【課題】材料処理システムをモニタするための改良された装置及び方法を提供する。
【解決手段】材料処理システムは、処理ツールと、状況データを生成すると共に送信するために処理ツールに結合された複数のＲＦ応答性状況センサ１９０と、複数のＲＦ応答性状況センサから状況データを受信するためのセンサインターフェースアセンブリ（ＳＩＡ）１８０とを含む。
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本発明は、プラズマ場を発生させるための陽電荷源としての役割も果たすガス供給装置を用いたマグネトロンスパッタリング装置を提供する。前記スパッタリング装置は、真空チャンバ、スパッタ可能な物質の陰極ターゲット、正および負の電荷を供給する電源、並びに、ガス供給装置を備えている。前記ガス供給装置は、シンプルな穴あきガス供給部材を備えていてもよいし、導電性陽極表面が付与された穴あきガス供給部材を備えていてもよい。前記ガス供給部材は、また、スパッタリングガスの流れを調節する役割を果たす、更に多くの穴のあいた内部導管を備えていてもよい。ガス流は、前記ガス供給装置の個別の部分の内部で調節してもよい。前記ガス供給装置の陽極表面は、プラズマおよびガス流の作用により清浄化され、より安定したプラズマを発生させ、メンテナンスの必要性を低減させる。
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【課題】スパッタリング法による光学多層膜形成装置において、高精度で再現性に優れた膜厚制御を行う装置及び方法を提供する。
【解決手段】真空槽からなるスパッタ室、スパッタ室内部で基板を保持して移動する移動部材、及び基板に光学薄膜を形成するために複数のターゲット材のプラズマを発生させる複数の対からなるスパッタカソードを備えた光学多層膜を形成するスパッタリング装置において、スパッタカソードの各対が基板の移動経路を挟んで対向する位置に配置され、基板が該スパッタカソードの各対の近傍を複数回通過するように移動部材を動作させる手段を含む構成とした。 （もっと読む）

アーク放電が作用する表面を有するターゲットからなり、前記ターゲットは磁界発生装置の作用範囲内に配置され、前記磁界発生装置は反対極性を有する少なくとも２つのマグネットシステムからなると共に、発生する当該磁界の前記表面に対する垂直成分Ｂ_^が前記表面の大部分にわたって基本的にコンスタントに小さな値を有するかまたはゼロとなるように形成されている真空アークソースならびにその作用方法が開示される。
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【課題】 耐衝撃性が向上した反射防止膜を有する光学物品及び光学物品の製造方法を提供する。
【解決手段】 蒸着装置内に配置したプラスチック製の光学基板の表面に、水素またはフッ素を含有するガスを分解するための高周波電力値を所定値に設定して、ＳｉＯ₂の金属酸化物からなる薄膜、あるいはＴｉＯ₂の金属酸化物からなる薄膜を、少なくとも１層以上形成した反射防止膜が、３０原子％〜５０原子％の少なくとも水素または／及びフッ素を含有することにより、反射防止膜を有する光学物品の耐衝撃性の向上を図る。 （もっと読む）

【課題】
長尺の高分子フィルムの表面改質を効率よく連続的に行う高分子フィルムの連続的表面改質方法、この方法の実施に好適な高分子フィルムの連続的表面改質装置、及び前記方法によって得られる長尺の高分子フィルムを提供する。
【解決手段】
プラズマ雰囲気中、長尺の高分子フィルムを一定方向に搬送すると同時に、（Ａ）イオン注入圧力が０．０１〜０．１Ｐａで、フィルム表面部にプラズマ中のイオンを注入するか、及び／又は（Ｂ）外部電界を用いることなく印加する高電圧パルスによる電界のみで生成させたプラズマ中のイオンをフィルム表面部に注入する高分子フィルムの連続的表面改質方法、高分子フィルムの連続的表面改質装置、及び前記表面改質方法によって得られる長尺の高分子フィルム。 （もっと読む）

【課題】外乱による影響を抑制することのできるプラズマ処理装置および処理方法を提供する。
【解決手段】真空処理室内に収容した試料に処理を施すプラズマ処理装置２３と、前記処理中のプロセス量をモニタするセンサ２４と、前記センサからのモニタ出力および予め設定した加工結果の予測式をもとに加工結果を推定する加工結果推定モデル２５と、前記加工結果の推定モデルの推定結果をもとに加工結果が目標値となるように処理条件の補正量を計算する最適レシピ計算モデル２６を備え、該最適レシピ計算モデルが生成したレシピをもとに前記プラズマ処理装置２３を制御する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、処理チャンバにダメージを与えることなく、クリーニング速度を速め、低温度で効率良く処理チャンバのクリーニングを行うことの可能な半導体基板処理装置のクリーニング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、半導体基板に所定の処理を施す処理チャンバを備えた半導体基板処理装置のクリーニング方法において、外部のチャンバ内で発生させたプラズマ放電によって、前記外部のチャンバ内でクリーニング用のガスを活性化させてハロゲンラジカル及び還元性ラジカルを生成させ、前記ハロゲンラジカル及び還元性ラジカルを処理チャンバ内に導入し、処理チャンバ内に堆積している堆積物を前記還元性ラジカルで還元して、前記ハロゲンラジカルで高蒸気圧ハロゲン化物として排気することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理システム及び方法
【解決手段】プラズマ処理システムは、磁界を生成することができる磁界発生器と、該システムの処理チャンバ内の粒子を照射することが可能な光シートを生成することができるシート光学素子とを含む。イメージング装置は、該光シートにより照射された粒子に対応するイメージデータを獲得することができる。該磁界発生器、該シート光学素子及び該イメージング装置は、プラズマにアクセスするために、互いに関連するように配置することができる。イメージプロセッサは、該光シート内の粒子の濃度を得るために、該イメージデータを処理することができる。プラズマ処理システムにおける粒子濃度を測定する方法は、該磁界発生器、シート光学素子及びイメージング装置を、プラズマにアクセスするために互いに関連するように配置することと、該光シート内の粒子の濃度を得ることと含む。 （もっと読む）

本発明によって、プラズマを点火させることを提供する装置と方法とが提供される。該装置と方法とでは、アークの場合は、シャントスイッチが電力をプラズマからそらせるために使われ、該プラズマは、過剰電圧保護回路に組み込まれている。アークが消失すれば、プラズマを再点火させるための点火電圧をブースとするため、蓄えられたインダクタエネルギーが使用されるよう、該過剰電圧保護回路は、アークが消失したときに、シャントスイッチをブーストスイッチとして動作するように制御する。アークが消失し、インダクタ電流が減少し、プラズマが点火するとき、スイッチＳ１はオフにされ、インダクタエネルギーはプラズマに行き、電源は通常動作モードで動作する。 （もっと読む）

【課題】 低温成膜、高速成膜を両立させることができるデュアル形式のマグネトロンスパッタリングにおいて、低温成膜と、高速成膜を達成しうる手段を提供し、これによって有機フィルムの上に高機能性材料である例えば各種無機結晶膜を低温、高速で得ようというものである。
【解決手段】 デュアルマグネトロンスパッタリング装置を用いてなる成膜手段において、各マグネトロンをマグネトロンに保持されている各ターゲット面を基準として、各ターゲット面の延長線の成す角度を、１６０〜２０℃の間の値に設定し、且つ各ターゲット表面に形成されるエロージョン領域の垂直方向延長領域の交差領域のうち最もマグネトロンとの距離が近い領域内に薄膜形成する基板表面あるいはその一部が位置するよう設定し、該基板上に薄膜体を生成させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマを用いる半導体製造装置における反応チャンバ内のプラズマ密度の分布を制御し、半導体基板面内の膜形成あるいは加工を均一に行うことができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】電気的に相互に独立したＲＦ放電により複数の部分プラズマ１０を発生させることで全体プラズマ１１の密度を制御するための複数の分割ＲＦ電極７を備えたＲＦ電極部５を有する。その各々の分割ＲＦ電極７に、別々に電力を供給する電力供給手段を有することにより、分割ＲＦ電極７に供給された電力に応じた密度を有する複数の部分プラズマ１０が発生する。この複数の部分プラズマ１０が集合して全体プラズマ１１が形成される。部分プラズマ１０の密度を制御することにより、全体プラズマ１１の密度を制御する。この全体プラズマ１１を用いてその基板の面内を均一に処理する。 （もっと読む）

高蒸着スパッタリングのための方法および装置が記載されている。スパッタリング源は、アノードと、アノードに隣接して配置されたカソードアセンブリとを備える。カソードアセンブリは、スパッタリングターゲットを備える。電離源は、アノードおよびカソードアセンブリの近傍に弱電離プラズマを発生させる。電源はアノードとカソードアセンブリとの間に電場を形成させ、電場は弱電離プラズマから強電離プラズマを創り出す。強電離プラズマは第一の複数のイオンを含み、第一の複数のイオンはスパッタリングターゲットに衝突してスパッタリングターゲット中に十分な熱エネルギーを発生させ、スパッタリングターゲットのスパッタ率をスパッタリングターゲットの温度に非線形に関連させる。
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強電離プラズマを生成する方法および装置が記載されている。本発明による強電離プラズマを生成する装置には、アノードとカソードとが含まれており、カソードはアノードに隣接して配置され、アノードとカソードとの間にギャップが形成される。イオン源は、カソードの近傍に弱電離プラズマを生成する。電源は、アノードとカソードとの間のギャップに電場を生成する。電場は、弱電離プラズマ内に励起原子を生成し、カソードから二次電子を生成する。二次電子は励起原子を電離することにより、強電離プラズマを生成する。
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【課題】不活性ガスとともに酸素ガスを用いたスパッタ法において、より安定した酸化の状態で酸化物の薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】高周波電源１２１の出力の交流電圧の平均値Ｖ_DCを検出するＶ_DCモニタ１２２と、Ｖ_DCモニタ１２２が検出したＶ_DCにより反応性ガス導入部１１２より導入されるガスの流量を制御するマスフローコントローラ１２３を制御する制御部１２４とを備え、Ｖ_DCモニタ１２２で検出されたＶ_DCの値が、既定値Ｖ₀となるように、制御部１２４がマスフローコントローラ１２３を制御し、反応性ガス導入部１１２より導入される酸素ガスの流量を制御する。 （もっと読む）

【課題】 成膜速度に優れ、且つ、良好な光学特性を実現できる酸化Ｎｂ薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 ニオブメタルをターゲットとして、スパッタリング法により基材表面に酸化ニオブ薄膜を成膜する際に、プラズマエミッションモニタリング（ＰＥＭ）法により反応性ガスの導入量を調整し、前記ニオブメタルから発生するプラズマの強度を制御する。具体的には、反応性ガス導入後、反応性ガスの導入量によってプラズマ発光強度をスパッタリング開始時のプラズマ強度に対して５〜１５％の範囲に制御することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】酸化数が精密に制御されたＣｕ_２Ｏ膜を高速にて成膜する方法及びこの成膜方法によって得られたＣｕ_２Ｏ膜を光吸収層として用いた太陽電池を提供する。
【解決手段】カバー２６内部に透明基板１を導入し、アルゴン中に酸素を含有させた混合ガスをカバー２６内に導入する。ターゲット電極２０Ａ，２０Ｂに一定の周期で交互にパルスパケット状の電圧を印加して、グロー放電を形成させる。これにより、ターゲット２１ａ，２１ｂから粒子がスパッタされ、基板１上にＣｕ_２Ｏ膜よりなるｐ層３が形成する。コリメータ３０ａ，３０ｂを介して得られたプラズマの発光スペクトルが電気信号となりＰＥＭ３１ａ，３１ｂに取り込まれる。このＰＥＭ３１ａ，３１ｂを用いてプラズマ中の銅の発光強度が常に一定になるように酸素ガスの導入流量を制御する。 （もっと読む）

【課題】組成が精密に制御された複数の金属を含む酸化物よりなるｐ型透明酸化物膜を高速にて成膜する方法及びこの成膜方法によって得られたｐ型透明酸化物膜を光吸収層として用いた太陽電池を提供する。
【解決手段】カバー２６内部に透明基板１を導入し、アルゴン中に酸素を含有させた混合ガスをカバー２６内に導入する。ターゲット電極２０Ａ，２０Ｂに一定の周期で交互にパルスパケット状の電圧を印加して、グロー放電を形成させる。これにより、銅よりなるターゲット２１ａ及びアルミニウムよりなるターゲット２１ｂから粒子がスパッタされ、基板１上にＣｕＡｌＯ_２膜よりなるｐ層３が形成する。コリメータ３０ａ，３０ｂを介して得られたプラズマの発光スペクトルが電気信号となりＰＥＭ３１ａ，３１ｂに取り込まれる。このＰＥＭ３１ａ，３１ｂを用いてプラズマ中の銅及びアルミニウムの発光強度が常に一定になるように酸素ガスの導入流量を制御する。 （もっと読む）

ワークピース（４０、１２０、１４２）の表面をコーティングする装置（１０）であって、ワークピースを通る内部通路（４４、４６、４８）内に圧力勾配を形成するものであり、これにより内部通路内のコーティングが平滑さや硬度に関連する特徴などの意図する特徴を呈するものである。上記装置は協働するシステムを含んでおり、これにはプラズマ発生システム（１２）、操作可能なワークピース支持システム（３４、９０、１２２）、ワークピース内または周囲のイオン化を増加するイオン化励起システム（６６、１１６）、選択された電圧パターンをワークピースに印加するバイアスシステム（５２）および２房室システム（９６、９８）があり、２房室システムはプラズマ発生を第１の選択された圧力で起こさせかつ第２の選択された圧力で堆積を起こさせるものである。
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プラズマプロセスにおけるアーク放電の識別のためのアーク放電識別装置（１）はアーク放電識別信号を送出する比較器（４）を有し、この比較器（４）には信号及び基準値が供給され、基準値は調整装置（６）によって極値検出装置（５）により予め設定された期間に求められた信号の極値から形成され、比較器（４）は、基準信号と信号の瞬時値との比較の結果アーク放電が生じた場合に、アーク放電識別信号の状態を変化させる。
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