例えばシリコン等の非晶質または微晶質材料の膜をプラズマから基板上に蒸着する方法を記載している。マイクロ波エネルギーを一連の不連続マイクロ波パルスとしてチャンバ内へ導入し、膜用前駆ガスを一連の不連続のガスパルスとしてチャンバ内へ導入し、水素原子を生成するガスを少なくとも各マイクロ波パルスの際にチャンバ内へ供給している。各マイクロ波パルスには前駆ガスパルスが重複しない形で続き、さらに各前駆ガスパルスには、マイクロ波パルスと前駆ガスパルスのいずれも無い期間が続く。 （もっと読む）

プラズマからの蒸着により基板（１４）上に非晶質材料の膜を形成する方法を開示している。基板（１４）を容器内に配置し、膜用前駆ガスを各管（２０）を通じて容器内に導入し、容器内を低圧にすべく未反応および解離ガスを容器から各管（２２）を通じて抽出する。容器内でプラズマを生成するために分散型電子サイクロトロン共鳴（DECR）により容器内のガスに所定の周波数と出力レベルの連続したパルスとしてマイクロ波エネルギーを導入し、プラズマから材料を基板上に蒸着する。蒸着した材料の厚さにわたってバンドギャップを変化させるべく材料の蒸着中にパルスの周波数および／または出力レベルを変える。 （もっと読む）

プラズマからの蒸着により基板上に非晶質材料の膜を形成する方法を開示している。基板を容器内に配置し、前駆ガスを容器内に導入し、容器内を低圧にすべく未反応および解離ガスを容器から抽出する。容器内でプラズマを生成するために分散型電子サイクロトロン共鳴（DECR）により容器内のガスにマイクロ波エネルギーを導入し、プラズマから材料を基板上に蒸着する。前記蒸着した材料の厚さにわたってバンドギャップを変化させるべく膜用前駆ガスの前記流動速度を材料の蒸着中に変える。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に開口された接続孔の内部に、チタン膜上に窒化チタン膜が形成された積層構造のバリアメタル膜を介して金属膜を埋め込んだ接続部における不具合を回避する。
【解決手段】接続孔２０の底部にＴｉＣｌ_４ガスを用いた熱反応により熱反応Ｔｉ膜２１ａを形成し、ＴｉＣｌ_４ガスを用いたプラズマ反応によりプラズマ反応Ｔｉ膜２１ｂを形成した後、Ｈ_２ガスを用いたプラズマ処理及びＮＨ_３ガスを用いたプラズマ処理を施して、プラズマ反応Ｔｉ膜２１ｂの表面に窒素リッチＴｉＮ膜２１ｃを形成する。続いてＷＦ_６ガスを用いたＣＶＤ法による成膜とＳｉＨ_４ガスまたはＢ_２Ｈ_６ガスを用いた還元とを複数回繰り返して、窒素リッチＴｉＮ膜２１ｃ上に多層構造のタングステン核膜２２ａを形成した後、ＷＦ_６ガス及びＨ_２ガスを用いたＣＶＤ法により４００℃以下の温度でタングステン核膜２２ａ上にブランケット・タングステン膜２２ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】傾斜ＳｉＧｅ含有膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤチャンバ内に配置された基板を用意するステップと、所定量のトリシラン及びゲルマニウム前駆体を含み、上記量を堆積中に変化させる堆積ガスを用いて、熱ＣＶＤによって基板上に傾斜ＳｉＧｅ含有膜を堆積するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】フィルムの成膜途中でフィルムに影響を与えることなく成膜部のセルフクリーニングを実行することができる巻取式プラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】成膜部２３に原料ガスを導入してフィルムＦをプラズマＣＶＤにより成膜する成膜モードと、成膜部２３にクリーニングガスを導入して成膜部２３のプラズマクリーニングを行うクリーニングモードとを有する巻取式プラズマＣＶＤ装置であって、クリーニングモードにおいて、フィルムＦの成膜面を遮蔽する遮蔽手段として、遮蔽部３５ａと開口部３５ｂが形成された帯状体からなるクリーニングマスクを設ける。これにより、成膜途中においてもフィルムに影響を与えることなく成膜部のセルフクリーニングが実行可能となる。 （もっと読む）

強化材の層を成長させること、及び、前記層をマトリックスで含浸することを含む、複合材の製造方法。強化材の層は化学蒸着法によって形成されうる。この方法は、所望の形状及び物性を有する部品を形成するためのアディティブ層製造技術として使用でき、又は、薄いシート材料を形成するために使用できる。
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【課題】表面に褐色のまだら模様を形成することなく、見栄えの良いアモルファスカーボン被膜を成膜した合成樹脂製ボトルを提供する。
【解決手段】本発明は、口部２、肩部３、胴部４及び底部５からなり、口部２、肩部３、胴部４及び底部５の内面f1〜f5に、Ｃ2Ｈ2ガスを供給して、アモルファスカーボン被膜７を成膜したボトル１である。アモルファスカーボン被膜７は、肩部３の内径が最大となる部分Ｘ2からボトル軸線Ｏに沿って口部２に向かう肩部３の高さ位置Δｌが、ボトル軸線Ｏに沿った肩部３の高さ寸法ｌの70％となる高さ位置までの範囲において、当該高さ位置までの範囲の肩部３に形成されるアモルファスカーボン被膜７が、肩部内径最大部分Ｘ2での膜厚Ｔoを基準に、当該膜厚Ｔoに対して０．９倍以上、且つ、１．１倍以下の膜厚で成膜されてなる。 （もっと読む）

【課題】ボトルの内側に褐色のまだら模様を形成することなく、見栄えの良いアモルファスカーボン被膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、合成樹脂製ボトル１の口部２の内側に形成した注出路６に、この注出路６との間に隙間ｔを空けて筒状部材12を配置し、この筒状部材12を通して口部２に繋がる肩部３、胴部４及び底部５の内面で形作られる充填空間Ｒに、C₂H₂ガスを供給して、このC₂H₂ガスを用いたプラズマCVD法によってボトル１の内側にアモルファスカーボン被膜を形成する方法である。本発明では、アモルファスカーボン被膜を形成するにあたり、筒状部材12を、当該筒状部材12の先端が注出路６から充填空間Ｒに露出するように位置決めする。 （もっと読む）

【課題】画カブリ等の画像ノイズを防止した、非晶質カーボンを表面保護層とする高耐刷である有機感光体を得る事を目的とする。
【解決手段】導電性支持体２上に形成された電子写真感光層７の表面に、少なくとも炭化水素系ガスを含む原料ガスの雰囲気下で、導電性支持体２にパルス高周波電圧と負のパルスバイアス電圧とを重畳して印加して非晶質カーボンからなる表面保護層５を形成した電子写真感光体１であって、原料ガスの圧力が９０Ｐａ以上２００Ｐａ以下の範囲で表面保護層５が形成された構成を有することにより、画カブリの発生を防止した、高耐刷性の電子写真感光体が得られる。 （もっと読む）

【課題】従来の気相結晶成長法を用いて水晶成膜用基板上に形成した水晶ウエハより水晶片を製造する方法では、例えば平板状の水晶成膜用基板主面全面上に所望の厚みの水晶ウエハを形成しても、この水晶ウエハの厚みは、厚い場合でも百数十μｍであり、水晶デバイス内に搭載するサイズの水晶片に機械的な切断加工を施すことが非常に難しい。
【解決手段】水晶片の主面外形形状と同外形形状の平坦面が頂部に形成された凸部が、一方の主面上にマトリックス状に形成されている水晶成膜用基板を用いて、気相結晶成長装置の結晶成長室内に、前記水晶成膜用基板を配置する工程と、水晶成膜用基板に形成したバッファ層の上に水晶片を、気相結晶成長法により成長させる工程と、水晶成膜用基板を結晶成長室内より取り出し、水晶片をバッファ層ごと水晶成膜用基板から個々に分離するする工程とを備えた水晶片の製造方法。 （もっと読む）

【課題】オーステナイト組織を有するステンレス鋼からなる母材を加工後、窒化処理を施しても母材と同程度の耐食性を示す基材をもつ被覆部材およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】オーステナイト組織を有するステンレス鋼からなる母材を加工した加工材の表層部を窒化してなり、所定の条件の自然浸漬電位測定で−２００ｍＶより貴の自然浸漬電位を示す基材と、該表層部の表面の少なくとも一部に被覆された無機被膜と、を備える。基材は、母材を加工することで加工誘起マルテンサイトが生成した加工材から加工誘起マルテンサイトを減少させる工程、あるいは、母材をステンレス鋼のＭｄ３０よりも３０℃以上高い温度で温間加工または熱間加工して加工材とする工程を経て、該加工材に窒化処理を行い窒化層を形成することで得られる。 （もっと読む）

本発明は、内部導体（２）と外部導体（３）を備えた同軸型マイクロ波供給部（１）から構成され、アンテナ（７）としての一端を備えた内部導体（２）が、プラズマ室（６）に対する壁面内の開口部を閉鎖する真空フランジ（５）を絶縁された形で貫通するＥＣＲプラズマ源に関する。多極磁石機器（８）が、マイクロ波供給部（１）と同軸に配備されており、その磁場が、真空フランジ（５）を貫通して、プラズマ室（６）内にアンテナ（７）と同軸にリングギャップ状磁場（１２）を形成している。アンテナ（７）が、プラズマ室（６）内に直に突き出るとともに、内部導体（２）に向かって半径方向に拡大して行くアンテナヘッド（１４）を有し、そのアンテナヘッドには、真空フランジ（５）に対して平行な下側（１５）が配設されており、真空フランジ（５）とその下側（１５）の間にリング状の隙間（１６）が形成されるとともに、プラズマ室（６）が、アンテナ（７）と同軸に、かつ半径方向に対してリングギャップ状磁場（１２）の外側において、シールド（１３）によって境界を画定されており、そのシールドの真空フランジと反対の正面側が、プラズマ放射開口部（２５）を規定している。
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【課題】線条体に周方向に均一に半導体膜を形成することのできる半導体膜成装置、半導体膜形成方法、及び半導体膜付き線条体を提供する。
【解決手段】半導体膜形成装置１は、内部に空洞３ａを有し、外部から供給される励起用高周波が空洞３ａ内で共振する反応容器３と、空洞３ａ内部を貫通し両端部４ａ、４ｂが反応容器３から突出するように反応容器３に取り付けられた石英管４と、石英管４内に導入されるガスが空洞３ａ内に供給される励起用高周波により励起されてプラズマＰが発生する石英管４内のプラズマ反応部５とを備える。プラズマが発生するプラズマ反応部５のある石英管４内に線条体２を配置するので、線条体２に周方向に均一に半導体膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】導電性を有する非晶質炭素膜、また、そのような非晶質炭素膜の形成方法、および非晶質炭素膜を備えた導電性部材を提供する。
【解決手段】炭素と水素とからなる非晶質炭素膜であって、水素を３０ａｔ％以下（０ａｔ％を除く）含み、かつ、炭素の全体量を１００ａｔ％としたときに、ｓｐ^２混成軌道をもつ炭素量が７０ａｔ％以上１００ａｔ％未満である。水素やＣｓｐ^３などの含有量を制御してＣｓｐ^２からなる構造を増加させることで、非晶質炭素膜に導電性が付与される。この非晶質炭素膜は、ｓｐ^２混成軌道をもつ炭素を含む炭素環式化合物ガスおよびｓｐ^２混成軌道をもつ炭素とともに珪素および／または窒素を含む複素環式化合物ガスから選ばれる一種以上を含む反応ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により形成でき、基材１００の表面に非晶質炭素膜を形成することで、導電性部材が得られる。 （もっと読む）

【課題】安価で製造でき、優れた耐食性及び密着性を有する硬質の膜を表面に有する送液ポンプ用用部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】インペラー１は、略釣り鐘状の筒部と、その周囲に形成された羽根部とを備えている。そして、インペラー１の表面付近の一部拡大断面部分１１は、金属製の基材１２と、この基材１２の表面に高周波プラズマＣＶＤ法によって形成されたアモルファス状膜１３とを備えている。アモルファス状膜の厚さは１μｍ〜５０μｍであることが好ましい。その硬さは、ＨＶ７００〜２８００であることが好ましい。前記アモルファス状膜の表面の算術平均粗さＲａは０．５μｍ以下、且つ、十点平均粗さＲｚは２．０μｍ以下であることが好ましい。また、アモルファス状膜１３における水素原子の割合が１０原子％〜５０原子％の範囲、残りが炭素原子で組成されているものであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】優れた化学的耐久性及び低摩擦係数の表面を有する真空ポンプ用部材及びその製造方法を安価で提供する。
【解決手段】ローター（真空ポンプ用部材の一部品）は、表面が凹凸形状や湾曲形状を有している金属製の本体と、その表面の一部に形成されているアモルファス状膜とを備えている。そして、ローターの表面付近の一部拡大断面部分１１は、本体１ａを形成する金属製の基材１２と、この基材１２の表面に形成されたアモルファス状膜１３とを備える構成となっている。 （もっと読む）

【課題】貫通気孔や開気孔を通して、海水成分、酸、アルカリなどが内部へ浸入し、基材を腐食させて皮膜を剥離が起きやすいとい溶射皮膜の欠点を解消できる技術を提案する。
【解決手段】溶射皮膜の開気孔部が、１０〜４５原子％の水素を含有するアモルファス状炭素水素固形物によって充填され、かつ該溶射皮膜表面には０．５〜８０μｍの膜厚のアモルファス状炭素水素固形物膜が被覆されてなる耐食性溶射皮膜と、高水素含有アモルファス状炭素水素固形物によって、該溶射皮膜の気孔を封孔し、その皮膜表面への膜形成を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高出力、高耐圧、高速、高周波化などを達成し得る新規なGaN系ヘテロ接合トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】上記課題は、GaN又はInGaNからなるチャネル層(4)と、AlNからなる障壁層(5)と含むヘテロ界面を構成する層と、トランジスタ素子表面に形成された絶縁膜(9)、及び前記絶縁膜上に形成されたオーミック電極を有する電界効果トランジスタ(1)、特に絶縁膜としてSiN絶縁膜を用いた電界効果トランジスタや、そのような電界効果トランジスタの製造方法によって解決される。 （もっと読む）

基体からの酸化物の取り除きについての方法は、提供される。当該方法は、基体がそれに形成された酸化物層を有するプロセス・チャンバーにおいて基体を提供すること、及び、順次の酸化物の取り除きのプロセスを行うこと、を含む。順次の酸化物の取り除きのプロセスは、基体から酸化物層を部分的に取り除くためにＦ_２を含有する第一のエッチング・ガスの流動に対して第一の基体温度で基体を露出させること、第一の基体温度から第二の基体温度まで基体の温度を上昇させること、及び、基体から酸化物層をさらに取り除くためにＨ_２を含有する第二のエッチング・ガスの流動に対して第二の温度で基体を露出させることを含む。一つの実施形態において、フィルムは、順次の酸化物の取り除きのプロセスの後に続くことで、基体に形成されることがある。

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