【課題】プラズマ生成空間を形成する１対の板状部材の長さに関わらず、ワークに対する処理を均一かつ安定的に行うことができるプラズマ装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ装置１は、プラズマを放出するプラズマ放出部２を備え、このプラズマ放出部２は、誘電体材料で構成され、ワーク１００のプラズマ放出部２に対する移動方向と直交しかつ被処理面１０１の法線方向と直交する方向に沿って互いに平行に配置され、それらの間にプラズマ生成空間２１を形成する１対の板状部材２３、２４と、板状部材２３、２４に固定され、プラズマ生成空間２１の少なくとも一部を板状部材２３、２４の長手方向に沿って複数の小空間に区画する区画部材２７と、１対の板状部材２３、２４間に電圧を印加する通電手段と、プラズマ生成空間２１に所定のガスを供給するガス供給手段２９とを備えている。区画部材２７は、スペーサとしての機能や整流効果を有する。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の清掃に先立ちこのチャンバ内を迅速且つ容易に無害化することができる金属膜作製装置を提供する。
【解決手段】内周面にハロゲン乃至金属ハロゲン化物が吸着乃至付着し得るチャンバ１と、前記チャンバ１の内部空間にキャリアガスとともに低濃度の水蒸気を供給する水蒸気供給手段３１と、前記チャンバ１内への水蒸気の供給に伴うこの水蒸気の作用により発生したハロゲン化水素ガスをチャンバ１の外部に排出するための排気手段５１とを有する。 （もっと読む）

【課題】 基板処理中の熱による被エッチング部材の熱変形や位置の変動、及び被エッチング部材同士の接触等を防止し、均一な基板処理が可能な基板処理装置の提供。
【解決手段】 円環部材１２や桁部材１３などの被エッチング部材の熱変位を抑制可能な被エッチング部材支持体１４により被エッチング部材１１を支持して基板処理を行う。これにより基板処理中の被エッチング部材１１の熱変位が抑制され、基板処理をより均一にすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 周囲の温度や成膜履歴などの影響を最小限に抑制して膜厚の均一性を保つことができる薄膜作製装置とする。
【解決手段】 レーザー光によるＣｕ原子、ＣｕＣｌ分子の発光分布状況に基づいて、チャンバ１内の圧力、Ｃｌ₂ガス１７の流量、ＲＦパワー等の作製条件を適宜変更し、基板３の上部のＣｕ原子、ＣｕＣｌ分子が均一になる発光状況にすることで、基板３毎にＣｕ原子、ＣｕＣｌ分子の密度を均一な状態にして膜圧の均一性を保つ。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理に伴うくもりをなくした透明な天井板を通してチャンバ内の状態を確認することができる基板処理装置とする。
【解決手段】チャンバ１の内部を観察するために透明な天井板７を設け、温度の不均一を抑制する冷却風を加温するヒータ２４を設け、加温された冷却風を天井板７に供給して天井板７を暖め、プラズマ処理に伴うくもりをなくして赤外線センサーによりチャンバ１の内部の温度分布を観察する。 （もっと読む）

【課題】多元金属の酸化物、窒化物、炭化物、酸窒化物などの多元金属化合物膜を、所望の構成金属且つ所望の組成比で容易に且つ効率的に作製する作製方法及び装置を提供する。
【解決手段】 基板３が収容されるチャンバ１の上部でハロゲンガスをプラズマ化してハロゲンガスプラズマを発生させ、降下するハロゲンラジカルＣｌ^＊により金属で形成した被エッチング部材１１ａ、１１ｂをエッチングすることにより金属成分とハロゲンとの前駆体を形成し、この前駆体の金属成分を基板に成膜させるに際し、前記被エッチング部材として、金属成分が異なると共に開口率を適宜調整した複数の被エッチング部材を上下方向に所定間隔で配置することにより、前記基板に所望の多元金属化合物を成膜する。 （もっと読む）

【課題】新方式のＣＶＤ装置において、基板の材質に拘らず金属膜を作製することができる金属膜作製装置を提供する。
【解決手段】金属酸化物を含む基板３３が収容されるチャンバ１と、チャンバ１に設けられる炭素材製の被エッチング部材３４と、チャンバ１の内部にハロゲンを含有する原料ガス２１を供給するノズル１４と、酸素成分手段である基板３３と、チャンバ１の内部をプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させガスプラズマ２０で被エッチング部材３４をエッチングすることにより炭素成分と原料ガス２１との前駆体３６を生成するプラズマ発生手段と、基板側の温度を被エッチング部材３４の温度よりも低くすることにより酸素成分手段の酸素成分を含んだ前駆体３６の炭素成分を基板側に成膜させる制御手段とを備え酸素成分を含んだ炭素膜を作製することにより基板３３には不動態である金属酸化物に結合し難い金属膜でも作製出来るようにした。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低く結晶性のよいＧａＮ結晶の製造方法、ＧａＮ結晶基板、およびそのＧａＮ結晶基板を含む半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ＧａＮ結晶の製造方法は、昇華法により成長させたＡｌＮ種結晶の少なくとも一部で形成されているＡｌＮ種結晶基板３を用いて、ＨＶＰＥ法によりＧａＮ結晶４を成長させるＧａＮ結晶の製造方法であって、ＡｌＮ種結晶基板の反りの曲率半径が５ｍ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜前駆体（３５０）の露出表面積を向上させることにより成膜速度を向上するため、高伝導性の気相供給システム（４０）に結合された、高伝導性のマルチトレー膜前駆体蒸発システム（５０、３００）を示した。
【解決手段】マルチトレー膜前駆体蒸発システムは、１または２以上のトレー（３３０、３４０）を有する。各トレーは、例えば、固体粉末状または固体タブレット状の膜前駆体を支持し、保持するように構成される。また、膜前駆体が加熱されている間、各トレーは、膜前駆体の上部に流れるキャリアガスに、高い導電性が提供されるように構成されても良い。例えば、キャリアガスは、膜前駆体の上方から内方に流れ、積層可能なトレー内の流束溝を介して垂直に上方に流れ、固体前駆体蒸発システム（３００）の出口（３２２）から排出される。 （もっと読む）

【課題】複数のガスにより成膜を行う際に、ガスの利用効率を高めるとともに成膜特性を良好にする。
【解決手段】成膜装置１００は、成膜処理を行う反応室１０２と、第１の原料ＡおよびガスＢをそれぞれ反応室１０２に供給する第１のガス供給ライン１１２および第２のガス供給ライン１５２と、反応室１０２に供給されるガスをプラズマ励起する励起部１０６とを含む。このような構成の成膜装置１００において、第１の原料Ａ由来のガスおよびガスＢを反応室１０２に供給して、第１の原料Ａ由来のガスを基板上に吸着させて堆積層を形成する第１の工程と、第２のガスを反応室１０２に供給して、プラズマ励起した状態で、堆積層に作用させる第２の工程と、により成膜処理を行う。 （もっと読む）

【課題】化学気相成長装置、及びその装置を用いた化学気相成長法を提供する。
【解決手段】化学気相成長装置１０は、電磁放射線を放出可能である加熱要素と、電磁放射線を受け取るように加熱要素に対して配置されたレトルト１６と、レトルト１６の周りに少なくとも部分的に配置され、電磁放射線に少なくとも部分的に透過性を有する材料を含む包囲部材１８と、包囲部材１８の内面２４とレトルト１６の外面２２とにより少なくとも部分的に画定されるプレナムと、包囲部材１８及びレトルト１６の周りに少なくとも部分的に配置され加熱要素を収容する炉箱１４とを備える。 （もっと読む）

本方法においては、原子層堆積法を使用して、銀を変色に対して保護する。原子層堆積法においては、被覆材の連続分子層を堆積することによって、薄膜被覆が銀の表面に形成される。例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）または酸化ジルコニウムを被覆材として使用してよい。
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【課題】リモートプラズマ処理方法において、プラズマ処理効率を向上させることである。
【解決手段】相対向する一対の電極４Ａ、４Ｂ、および一対の電極のうち少なくとも一方の電極の対向面に設置された固体誘電体層５もしくは６を備えているプラズマ処理装置を使用する。放電空間８中に大気圧以上の圧力の処理ガス９を導入し、一対の電極へのパルス電圧の印加による放電を用いて処理ガス９を活性化し、活性化した処理ガスを被処理物１１に照射する。放電空間のギャップ間隔ｄが０．３ｍｍ以下であり、電極間の平均電界強度が１０ｋＶ／ｃｍ以上であり、パルス電圧のパルス幅が５マイクロ秒以下である。 （もっと読む）

【課題】薬剤用パッケージ上への高分子抑止表面の作製方法。
【解決手段】含有されるタンパク質溶液の活性に影響することなく、薬剤用パッケージ上へのタンパク質の吸着を低減させる１つ又は複数のコーティングを直接、薬剤用パッケージング上に施すことにより、薬剤用パッケージ上にタンパク質抑止表面を作製する方法。 （もっと読む）

【課題】有機金属組成物の提供
【解決手段】ゲルマニウム含有膜の蒸着前駆体として用いるのに好適なゲルマニウム化合物を含有する組成物が提供される。かかる組成物を用いる、ゲルマニウムを含有する膜の堆積方法も提供される。かかるゲルマニウム含有膜は電子装置の製造において特に有用である。 （もっと読む）

【課題】高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する被覆切削チップを提供する。
【解決手段】チップ基体の表面に、下部層としてＴｉ化合物層、上部層として酸化アルミニウムと酸化ジルコニウムの２相混合酸化物層（Ａｌ_２Ｏ_３−ＺｒＯ_２層）、の硬質被覆層を蒸着形成してなる被覆切削チップにおいて、前記上部層の２相混合酸化物層の全面に、いずれも０．１〜２．５μｍの平均層厚を有するＴｉＮ層とＴｉＣＮ層の２層以上の交互積層で構成され、かつ、０．４〜５μｍの全体平均層厚を有する研磨材層を蒸着形成した状態で、ウエットブラストにて、噴射研磨材としてＡｌ_２Ｏ_３微粒を配合した研磨液を噴射し、工具取り付け孔周辺部の前記研磨材層を残して、前記上部層の２相混合酸化物層の表面を研磨して、その表面粗さをＲａ：０．２μｍ以下としてなる。 （もっと読む）

【課題】画像形成工程中の感光体表面のクリーニング工程における問題発生の防止および画像濃度ムラ等の低減が可能な感光体を生産性良く供給する電子写真用感光体の製造方法の提供。
【解決手段】第一の堆積膜形成装置内に円筒状基体を設置し、円筒状基体のいずれか一方の端部を堆積膜形成装置直近の壁面に接地した状態で原料ガスを高周波電力により分解し、少なくとも珪素原子を母材とし水素原子及び／またはハロゲン原子で形成される非単結晶珪素膜を円筒状基体に堆積し、非単結晶珪素膜を堆積した円筒状基体を第一の堆積膜形成装置から取り出し、第二の堆積膜形成装置内に取り出した円筒状基体を設置し、円筒状基体の両端部それぞれを堆積膜形成装置直近の壁面に接地した状態で、少なくとも炭化水素系の原料ガスを高周波電力により分解し、少なくとも炭素原子を母材とし水素原子及び／またはハロゲン原子で形成される非単結晶炭素膜を堆積する。 （もっと読む）

【課題】 強酸等に対する耐腐食性に強く、摺動抵抗を減少させることができ、それ程温度を高くしなくても、不必要な部分に反応副生成物が付着することを抑制することができる真空排気系を提供する。
【解決手段】 真空処理室Ｔからの排気ガスを排出する排気路２と、排気ガス中の排気物を捕捉することが可能なトラップ装置１と、トラップ装置を通過した排気ガス中の有害物質を無害化する除害装置Ｅと、を有する真空排気系において、真空処理室とトラップ装置との間の排気路の内面及びトラップ装置内の排気ガスと接する面に、フッ素系樹脂層３０，３２，３４，３６，３８，４０がコーティングする。これにより、強酸等に対する耐腐食性に強く、摺動抵抗を減少させることができ、それ程温度を高くしなくても、不必要な部分に反応副生成物が付着することを抑制する。 （もっと読む）

【課題】高速搬送においても放電が安定で、機能性堆積膜を数ｎｍ／ｓｅｃ以上の高速で形成する場合でも、電気的、光学的特性に優れ、量産時の素子の歩留りが向上する堆積膜形成装置を提供する。
【解決手段】堆積膜を形成する基板４の裏面に、表面に凹凸を有する天板２を接触させ、該天板２の表面凹凸に基板４を沿わせて凹凸形状とする堆積膜形成装置であって、該凹部又は凸部のピッチ、凹部と凸部の高低差と、基板４と平板電極３との最短距離とが特定の関係を満たすように設定する。 （もっと読む）

【課題】面方位の判別が容易にできるように、面方位の印として、結晶方向において扁平な側面（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｆｌａｔ）を有するａ面窒化物半導体単結晶基板を提供する。
【解決手段】主面がａ面（｛１１−２０｝面）とされ、結晶方向で１個ないし３個の扁平な側面（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｆｌａｔ）を有することを特徴とするａ面窒化物半導体単結晶基板を提供する。 （もっと読む）