【課題】改良された性質を有するアモルファスシリコンデバイスを製造するための改良された方法を提供する。
【解決手段】約２０℃〜約２５０℃の基板温度；水素、重水素及びこれらの組み合わせからなる群より選択される希釈剤気体で、約５：１〜約１０００：１の希釈剤気体：供給ガスの希釈比で希釈された珪素含有供給ガス；及び約０．２Torr〜約５０Torrの圧力の条件でアモルファスシリコン層のプラズマ励起化学気相成長（PECVD）を行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生領域で短時間にワークの被処理面を均一化する処理が可能なプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、第１の電極２と、第１の電極２と対向配置される第２の電極３と、第１の電極２と第２の電極３との間に電圧を印加する電源７２を備えた電源回路７と、第１の電極２と第２の電極３との間にプラズマ生成のための処理ガスを供給するガス供給手段８と、第１の電極２に向けて処理ガスを噴出するノズル５とを備え、第１の電極２と第２の電極３との間に電圧を印加することにより、ノズル５から噴出された処理ガスを活性化してプラズマを生成し、該プラズマによりワーク１０の被処理面１０１をプラズマ処理するよう構成されているプラズマ処理装置１であって、第２の電極３の第１の電極２と対向する面側に、ノズル５の外周側に周方向に沿って凸部３１と凹部３２とが形成されてなり、凸部３１と第１の電極２との距離が凹部３２と第１の電極２との距離よりも狭く配置されている。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の半導体部材を成長させる際の結晶性を向上できる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスの製造方法は、下地基板の上に第１バッファー層を形成する第１バッファー層形成工程と、前記第１バッファー層の上に、複数の開口を有するマスクを形成するマスク形成工程と、前記第１バッファー層の表面において前記複数の開口により露出された複数の領域に、ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の第２バッファー層を形成する第２バッファー層形成工程と、前記複数の第２バッファー層の上に、ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の半導体部材を成長させる成長工程とを備える。 （もっと読む）

InGaN などの材料の成長面に、走査鏡などで所望の位置へと導いた小径レーザービームを当てて露光させる。露光点での物性を変更できる。或る実施形態においては、レーザーにあてた箇所で、選択した材料のモル分率を低減する。或る実施形態においては、材料を、MBE室内もしくはCVD室内で成長させる。 （もっと読む）

【課題】高誘電率材料を化学気相堆積するチャンバー表面の清浄工程の終点を決定する方法を提供する。
【解決手段】金属残渣４０を揮発させかつ生成すると表面から離れる揮発した残渣生成物７０を生成させるために十分な時間、残渣４０を清浄剤６０と接触させることにより残渣４０を表面から除去し、下にある金属を腐食させ、かつそれを揮発させる傾向を有する清浄剤６０と接触させることにより、金属を含む下にある表面から金属残渣４０を除去し、清浄剤６０が残渣４０を除去した効果により表面と接触し、そして表面の金属と反応しかつ表面の金属を揮発させるまで残渣４０と接触させて清浄剤を保持し、金属を含む下にある表面は、金属残渣４０の金属よりも清浄剤６０と反応性が高いことを利用し、揮発した金属及び清浄剤６０のそれぞれの量をモニターして、揮発した金属の量の清浄剤６０の量に対する比が、低い値から高い値に増えた時に清浄工程を停止させる。 （もっと読む）

【課題】装置の複雑化を伴うことなく、ワークの被処理面の各部に応じた処理を行い得るプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、プラズマを用いて、ワーク１００の被処理面１０１を処理する装置であり、第１の電極２と、複数の単位電極４１で構成され、各単位電極４１がそれぞれ第１の電極２に対して接近および離間可能なように、ワーク１００を介して第１の電極２に対向して設置された第２の電極４と、第１の電極２と第２の電極４との間に電圧を印加する電源回路（通電手段）８と、第１の電極２と第２の電極４との間に、ワーク１００の被処理面１０１を処理する処理ガスを供給するガス供給手段１１と、複数の単位電極４１と第１の電極２との離間距離を規定する離間距離規定手段５とを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理を効率よく行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、印加電極２と、ワーク１００を載置するとともに印加電極２の対向電極としての機能を併有するパレット（第１の電極）４と、プラズマ処理用のガスを供給するガス供給手段１１と、印加電極２とパレット４との間に電圧を印加する第１の回路（電源部）８を備え、パレット４を載置するテーブル６の下面６３には、振動子９が配設されており、この振動子９によりパレット４とワーク１００とを一体的に振動させながらワーク１００の被処理面１１０を処理するよう構成されている。また、この振動子９による振動により、被処理面１１０と対向面３０との間に、被処理面１１０に節が位置する定在波を発生させるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ法による炭素膜の形成における成膜速度の向上を可能とする炭素膜形成方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法により基材上に炭素膜を形成する方法であって、原料３０としてアダマンタン化合物が含まれるガスを直流放電によりプラズマ化して基材２０上に炭素膜を形成する。また原料ガスがハロゲン化合物のヨウ素をさらに含むことにより、炭素膜形成装置１の部品が腐食されることを低減できるとともに、成膜速度をさらに高めることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】不純物添加絶縁膜を化学気層成長させて成膜する際に、所望の不純物濃度が安定して得られるようにする。
【解決手段】チャンバー内に一種類または複数種類のプロセスガスを導入しつつ、高周波電力を印加してプラズマを発生させ、チャンバー内圧力を圧力制御バルブにより一定に制御し、前記チャンバー内の雰囲が安定した後に、前記圧力制御バルブの開度を一定に保持し、不純物含有ガスを導入する。これにより、不純物含有ガスを導入する成膜の初期段階における圧力安定性を高めることができ、所望の不純物濃度を安定に得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体の製造能力を低下させずに設置面積を可及的に縮小した半導体製造装置を提供する。
【解決手段】側面に設けられた開閉可能な第１の開口を介してウェハ２６を搬入・搬出するよう内部に配設したロボット７０を有する搬送チャンバ４０と、搬送チャンバ４０側に臨んで形成された開閉可能な第２の開口を側面に有すると共に、上下方向に積層して構成された複数の処理チャンバ３１からなるタワー型処理チャンバユニット３０と、搬送チャンバ４０を上下に昇降させる昇降機構６０と、先端部が搬送チャンバ４０に接離可能に形成されると共に、前記何れか１つの処理チャンバと搬送チャンバ４０との内部同士が連通するように第１の開口と第２の開口とを連結する連結機構５０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】被搬送体を搬送する搬送系を小型化して製造に掛かるコストの低減を実現する半導体製造装置を提供する。
【解決手段】開口を介してウェハの受け取り・引き渡しをする受け渡しロボット９０を内部に配設して内部圧が調圧可能に形成された受け渡しチャンバ１０、及びこの受け渡しチャンバ１０に隣接して配設されて受け渡しロボット９０を介してウェハの授受を行う処理チャンバ３１を備える複数の処理ユニット３０と、何れか１つの処理ユニット３０の受け渡しチャンバ１０の開口の位置まで移動して当該受け渡しチャンバ１０内部に配設された受け渡しロボット９０との間でウェハの受け渡しをするよう形成された大気搬送ロボット７０と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ハイドライド気相エピタキシャル成長法においてアルミニウム系III族窒化物結晶膜を製造するに当たり、より高速で、より欠陥の少ない単結晶からなる結晶膜であって、膜の平坦性が良好な結晶膜を製造することのできる方法を提供する。
【解決手段】反応容器内でハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを反応させて、加熱基板２４上にアルミニウム系III族窒化物結晶を成長させる工程を含むアルミニウム系III族窒化物結晶の製造方法において、内部に発熱抵抗体が埋設された窒化アルミニウムと窒化ホウ素との複合焼結体のようなセラミックスからなり加熱機能を有する支持台２３の上に基板２４を保持し、基板２４を、たとえば１１５０℃以上といった高温であって、反応領域における反応容器壁の温度より高い温度に保持して結晶の成長を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体結晶の元素の精製、複合化および成長、例えば、高温でシリコン等を溶解する分子線エピタキ法（ＭＢＥ）において用いる一体もの、複数片のるつぼを提供する。
【解決手段】るつぼは、るつぼを作り上げる複数片を固定して接合する外側の被覆層を有する。本発明は、返り勾配を有する熱分解窒化ホウ素からなる構造を含む一体ものを製造する方法も提供し、前記方法により黒鉛マンドレルの複雑な張出し構造の必要がないようにする、または高温で焼成することにより黒鉛マンドレルの取り外しの必要がないようにする。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が難削材の高速切削加工ですぐれた耐チッピング性および耐摩耗性を発揮する被覆サーメット工具を提供する。
【解決手段】硬質被覆層がＴｉ化合物層の下部層と、α型Ａｌ₂Ｏ₃層の上部層で構成された被覆サーメット工具において、前記下部層に層間介在層として改質ＷＣ層を介在させ、前記上部層を、電界放出型走査電子顕微鏡と電子後方散乱回折像装置を用い、表面研磨面の測定範囲内に存在する六方晶結晶格子を有する結晶粒個々に電子線を照射して、前記結晶粒の各結晶面の法線が表面研磨面の法線と交わる角度を測定し、この測定結果から（０００１）面および｛１０−１０｝面を選び出し、さらに、選び出した（０００１）面および｛１０−１０｝面において、それぞれ隣接する結晶粒相互の界面（結晶粒界面単位）における（０００１）面の法線同士および{１０−１０}面の法線同士の交わる角度が１５度以下の結晶粒界面単位が全体の４５％以上を占める結晶粒界面配列を示す改質α型Ａｌ₂Ｏ₃層で構成する。 （もっと読む）

ハイドライド気相エピタキシャル成長法（ＨＶＰＥ）を用いたアルミニウムを含むＩＩＩ族窒化物薄膜の成長方法が開示され、その方法は、ＨＶＰＥ反応系内に耐腐食性材料を使用し、該耐腐食性材料を含んでいるＨＶＰＥ反応系の領域はハロゲン化アルミニウムと接触する領域であることを特徴とする使用工程と、アルミニウムを含む原料を有する原料ゾーンを所定の温度以上にまで加熱する工程と、耐腐食性材料を含むＨＶＰＥ反応系内でアルミニウムを含むＩＩＩ族窒化物薄膜を成長する工程とを施す。
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【課題】気化可能な金属原料および金属原料の気化装置の使用を必要とせずに成膜が可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理容器３１，３２と、ハロゲン原子を含むガス（例えばＨＣｌ）を供給するガス供給手段６０と、プラズマ発生手段４２，４４と、半導体基板Ｗが載置される基板載置台３３と、プラズマで処理されて半導体基板Ｗ上に形成すべき膜の前駆体を放出する金属部材１１と、金属部材１１に第１高周波電力を供給する第１配線１９と、基板載置台３３に第２高周波電力を供給する第２配線３９と、を備えた、プラズマ処理装置１とする。この装置は、気化装置を不要とし、１つの装置でエッチングとＣＶＤとを行うに適した構成を有する。 （もっと読む）

【課題】一対の電極間のギャップにガスを導入し、ガスを活性化して排出する方式のプラズマ処理装置において、電極駆動機構なしに電極ギャップを安定して一定に保持できるようにすると共に、固体誘電体層の電極からの剥離やパーティクルの発生を抑制することである。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、第一の電極層２Ａ、第一の電極層２Ａを埋設する第一のセラミック層１Ａ、第二の電極層２Ｂ、および第二の電極層を埋設する第二のセラミック層１Ｂを備える。第一のセラミック層の第一の表面１ａと第二のセラミック層の第二の表面１ｃとの間にギャップ７が形成されている。第一の電極層と第二の電極層とに対する電圧の印加による放電を用いて、ギャップ７内に導入された処理ガス８を活性化し、活性化した処理ガス９を排出する。 （もっと読む）

【課題】低出力あるいは低周波の電源を用いても、プラズマを安定して発生させることができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置１Ａは、互いに間隔を隔てて対向する１対の電極１２、１３を有し、１対の電極１２、１３間のプラズマ生成空間１９に所定の処理ガスＧ１を流通させつつ、１対の電極１２、１３間に電圧を印加することにより電界を生じさせて、処理ガスＧ１を活性化してプラズマを生成し、プラズマをワークＷに向けて放出して、該ワークを処理するものであって、プラズマ生成空間１９に供給される処理ガスＧ１を加熱するヒーター４０を有する。 （もっと読む）

ＨＶＰＥを利用し、ナノ構造層を使用して高品質の平坦かつ厚い化合物半導体（１５）を異種基板（１０）上に成長させる。半導体材料のナノ構造（１２）は、分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）、化学気相成長（ＣＶＤ）、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）又はハイドライド気相エピタキシャル成長（ＨＶＰＥ）によって基板（１０）上に成長させることができる。化合物半導体の厚膜（１５）又はウェハは、ＨＶＰＥを使用したエピタキシャル横方向成長によってナノ構造（１２）上に成長させることができる。
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【課題】プラズマ生成空間を形成する１対の板状部材の長さに関わらず、ワークに対する処理を均一かつ安定的に行うことができるプラズマ装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ装置１は、プラズマを放出するプラズマ放出部２を備え、このプラズマ放出部２は、誘電体材料で構成され、ワーク１００のプラズマ放出部２に対する移動方向と直交しかつ被処理面１０１の法線方向と直交する方向に沿って互いに平行に配置され、それらの間にプラズマ生成空間２１を形成する１対の板状部材２３、２４と、板状部材２３、２４に固定され、プラズマ生成空間２１の少なくとも一部を板状部材２３、２４の長手方向に沿って複数の小空間に区画する区画部材２７と、１対の板状部材２３、２４間に電圧を印加する通電手段と、プラズマ生成空間２１に所定のガスを供給するガス供給手段２９とを備えている。区画部材２７は、スペーサとしての機能や整流効果を有する。 （もっと読む）