【課題】酸化物半導体層を用いた半導体素子であって、Ｖｔｈの変化が抑制された、特性の安定化した半導体素子を提供する。
【解決手段】Ｉｎ（インジウム）およびＯ（酸素）を含む酸化物半導体層と、Ｓｉ（珪素）、Ｆ（フッ素）およびＮ（窒素）を含む絶縁層と、を有する半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の暗電流の低減に有利な技術を提供する。
【解決手段】光電変換部を有する固体撮像装置の製造方法は、原料ガスとしてヘキサクロロジシランを用いて、前記光電変換部の少なくとも一部を覆うように減圧ＣＶＤ法によって窒化シリコン膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】搬送室とチャンバの温度差にかかわらず、基板をサセプタ上の所定位置に載置することのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】ロボットハンドで基板をチャンバの内部へ搬送し（Ｓ１０１）、基板支持部へ受け渡す（Ｓ１０２）。基板支持部を下降させて、サセプタの上に基板を載置する（Ｓ１０３）。基板を回転させながら温度測定を行う（Ｓ１０４）。放射温度計による測定結果と、エンコーダによる検出結果とを用いて、温度データと位置データを作成する（Ｓ１０５）。これらから基板の位置ずれ量を求めて（Ｓ１０６）、この位置ずれ量が許容値以下であるか否かを判定する（Ｓ１０７）。位置ずれ量が許容値より大きい場合には、搬送室内でロボットハンドの位置調整を行った後（Ｓ１０８）、次に成膜予定の基板をチャンバの内部へ搬送し、基板支持部を介してサセプタの上に載置する（Ｓ１０９）。 （もっと読む）

【課題】より急峻且つより安定したＳＲプロファイルを有するエピタキシャルウェーハを製造することのできる技術を提供する。
【解決手段】不純物を含有するシリコン単結晶の基板Ｓの直上に、基板Ｓよりも不純物濃度が低い第１層を気相成長させる第１成長工程（１ｓｔ Ｇｒｏｗｔｈ工程）と、第１層よりも上に第２層を気相成長させる第２成長工程（２ｎｄ Ｇｒｏｗｔｈ工程）とを有するエピタキシャルウェーハの製造方法であって、第１成長工程において、強制的に排気を行って常圧ＡＰ以下の第１圧力ＲＰの下で気相成長させ、第２成長工程において、第１圧力ＲＰより高い第２圧力ＡＰの下で気相成長させるようにする。 （もっと読む）

【課題】プラグが微細化しても埋め込み不良が生じることなく、低コストで形成することができ、さらに種々の半導体装置に適用可能であるプラグ及びその形成技術を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板上に酸化シリコン膜を形成し、酸化シリコン膜にビアを形成し、ビア内側に密着層を形成し、密着層上にシリコン層を形成し、タングステンを含むガスをシリコン層と反応させることにより、ビアに埋め込まれたタングステン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化膜と窒化膜との積層構造を有する絶縁膜の膜厚均一性を向上させ、生産性を向上させる。
【解決手段】処理容器内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、酸化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、酸化膜を形成する工程と、処理容器内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、窒化膜を形成する工程と、を交互に所定回数行うことにより、基板上に酸化膜と窒化膜とが積層されてなる積層膜を形成する工程を有し、酸化膜を形成する工程および窒化膜を形成する工程を、基板の温度を同様な温度に保持しつつ、連続的に行う。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、クリーニング前の昇温時間とエッチング時間を短縮できるエピタキシャルウエーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 チャンバー内にウエーハを載置するサセプタを具備し、チャンバー内を気相エッチングによりクリーニングするコールドウォールタイプの気相成長装置を用いてエピタキシャルウエーハを製造する方法であって、
前記クリーニング前の昇温時に、前記サセプタを前記チャンバー内壁に近づけ、該チャンバー内壁の温度を上昇させた後に、前記サセプタをもとの位置に戻し、その後、前記チャンバー及び前記サセプタを気相エッチングによりクリーニングし、
該クリーニングされたチャンバー内で、前記ウエーハの主表面にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウエーハを製造することを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】欠陥が少なく、バリア性の高いバリア性積層体の提供。
【解決手段】少なくとも１層の有機層と、少なくとも１層の無機バリア層を有し、有機層の少なくとも１層は、重合成組成物を硬化してなる有機層（１）であって、前記重合性組成物を６０重量％含むプロピレングリコール１−モノメチルエーテル２−アセタート液における粘度が１０００ｍＰａ・ｓ以上である、バリア性積層体。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハと半導体製造装置のホルダとをシリコン酸化膜を介して接触させた場合に、半導体ウエハとホルダとの貼り付きが抑制された半導体装置およびこの半導体装置を製造可能とする半導体製造装置を提供すること。
【解決手段】
この半導体製造装置は、反応容器となるチャンバー１２０と、半導体ウエハにＤＣＳガスを提供するシャワーヘッド１３０と、半導体ウエハに熱を加えるヒーター１５０と、載置面１３に半導体ウエハ２００が接触して支持される載置部１１と、この載置部１１を囲む周縁部１２と、載置面１３に部分的に設けられ、シリコン樹脂を主成分とする支持部材１４と、を有するウエハホルダ１１０を少なくとも備える。この支持部材１４は、ＳｉとＯとを主成分とする。 （もっと読む）

【課題】ガスをベント管側へ流すことなく安定化した流量のガスを処理容器内へ導入することが可能なガス供給装置を提供する。
【解決手段】薄膜が形成される被処理体Ｗを収容する処理容器４内へガスを供給するガス供給装置４０において、処理容器に接続されてガスを流すためのガス通路４８と、ガス通路に介設された流量制御弁６４と、流量制御弁よりも下流側のガス通路に介設された開閉弁機構６８と、流量制御弁と開閉弁機構との間のガス通路である中間ガス通路７２内の圧力を検出する圧力検出部７４と、圧力検出部の検出に基づいて流量制御弁を制御することにより中間ガス通路内の圧力を処理容器内の圧力の２倍以上の一定値になるように制御する弁制御部７６とを有するガス供給系４２を備える。 （もっと読む）

【課題】ボイドやシームの発生を抑制することができるシリコン酸化膜の形成方法およびその形成装置を提供する。
【解決手段】シリコン酸化膜の形成方法は、半導体ウエハ１０にシリコンプリカーサと過酸化水素とを含む成膜用ガスを供給して、半導体ウエハ１０の溝を埋め込むようにシリコン酸化膜を成膜する。制御部１００は、反応管２内に複数の半導体ウエハ１０を収容し、反応管２内を１１３Ｐａ〜６６５０Ｐａに設定する。また、制御部１００は、過酸化水素の流量をシリコンプリカーサの流量の３倍〜２０倍に設定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、太陽電池のバックシート、食品や医薬品等の包装分野に用いられるガスバリアフィルムと製造方法に関するものであって、そのガスバリア層が、基材であるプラスチックフィルムとの密着力に優れるガスバリアフィルムと、その製造においては、インラインでの形成が可能で、高い生産能率を有する生産方法を提供することを課題とするものである。
【解決手段】基材となるプラスチックフィルムの片面、もしくは両面にプラズマ化学的気相成長法（ＰＥＣＶＤ法）により形成された、ＳｉＯｘＣｙ膜からなる密着層の膜の組成が、基材表面から膜表面に向けて傾斜的に変化していき、その上にガスバリア層をこの順に、減圧環境化のインライン成膜にて形成するガスバリアフィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】気相成長反応が行われる空間からの反応ガスの流出を制御して、基板上で安定した成膜処理をする成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、反応ガス４が供給されて成膜処理が行われるチャンバ１と、チャンバ１の内部に設けられた中空筒状のライナ２と、ライナ２の上方に設けられて反応ガス４が透過するシャワープレート１５と、ライナ２とチャンバ１の内壁１ａとの間の空間Ｂにパージガス５２を導入するパージガス供給口５０と、ライナ２の上部と下部の周囲に配設されて空間Ｂの上端部と下端部を塞ぐシール５１とを有する。成膜装置１００は、空間Ｂをパージガス５２でパージし、基板７上での気相成長反応が行われる空間Ａ内の反応ガス４が空間Ｂへ流入することを抑制するとともに、空間Ｂに導入された所定量のパージガス５２が空間Ａへ流入するように制御する。 （もっと読む）

【課題】食品、日用品、医薬品などの包装分野や、太陽電池関連部材や電子機器関連部材などの分野において、通常の加工を施してもガスバリア性が劣化しない、特に高いガスバリア性が必要とされる場合に好適に用いることができる透明なガスバリア性積層フィルムを提供する。
【解決手段】ガスバリア性積層フィルム１０は、プラスチックフィルムからなる基材層１の、一方の表面上に第一のプライマー層２と第一のガスバリア層３と第一のガスバリア被膜層４とを、もう一方の表面上に第二のプライマー層５と第二のガスバリア層６と第二のガスバリア被膜層７とを、それぞれ順次積層して構成され、各層が特定の材料から構成され、プライマー層、ガスバリア層およびガスバリア被膜層の厚さが特定の範囲を満たす。 （もっと読む）

【課題】堆積速度が速く、好ましくは約７００℃以下のような低いプロセス温度を維持し、置換型炭素濃度が高い、ＳｉとＣを含有する選択エピタキシャル層を得る方法を提供する。
【解決手段】基板上にＳｉとＣを含有するエピタキシャル層を形成する方法であって、単結晶表面と、アモルファス表面、多結晶表面及びこれらの組み合わせより選ばれる少なくとも一つの第二表面とを含む基板をプロセスチャンバ内に配置するステップと、プロセスチャンバ内の圧力を少なくとも３００トールに維持しつつ、該基板をシリコン源と、炭素源と、リン源にさらして、該基板の少なくとも一部にリンがドープされたＳｉ：Ｃエピタキシャル膜を形成するステップと、７００℃以下のプロセスチャンバ内の温度の下で、ＨＣｌを含むエッチングガスに該基板をさらすことにより該基板を更に処理するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハ等のベース基板上方に窒化物半導体からなる半導体結晶層を形成する場合に、当該半導体結晶層の転位密度を低減する。
【解決手段】ベース基板をエピタキシャル結晶成長装置の成長室に設置した後、ベース基板の上に、接着層、バッファ層および活性層をエピタキシャル成長法により順次形成する層形成工程を有し、接着層形成工程が、第１結晶層を形成する工程と第２結晶層を形成する工程と、を有し、第１結晶層の形成後であって第２結晶層の形成前の第１の段階、および、第２結晶層の形成後であってバッファ層の形成前の第２の段階、からなる群から選択された少なくとも１つの段階において、３族原料ガスの供給を停止するとともに成長室の内部を、アンモニアを含むガスの雰囲気に一定時間だけ維持する雰囲気維持工程を有する半導体基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に安定的に膜を形成する。
【解決手段】複数の基板を配置する反応室と、前記反応室内に設けられた被加熱体と、前記被加熱体と前記複数の基板との間に設けられ、前記反応室内にシリコン原子含有ガス、炭素原子含有ガス、および水素ガスを供給するガス供給ノズル６１，６２と、を備えている。ここで、ガス供給ノズル６１、６２は、カーボングラファイトから成る基材層６３、基材層６３の表面を覆う炭化珪素から成るコート層６４、およびコート層６４の表面を覆う炭素から成るコート層６５を備えている。これによりクリーニング処理を行ってもコート層６４が取り除かれることを防止ないしは抑制できるので、成膜処理時に水素ガスがガス供給ノズル６１、６２を透過することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】充填筒に充填したガス処理剤を有効に使用し、充填筒の交換の際にも排ガスを系外に放出することなく充填筒を安全に交換することができる排ガス処理方法を提供する。
【解決手段】ガス処理剤をそれぞれ充填した複数の充填筒１０，２０に排ガスを導入し、該排ガス中の有害成分を除去処理する排ガス処理方法において、前記複数の充填筒の内の一つの充填筒１０に前記排ガスを導入して前記有害成分の除去処理を行い、該充填筒１０から導出した処理ガスを検出手段３０に導入して前記有害成分の有無を検出し、該検出手段から導出される処理ガスを他の充填筒２０を経由して排出するとともに、該検出手段で有害成分を検出したときに、排ガスの導入を他の充填筒２０に切り換えた後、該一つの充填筒１０内の有害成分をパージし、パージガスを検出手段３０を通じて他の充填筒２０に導入し、検出手段３０で有害成分が検出されなくなったら新たな充填筒に交換する。 （もっと読む）

【課題】選択的エピタキシープロセス及びＡＧＳプロセスの両者に対して、効率的に実施するための装置を提供する。
【解決手段】エピタキシャル膜を形成する方法において、エピタキシャル膜を形成する前に、第１のガスを使用して第１の処理チャンバー１０８内で基板を前クリーニングするステップと、上記第１の処理チャンバーから真空下で移送チャンバー１０２を通して第２の処理チャンバー１１０へ基板を移送するステップと、上記第１のガスを使用せずに上記第２の処理チャンバー１１０内で基板上にエピタキシャル層を形成するステップと、上記第１のガスは上記第２の処理チャンバー内で使用するには不適当である、を備えた方法。 （もっと読む）

【課題】高い移動度を実現でき、且つ、ストレス耐性（ストレス印加前後のしきい値電圧シフト量が少ないこと）にも優れた薄膜トランジスタ用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、Ｚｎ、Ｓｎ、およびＩｎと；Ｓｉ、Ｈｆ、Ｇａ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｔａ、Ｗ、およびＮｂよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素（Ｘ群元素）と、を含むものである。 （もっと読む）