【課題】研磨装置用キャリアの基材へのＤＬＣ膜の密着性を良好にして、研磨装置用キャリア自身の寿命を長くすると同時に、被研磨物の表面に傷を付けないようにする研磨装置用キャリアを提供する。
【解決手段】樹脂を母材とする研磨装置用キャリア１の基材２のすべり面をプラズマに暴露した後、前記基材のすべり面にＤＬＣ膜３を形成することを特徴とする研磨装置用キャリア１の製造方法。前記樹脂が、ガラス繊維、アラミド繊維およびカーボン繊維から選択された１種以上の強化繊維を含有する繊維強化樹脂である研磨装置用キャリア１の製造方法。研磨布を貼り付けた上下研磨プレート間に前記製造方法により製造された研磨装置用キャリア１を配置し、研磨装置用キャリア１の開口部４に被研磨物を挟み込んで被研磨物を両面研磨する両面研磨方法。 （もっと読む）

【目的】パターン密度の違いによるエッチング差を抑制する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上にポロジェン材料を含む絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０４）と、前記絶縁膜に含まれる前記ポロジェン材料の一部を除去する工程（Ｓ１０６）と、前記ポロジェン材料の一部が除去された前記絶縁膜に前記絶縁膜の底部を残すように開口部を形成する工程（Ｓ１１２）と、前記絶縁膜に含まれる前記ポロジェン材料の残部を除去する工程（Ｓ１１４）と、前記開口部の前記底部をエッチングする工程（Ｓ１１６）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】少なくとも潤滑油中で摩擦特性が優れること、または無潤滑および潤滑油中の両方の環境下で摩擦特性が優れた非晶質炭素膜およびその成膜方法を提供する。
【解決手段】原料ガスはトルエンガスおよびＨＭＤＳで、周波数は５０ｋＨｚ以上５００ｋＨｚ以下で、圧力は０．５Ｐａ以上２０Ｐａ以下で、成膜中の温度は１５０〜４００℃の条件のプラズマＣＶＤ法を用いて基材上に形成された炭素と水素または炭素と珪素と水素を含有する非晶質炭素膜であって、組成がＣ_{１−ａ−ｂ}Ｓｉ_ａＨ_ｂで、かつ、０≦ａ≦０．２、０．７５≦ｂ＜０．２５であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜間の界面が急峻で良質な単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜を成長させることができる単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜の成長方法を提供する。
【解決手段】ＹＳＺ基板やＭｇＯ基板などからなる基板１０１上にパルス・レーザ・デポジション法やスパッタリング法などによりアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を成長させ、このアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を反応性固相エピタキシャル成長法により結晶化させることにより単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３を形成する。この単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３上に溶液気化ＣＶＤ法により単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０４を成長初期からエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】硬度に優れた領域と潤滑性に優れた領域とを同一平面内に局在させて併せ持つことが可能なＤＬＣ膜を備えた金属部材を提供すること。
【解決手段】少なくとも鉄を含む金属基材１１上にＤＬＣ膜１２を配してなる金属部材１０であって、ＤＬＣ膜１２は、ラマンスペクトルにおいて、波数が１５５０〜１６００［ｃｍ^―１］の範囲に観測されるグラファイトに起因したピークを有し、前記ピークの強度が膜面内に複数異なって混在し、前記ピークの強度の最大と最小の差が１桁以上であること。 （もっと読む）

【課題】低コストでアモルファス炭素膜を効率よく成膜する技術を提供する。
【解決手段】本発明のアモルファス炭素膜の成膜装置は、成膜炉１１と、板状ワーク２２を平行にかつ上下方向に隣接する２個の板状ワーク２２の対向面間の間隔を２〜３０ｍｍの範囲で上下方向に積層状態で複数個保持し成膜炉１１の炉室内に等間隔でリング状に配置されかつマイナス極に通電された複数個のワーク固定具２３と、リング状に配置されたワーク固定具２３の中心に１個以上および遠心方向側で等間隔にリング状に配置された複数個で構成され供給ガスを供給するノズル３１，３２と、少なくともワーク固定具２３に結線されたプラズマ電源１６と、を具備する。板状ワークがワーク固定具に上下方向に積層状態で複数個保持されるので、成膜面積が大幅に増加する。また、膜分布・膜組成の不均一分布を抑制し、全ての板状ワークに均一に成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】可撓性フィルム基板を搬送しながら成膜を行うロールツーロール方式の薄膜製造装置にあって、複数の成膜室の間でガスの混入を防止することが可能な薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】可撓性フィルム基板１０上に膜を連続的に成膜するロールツーロール方式の薄膜製造装置において、成膜室３，４，５は可撓性フィルム基板１０の搬送方向に沿って複数個設けられ、各成膜室３，４，５の間には該成膜室間のガス流やガスの流出を遮断する拡散防止室６，７が設けられ、拡散防止室６，７にはガスの流動を可能あるいは遮断する複数のゲートバルブ２０，２１が設置され、ゲートバルブ２０，２１のうち少なくとも１個の移動ゲートバルブ２０は、可撓性フィルム基板１０の搬送に従って移動するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】低コストが容易な光起電力素子を提供する。
【解決手段】光起電力素子１０は、ｐ層３、ｉ層４、ｎ層５および電極６を透明導電膜２が形成された絶縁基板１上に順次積層した構造からなる。ｐ層３は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。ｉ層４は、複数の非晶質薄膜４１と複数の結晶薄膜４２とからなる。そして、複数の非晶質薄膜４１および複数の結晶薄膜４２は、非晶質薄膜４１および結晶薄膜４２が相互に接するように絶縁基板１に略垂直な方向に積層される。非晶質薄膜４１は、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ナノサイズの結晶粒４１１と、光を吸収する光吸収剤４１２とを含む。結晶薄膜４２は、ｉ型ｐｏｌｙ−Ｓｉからなる。そして、ｉ層４は、３００ｎｍ〜１０００ｎｍの膜厚を有し、非晶質薄膜４１および結晶薄膜４２の各々は、１０ｎｍ〜２０ｎｍの膜厚を有する。 （もっと読む）

【課題】ドープされる元素の濃度と成長速度とのバッチ間均一性が良好な膜を作製することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を反応炉内に搬入するステップと、前記反応炉内にガス供給ラインより処理ガスを供給して排気ラインより排気することで基板に対して処理を行うステップと、前記反応炉内より処理後の基板を搬出するステップと、処理後の基板を前記反応炉内より搬出後、次に処理する基板を前記反応炉内に搬入する前に、前記反応炉内に少なくとも製品基板を収容していない状態で、前記反応炉内に対する前記排気ラインによる排気を行いつつ、前記排気ラインに設けられた排気バルブの開閉を複数回繰り返すことで前記反応炉内をパージするステップとで半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】成膜速度の向上および被膜ダメージの低減を図ることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１２内に配置され、基板１１を載置する基板ホルダ１６と、基板ホルダ１６に対向配置され、成膜材料ガスをチャンバ１２内に導入するシャワープレート３１と、を備え、シャワープレート３１に交流電圧を印加して、チャンバ１２内に導入された成膜材料ガスをプラズマ化し、基板１１に成膜処理を行う成膜装置１０において、シャワープレート３１における基板ホルダ１６側に、複数の金属メッシュ板３０が積層配置されている。 （もっと読む）

【課題】 改善されたステップカバレージを有するアモルファスカーボン膜を高温堆積するための方法を提供すること。
【解決手段】 一実施形態では、アモルファスカーボン膜を堆積するための方法は、処理チャンバに基板を準備し、５００℃よりも高い温度に上記基板を加熱し、上記加熱された基板を含む上記処理チャンバ内へ炭化水素化合物及び不活性ガスを含むガス混合物を供給し、上記加熱された基板上に、約１００メガパスカル（ＭＰａ）の引張力と約１００メガパスカル（ＭＰａ）の圧縮力との間の応力を有するアモルファスカーボン膜を堆積することを含む。 （もっと読む）

【課題】ＧＳＴ、ＧｅＴｅ、及び他の膜を非晶質の形態で、ただし比較的高い蒸着速度で形成する新規な方法を提供すること。
【解決手段】ゲルマニウム、テルル、及び／又はアンチモン前駆体は、ゲルマニウム、テルル、及び／又はアンチモン含有膜、例えば、ＧｅＴｅ、ＧＳＴ、及び熱電ゲルマニウム含有膜を形成するために、有用に使用される。これらの前駆体を用いて非晶質膜を形成する方法もまた記載されている。さらに、相変化型メモリー用途用のＧｅＴｅ平滑非晶質膜を形成するための、［｛ｎＢｕＣ（ｉＰｒＮ）₂｝₂Ｇｅ］又はＧｅブチルアミジネートの使用が記載されている。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性で摩擦の少ない多層構造体を提供することである。
【解決手段】硬質材料個別層と、炭素個別層またはシリコン個別層との交互の層からなる多層構造体であって、前記硬質材料個別層は、金属、金属炭化物、金属ケイ化物、金属炭化ケイ化物、金属ケイ化窒化物、金属炭化物含有炭素、金属ケイ化物含有シリコン、または前記物質の少なくとも２つからなる含有物であり、前記金属は、タングステン、クロム、チタン、ニオブおよびモリブデンの群から選択され、前記炭素個別層は、非結晶水素含有炭素、非結晶水素無含有炭素、シリコン含有炭素、または金属含有炭素からなる、ことを特徴とする多層構造体。 （もっと読む）

イオン衝撃条件下でのプラズマ蒸着によって適用された非金属コーティングを有する医薬品吸入装置。
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本発明の実施形態は、２つ以上の堆積ステップの間にプラズマ処置プロセスを使用して薄膜太陽電池デバイスを形成する改良された方法を含む。本発明の実施形態によれば、一般的に、薄膜太陽電池デバイスを形成するための方法及び装置も提供される。本発明は、他の単一接合、タンデム接合又は多重接合太陽電池デバイスを形成するのにも効果的に使用することができる。 （もっと読む）

【課題】簡易にしかも安価に作製することができるアモルファスカーボン薄膜作製方法を提供する。
【解決手段】超臨界流体セル６の流体層５内に二酸化炭素及び炭化水素を封入し超臨界状態を形成する工程と、流体層５内に紫外波長のレーザー光を照射する工程と、を含むアモルファスカーボン薄膜作製方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は基材に非晶質炭素層を形成する方法を提供する。
【解決手段】この方法は、プロセシングチャンバーに基材を配置する；プロセシングチャンバーにプロセスガスを導入する；プロセスガスのプラズマを発生させる；および基材に非晶質炭素層を堆積させる、工程を含み、ここでプロセスガスは単一の炭素−炭素二重結合を有するＣ_４〜Ｃ_１０の環状炭化水素を含む組成物を含み、ここでこの組成物は安定化剤を含まない。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ系半導体多結晶基材の製造において、ＣＶＤ装置内での粉の発生を抑制し、かつ、５００℃以下の低温において結晶性に優れた半導体素子の製造に有用なＳｉ系結晶質半導体を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｓｉに対して２００〜５００℃の範囲において化学的エッチング性を有するエッチング性ガスと、シラン系原料ガスと、該シラン系原料ガスの希釈率を上げるキャリアガスの存在下、前記シラン系原料ガスを加熱された基体により熱的に活性化させることにより、前記エッチング性ガスがＳｉのネットワーク構造の緩和と結晶化を促進させて、Ｓｉを主たる組成とする結晶質半導体材料を形成することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 金属薄膜上に金属酸化膜を形成する際に、金属薄膜の酸化を抑制させる。
【解決手段】 表面に金属薄膜が形成された基板上に、ハフニウム、イットリウム、ランタン、アルミニウム、ジルコニウム、ストロンチウム、チタン、バリウム、タンタル、ニオブからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含む金属酸化膜を、金属薄膜の酸化が起こらない温度であって、かつ、金属酸化膜がアモルファス状態となる第１温度で形成する第１ステップと、第１ステップで形成した金属酸化膜上に、ハフニウム、イットリウム、ランタン、アルミニウム、ジルコニウム、ストロンチウム、チタン、バリウム、タンタル、ニオブからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含む金属酸化膜を、第１温度を超える第２温度で、目標の膜厚まで形成する第２ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】処理容器（真空室）内に導入された原料ガスを発熱体によって分解及び／又は活性化させ、処理容器（真空室）内に配置されている基板上に薄膜を堆積させる発熱体ＣＶＤ装置において、発熱体の長寿命化と、発熱体の固定方法の改善が図られ、生産性の向上された発熱体ＣＶＤ法を提供する。
【解決手段】発熱体３が電力供給機構に接続されている接続部３３及び／又は発熱体３が支持体３１に支持されている支持部を、接続部３３、支持部との間に隙間を存在させて、かつ発熱体３と接触すること無しにカバーで覆い、当該カバーと接続部３３、支持部との間の隙間にガスを導入できるガス導入機構３２１を備えた発熱体ＣＶＤ装置を用い、前記接続部３３に備えられている発熱体挿入口に挿入された発熱体３の端部にパージガスを導入する。 （もっと読む）