【課題】単一のチャンバーで多様な工程を行うことができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】１つ以上のパターンを有する半導体基板に対して、互いに異なる多数の工程が行われる工程チャンバー６００、各工程を行うための工程ガスを工程チャンバーの内部に独立して提供されるガス供給部７１０、ガス供給部と連結され工程チャンバーの上部に配置される多数の上部電極７２０及び上部電極と一対一で対応するように工程チャンバーの下部に配置され上面に前記基板が搭載される多数の下部電極７３０及び上部電極に電源を供給する第１電源及び下部電極に電源を供給する第２電源を具備する電源供給部７４０を含む。このような構成を採用したことにより、真空断絶なしに互いに異なる工程を行うことにより工程欠陥を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成用ガスを有効利用する。
【解決手段】電極基板４に形成された複数の貫通孔６を介して被処理物２の表面にプラズマ生成用ガスを直接供給する。これにより、被処理物２の表面処理に必要な量だけのプラズマ生成用ガスを供給することにより、プラズマ生成用ガスを有効利用し、プラズマ生成用ガスの消費量を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤプロセスを使用して、均一性が良好で、ほとんどまたは全く汚染がなく、かつ導電率が高いつまり抵抗率が低いタングステン含有材料を堆積するための改良されたプロセスを提供する。
【解決手段】一実施形態では、プロセスチャンバ内に基板を位置決めするステップであって、該基板がこの上に配置されている下地層を含有するステップと、該基板をタングステン前駆体および還元ガスに順次曝してＡＬＤプロセス時に該下地層上にタングステン核形成層を堆積するステップであって、該還元ガスが約４０：１、１００：１、５００：１、８００：１、１，０００：１以上の水素／ハイドライド流量比を含有するステップと、該タングステン核形成層上にタングステンバルク層を堆積するステップとを含む、基板上にタングステン含有材料を形成するための方法が提供される。該還元ガスはジボラン、シランまたはジシランなどのハイドライド化合物を含有している。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤモードとＣＶＤモードの利点を組み合わせる方法を提供すること。
【解決手段】原子層堆積法（ＡＬＤ）により１つの層を堆積し、パルス化学気相堆積法（ＣＶＤ）により別の層を堆積する。ＡＬＤ部分では、反応物の逐次的かつ交互のパルスを流す。パルスＣＶＤ部分では、２つのＣＶＤ反応物を流す。少なくとも第１のＣＶＤ反応物はパルスとして流され、このパルスは第２のＣＶＤ反応物のフローと少なくとも部分的にオーバーラップする。本発明により、例えばナノラミネート膜を形成することができる。好ましくは、第１ＣＶＤ反応物より長い合計持続時間の間、第２ＣＶＤ反応物を反応チャンバへ流すことによって高品質の層が形成される。いくつかの実施形態では、第３反応物のパルスは、パルスの長さの少なくとも約１．７５倍の持続時間によって分離されている。好ましくは、第１ＣＶＤ反応物１パルス当たり約８分子層未満の材料が堆積される。 （もっと読む）

本発明は、分子式Ｓｉ_ｘＧｅ_ｙＨ_ｚ−ａＸ_ａの化合物と、この化合物を調製するための方法と、本発明の化合物を用いてシリコン基板上に高Ｇｅ含有量のＳｉ膜を堆積させるための方法とを提供する。ここで、Ｘはハロゲンであり、ｘ、ｙ、ｚ、およびａは、本明細書において規定される。
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【課題】結晶シリコンで構成された薄膜トランジスタなどの半導体素子において結晶粒界の欠陥や結晶シリコン中に含まれる触媒金属や不純物の影響を受けない半導体薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に第１の結晶シリコン層１０２が形成され、第１の結晶シリコン層１０２の上に第２の結晶シリコン層１０３が形成される半導体薄膜において、第２の結晶シリコン層１０３は、第１の結晶シリコン層１０２の結晶性を継承するようにエピタキシャル成長によって形成され、第２の結晶シリコン層１０３には、第１の結晶シリコン層１０２よりも、不純物の量が少なく、水素又はハロゲン元素が多く含まれることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 良好な均一性を持つ導電層を堆積する。
【解決手段】 基板表面にタングステン層を形成する方法が提供される。一態様によると、その方法は、処理チャンバ（１００）内に基板表面を位置決めするステップと、基板表面をホウ化物（１２０）に晒すステップと、を備える。交互にタングステン含有化合物（１３０）と、シラン（ＳｉＨ_４）、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）、ジクロルシラン（ＳｉＣｌ_２Ｈ_２）、その誘導体、更に、これらの組合せから成る群から選択された還元性ガス（１５０）を律動的に送ることにより、その後、核形成層が同一の処理チャンバ内の基板表面上に堆積される。その後、周期的堆積、化学気相堆積、又は、物理的気相堆積技術を用いて、タングステンのバルクフィルが核形成層上に堆積されてもよい。 （もっと読む）

【課題】 全体が直線状の原子ステップ及び表面に凹凸のない平坦なテラス部を表面に有する二硼化物単結晶から成る基板を用いた窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法、及び二硼化物単結晶から成る基板の表面処理方法を提供すること。
【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法は、成膜装置内において、化学式ＸＢ₂（ただし、ＸはＴｉ及びＺｒの少なくとも１種を含む。）で表される二硼化物単結晶から成るとともに表面に自然酸化膜が形成された基板に、真空中での加熱処理を施すことによって、自然酸化膜を除去するとともに基板の表面に原子ステップ構造を表出させる工程と、引続き成膜装置内において、基板の表面が大気に触れない状態で基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】高速高送り断続切削加工に用いた場合であっても、チッピング、欠損、層間剥離等を生じないすぐれた工具特性を備えた表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 工具基体の表面に、硬質被覆層として、（ａ）２〜１５μｍの合計平均層厚を有するＴｉ系化合物層からなる下部層、（ｂ）０．１〜２μｍの平均層厚を有し、ＴｉとＣｒの複合酸化物相と、Ｔｉの少なくとも一部をＣｒで置換した複合炭酸化物相またはＴｉの少なくとも一部をＣｒで置換した複合炭窒酸化物相との混合相からなる中間層、（ｃ）０．５〜１０μｍの平均層厚を有するＡｌ_２Ｏ_３層からなる上部層、を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 工具基体の表面に、硬質被覆層として、少なくとも、一層平均層厚が０．５〜５μｍのアルミニウムとクロムの複合酸化物層と、一層平均層厚が０．０５〜０．５μｍのチタンとクロムの炭酸化物層および／または炭窒酸化物層とが交互に積層された合計平均層厚が２〜１５μｍの交互積層を形成する。 （もっと読む）

基板を処理するための反応チャンバにおいて準安定化学種の形成と使用のための方法及び装置が開示される。基板の処理中にインサイチュ堆積プロセスで基板の表面をエッチングするために準安定化学種を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 耐摩耗性と耐欠損性を兼ね備えた切削工具を提供する。
【解決手段】 本発明の切削工具は、周期表の４、５、６族金属の炭化物、窒化物、炭窒化物からなる群より選ばれる１種以上であり、炭窒化チタンまたは炭化タングステンのいずれか一方を少なくとも必須とする成分からなる硬質相１および鉄族金属を主成分とする結合相３を有する母材と、前記母材の表面に形成された被覆層とを備える切削工具であって、前記母材の表面において、前記硬質相部分は平滑面部２となるよう加工されているとともに、前記結合相３が除去されて形成された凹部４が存在する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長面が平坦で結晶成長速度が高いＧａＮ結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本窒化ガリウム結晶の成長方法は、窒化アルミニウム結晶の主面上に、ハイドライド気相成長法により窒化ガリウム結晶を成長させる方法であって、その主面は窒化アルミニウム結晶の（０００１）Ａｌ表面であり、窒化ガリウム結晶の成長温度が１１００℃より高く１４００℃より低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】イオン衝撃の弱い状態での立方晶窒化ホウ素の気相合成法の提供。
【解決手段】ホウ素、窒素、フッ素を含む分子種から、プラズマを用い窒化ホウ素を析出させる方法において、反応容器あるいは参照電極に対し、基体に正の電圧あるいは零電圧のバイアスをかけること、あるいは基体をフロート電位にすることにより、イオン衝撃の弱い状態で立方晶窒化ホウ素を含む窒化ホウ素を合成する。従来は立方晶窒化ホウ素の気相合成では、基板負バイアスや加速したイオンビームを用いて４５ｅＶ以上のイオン衝撃を用いることが必須条件であった。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内のクリーニング等、所定の処理の状況を容易に把握し、その処理の終了時点を容易且つ確実に検出し得る真空処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１内に帯状のレーザー光２４を照射してチャンバ１内における所定の処理の結果発生し且つチャンバ１内に存在する解離物を発光させるレーザー照射手段２２と、前記解離物のレーザー光２４による発光分布状況をモニタして所定の画像処理を行う画像処理手段と、前記画像処理の結果得られる画像情報に基づき前記処理の終了点を検出する終了点検出手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物結晶の収率を向上することができるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法およびそのＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法により成長させたＩＩＩ族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】基板８を保持するためのサセプタ６の表面６ａに対向する対向面１１ａとサセプタの周囲を覆うように配置された側面１１ｂとによって区画される成長室１９を形成し、対向面１１ａ、側面１１ｂ、および対向面と側面との境界からなる群から選択された少なくとも１箇所から原料ガスを成長室１９に導入し、原料ガス中の窒素含有ガスとＩＩＩ族元素のハロゲン化物ガスとの反応による基板８上へのＩＩＩ族窒化物結晶の成長時に対向面１１ａの温度および側面１１ｂの温度をそれぞれサセプタ６の表面６ａに保持された基板８の温度よりも高くする。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤ法またはＨＶＰＥ法を選択的に用いて結晶層を堆積させる。
【解決手段】反応装置（１）のプロセスチャンバー（２）内のサセプタ（３）の上に配置された１以上の基板（特に結晶基板）（６）上に１以上の層（特に結晶層）を堆積させる。プロセスチャンバー壁加熱デバイス（１２）によって積極的に加熱されるプロセスチャンバー天井（４）が、サセプタ加熱デバイス（１１）によって積極的に加熱されるサセプタ（３）に対向するように位置する。プロセスチャンバー壁加熱デバイス（１２）は冷却液流路を持つ。プロセスチャンバー天井（４）が加熱されるとき、プロセスチャンバー壁加熱デバイス（１２）はプロセスチャンバー天井（４）の表面（１８）から少し離れて配置される。プロセスチャンバー天井（４）が冷却されるとき、プロセスチャンバー壁加熱デバイス（１２）の面（１７）はプロセスチャンバー天井（４）の表面（１８）に接触する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ生成室１０２と基体１０４の処理室１０３との間にガスの流れを制御する仕切り板１１１を有する装置において仕切り板の交換なしにガスコンダクタンスの変更を行う。
【解決手段】 仕切り板１１１内部に仕切り板を加熱あるいは冷却する手段を設ける。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ波プラズマ処理装置において、マイクロ波導入用誘電体窓表面に付着した反応生成物が成長後剥離し、パーティクルとして基板上に降りデバイス不良を生起する問題を解決する。また、放電条件により低下するプラズマ均一性を改善する。
【解決手段】 マイクロ波導入手段１０８と誘電体窓１０７の間に絶縁されたラジオ波電極１１４を設けるか、またはマイクロ波導入手段自体をラジオ波電極としても併用し、プラズマ発生用のマイクロ波にラジオ波を重畳する。これにより、従来は反応生成物が付着しやすかったマイクロ波プラズマの弱かった部分にも、より強いプラズマを発生させる。これはパーティクル抑制のみならず、プラズマの均一性改善にも効果がある。 （もっと読む）

【課題】 二硼化物単結晶から成る基板の表面の自然酸化膜を除去するとともに、基板の表面を特定の保護層で覆い、基板の表面の再酸化を抑制する表面処理方法を提供すること。
【解決手段】 基板の表面処理方法は、反応性イオンエッチング装置内に設置した化学式ＸＢ_２（ただし、ＸはＺｒ，Ｍｇ，Ａｌ及びＨｆのうち少なくとも１種を含む。）で表される二硼化物単結晶から成る基板１０に反応性ガスによってエッチング処理を施すことにより、基板１０の表面の自然酸化膜１１を除去するとともに、基板１０の表面に反応性ガスの成分とＸとの化合物から成る保護層１３を形成する。 （もっと読む）