【課題】薄膜特性及び接着性が改善が可能な基板構造形成方法及びこれを用いて形成された基板構造を提供する
【解決手段】基板構造を形成する方法は、基板１０をエッチングして垂直面５１を有するエッチング部５０を形成する段階と、基板１０の全面上にまたは基板１０に部分的に拡散物質層６０を形成する段階と、拡散物質層６０を熱処理して、一部が上記エッチング部５０の表面の下へと拡散したシード層６０’を形成する段階、及びシード層６０’上に金属層７０を形成する段階とを含む。上記方法によれば、シード層６０’によって基板１０のエッチング部５０の表面特性が改善されることもあるので、エッチング部５０の垂直面５１に接着性に優れ且つ均一な厚さの金属層７０を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットで構成された工具基体の表面に、（ａ）下部層として、粒状結晶組織のＴｉＣ層、ＴｉＮ層、ＴｉＣＮ層のうちの少なくとも１層、（ｂ）中間層として、粒状結晶組織のＣｒＣＮＯ層、（ｃ）上部層として、縦長成長結晶組織のＴｉＣＮ層、（ｄ）最表面層として、Ａｌ_２Ｏ_３層、上記（ａ）〜（ｄ）からなる硬質被覆層を蒸着形成し、必要により、上記（ｃ）と（ｄ）の間に、密着層として、粒状結晶組織のＴｉ化合物層を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】デバッグ等のために、完成した半導体集積回路装置の配線をＦＩＢ加工を用いて事後的に修正する場合がある。修正配線は配線として最適に材料を使用すべきである。しかし、たとえば、比抵抗の低い金属は、比較的その後の検査・試験環境に弱い等の問題がある。
【解決手段】本願発明は、ほぼ完成した半導体集積回路装置の配線を変更するために、ＦＩＢ加工を用いて半導体集積回路チップの配線を修正するに当たり、半導体集積回路チップの主面上の絶縁膜に金属修正配線をＦＩＢＣＶＤにより形成後、その上を覆うように、金属修正配線よりも耐酸化性または耐腐食性の高い金属被覆膜を、ＦＩＢＣＶＤにより形成するものである。 （もっと読む）

【課題】数nmサイズの凹凸部を表面に有する基盤や薄膜を、原子レベルにまで平坦化することを目的とする。
【解決手段】反応性ガスが導入されてなるチャンバ１１内に基板１２を配置する。反応性ガスを構成するガス分子を直接励起可能な波長帯域における吸収端波長よりも長波長からなる光を凸部２１に照射する。凸部２１に光を照射することによって凸部２１の局所領域に発生する近接場光に基づき、非共鳴過程を経て反応性ガスを解離させて活性種を生成させる。活性化された活性種と凸部２１とを化学反応させて反応生成物を生成させ、凸部２１を除去する。光として、反応性ガスに対する非共鳴光を用いているため、凸部２１の局所領域で発生する近接場光によってのみ、エッチングが進行する。また、近接場光の発生する凸部２１が反応の進行に伴い除去され、自動的に平坦化の工程が終了する。 （もっと読む）

【課題】表面全体にわたる十分な厚さの内部空洞壁のコーティングを得ることを可能にすること。
【解決手段】本発明は、ターボ機械の金属部品の高温での酸化から保護する気相堆積のアルミ被覆方法に関し、上記部品は外側からアクセスすることのできる開口部を備える空洞を含み、
この方法によれば、ハロゲンとアルミニウムを含む金属ドナーとの間の反応によってハロゲン化物が形成され、次いで、ハロゲン化物はキャリアガスによって運ばれて上記金属部品に接触し、上記金属ドナーは少なくとも部分的に上記空洞に置かれ、
金属ドナーは金属粉の混合物の圧力下の高温焼結によって得られるペレットの形である。 （もっと読む）

【課題】高温であっても耐摩耗性を発揮することができる耐摩耗性皮膜およびこれを備えた工具、並びに、高温での耐摩耗性に優れた皮膜を製造するための装置を提供する。
【解決手段】基材上に形成され、金属窒化物とされた表層を備えた耐摩耗性皮膜であって、前記表層上に該表層を皮膜する最表層が設けられ、該最表層が、炭素が固溶された少なくともＬｉとＡｌとを含む複合酸化物であることを特徴とする耐摩耗性皮膜。 （もっと読む）

【課題】高い耐久性と十分な本物感とが有利に表現され得る加飾樹脂成形品を提供する。
【解決手段】基材１２の意匠面１８に、物理蒸着法又は化学蒸着法により金属薄膜２０を直接に形成して、金属調の加飾を施すと共に、該金属薄膜２０に対して、該基材１２と該金属薄膜２０の両方に付着する特性を備えた透明な塗膜からなるトップコート層２２を１０〜４０μｍの厚さで形成して、構成した。 （もっと読む）

【課題】 高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】表面被覆切削工具の硬質被覆層の上部層は酸化アルミニウム層、下部層は密着性Ｔｉ化合物層と改質（Ｔｉ_１−ＸＺｒ_Ｘ）ＣＮ層（但し、原子比でＸ＝０．０２〜０．２５）と改質（Ｔｉ_１−ＹＣｒ_Ｙ）ＣＮ層（但し、原子比でＹ＝０．１２〜０．２０）で構成し、改質（Ｔｉ，Ｚｒ）ＣＮ層および改質（Ｔｉ，Ｃｒ）ＣＮ層は、それぞれ、｛１１１｝面の傾斜角度数分布グラフにおいて、０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、かつ、該傾斜角区分内に存在する度数の合計が、度数全体の４５％以上の割合を占める。 （もっと読む）

【課題】大気中かつ無潤滑環境下でも耐摩耗性・低摩擦性能に優れた硬質炭素被膜を提供する。
【解決手段】Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の高融点金属を含む基材１２上に、各層間の密着性を高めるためＣｒ中間層４１、および組成傾斜層４２を形成し、その上に２.７ａｔ％以上７.７ａｔ％以下のＭｏ元素、及び１.３ａｔ％以上４.６ａｔ％以下のＳ元素、及び７.０ａｔ％以上９.５ａｔ％以下のＯ元素を含む硬質炭素被膜４３を０．２μｍ以上０．３μｍ以下の厚さに形成する。 （もっと読む）

【課題】修正半透過膜の波長依存性を考慮した最適な透過率を設定する具体的な方法を提供する。
【課題を解決するための手段】多階調フォトマスクに使用される複数の露光波長を含む露光光源に対し、未修正半透過膜と修正半透過膜のそれぞれについて各波長のスペクトル強度比で加重平均した透過率の値が等しくなるように、修正半透過膜の膜厚を制御する。修正半透過膜の堆積には、光ＣＶＤ法などの膜厚を制御しながら局所的に堆積できる気相堆積法を用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 工具基体の表面に、硬質被覆層として、少なくとも、一層平均層厚が０．５〜５μｍのアルミニウムとクロムの複合酸化物層と、一層平均層厚が０．０５〜０．５μｍのチタンとクロムの炭酸化物層および／または炭窒酸化物層とが交互に積層された合計平均層厚が２〜１５μｍの交互積層を形成する。 （もっと読む）

【課題】気相原料を使った金属膜の成膜技術であって、半導体ウェハ周辺部への金属膜の堆積を確実に抑制できる技術を提供する。
【解決手段】被処理基板表面に金属カルボニル原料の気相分子を供給し、前記被処理基板表面近傍において分解させることにより、前記被処理基板表面に金属膜２１を堆積する成膜方法において、前記処理基板表面に金属層を堆積する際に、前記被処理基板の外周部に隣接する領域において前記金属カルボニル原料を優先的に分解させ、前記被処理基板外周部近傍において、雰囲気中のＣＯ濃度を局所的に増大させ、前記外周部への金属膜の堆積を抑制する。 （もっと読む）

【課題】所定の組成比の膜を成膜して高靱性、耐摩耗性と密着力向上とを両立させる。
【解決手段】Ｎ2 ガスの導入手段を有する真空槽１１と、Ｍ（Ｍは、Ｔi またはＣr ）用、Ａl 用のハース３１、３１と、ホローカソード形の電子銃２０、２０と、電子ビーム電源と、ワークＷ、Ｗ…用のバイアス電源と、質量分析計５０と、組成比制御系とを設ける。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 工具基体の表面に、硬質被覆層として、少なくとも、一層平均層厚が０．５〜５μｍの酸化アルミニウム層と、一層平均層厚が０．０５〜０．５μｍのチタンとクロムの炭酸化物層および／または炭酸窒化物層とが交互に積層された合計平均層厚が２〜１５μｍの交互積層を形成する。 （もっと読む）

【課題】鋼や鋳鉄の強断続切削加工等で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性とすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体表面に下部層と上部層からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、下部層は３〜２０μｍの合計平均層厚を有するＴｉ化合物層、上部層は酸化アルミニウム層、酸化クロム層および窒酸化チタン層から構成され、かつ、上記酸化クロム層中には、空孔最大幅０．５〜３μｍ、空孔率５〜３０％の複数の微少空孔が存在している。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度が低く、かつ反りの少ないIII族窒化物半導体基板を提供すること。
【解決手段】サファイア基板６１上に第一のＧａＮ層６２を成長させ、つづいて金属Ｔｉ膜６３を形成した後、窒化処理して、微細孔を有するＴｉＮ膜６４を形成する。その後、ＨＶＰＥ−ＧａＮ層６６を成長する。金属Ｔｉ膜６３およびＴｉＮ膜６４の作用により、ＨＶＰＥ−ＧａＮ層６６中には空隙部６５が形成される。この空隙部６５の箇所からサファイア基板６１を剥離除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、被覆層に被削材が溶着するという問題を低減した表面被覆切削工具を提供することにある。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材と、該基材上に形成される被覆層とを有するものであって、該被覆層は、１以上の層からなる内層とその内層上に形成される１以上の層からなる外層とを含み、該内層は、該外層と接する最上層として厚みが０．５μｍ以上のＡｌ₂Ｏ₃を含む層を有し、該外層は、表面を構成する最外層として密着強度が４０Ｎ以下である層を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体プロセスに関する。より具体的には、本発明は、化学気相成長法によって形成される金属含有膜を半導体素子に集積する方法に関する。
【解決手段】 たとえばゲートスタックのような、半導体素子中の金属含有膜を集積する方法。一の実施例では、当該方法は、処理チャンバ内に基板を供する手順、その基板をタングステンカルボニル含有ガスに曝露することによって、その基板上に、第１基板温度でタングステン含有膜を成膜する手順、第１基板温度よりも高温である第２基板温度でタングステン含有膜を熱処理することで、そのタングステン含有膜から一酸化炭素を除去する手順、及びその熱処理されたタングステン含有膜上にバリヤ層を形成する手順、を有する。タングステン含有膜の例には、Ｗ、ＷＮ、ＷＳｉ、及びＷＣが含まれる。他の実施例は、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｃｒ又はＲｕを含む金属含有膜を、各金属元素に対応した金属カルボニル先駆体から堆積する手順を有する。 （もっと読む）

金属炭化物薄膜を形成する方法が提供される。好ましい実施形態によれば、金属炭化物薄膜は、反応空間中で基板を、金属源化学物質、還元剤および炭素源化学物質の空間的にかつ時間的に分離された気相パルスと交互的かつ逐次的に接触させるステップによって、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスで形成される。この還元剤は、好ましくは水素の励起された種およびケイ素含有化合物からなる群から選択される。 （もっと読む）

【課題】難削材の高速重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】表面被覆切削工具の硬質被覆層を、化学蒸着で形成された上部層と下部層とで構成し、該上部層は１〜１５μｍの平均層厚を有する酸化アルミニウム層、該下部層は３〜２０μｍの合計平均層厚を有する密着性Ｔｉ化合物層と改質Ｔｉ系炭窒化物層とで構成し、そして、該改質Ｔｉ系炭窒化物層は、２．５〜１５μｍの平均層厚を有し、かつ、蒸着後の熱処理で形成された（Ｔｉ_１−ＸＣｒ_Ｘ）ＣＮ（但し、Ｘ＝０．０５〜０．１５）を満足するＴｉとＣｒの複合炭窒化物からなるマトリックス相と、（Ｔｉ_１−ＹＣｒ_Ｙ）ＣＮ（但し、Ｙ＝０．２〜０．８）を満足し結晶粒界に連続的に析出したＴｉとＣｒの複合炭窒化物析出相とからなる。 （もっと読む）