【課題】口径が０．２５μｍ以下で、高アスペクト比の配線孔の埋め込みも可能で、かつ、効率が良く、更にはＥＭ寿命が長くて低抵抗な銅合金膜の形成技術を提供することである。
【解決手段】 ケミカルベーパーデポジションにより銅−錫合金膜を形成する為の材料であって、
銅の配位錯体と、
Ｒ¹ Ｒ² Ｒ³ Ｒ⁴ Ｓｎ（Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ はアルキル基またはアリール基であって、同一でも、異なるものでも良い）、Ｒ_n ＳｎＸ_4-n （Ｒはアルキル基またはアリール基、ＸはＨ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ又はＩ、ｎは０〜３の整数）、及びテトラキスジメチル（又はジエチル）アミノ錫の群の中から選ばれる少なくとも一つの錫化合物
とからなる。 （もっと読む）

プラズマ加速原子層成膜（ＰＥＡＬＤ）処理を用いて、基板上に膜を設置する方法であり、当該方法は、前記ＰＥＡＬＤ処理を行うことができるように構成された処理チャンバ内に、前記基板を配置するステップを有する。処理チャンバ内に、第１の処理材料が導入され、処理チャンバ内に、第２の処理材料が導入される。第２の処理材料の導入の間、処理チャンバには、６００Ｗを超える電磁力が結合され、基板の表面での第１および第２の処理材料の間の還元反応を促進するプラズマが発生する。第１の処理材料と第２の処理材料の交互の導入により、基板上に膜が形成される。
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プラズマ加速原子層成膜（ＰＥＡＬＤ）処理を用いて、基板上に膜を設置する方法であり、当該方法は、前記ＰＥＡＬＤ処理を行うことができるように構成された処理チャンバ内に、前記基板を配置するステップと、前記処理チャンバ内に第１の処理材料を導入するステップと、前記処理チャンバ内に第２の処理材料を導入するステップとを有する。さらに当該方法は、前記基板の表面での前記第１および第２の処理材料の間の還元反応を助長させるプラズマを発生させるため、前記第２の処理材料の導入の間、前記処理チャンバに電磁力を結合するステップを有する。前記処理チャンバ内に、反応性ガスが導入され、該反応性ガスは、前記処理チャンバ内で汚染物質と化学的に反応して、処理チャンバ構成部材または前記基板のうちの少なくとも一つから、前記汚染物質を放出する。
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【課題】 大規模で高価な設備を必要とせずに、基板上に硬度が高く表面が平滑で均質な硬質窒化炭素膜を効率良く形成する方法を提供する。
【解決手段】 シアン化合物を含む原料ガスをプラズマ化することにより活性化し基板上に窒化炭素膜を形成する際に、基板にパルス周期が０．１〜１０００００秒の高周波パルスをｏｎ／ｏｆｆ比５０／５０〜８０／２０で印加することを特徴とする硬質窒化炭素膜の形成方法である。印加する高周波パルスのバイアス電圧は−５０〜−２００Vとすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により、Ｃ、Ｎ含有量が低く、Ｔａ／Ｎ組成比が高く、Ｃｕ膜との密着性が確保されているバリア膜として有用な低抵抗タンタル窒化物膜を形成する方法の提供。
【解決手段】成膜室内に、Ｔａ元素の周りにＮ＝(Ｒ,Ｒ')(Ｒ及びＲ'は、炭素原子数１〜６個のアルキル基を示し、それぞれが同じ基であっても異なった基であってもよい)が配位した配位化合物からなる原料ガス及びハロゲンガスを導入してＴａＮ_ｘ(Ｈａｌ)_ｙ(Ｒ,Ｒ')_ｚ化合物膜(Ｈａｌは、ハロゲン原子を表す)を形成し、次いでＨ原子含有ガスを導入してハロゲン化生成物と反応させてタンタルリッチのタンタル窒化物膜を形成する。また、得られた膜中にスパッタリングによりタンタル粒子を打ち込み、さらにタンタルリッチとする。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型伝導層をＣ添加のＩｎＧａＡｓを主成分とする化合物半導体層で構成したエピタキシャル結晶であって、ｐ型伝導層の結晶性及びｐｎ接合の急峻性に優れ、ＨＢＴ等の電子デバイス用基体として有用なエピタキシャル結晶を提供する。
【解決手段】 化合物半導体基板上に、ｐ型不純物として炭素が添加されたＩｎＧａＡｓを主成分とするｐ型伝導層を含む複数のエピタキシャル層が積層された化合物半導体エピタキシャル結晶において、前記ｐ型伝導層がアンチモンを０．５〜１０モル％含有するようにした。 （もっと読む）

【課題】耐熱性透明電極とその製造方法，及びこの耐熱性透明電極を備えた色素増感太陽電池を提供する。
【解決手段】本発明によれば，五価元素を含有した透明伝導性物質からなる耐熱性透明電極とその製造方法，及びこの耐熱性透明電極を備えた色素増感太陽電池が提供される。かかる耐熱性透明電極は，高温に露出されても実質的に劣化されず，伝導性低下も発生しないため，この耐熱性透明電極を備えた色素増感太陽電池は，その性能が向上することとなる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、四酸化ルテニウム含有ガスから基板表面上にルテニウム含有層を形成するための装置及び方法を提供する。一般に、方法には、基板表面を四酸化ルテニウム蒸気にさらして、基板表面上に触媒層を形成するステップと、続いて基板表面上のデバイス構造を少なくとも１つの堆積プロセスによって充填するステップとが含まれる。一実施形態において、ルテニウム含有層は、外部容器内で四酸化ルテニウムを生成し、その後、生成した四酸化ルテニウムガスを処理チャンバ内に位置する温度制御された基板表面に分配することによって基板表面上に形成される。他の実施形態において、ルテニウム含有層が四酸化ルテニウム含有溶媒を用いて、基板表面上に形成される。他の実施形態において、溶媒は四酸化ルテニウム含有溶媒から分離され、残りの四酸化ルテニウムは基板表面上にルテニウム含有層を形成するために用いられる。 （もっと読む）

【課題】 基材やフィルムなどの移動体に生じる皺を抑制して、製膜の均一化を図る。
【解決手段】 この薄膜形成装置には、互いの放電面が対向して放電空間を形成するように配置され、放電空間内に高周波電界を発生させる一対の電極と、放電空間内に発生した高周波電界に対してガスを供給し放電プラズマを発生させるガス供給部と、放電空間内で一対の電極のうち、少なくとも一方の電極に沿いながら放電プラズマに晒されるように移動体を移動させる移動機構とが備えられている。少なくとも一方の電極には、当該電極に移動部材を吸着させる吸着手段が設けられている。 （もっと読む）

金属含有ガスを処理するための方法および装置が、プラズマチャンバ内にトロイダルプラズマを発生することを伴う。金属含有ガスが、プラズマチャンバ内に導入されて、トロイダルプラズマと反応する。トロイダルプラズマと金属含有ガスとの相互作用が、金属材料、金属酸化物材料、または金属窒化物材料の少なくとも１つを生成する。
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【課題】クリーニング処理開始前の被処理体の処理枚数に関係なく、ジャストエッチの時点を自動的に確実に把握することにより、エッチング処理の適正な終点時点を決定することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理チャンバー１６と、所定の処理が施される被処理体Ｗを載置する載置台２０と、処理チャンバーへ必要なガスを供給するガス供給手段４０と、途中に真空ポンプが介設されて処理チャンバー内の雰囲気を真空引きする排気系６とを有す処理装置において、排気ガス中に含まれるパーティクル数を計測するために前記排気系に設けられたパーティクル計測手段８と、処理チャンバー内にクリーニングガスを流してクリーニング処理を行う時にパーティクル計測手段の計測値に基づいてクリーニング処理の終点時点を決定するクリーニング終点決定手段１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】超臨界状態の媒体の自然対流を抑制することができ、被処理基板の成膜面に均一に成膜することのできる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器１０内には、被処理基板である半導体ウエハＷを、その成膜面が下向きになるように保持する基板保持機構１１が設けられている。基板保持機構１１には、同心状の領域に複数に分割されたヒータ１２及びこれらの各領域に配置された複数の温度センサ１３が設けられ、制御装置１４によって、複数の領域毎に温度制御することができるよう構成されている。処理容器１０内の底部には、処理容器１０内に、超臨界状態の媒体と成膜原料物質とを含む処理媒体を、複数の供給口１６から供給する処理媒体供給機構１５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ励起を要する成膜方法において、清浄で安定な成膜を実現する。
【解決手段】 被処理基板を保持する保持台を内部に備えた処理容器と、前記処理容器内に成膜のための処理ガスを供給し、当該処理容器内にプラズマを励起するための高周波電力が印加されるシャワーヘッド部と、を有する成膜装置による成膜方法であって、前記被処理基板上に金属を含む薄膜を形成する成膜工程と、前記成膜工程の前に前記シャワーヘッド部に別の金属を含む保護膜を形成する保護膜形成工程と、を有することを特徴とする成膜方法。 （もっと読む）

【課題】 不純物の少ない合金の金属薄膜を均一にしかも高速に作製する。
【解決手段】 Ｆｅ製の被エッチング部材２１とＮｉ製の被エッチング部材２２とを備え、Ｃｌ₂ガスをプラズマ化してそれぞれの被エッチング部材２１、２２をエッチングした前駆体の金属成分を基板９にそれぞれ吸着させ、その後、基板９を移動させてＦｅ薄膜とＮｉ薄膜を積層することで合金６０を作製し、緻密な多元層膜構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】 成膜される膜厚の均一性が優れた金属膜作製装置及び金属膜作製方法を提供する。
【解決手段】 チャンバ１に基板３を設置し、チャンバ１内に配設された金属部材１１の近傍に、ハロゲンを含有する原料ガスを供給すると共に、原料ガスのプラズマ１５を発生させて、ハロゲンのラジカルを生成し、ハロゲンのラジカルにより、金属部材１１をエッチングして、金属部材に含まれる金属成分とハロゲンからなる前駆体１６を生成し、金属部材１１より低い温度に基板３を制御すると共に、基板３の面内の温度分布を、周縁部で低く、中央部で高くし、基板３に前駆体１６を吸着させると共に、吸着された前駆体１６をハロゲンのラジカルにより還元して、金属膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】窒化金属膜及び該窒化金属膜を作製する窒化金属膜作製装置及び作製方法を提供する。
【解決手段】基板３を支持台２に載置して収容したチャンバ１の内部において、ヘリウムで希釈した塩素ガスプラズマ１６により、タンタルで形成した被エッチング部材１４をエッチングして塩化タンタルガスからなる前駆体１７を生成し、基板３の温度を被エッチング部材１４の温度よりも低くして前駆体１７を基板３に吸着させ、塩素ガスプラズマにより吸着した前駆体１７を還元してタンタル成分を基板３に成膜する際に、窒素ガスをプラズマ化して得られる窒素ガスプラズマによりタンタル成分を窒化して、基板３に窒化金属膜１８を成膜する窒化金属膜作製方法において、窒素ガスの供給量を制御して窒素ガス／ハロゲンガス流量比を０より大きく０．１以下とし、窒化金属膜１８の窒素原子と金属原子の原子組成比であるＮ／Ｍ比を０より大きく１以下となるようする。 （もっと読む）

【課題】 成膜時、エッチング時において、下地膜へのダメージが小さい金属系膜、金属系膜の作製方法、金属系膜作製装置、プラズマ処理方法及びエッチング装置を提供する。
【解決手段】 Ｃｌ₂を供給する前に、Ｘｅを供給して、プラズマを生成し、その後、Ｃｌ₂を含有するガスを所定流量まで漸増して供給すると共に、Ｃｌ₂のラジカル（Ｃｌ^*）生成し、Ｃｌ₂を所定流量まで漸増する際、Ｃｌ^*とＣｌ^*により生成される金属成分の前駆体とのモル比が所定値になるように、Ｘｅの流量を制御し、Ｃｌ₂を所定流量まで漸増した後、モル比を維持するように、Ｘｅの流量を漸減することで、成膜の初期において、Ｘｅ^*によりＣｌ^*が失活され、前駆体が所定数のＣｌ^*により還元され、下地膜へダメージを与えることなく、金属系膜が基板上に作製される。 （もっと読む）

気体を活性化し解離する方法及び装置であって、チャンバの中のプラズマを用いて活性化気体を発生するステップを含む。下流気体入力をチャンバの出力に対して配置することにより、気体入力によって導かれる下流気体の解離を容易化し、解離された下流気体がチャンバの内側表面と実質的に相互作用しないようにする。
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半導体処理装置（１）において被処理基板（１０）を処理する方法は、処理容器（２）内で第１基板（１０）を処理温度に温度制御しながら前記処理容器内に処理ガスを供給し、前記第１基板に対して半導体処理を行う。前記半導体処理において、前記処理容器（２）の内面上に副産物膜が形成される。前記半導体処理後で且つ前記処理容器（２）から前記第１基板（１０）を取り出した後、前記処理容器内に改質ガスを供給し、前記副産物膜に対して改質処理を行う。前記改質処理は前記副産物膜の熱反射性を低下させるように設定される。前記改質処理後、前記処理容器（２）内で第２基板（１０）を前記処理温度に温度制御しながら前記処理容器内に前記処理ガスを供給し、前記第２基板に対して前記半導体処理を行う。
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【課題】 エピタキシャル膜の形成方法と、これを用いた薄膜形成方法、及び半導体装置の製造方法が開示される。
【解決手段】 エピタキシャル膜の形成方法と、これを用いた薄膜形成方法、及び半導体装置の製造方法において、第１単結晶シリコン膜上に前記第１単結晶シリコン膜の表面を部分的に露出させる開口部を有する第１絶縁膜パターンを形成した後、前記開口部によって露出された第１単結晶シリコン膜上に単結晶シリコンで構成された第１シード膜を形成する。そして、前記第１シード膜が形成された結果物上部にシリコンソースガスを提供して、前記第１シード膜上にエピタキシャル膜を成長させながら、前記第１絶縁膜パターン上に非晶質シリコン膜を形成する。その後、前記非晶質シリコン膜の結晶構造を単結晶に転換させて前記エピタキシャル膜と非晶質シリコン膜から第２単結晶シリコン膜を獲得する。 （もっと読む）