【課題】欠陥密度が低く、かつ反りの少ないIII族窒化物半導体基板を提供すること。
【解決手段】サファイア基板６１上に第一のＧａＮ層６２を成長させ、つづいて金属Ｔｉ膜６３を形成した後、窒化処理して、微細孔を有するＴｉＮ膜６４を形成する。その後、ＨＶＰＥ−ＧａＮ層６６を成長する。金属Ｔｉ膜６３およびＴｉＮ膜６４の作用により、ＨＶＰＥ−ＧａＮ層６６中には空隙部６５が形成される。この空隙部６５の箇所からサファイア基板６１を剥離除去する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法等のプラズマを用いる気相成長法により膜を成膜する成膜方法において、良質な膜を安定的に成膜することを可能とする。
【解決手段】成膜温度Ｔｓ（℃）と、成膜時のプラズマ中のプラズマ電位Ｖｓ（Ｖ）とフローティング電位Ｖｆ（Ｖ）との差であるＶｓ−Ｖｆ（Ｖ）と、成膜される膜の特性との関係に基づいて、成膜条件を決定する。１種又は複数種のＰｂ含有ペロブスカイト型酸化物からなる圧電膜では、下記式（１）及び（２）を充足する範囲で成膜条件を決定することが好ましい。
Ｔ（℃）≧４００・・・（１）、
−０．２Ｔｓ＋１００＜Ｖｓ−Ｖｆ（Ｖ）＜−０．２Ｔｓ＋１３０・・・（２） （もっと読む）

【課題】界面破壊現象が発生しない炭素ナノチューブ配線の形成方法及びこれを利用した半導体素子配線の形成方法が開示されている。
【解決手段】基板上に酸化金属膜を形成した後、前記酸化金属膜上に前記酸化金属膜の表面を露出させる開口を含む絶縁膜パターンを形成する。前記開口に露出された前記酸化金属膜を炭素ナノチューブの成長が可能な触媒金属膜パターンに形成する。前記触媒金属膜パターンから炭素ナノチューブを成長させて炭素ナノチューブ配線を形成する。前述した炭素ナノチューブ配線の形成方法は、前記絶縁膜パターンと触媒金属膜パターンとの間で炭素ナノチューブが成長する現象を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】粒子径の揃った粒子を基板上に堆積させる装置および方法の提供。
【解決手段】原料ガス中の原料を反応させることにより粒子を生成させ、前記粒子を基板上に堆積させる粒子堆積装置。この装置は、内部に反応室と後室とを有し、前記反応室に連絡した原料ガス供給口と前記後室に連絡した排気口と前記後室内に配置され且つ前記基板を保持可能なホルダとを具備してなる反応容器と、前記反応室内にプラズマを生じさせるプラズマ発生装置と、前記プラズマを生じさせながら、前記排気口より反応後のガスを排出させるガス流制御手段とを具備してなる。この装置により、導入された原料ガスを反応させて粒子を形成および成長させ、プラズマによるクーロン力と、ガス流による抗力とのバランスによって、所望の粒径を有する粒子のみを選択し、基板上に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】 耐熱温度が比較的低い樹脂製基板に微細かつ膜厚が均一な薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】 加熱手段２によって密閉容器１の内部を反応温度まで上昇させる。次に、薄膜の原料となる金属錯体または酸化物の錯体と、２００℃以下の沸点を有する溶媒と、を混合した反応液４を加熱雰囲気によって加熱して前記錯体を含む原料ガス発生させて飛散させる。原料ガス中に基板５を供給し、錯体を分解させて金属または酸化物を基板上に析出させ、薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えることなく、基板の表面にシード膜等の薄膜を均一に成膜できるようにする。
【解決手段】金属またはその化合物とカルボン酸とをカルボン酸蒸気を含む雰囲気下で加熱反応させ、金属またはその化合物とカルボン酸との反応生成物を飛散させて、金属またはその化合物からなる薄膜を基板の表面に成膜する。 （もっと読む）

【課題】金属含有膜を作製するために使用される多座β−ケトイミナートの金属含有錯体を提供する。
【解決手段】例えば、ビス（２，２−ジメチルー５−（ジメチルアミノエチルーイミノ）ー３ーヘキサノナートーＮ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムやトリス（２，２−ジメチルー５−（ジメチルアミノエチルーイミノ）ー３ーヘキサノナート）イットリウムなどの化合物が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により強磁性体Ｐｔ／Ｆｅ薄膜を形成可能な薄膜形成装置、及び強磁性体Ｐｔ／Ｆｅ薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】白金化合物と鉄化合物とを気化した原料ガスを、還元性のキャリアガスと共に反応室２へ供給するＣＶＤ用気化器４を備える。ＣＶＤ用気化器４は、流入口から流出口に向けてキャリアガスが流れるキャリアガス流路42と、キャリアガス流路42に原料溶液を供給する原料溶液流路71と、キャリアガス流路42の流出口に設けられ、原料溶液流路71から供給された原料溶液を気化する気化部45とを備える。キャリアガス流路42は、キャリアガスが供給されるキャリアガス供給管43と、キャリアガス供給管43からキャリアガスが供給され、原料溶液を微粒子状又は霧状にしてキャリアガス中に分散させて気化部45に供給するオリフィス管44とを備える。気化部45は、キャリアガス中に分散させた原料溶液を加熱して気化する加熱手段62を備えている。 （もっと読む）

ガス貯蔵コンテナーの内部にコーティングする方法であって、上記方法は化学蒸着のための前駆物質を上記貯蔵コンテナーに供給する工程、および金属コーティングを上記コンテナーの内部表面上に形成する工程を含み、上記コーティングは化学蒸着のための前駆物質より形成される、方法。また、内部表面を有するガス貯蔵容器を含むガス貯蔵コンテナーであって、上記貯蔵容器の上記内部表面上に形成されたライナーを有する、ガス貯蔵コンテナー。上記ライナーは約９９重量％またはそれ以上の純度のタングステン金属を含み得る。さらに、化学蒸着前駆物質発生器および上記前駆物質をガス貯蔵コンテナー中に輸送するための前駆物質注入アセンブリを含み得る金属ライニングされたガス貯蔵コンテナーを作製するためのシステム。上記システムは、上記ガス貯蔵容器からガス状の蒸着生成物を除くための排気出口も含み得る。
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【課題】新規な窒化チタンコーティングなどの窒化物コーティング法を提供する。
【解決手段】コーティングする基材を金属チタン粉末などの窒化物形成能を有する物質の粉末中に埋め込み、マイクロ波を照射して交番電界中に曝すことにより、該金属チタン粉末などの窒化物形成能を有する物質の粉末を固相の状態で大気中の窒素成分と反応させ窒化させると同時に、基材表面に生成した窒化チタンなどの窒化物をコーティングすることができる。大気にはチタンなどの自己燃焼反応を起こさない範囲で窒素を富化してもよい。 （もっと読む）

【課題】強誘電体膜及び強誘電体キャパシタ形成方法そして強誘電体キャパシタを提供する。
【解決手段】強誘電体膜及び強誘電体キャパシタ形成方法及び強誘電体キャパシタを提供する。反応チャンバに強誘電体を形成するための適切な比率で複数の有機金属ソース化合物を供給して強誘電体膜を形成する。有機金属ソース化合物はＮ_ｙＯ_ｘの嵩比が少なくとも５０％であるＮ_ｙＯ_ｘ／Ｏ_２混合酸化ガスと反応する。有機金属ソース化合物と混合酸化ガスは強誘電体膜を形成する蒸着時間の間、反応チャンバ内で蒸着温度及び蒸着圧力を維持される。その結果、強誘電体膜の均一度、例えば、下部電極との界面附近での均一度を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ−ＣＶＤを用いて、小型で、任意の場所、形状で微小電磁誘導装置を作製することができる微小電磁装置の作製方法及びそれによって作製される微小電磁装置を提供する。
【解決手段】 微小電磁装置の作製方法において、三次元ＣＡＤを用いて設計した微小電磁装置の三次元構造モデルに基づいた描画データから、原料ガスに集束イオンビームを照射するＦＩＢ−ＣＶＤ装置の集束イオンビームの照射位置とビームの強度、照射時間、照射間隔、照射方向を制御し、ガラスキャピラリー３１の先端面に鉄芯３５とＤＬＣコイル３６とからなる微小電磁装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】スムーズに歩留まり良くラミネートによる製袋加工を行うことができ、ガスバリア性および耐ピンホール性が高くＳ字カールのない包装物を効率的に得ることが可能な二軸配向蒸着ポリアミド系混合樹脂フィルムロールを提供する。
【解決手段】本発明の蒸着ポリアミド系混合樹脂フィルムロールは、その巻き終わりから２ｍ以内に１番目の試料切り出し部を設け、フィルムの巻き始めから２ｍ以内に最終の切り出し部を設けるとともに、１番目の試料切り出し部から約１００ｍ毎に試料切り出し部を設けた場合、各切り出し部から切り出されたすべての試料について、エラストマーの含有率、引張弾性率、沸水収縮率や厚み方向の屈折率等の物性が、所定の範囲の変動幅になるように調整されている。 （もっと読む）

【課題】 球レンズの表面に，真空蒸着法等を用いてコーティングして無反射フィルタ膜等を形成する従来の方法では，全面に均一なフィルタ膜を成膜するのが困難である，微小外径の球レンズに適用することができない，球レンズに蒸着カス等が付着する等の課題がある。
【解決手段】 そこで本発明では，真空チャンバ１内におけるフィルタ膜材料２の供給源３の上方に球レンズ８の支持容器９を自転運動及び公転運動可能に支持し，自転運動の回転軸１３は鉛直方向に対して所定角度θ傾斜させると共に，この支持容器は少なくとも底面側に網状部１１を形成し，網状部に球状ガラスを載せて支持容器を回転させることにより，球状ガラスを網状部に対して転動させながら，供給源からフィルタ膜材料を供給して，球状ガラスの全面にフィルタ膜材料のコーティングを施し，成膜する全面フィルタ膜付き球レンズの製造方法を提案する。 （もっと読む）

本発明は、データ媒体や銀行券や証明書などの重要書証及び／又は包装及び同様なものを、偽造防止や追跡調査できるようにすることを目的とするものであって、対象物にコーティングを施して、このコーティングの発色を介して光学的に容易に識別でき、かつ、一義的に関連づけできるように特性表示するシステムに関する。本発明は、また、この特性表示システムのための、セキュリティエレメント及びセキュリティマーキングにも関するものであり、これらは、ＰＶＤ法又はＣＶＤ法による蒸着によって製造することができるもので、本発明は、それらの製造方法及びそれらの使用にも関する。 （もっと読む）

【課題】有機金属前駆体と、シリコン、金属窒化物及び他の金属層などの基材上にコンフォーマルな金属含有膜を製造するための堆積方法を提供する。
【解決手段】当該有機金属前駆体は、次の式


（Ｍはコバルト、鉄、ニッケル、マンガン、ルテニウム、亜鉛、銅、パラジウム、白金、イリジウム、レニウム、オスミウム、Ｒ^1-5は水素、アルキル、アルコキシ、フルオロアルキル及びアルコキシ、脂環式、並びにアリール）により表されるＮ，Ｎ’−アルキル−１，１−アルキルシリルアミノ金属錯体である。 （もっと読む）

本発明は、式Ｍ（Ｌ）_３（式中、Ｍは、第ＶＩＩＩ族金属、例えばルテニウムであり、Ｌは、同じか異なり、置換若しくは非置換アミジナト基又は置換若しくは非置換アミジナト類似基を表す）で表される有機金属化合物を製造する方法であって、（ｉ）溶媒の存在下、及び前記有機金属化合物、例えばルテニウム（ＩＩＩ）化合物を含む反応混合物を生成するのに十分な反応条件下で、置換若しくは非置換金属源化合物、例えばルテニウム（ＩＩ）化合物を、置換若しくは非置換のアミジネート又はアミジネート類似化合物と反応させること、及び（ｉｉ）前記反応混合物から前記有機金属化合物を分離することを含む方法に関する。この有機金属化合物は、被膜堆積のための化学蒸気又は原子層堆積前駆体として、半導体用途に有用である。 （もっと読む）

【課題】基材に対して第２相をより確実に付与するための方法とそれによって得られる複合材料を提供する。
【解決手段】反応系内に有機金属錯体、金属アルコキシド及び金属ハロゲン化物の少なくとも１種の化合物又はこれを加熱して得られるガスの存在下で基材を熱処理することにより、前記基材の表面に金属、合金及び無機化合物の少なくとも１種を含む粒子又は皮膜を形成することを特徴とする複合材料の製造方法及びそれにより得られる複合材料に係る。 （もっと読む）

【課題】 不純物の少ない合金の金属薄膜を均一にしかも高速に作製する。
【解決手段】 Ｆｅ製の被エッチング部材２１とＮｉ製の被エッチング部材２２とを備え、Ｃｌ₂ガスをプラズマ化してそれぞれの被エッチング部材２１、２２をエッチングした前駆体の金属成分を基板９にそれぞれ吸着させ、その後、基板９を移動させてＦｅ薄膜とＮｉ薄膜を積層することで合金６０を作製し、緻密な多元層膜構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】 液体の状態で輸送が可能で且つ蒸気圧が大きく気化させやすい鉄化合物、特に、組成制御性に優れた薄膜の製造を実現することができ、多成分薄膜をＣＶＤ法により製造する場合に好適な鉄化合物を提供すること。
【解決手段】 下記一般式（I）で表されるアルコキシド化合物。
【化１】
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