Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｂｉ−Ｔｅ、およびＺｎ−Ｔｅ薄膜などのＴｅ含有薄膜を形成するための原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスが提供される。Ｓｂ−Ｓｅ、Ｇｅ−Ｓｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｓｅ、Ｂｉ−Ｓｅ、およびＺｎ−Ｓｅ薄膜などのＳｅ含有薄膜を形成するためのＡＬＤプロセスも、提供される。式（Ｔｅ、Ｓｅ）（ＳｉＲ^１Ｒ^２Ｒ^３）_２のＴｅおよびＳｅ前駆体が使用されることが好ましい（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、およびＲ^３はアルキル基である）。これらのＴｅおよびＳｅ前駆体を合成するための方法も提供される。相変化メモリ素子において当該ＴｅおよびＳｅ薄膜を使用するための方法も提供される。 （もっと読む）

本発明は、担体における材料の蒸着に対する製造装置、及び該製造装置に使用される電極に係る。典型的には担体は、互いから離間された第１の端部及び第２の端部を備える。ソケットは、担体の端部の各々において配置される。製造装置は、チャンバを画定するハウジングを有する。少なくとも１つの電極は、ハウジングを通って配置され、該電極はソケットに結合するよう少なくとも部分的にチャンバ内において配置される。電極は、ソケットに接触するよう適合される接触領域を備える外部表面を備える。接触領域コーティングは、電極の外部表面の接触領域において配置される。接触領域コーティングは、少なくとも９×１０^６ジーメンス／メートルの導電率、及び電解質としての室温の海水に基づいて電位列において銀より高い耐食性を備える。 （もっと読む）

【課題】 高硬度被削材の高速断続高送り切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットで構成された工具基体の表面に、（ａ）下部層として、粒状結晶組織のＴｉＣ層、ＴｉＮ層、ＴｉＣＮ層のうちの少なくとも１層、（ｂ）中間層として、粒状結晶組織のＴｉＣＮＯ層と粒状結晶組織のＷＣＮＯ層の積層、（ｃ）上部層として、縦長成長結晶組織のＴｉＣＮ層、（ｄ）最表面層として、Ａｌ_２Ｏ_３層、上記（ａ）〜（ｄ）からなる硬質被覆層を蒸着形成し、必要により、上記（ｃ）と（ｄ）の間に、密着層として、粒状結晶組織のＴｉ化合物層を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】機械的強度をより高めることのできる酸化イットリウム材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置用部材である静電チャック２０の基体２２は、酸化イットリウム（Ｙ₂Ｏ₃）と、炭化珪素（ＳｉＣ）と、ＲＥ（希土類元素）とＳｉとＯとＮとを含む化合物と、を少なくとも含む酸化イットリウム材料により構成されている。この酸化イットリウム材料は、ＲＥ（希土類元素）とＳｉとＯとＮとを含む化合物として、ＲＥをＬａ，ＹなどとするＲＥ₈Ｓｉ₄Ｎ₄Ｏ₁₄を含んでいる。このＲＥ₈Ｓｉ₄Ｎ₄Ｏ₁₄は、原料の主成分であるＹ₂Ｏ₃や原料として添加したＳｉ₃Ｎ₄などから焼結過程で生成した化合物である。酸化イットリウムに含まれるＳｉＣやこの化合物により機械的強度や体積抵抗率が向上する。 （もっと読む）

【課題】安価なハロゲン化アルミニウムを酸化アルミニウム系薄膜のプレカーサとして用いた化学気相成長用原料及び該原料を用いた酸化アルミニウム系薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】化学気相成長用原料として、下記一般式（１）で表されるハロゲン化アルミニウム化合物及び下記一般式（２）で表されるシアノ基を有する有機化合物からなる化学気相成長用原料を用いる。


（式中、Ｘはハロゲン原子を表し、Ｒは炭素数１〜１０の炭化水素基を表し、ｎは１又は２を表す。） （もっと読む）

【課題】成膜される膜厚の均一性が優れた金属膜作製装置及び金属膜作製方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１に基板３を設置し、チャンバ１内に配設された金属部材１１の近傍に、ハロゲンを含有する原料ガスを供給すると共に、原料ガスのプラズマ１５を発生させて、ハロゲンのラジカルを生成し、ハロゲンのラジカルにより、金属部材１１をエッチングして、金属部材に含まれる金属成分とハロゲンからなる前駆体１６を生成し、金属部材１１より低い温度に基板３を制御すると共に、基板３の面内の温度分布を、周縁部で低く、中央部で高くし、基板３に前駆体１６を吸着させると共に、吸着された前駆体１６をハロゲンのラジカルにより還元して、金属膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】高速重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、密着性Ｔｉ化合物層と改質ＴｉＣＮ層からなる下部層、改質α型酸化アルミニウム層からなる上部層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、上部層に隣接して存在する密着性Ｔｉ化合物層あるいは改質ＴｉＣＮ層からなる下部層と、改質α型酸化アルミニウム層からなる上部層のそれぞれについてのΣ３対応粒界の数と位置を測定した場合、上部層に隣接して存在する前記密着性Ｔｉ化合物層あるいは改質ＴｉＣＮ層の、上部層−下部層界面に存在する下部層Σ３対応粒界のうちの３０〜７０％の割合の下部層Σ３対応粒界が、上部層Σ３対応粒界と連続する結晶粒界を形成している。 （もっと読む）

【課題】被加工物表面にガスを供給して集束ビームで前記ガスを活性化させながら加工するとともに、加工の進行状況をモニタリングできる加工システムを提供する。
【解決手段】加工システム１は開口部１９から排気される真空容器２内に電子ビーム８を発生させる電子源３、集光／偏向要素２１、集束レンズ１１、二次電子検出器１７、およびスタック２３とガス導管３９と物質リザーバ４１とからなるガス供給装置２０を備え、第３導管部３０からガスを物体３３の表面３３ａに供給し電子ビームでガスを活性化させながらを物体に照射し、堆積またはアブレーションにより加工する。また、電子ビームを走査させ、物体から発生した二次電子を二次電子検出器で検出し電子顕微鏡画像を取得して、加工の進行状況をモニタリングする。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの生成を防止した金属膜作製方法及び装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１内にハロゲンガスを含有する原料ガス１８を供給し、プラズマアンテナ２７に給電することでガスプラズマ１４を発生させ、当該ガスプラズマ１４により被エッチング部材２０をエッチングして金属成分と塩素との前駆体１５を生成させると共に前駆体１５の金属成分を基板３に成膜する金属膜作製装置において、チャンバ１の内部に供給される原料ガス１８が、チャンバ１の中心に向かう方向と天井板２５に向かう方向との二つの方向に供給されるように、ノズル５０を設置した。 （もっと読む）

【課題】残留炭素の少ない良好な金属含有薄膜を与え、成膜速度や薄膜組成制御について安定したプロセスを与える金属化合物を提供すること。
【解決手段】下記一般式（１）で表される金属化合物。


（式中、Ｍはチタニウム、ジルコニウム又はハフニウムを表し、Ｘはハロゲン原子を表し、ｍは１又は２を表す。） （もっと読む）

【課題】高熱発生を伴い、かつ、切刃に対して衝撃的負荷が作用する高速断続切削加工ですぐれた耐チッピング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、下部層として、密着性Ｔｉ化合物層と縦長成長結晶組織を有する改質Ｔｉ系炭窒化物層、上部層としてＡｌ_２Ｏ_３層からなる硬質被覆層を形成してなる表面被覆切削工具において、前記改質Ｔｉ系炭窒化物層は、電界放出型走査電子顕微鏡を用い、表面研磨面の測定範囲内に存在する立方晶結晶格子を有する結晶粒個々に電子線を照射して、前記表面研磨面の法線に対して、前記結晶粒の結晶面である｛１１２｝面の法線および｛１１０｝面の法線がなす傾斜角を測定し、前記測定傾斜角のうちで、｛１１２｝面についての測定傾斜角および｛１１０｝面についての測定傾斜角が、前記表面研磨面の法線に対して０〜１０度の傾斜角の範囲内にあるそれぞれの結晶粒子の総面積Ａと総面積Ｂを求めた場合、Ａ／Ｂが２〜９である結晶配向性を示す改質Ｔｉ系炭窒化物層である。 （もっと読む）

【課題】内部に内面を含む基材上に拡散アルミナイド皮膜を形成するスラリー及びスラリー被覆方法を提供する。
【解決手段】まず、アルミニウムより高い融解温度を有する金属アルミニウム合金を含有する粉末、金属アルミニウムと共に反応性ハロゲン化物蒸気を形成できる活性剤及び有機ポリマーを含有するバインダを含有するスラリーを調製する。このスラリーを基材の表面に塗布し、次いで加熱してバインダを焼失させ、活性剤を蒸発させるとともに金属アルミニウムと反応させてハロゲン化物蒸気を形成し、ハロゲン化物蒸気を基材表面上で反応させて同表面上にアルミニウムを堆積し、さらに堆積アルミニウムを表面内に拡散させて拡散アルミナイド皮膜２０を形成する。本方法は、内方もしくは外方拡散型皮膜を選択的に生成するよう調整することができる。バインダが焼失する際に形成する灰残留物が簡単に除去できる。 （もっと読む）

【課題】 例えば５００℃以下の低温度領域で、基板の一部領域上に選択的にエピタキシャル膜を成長させる。
【解決手段】 基板を処理する処理室と、基板を加熱する加熱手段と、処理室内にシリコンを含む原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、処理室内にエッチングガスを供給するエッチングガス供給手段と、各手段をそれぞれ制御する制御手段と、を備え、制御手段は、原料ガス供給手段による原料ガスの供給と、エッチングガス供給手段によるエッチングガスの供給と、を交互あるいは同時に行うように制御し、エッチングガスはフッ素を含むガスである。 （もっと読む）

【課題】表面全体にわたる十分な厚さの内部空洞壁のコーティングを得ることを可能にすること。
【解決手段】本発明は、金属ターボ機械部品の高温酸化保護用の気相堆積によるアルミ被覆プロセスに関し、上記部品（１）は空洞を含み、金属構成要素（９）が上記部品の開口部（５）から導入されて組み立てられる。
このプロセスに従って、ハロゲンとアルミニウムを含む金属ドナーの間の反応によってハロゲン化物が形成され、次いで、ハロゲン化物はキャリアガスによって運ばれて上記金属部品に接触し、金属構成要素（９）はプロセスの実施の前に最初にアルミニウムドナーとして働くためにアルミニウムで表面富化にされている。
本発明は、特にライナーを組み込むノズル案内翼に適用される。 （もっと読む）

【課題】 金属窒化物膜の水素化物気相エピタキシャル（ＨＶＰＥ）のような堆積プロセスに利用可能な方法及び装置を提供する。
【解決手段】 第１組の通路は、金属含有前駆ガスを導入することができる。第２組の通路は、窒素含有前駆ガスを供給することができる。第１組の通路と第２組の通路は、金属含有前駆ガスと窒素含有前駆ガスが基板に到達するまで分離するように散在されているのがよい。不活性ガスは、また、通路を通して流されて、通路での反応或いは通路の近くでの反応を分離し続け制限するのを助けることができ、それによって通路上への望ましくない堆積が防止される。 （もっと読む）

【課題】処理室からの処理ガスの拡散を有効に防止することができる処理方法および処理システムを提供すること。
【解決手段】真空下で被処理基板Ｗに所定のガス処理を施す処理室３１と、処理室３１を真空引きする排気装置と、処理室３１に開閉装置Ｇを介して連結され、真空下に保持される真空予備室５とを備えた処理システム１００を用い、ハロゲン含有ガスを使用して処理室３１内で被処理基板Ｗを処理後、開閉装置Ｇを開放して被処理基板Ｗを真空予備室５へ搬送するにあたり、開閉装置Ｇを開放する直前に、排気装置により処理室３１内を真空引きし、処理室３１の圧力を真空予備室５の圧力よりも小さくし、処理室３１と真空予備室５との間の差圧が一定以上になった時点で、真空引きを継続しつつ、処理室３１内に不活性ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】表面全体にわたる十分な厚さの内部空洞壁のコーティングを得ることを可能にすること。
【解決手段】本発明は、ターボ機械の金属部品の高温での酸化から保護する気相堆積のアルミ被覆方法に関し、上記部品は外側からアクセスすることのできる開口部を備える空洞を含み、
この方法によれば、ハロゲンとアルミニウムを含む金属ドナーとの間の反応によってハロゲン化物が形成され、次いで、ハロゲン化物はキャリアガスによって運ばれて上記金属部品に接触し、上記金属ドナーは少なくとも部分的に上記空洞に置かれ、
金属ドナーは金属粉の混合物の圧力下の高温焼結によって得られるペレットの形である。 （もっと読む）

【課題】 有機金属化学気相堆積プロセスにおいて寄生粒子形成を抑制する方法を提供する。
【解決手段】 この方法は、反応チャンバへ基板を準備するステップと、反応チャンバへ有機金属前駆物質と、粒子抑制化合物と、少なくとも第２の前駆物質とを導入するステップと、を含めてもよい。第２の前駆物質と有機金属前駆物質とが反応して、基板上に核形成層が形成される。また、ＩＩＩ−Ｖ窒化物層の形成中に寄生粒子形成を抑制する方法が記載されている。この方法は、反応チャンバへＩＩＩ族金属含有前駆物質を導入するステップを含む。ＩＩＩ族金属前駆物質には、ハロゲンが含まれてもよい。反応チャンバへハロゲン化水素ガスと窒素含有ガスとが導入される。窒素含有ガスとＩＩＩ族金属前駆物質とが反応して、基板上にＩＩＩ−Ｖ窒化物層が形成される。 （もっと読む）

履物のような１またはそれ以上の大型物品に、望ましい表面特性を付与するために、処理チャンバ（１４）へ物質を運搬する運搬システム（１０）は、液体が充填される第１コンテナ（１６）と、第１コンテナ（１６）から液体を受ける第２コンテナ（１８）と、第１コンテナから第２コンテナ（１８）に流れる液体の量を制御する第１流量制御手段（２０）と、第２コンテナ内の液体を気化させる気化手段（３０）と、第２コンテナ（１８）から処理チャンバ（１４）に流れる気化した物質の流量を制御する第２流量制御手段（３８）と、を具える。 （もっと読む）

【課題】シリコン膜の製膜時において、基板表面へのＨラジカルの供給量を減らさずに、プラズマから基板表面へ入射する不要なイオンの量及びエネルギーを低減する。
【解決手段】（ａ）基板（３４）が設置された第１電極（３３）と前記第１電極（３３）から離れて設置された第２電極（３２）との間に、シラン系ガスと水素ガスと酸素ガスとを含む製膜ガス（５１）を供給するステップと、（ｂ）前記第１電極（３３）と前記第２電極（３２）との間に交流電力を印加し、所定の範囲の割合で負イオンを含むプラズマを発生させながら、前記基板（３４）上にシリコン系の膜を製膜するステップと、前記製膜の途中で、前記製膜ガスのうち前記酸素ガスの供給を停止するステップとを具備するシリコン膜の製造方法。 （もっと読む）