５表面の電圧が１ｋＶ以上の場合、電極１１１、１１２にゼロＶを印加し、１ｋＶ未満の場合、電極１１１、１１２に、前プロセスで測定した処理基板１５表面の帯電電圧の極性と逆の極性の電圧を印加して処理基板１５を吸着する。処理基板１５が吸着装置３０の表面よりも大きい場合、裏面全体に金属薄膜を成膜し、熱伝導により降温させる。また、処理基板１５外側の上方に保護リング１８を配置して、プラズマから処理基板１５への熱の流入を防ぎ、処理基板１５の割れを防止する。 （もっと読む）

【課題】従来に比してヒステリシスの偏り、非対称性が小さく、圧電定数がプラス方向で大きく良好な特性を持ち、正電圧印加（正電界印加状態）でも大きな変位が得られ、正常に駆動させることができ、汎用の駆動ＩＣを用いることができる鉛含有圧電膜、その作製方法、これを用いる圧電素子およびこれを用いる液体吐出装置を提供する。
【解決手段】鉛を含有する圧電膜であり、その膜厚が、３μｍ以上であり、ｄ３１（＋）／ｄ３１（−）＞０．５であり、ｄ３１（＋）＞１００ｐｍ／Ｖであり、好ましくは、圧電膜中の鉛量が１．０３以下である。なお、ｄ３１（＋）およびｄ３１（−）は、それぞれ圧電膜に上部および下部電極を形成して上部電極に正電圧および負電圧を印加した時に測定される圧電膜の圧電定数である。 （もっと読む）

【課題】成膜する膜の組成及び基板サイズによらず、面内方向の組成等の膜特性を高度に均一化することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】基板ＢとターゲットＴとを対向させて、プラズマを用いた気相成長法により基板Ｂ上にターゲットＴの構成元素を含む膜を成膜するに際して、ターゲットＴの表面から基板Ｂ側に２〜３ｃｍ離れた位置のプラズマ空間のプラズマ電位Ｖｓ（Ｖ）の基板Ｂの面内方向のばらつきを±１０Ｖ以内に調整して、成膜を行う。ターゲットＴの表面から基板２０側に２〜３ｃｍ離れた位置におけるガス圧力の基板Ｂの面内方向のばらつきを±１．５％以内に調整して、成膜を行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 プラズマそのものの特性を変化させることなく、基板上のプラズマの分布を一様にすることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置１は、真空容器３を有している。
真空容器３の上面には誘電体８が設けられており、誘電体８上には、プラズマ発生用コイル７が設けられている。
真空容器３の内部には基板５１を保持する保持手段２が設けられている。
保持手段２には、調整手段４が設けられている。
プラズマ処理を行う場合は、真空容器３内をガス置換した後にプラズマ発生用コイル７を作動させ、保持手段２にバイアス電位を負荷し、プラズマを発生させる。
そして、調整手段４を用いて、シース面が均一高さ４２に来るように保持手段２の位置を調整する。
このように調整することにより、プラズマ３７の条件を変えることなく、基板５１の表面を均一処理できる。 （もっと読む）

プラズマドーピング方法は、ドーパントの重いハロゲン化合物のガスから成るドーパントガスをプラズマチャンバーへ供給するステップを有する。前記ドーパントの重いハロゲン化合物のガスを用いて前記プラズマスチャンバー内にプラズマを形成し、前記プラズマが所望のドーパントイオン及びプリカーサードーパント分子の重いフラグメントを生成する。前記所望のドーパントイオンが所望のイオンエネルギーを有して基板に衝突するように、前記プラズマスチャンバー内の前記基板にバイアスをかけることにより、前記所望のドーパントイオン及びプリカーサードーパント分子の前記重いフラグメントを、前記基板に注入し、前記所望のドーパントイオンにより、前記基板内の注入プロファイルを実質的に決定するように、前記イオンエネルギー及び前記ドーパントの重いハロゲン化合物の組成の内の少なくとも１つを選択する。
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【課題】圧電体膜を破壊することなく、圧電体膜の自発分極を所定の向きに配向させる圧電体膜の分極方法、および、圧電体膜に分極処理を施す工程を含む圧電素子構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に気相成長法により成膜された、未分極処理の、キュリー点Ｔｃが３００℃以下である圧電体膜２３に対して、０℃以下の温度条件下で、所定の向きの、圧電体膜２３の抗電界以上の大きさの電界Ｅを印加することにより、圧電体膜２３の自発分極を、所定の向きに配向させる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般に、基板上のアスペクト比の高い特徴部の底部及び側壁上に材料を均一にスパッタ蒸着させるための装置及び方法に関する。１つの実施形態では、スパッタ蒸着システムが、開口部を有するコリメータを含み、この開口部のアスペクト比が、コリメータの中心領域からコリメータの周辺領域にかけて減少する。１つの実施形態では、内部にねじ山のある留め具と外部にねじ山のある留め具との組み合わせを含むブラケット部材を介して、コリメータが接地されたシールドに結合される。別の実施形態では、コリメータが、接地されたシールドに一体的に取り付けられる。１つの実施形態では、材料をスパッタ蒸着させる方法が、基板支持部上のバイアスを高い値と低い値の間でパルスするステップを含む。 （もっと読む）

プラズマプロセスチェンバーにおいてウェーハレベルアークを検出するための方法と装置。方法は、例えば、プラズマプロセスチェンバーに供給された信号の波形を監視することと、波形中の特徴を検出することと、特徴を検出したことに応答して、波形が特徴の後で安定化したかどうかを決定することと、波形が安定化したことに応答して、特徴が双方向波形異常の一部であるかまたは一方向波形遷移であるかを決定することと、特徴が双方向波形異常の一部であることの指標かまたは特徴が一方向波形遷移であることの指標のどちらかを、コンピューター読み取り可能な媒体に記録することと、を含む。
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【課題】 複数枚のターゲットを並設し、この並設したターゲットに、複数台のバイポーラパルス電源を介してバイポーラパルス状に電力投入してスパッタリング法を実施する際に、簡単な制御でスイッチングノイズの影響を受け難くしてターゲットに精度よく投入電力できるようにする。
【解決手段】 対をなすターゲット毎に、直流電力供給源からの正負の直流出力端に接続したブリッジ回路５２の各スイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ４のオン、オフを切換えてバイポーラパルス状に電力供給し、各ターゲットをスパッタリングするスパッタリング方法において、前記直流電力供給源からの正負の直流出力間に設けた出力短絡用スイッチング素子ＳＷ０の短絡状態で前記スイッチング素子のオン、オフの切換えを行うと共に、出力短絡用スイッチング素子の切換えのタイミングをブリッジ回路毎に相互にずらす。 （もっと読む）