【課題】給電コネクタの屈曲部に生じる隙間の変化を最小限に抑え、給電コネクタを流れる高周波電力の反射波発生を防止または抑制して、信頼性や耐久性を向上させた真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理室２外に配置された高周波電源から整合器１０ａ，１０ｂを介して真空処理室２内に配置された放電電極６に給電される高周波伝送路において、前記整合器１０ａ，１０ｂと前記放電電極６との間に略９０度の方向転換をして接続されている給電コネクタ９ａ，９ｂが配設された製膜装置１において、給電コネクタ９ａ，９ｂの方向転換が滑らかなＲ形状の屈曲部Ｒにより行われている。 （もっと読む）

【課題】劣化率を低下させ、安定化効率を高めた光起電力装置を提供する。
【解決手段】基板１００の上部に配置された第１電極２１０と、第１電極２１０の上部に受光層２３３を含む少なくとも一つ以上の光電変換層２３０と、光電変換層２３０の上部に配置された第２電極２５０とを含み、受光層２３３は、水素化されたマイクロ結晶質シリコンゲルマニウムと前記水素化されたマイクロ結晶質シリコンゲルマニウム間に形成された非晶質シリコンゲルマニウムネットワークとを含む第１副層２３３ａと、水素化されたマイクロ結晶質シリコンと前記水素化されたマイクロ結晶質シリコン間に形成された非晶質シリコンネットワークとを含む第２副層２３３ｂとを含む。 （もっと読む）

【課題】製膜される膜の高品質化を図るとともに、大面積化および製膜速度の高速化を図ることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】互いに対向して配置され、間にプラズマを生成するリッジ電極を有するリッジ導波管からなる放電室２と、放電室２に隣接して配置され、リッジ電極に向かってプラズマの形成に用いられる母ガスを供給するガス供給部１０と、放電室２との間にガス供給部１０を挟む位置に配置され、プラズマによる処理が施される基板Ｓと、少なくとも放電室２、ガス供給部１０および基板Ｓを内部に収納する減圧容器７と、減圧容器７におけるガス供給部１０との間に放電室２を挟む位置に連通され、減圧容器７内部の圧力を低減させる排気部９と、が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カバレッジ性能、及び、表面ラフネスの良好なアモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置を提供する。
【解決手段】制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して、複数枚の半導体ウエハＷが収容された反応管２内を８００℃〜９５０℃に加熱する。次に、制御部１００は、ＭＦＣ制御部を制御して、加熱された反応管２内にパージガス供給管１８から窒素ガスを供給することにより、反応管２内をパージして半導体ウエハＷからの水を除去する。そして、制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して、反応管２内を所定の温度に加熱し、ＭＦＣ制御部を制御して、加熱された反応管２内に処理ガス導入管１７からエチレンを供給することにより、半導体ウエハＷにアモルファスカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の光起電力装置の製造方法は、光起電力装置の劣化率を低下させ、安定化効率を高めるためのものである。
【解決手段】一実施形態は、基板と、前記基板の上部に配置された第１電極と、前記第１電極の上部に受光層を含む少なくとも一つ以上の光電変換層と、前記光電変換層の上部に配置された第２電極とを含み、前記受光層は、水素化された非晶質シリコン系をそれぞれ含む第１副層と、第２副層とを含み、前記第１副層及び前記第２副層は、非シリコン系元素を含み、前記第２副層は、前記水素化された非晶質シリコン系で囲まれた結晶質シリコン粒子を含む光起電力装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】爆発の危険性が高いＳｉＨ_４を用いずとも、安全、比較的低温度で、しかも低廉なコストでＳｉ系膜を提供できる技術を提供することである。
【解決手段】Ｓｉ系膜を形成する為の膜形成材料であって、
前記膜形成材料がｔ−Ｃ_４Ｈ_９ＳｉＸ_３を有する。 （もっと読む）

【課題】膜質の向上や膜質の均一化を可能とし、さらに、基板の大面積化にも対応可能なプラズマ製膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマ発生源１０Ａは、水素ガス流路３０が形成された中空箱形の正電極３１と、内部空間にプラズマ生成領域を形成するとともに正電極３１を収納設置して基板３と対向配置された中空箱形の負電極３２と、負電極３２の外部に形成されて原料ガスを基板３上に供給するガス出口３３ａを備えている原料ガス流路３３と、正電極３１の面に設けた水素ガスのガス出口３１ａと、負電極３２の面に設けた水素ラジカルの出口開口３２ａとを具備し、正電極３１内に導入した水素ガスに高周波電界を印加して水素ガスがプラズマ状態に励起された水素ラジカルを生成し、原料ガスと出口開口３２ａから供給される水素ラジカルとを負電極３２外のプラズマのない空間で反応させて基板３上に製膜する。 （もっと読む）

【課題】本発明の光起電力装置の製造方法は、光起電力装置の劣化率を低下させ、安定化効率を高めるためのものである。
【解決手段】一実施形態は、基板と、前記基板の上部に配置された第１電極と、前記第１電極の上部に受光層を含む少なくとも一つ以上の光電変換層と、前記光電変換層の上部に配置された第２電極とを含み、前記少なくとも一つの光電変換層に含まれた受光層は、水素化された非晶質シリコン系を含む第１副層と、結晶性シリコン粒子を含む第２副層とを含む光起電力装置を提供する。 （もっと読む）

本発明は、真空化が可能で、基板を収容するようになされた少なくとも１つの受容器と、少なくとも１つの気体前駆体を受容器の中に導入するために使用される少なくとも１つの気体供給装置と、画定可能な長さ方向の範囲を有し、受容器に関して事実上移動不能となるように少なくとも１つの関連する機械的固定装置によって固定される少なくとも１つの加熱可能な活性化要素と、を備える成膜設備に関する。少なくとも２つの接触要素を介して電流を活性化要素に供給することができ、接触要素の少なくとも１つは、交互の接触地点で活性化要素と接触するように設計される。本発明はさらに、これに対応する成膜方法にも関する。
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【課題】電圧印加電極をシールドする金属製支持枠と枠体との間のインダクタンス成分を低減する。
【解決手段】電圧印加電極８の背面に金属製支持枠２１を配置するとともに、電圧印加電極８の前方に突き出すようにして電圧印加電極８の周囲に枠体２２を配置し、枠体２２の外周面を覆うように配置された金属板２７にて金属製支持枠２１と枠体２２とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】安価に密着強度の高い炭素被膜を形成することができるチタン系材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】チタン製の基材１１の表層に炭素元素を固溶させて炭素固溶層１２を形成する工程と、該炭素固溶層１２の表面に炭素被膜１３を成膜する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】より低温でかつ高成膜速度で成膜することができる金属窒化膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバ内に被処理基板であるウエハを搬入し、チャンバ内を真空に保持した状態とし、ウエハを加熱しつつ、チャンバ内にＴｉＣｌ_４ガスとＭＭＨガスとを交互的に供給してウエハ上にＴｉＮ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】欠陥が低く、高次シランの混入のない高品質なαＳｉ薄膜を得ることができるプラズマＣＶＤ装置、及Ｓｉ系薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１は、真空容器２と、それを減圧するための排気系と、被成膜基板を置く接地電極１０と、排気孔と原料ガス導入路とを有する放電電極３と、それに高周波電力を印加する高周波電源１４と、を備え、前記排気孔には、その壁面に前記原料ガス導入路につながる原料ガス供給口が形成され、前記原料ガス導入路が、前記原料ガス供給口から吐出される原料ガスの流れ方向の延長線上に前記排気孔の壁面が位置するように構成されているものである。また、シリコン系薄膜の製造方法は、上記装置で珪素を含む原料ガスを導入し、該排気孔中において該原料ガスをプラズマ化させ、高次シランを真空容器外へ排気し、プラズマ化したＳｉＨ３ラジカルを被成膜基板上に到達させる方法である。 （もっと読む）

本発明は、優れた安定性を持つデバイスを実現可能な安定性の高い酸化物半導体を提供する。本発明に係る酸化物半導体は、Ｉｎ（インジウム）、Ｚｎ（亜鉛）及びＳｎ（錫）の少なくともいずれか一つと、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の少なくともいずれか一方と、酸素とを含むアモルファス酸化物半導体であり、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のイオン半径はＧａ（ガリウム）のイオン半径よりも大きい。
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【課題】製膜される膜の膜質を安定させることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】内部で製膜処理が行われる真空容器と、製膜処理が施される基板Ｓが載せられる基板テーブル１２と基板Ｓおよび基板テーブル１２における温度分布を所定の範囲内に制御する基板ヒータ１３と、基板テーブル１２の基板Ｓと接する面における複数の箇所の温度を測定する温度測定部２３−１から温度測定部２３−９と、基板Ｓが基板テーブル１２に載せられて、基板Ｓの温度分布を均一化させる温度安定化期間が終了する前に、基板Ｓに対して製膜処理を開始させる制御部６と、が設けられ、制御部６は、複数の箇所における温度の間での温度差に基づいて、安定化期間の長さを制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 非晶質炭素被覆部材において、基材をArイオンでエッチングした後に非晶質炭素膜を基材上に被覆する方法ではエッチング効果が低く、中間層を基材と非晶質炭素膜の間に形成する方法でも、機械部品や、切削工具、金型に対して実用可能な密着性が得られないという問題を有していた。
【解決手段】 基材に負のバイアス電圧を印加することにより、基材表面に周期律表第IIIa、IVa、Va、VIa、IIIb、IVb族元素から選択される１種以上の元素イオン、あるいは、該元素イオンとKr、Xe、CH₄、C₂H₂、C₂H₄、C₆H₆、CF₄から選択される１種以上のガスを少なくとも含む雰囲気ガスによるガスイオンを複数組み合わせて照射した後、基材上に非晶質炭素膜を被覆する。 （もっと読む）

【課題】該非晶質炭素被膜の初期摩擦係数の低減を含む初期馴染み性を向上させることができる摺動部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に、水素を含有した非晶質炭素被膜を成膜する工程と、前記非晶質炭素被膜の表面に紫外線を照射する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性や耐化学特性などの機能に優れた被膜を、安価に大面積の基材に対して形成可能であり、とくに凹凸のある立体形状の基材に対しても適用可能な被膜形成方法および装置を提供する。
【解決手段】噴出口から基材に向けて噴出させた不活性ガスに、高周波電圧を常圧下で印加して、不活性ガスをプラズマ化させることにより発生させたプラズマ化不活性ガスに対し、プラズマ化不活性ガスの噴射方向と交差する方向に反応ガスを供給して該反応ガスとプラズマ化不活性ガスを合流させることにより、反応ガスの少なくとも一部がプラズマ化されてなるプラズマ化反応ガスを発生させ、該プラズマ化反応ガスを、プラズマ化不活性ガスとともに基材に向けて吹き付けることにより、基材表面に、非晶質素材からなる被膜を形成することを特徴とする基材の被膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】
加熱触媒体の腐食劣化を低減することのできる薄膜形成装置のクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】
第二の電極に高周波電力を印加する工程と、水素ガスまたは不活性ガスを含んだキャリアガスを前記第一供給口から前記チャンバー内に供給する工程と、分子式にフッ素（Ｆ）を含んだガスまたは分子式に塩素（Ｃｌ）を含んだクリーニングガスを前記第二供給口から前記チャンバー内に供給する工程と、前記クリーニングガスを前記第一の電極と第二の電極間に生じるグロー放電によるプラズマ空間において活性化する工程と、を有し、前記第一供給口の個数をｎ_１、開口径をｄ_１、前記第一供給口を流れるキャリアガスの全流量Ｑ_１、前記第二供給口の個数をｎ_２、前記開口径をｄ_２、前記第二供給口を流れるクリーニングガスの全流量Ｑ_２、チャンバー内の圧力をＰとしたとき、Ｑ_１≧（ｄ_１^２・ｎ_１）／（ｄ_２^２・ｎ_２）×Ｑ_２、Ｐ≦２００Ｐａを満たす。 （もっと読む）

【課題】絶縁性の高いシリコン酸化膜を低温下で成膜することができるシリコン酸化膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】シリコン酸化膜の成膜方法は、被処理基板Ｗを保持する保持台３４の表面温度を３００℃以下に保った状態でシリコン化合物ガス、酸化性ガスおよび希ガスを処理容器３２内に供給し、処理容器３２内にマイクロ波プラズマを生成し被処理基板Ｗにシリコン酸化膜を形成する工程と、酸化性ガスおよび希ガスを処理容器３２内に供給し、処理容器３２内にマイクロ波プラズマを生成し被処理基板Ｗ上に形成されたシリコン酸化膜をプラズマ処理する工程とを含む。 （もっと読む）