【課題】 透明導電膜を形成するための非単結晶シリコン系薄膜の表面層に存在する水素の、透明導電膜に与える悪影響を排除する。
【解決手段】 基板上に非単結晶シリコン系薄膜を水素化シリコン系のガスを原料として気相成長法により形成し、得られた非単結晶シリコン系薄膜を大気に曝すことなしに該薄膜上に透明導電膜をスパッタリング法により形成する方法であって、前記透明導電膜の形成に先立って、前記非単結晶シリコン系薄膜を表面処理し、前記非単結晶シリコン系薄膜の表面からの膜厚が少なくとも５Åの表面層の水素密度を低減させることを特徴とする透明導電膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 大型の処理基板であってもその上に対する処理が均一となるプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ発生装置１０は、プラズマ発生用電極１１と、その下方に設けられ基板上面がプラズマ発生用電極１１側を向くように処理基板２０がセットされる基板セット台１２と、プラズマ発生用電極１１と基板セット台１２との間に、それらのいずれからも間隔をおいて設けられた平板状のメッシュ電極１３と、を備える。メッシュ電極１３の中央部分の撓みを規制してその下面と基板セット台１２にセットされた処理基板２０の上面との位置関係を全体的に平行に保持する平行保持手段１６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】低温での成膜が可能であり、表面平坦性、凹部埋めこみ性、ステップカバレッジに優れ、成膜速度にも優れるシリコン酸化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】処理室５２内にシリコン原子を含む第１の原料ガスを供給し、ウエハ２００上に数原子層のアモルファスシリコン膜を形成し、第１の原料ガスの供給を停止し、第１の原料ガスを処理室５２内から排出し、処理室５２内に酸素原子を含む第２の原料ガスを供給し、ウエハ１上に形成されたアモルファスシリコン膜と反応させてシリコン酸化膜を形成し、第２の原料ガスの供給を停止し、処理室５２内から第２の原料ガスを排出する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性の高いシリコン酸化膜を形成できる。
【解決手段】 第１の反応室１では、オゾンと、アルキルシロキサン化合物５から放出したアルキルシロキサン化合物ガスとが効率的に混合され、第２の反応室２には、シリコン酸化膜を成膜したい基板６が載置され、基板６は第２のヒータ１１により加熱され、第１の反応室１と第２の反応室２は互いに断熱板３によって独立し、連結部となる孔４により連通している。
第１の反応室の混合ガスは、連結部４を通過して第２の反応室２に導入され、上記混合ガスは基板表面に吸着するとともに熱反応分解によって表面にＳｉＯ_２が形成される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、耐酸化性および耐拡散性、高機械強度を有し、且つ、離型がし易い金型を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、ガラス成形品を製造するための金型であって、成形面を有するベースと、該成形面に被覆される超硬被膜を有する金型を提供する。該超硬被膜は、非晶質窒化炭素基材、及び該非晶窒化炭素基材中に分散される立方格子窒化炭素粒子を有する。金型は、非晶質窒化炭素の良好な潤滑性によって光学ガラス成形品と接着せずに離型し易くなり、立方格子窒化炭素粒子の極めて高い硬度によって成形面の機械強度を増加し、また、該超硬被膜は金型ベースの金属元素の拡散を防止することができる。 （もっと読む）

従来のプラズマ印加ＡＬＤ装置では、プラズマが反応室の内部で直接発生するので、基板と薄膜とに直接的な物理的な衝撃を与えて薄膜が損傷される問題がある。また、プラズマのエネルギーを調節する機構を設けるのが容易ではないので、プラズマの不均一による薄膜の不均一が問題となる場合が多く報告されている。
本発明では、内部空間を有する反応室、反応室の内部空間の一側に配置され、薄膜形成のための基板が載置される基板支持台、反応室の外側に設置されて反応室の内部空間にリモートプラズマを供給するためのリモートプラズマ発生部、リモートプラズマのエネルギーを調節できるＤＣバイアス部、及び反応室の内部に薄膜形成のためのソースガスを供給するソースガス供給部を含むＡＬＤ装置を提供する。

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【課題】 温度差のある二つの部材を電気絶縁し、かつ効率良く高温部の熱を低温部へ伝達させる熱交換絶縁部材を廉価で提供する。
【解決手段】 本発明の熱交換絶縁部材は、高温部４と、高温部４より低温の低温部２と、高温部４と低温部２との境界の少なくとも一部に配置され、ＣとＳｉとを含むアモルファス炭素−珪素部材３と、を備え、アモルファス炭素−珪素部材３は、高温部４と低温部２とを電気絶縁し、かつ高温部４と低温部２とを熱交換させることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明に従った実施形態は、化学気相堆積された低誘電率材料の多段階硬化プロセスに関する。特定の実施形態では、電子ビーム放射および熱暴露ステップの組合せが、膜に組み込まれているポロゲンの選択的脱ガス化をコントロールするために採用されてもよく、ナノ細孔の形成をもたらす。一具体的な実施形態によると、シリコン含有成分と、不安定基を特徴付ける非シリコン含有成分との反応に起因する低誘電率層は、電子ビーム形態の放射印加が続く熱エネルギーの初期印加によって硬化されてもよい。 （もっと読む）

【課題】電界効果デバイスのゲート材料を提供すること。
【解決手段】電界効果デバイスのゲート材料として用いられるＴａおよびＮの化合物であって、さらに別の元素を含む可能性があり、約２０ｍΩｃｍより小さな比抵抗を有し、約０．９より大きなＮ対Ｔａの元素比を有する化合物が開示される。そのような化合物の代表的な実施態様であるＴａＳｉＮは、誘電体層および高ｋ誘電体層を含むＳｉＯ_２上の一般的なＣＭＯＳプロセス温度で安定であり、ｎ型Ｓｉの仕事関数に近い仕事関数を有する。第３アミルイミドトリス（ジメチルアミド）Ｔａ（ＴＡＩＭＡＴＡ）などのアルキルイミドトリス（ジアルキルアミド）Ｔａ化学種をＴａ前駆体として用いる化学的気相堆積方法によって、金属性Ｔａ−Ｎ化合物を堆積する。この堆積は共形であり、これらのＴａ−Ｎ金属化合物のＣＭＯＳプロセスフローへの融通の利く導入を可能にする。ＴａＮまたはＴａＳｉＮを用いて加工されたデバイスは、ほぼ理想的な特性を示す。 （もっと読む）

【課題】ヘキサクロロシランからのシリコン含有膜の堆積を提供する。
【解決手段】処理システムの低圧堆積プロセスによってシリコン含有膜と基板を堆積するための方法を提供する。シリコン含有膜は、処理システムの処理チャンバーに基板を供給し、基板を加熱し、基板にヘキサクロロシラン（ＨＣＤ）処理ガスを露出することによって、基板上に形成できる。この方法は、基板のシリコン表面上にエピタキシャルシリコン含有膜を選択的に堆積するか、基板上にシリコン含有膜を非選択的に堆積するかすることができる。ＨＣＤ処理ガスを使用してシリコン含有膜を基板上に形成するための処理システムを含んでいる処理装置が提供される。 （もっと読む）

ハフニウムベースの誘電体膜を堆積する方法が提供される。本方法は、オゾンとハフニウム前駆体を含む１つ又はそれ以上の反応物質とを用いた原子層堆積段階を含む。半導体デバイスもまた提供される。該デバイスは、基板と、基板上に形成されたハフニウムベースの誘電体層と、基板及びハフニウムベースの誘電体層間に形成された界面層とを含み、該界面層は二酸化ケイ素を含み且つ結晶構造を有する。 （もっと読む）

基板上に形成する薄膜の再現性と面内均一性、組成均一性を改善する。 反応室１００に原料ガスを供給する原料ガス供給管５ｂに、バルブ３４、３５を設け、原料ガス供給管５ｂから分岐したバイパス配管１４ａにバルブ３３を設ける。バルブ３４、３５の間に不活性ガス供給配管２３を設ける。制御装置２５０は、バルブ３３〜３５を次のように制御する。成膜時と成膜停止時との間の成膜停止遷移時は、バルブ３４を閉じ、バルブ３３とバルブ３５を共に開き、原料ガスをバイパス配管１４ａからバイパスさせると共に、不活性ガス供給配管２３から不活性ガスを流して原料ガス供給管５ｂ内のバルブ３５よりも下流側デッドスペースの残留ガスを反応室から排気する。成膜停止時は、バルブ３５を閉じ、バルブ３４とバルブ３３をともに開き、不活性ガス供給配管２３から不活性ガスを流して原料ガス供給管５ｂ内の不活性ガス供給箇所よりも上流側デッドスペースの残留ガスを、原料ガスと共にバイパス配管１４ａから排気する。 （もっと読む）

流動性絶縁材料から残留炭素堆積物を除去する方法。流動性絶縁材料はケイ素、炭素および水素を含むもので、流動性酸化物材料またはスピンオン流動性酸化物材料である。残留炭素堆積物は、流動性絶縁材料をオゾンに曝露することによってその流動性絶縁材料から除去される。流動性絶縁材料は、半導体基板上に配置されたトレンチの中に絶縁層を形成するために使用される。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドに匹敵する広い電位窓を有するホウ素炭素窒素系薄膜を用いたセンサーおよび電気化学装置を提供すること
【解決手段】ホウ素、炭素、窒素の少なくとも２原子からなる材料を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば１ｍ×１ｍ乃至２ｍ×２ｍ級の大面積基板に対しても高速且つ均一性に優れることを課題とする。
【解決手段】内部に基板７５がセットされる、排気系５９を備えた真空容器４１と、この真空容器４１内に放電用ガスを導入する放電用ガス導入系と、前記真空容器４１内に前記基板７５と対向して配置された電極４６と、この電極４６に高周波電力を供給して放電用ガスを放電させてプラズマを生成する電力供給系とを具備し、生成したプラズマを利用して真空容器４１に配置される基板７５の表面を処理する表面処理装置において、前記電極４６は金属製の薄膜構造であることを特徴とする表面処理装置。 （もっと読む）