【課題】内部への樹脂由来のガスの放散を抑制できる半導体用ケースを提供する。
【解決手段】少なくとも内側面が樹脂で構成され、レチクルまたはウェハを収容するケース本体と、内側面を被覆すると共に、内側面から樹脂に含まれる気化物質が放散することを防止するダイヤモンドライクカーボン膜とを備えた。 （もっと読む）

【課題】カソードと被成膜基板との間の距離を長くすることにより、被成膜基板に緻密で高硬度な薄膜を成膜できるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置は、チャンバー２内に配置されたカソード電極３と、カソード電極３の周囲を囲むように設けられたアノード電極４と、カソード電極３及びアノード電極４に対向するように配置される被成膜基板１を保持する保持部と、フロート電位とされるプラズマウォール８と、カソード電極３に接続された交流電源５と、アノード電極４に接続された直流電源７と、被成膜基板１に電気的に接続された直流電源１２と、を具備し、円筒形状のプラズマウォール８の内径が１００ｍｍ以上２００ｍｍ以下であり、カソード電極３と被成膜基板１との間の距離が２００ｍｍ以上３００ｍｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜速度を確保しつつ、且つ膜厚が不均一となりにくい基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室２０１内に複数のＳｉウエハを搬入し、積層して収容する第１の工程と、Ｓｉウエハを加熱しつつ、処理室２０１に第１のガスを供給して、所望の厚さの第１の非晶質シリコン膜を成膜する第２の工程と、基板を加熱しつつ、第１のガスとは異なる第２のガスを処理室２０１内に供給して、所望の厚さの第２の非晶質シリコン膜を成膜する第３の工程とを有し、第１のガスは、前記第２のガスより高次なガスであるようにＳｉウエハを処理する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子写真装置の印刷品質の低下を防止させ得る電子写真装置用帯電ローラならびに優れた印刷品質を長期間維持させ得る電子写真装置を提供することを課題としている。
【解決手段】電子写真感光体の表面を帯電させるべく、外周面を前記電子写真感光体に接触させて用いられる電子写真装置用帯電ローラであって、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル共重合体をベースポリマーとして含有するポリマー組成物によりＪＩＳ Ａ 硬度で４０度以上５８度以下の硬さに形成された弾性体層が導電性軸心の外側に設けられており、該弾性体層のさらに外側には、前記電子写真感光体に接触される表面層が設けられており、該表面層が内側にイオン注入層をともなうダイヤモンドライクカーボン被膜で形成されており、該ダイヤモンドライクカーボン被膜の厚みが２０ｎｍ以上１μｍ以下であることを特徴とする電子写真装置用帯電ローラなどを提供する。 （もっと読む）

【課題】触媒ＣＶＤ法において、緻密で、膜質の良好な半導体層を有する電子写真感光体の形成が可能な堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】基体を収容する真空容器と、該真空容器内に原料ガスを供給するガス供給手段と、該ガス供給手段より供給される原料ガスに接触するように配置された触媒体と、を備えた触媒ＣＶＤ装置を用いて、少なくとも水素及び／又はハロゲンを含む非単結晶シリコン膜を製造する堆積膜形成方法であって、前記原料ガスのうち、シリコン原子を含んだガス状の分子が前記真空容器内に導入されてから排出されるまでの間に、前記触媒体に衝突する回数が１回以上、４回以下となる条件下で堆積膜形成を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 カーボン保護膜作製チャンバーでの処理時間を短縮するとともにそのチャンバー内でのパーティクルの発生を防止し、生産性の向上を図る。
【解決手段】 一列に且つ無終端となるよう連結された複数のチャンバーを備えた磁気記録ディスク用成膜装置に、少なくとも３つのカーボン保護膜作製チャンバー６１，６２，６３を設ける。キャリア９０の数を全チャンバーの数より１だけ少なくし、３つのカーボン保護膜作製チャンバーのうちのいずれか一つが常に空き状態となるように、キャリアの移動を制御する。内部にキャリアが位置する２つのカーボン保護膜作製チャンバーでは、それぞれカーボン保護膜を作製する。同時に空き状態のカーボン保護膜作製チャンバーでは、アッシングによる内部クリーニングを行なう。 （もっと読む）

【課題】２つの平行平板電極を配置したプラズマＣＶＤ室において基板に薄膜を形成するに当たり、平行平板電極の距離を一定にして基板にうねり等の不具合が発生するのを抑制し、薄膜の均一性を向上させることが可能な薄膜製造装置を提供することにある。
【解決手段】原料ガスが導入されるプラズマＣＶＤ室３に２つの平行平板電極７，８を設置し、平行平板電極７，８に高周波電力を供給することにより、原料ガスを分解して平行平板電極７，８の間に置かれた基板１０上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ法を用いた薄膜製造装置において、２つの平行平板電極７，８の少なくとも一方に複数本の絶縁性材料からなるスペーサ１３を設け、スペーサ１３を、平行平板電極７，８間距離が一定となるように平行平板電極７，８間に配設している。 （もっと読む）

【課題】不所望の不純物の混入を抑制することができる薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜製造装置は、真空容器１１と、真空容器１１内に設けられた高周波アンテナ１３と、真空容器１１内に高周波アンテナ１３から離間して設けられた基板保持部１９と、高周波アンテナ１３の近傍に設けられたプラズマ生成ガス供給口１４と、プラズマ生成ガス供給口１４と基板Ｓの間に設けられた主原料ガス供給口１５と、プラズマ生成ガス供給口１４と基板Ｓの間であって主原料ガス供給口１５と基板Ｓの間に設けられたドーピングガス供給口１６、１７とを備える。ドーピングガス供給口１６、１７が最も基板Ｓに近い位置にあることにより、ドーピングガスがアンテナ側に逆流することを防ぐことができるため、ドーピング原子がアンテナ等に付着することを防ぐことができる。そのため、不所望のドーピング材料が不純物として薄膜に混入することが抑えられる。 （もっと読む）

【課題】簡素な構造でありながら高精度に電極間距離を調整することができるプラズマ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】反応室Ｒと、反応室Ｒに反応ガスＧ１を導入するガス導入部１ａと、反応室Ｒから反応ガスＧ１を排気する排気部６と、反応室Ｒ内に対向状に配置されかつ反応ガスＧ１を介してプラズマ放電させる平板状の第１電極１および第２電極２と、第１電極１または第２電極２を支持または固定して対向方向に移動可能とする移動手段５と、第１電極と第２電極の少なくとも一方を支持または固定する固定片７ａ、７ｂとを備え、第１電極１または第２電極２が移動手段５により移動され、かつ第１電極１および第２電極２の周縁部が固定片７ａ、７ｂと当接することにより、第１電極１と第２電極２との最小電極間距離が決定されることを特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】チャンバ間での移送時に基板の取り付け／取り外しを行う必要がない薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】基板上に複数積層された薄膜を製造する装置であって、開口部を有する複数の成膜室１３１〜１３６と、前記開口部を閉鎖するように該開口部に装着可能な板状部材３３及びと該装着時に前記成膜室内に位置する該板状部材の面に前記基板を固定する基板固定機構３４とを有する基板保持機構３０Ｂと、前記複数の成膜室１３１〜１３６の前記開口部の間で前記基板保持機構３０Ｂを移動させる移動機構３０Ａと、を備える。この装置では基板を基板保持機構３０Ｂで保持したままで順次成膜室を移動させることができるため、移送時に基板の取り付け／取り外しを行う必要がない。それにより製造効率を向上させると共に装置の故障を少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】
新たな結晶構造をもったＢＮ薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】
ＢＮ薄膜は、Ｓｐ^３−結合性６Ｈ−ＢＮとｓｐ^３−結合性１０Ｈ−ＢＮを含有することを特徴とするものであり、その製造方法は、ｓｐ^３−結合性ＢＮ高密度相を有するＢＮ薄膜の製造方法であって、基材上に形成したアモルファスＢＮ薄膜（又は、sp2結合性BN薄膜）にレーザ照射して、相変化を生じさせ、照射箇所に高密度相を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基材としての第二電極を用いることなく液中にプラズマを発生させることが可能な液中プラズマ成膜装置および液中プラズマ用電極を提供する。
【解決手段】基材Ｓと原料を含む液体Ｌとを収容可能な容器１と、容器１に配設される液中プラズマ用電極２と、液中プラズマ用電極２に電力を供給する電源装置３と、を有する液中プラズマ成膜装置において、液中プラズマ用電極２は、
放電端部２２を有する主電極２１と、放電端部２２に対向するとともに、互いに対向する放電端部２２と基材Ｓとの間に配設される副電極２６と、
放電端部２２の表面２２ａと表面２２ａに対向する副電極２６の表面２６ａとで区画された空間をもち、主電極２１に電力が供給されることで空間にプラズマを発生させるプラズマ発生部２９と、を備える。
プラズマ発生部２９で発生したプラズマを基材Ｓに接触させて、基材Ｓの表面に原料の分解成分を堆積させる。 （もっと読む）

本発明は、窒化ハフニウムの酸化物又はケイ酸塩から薄膜を作製する方法を提供し、また、非対称グアニジネート配位化合物を提供する。さらに、本発明は、本発明の上記方法により窒化ハフニウムの酸化物又はケイ酸塩から薄膜を作製する工程を含む、電子回路を製造する方法を提供する。本発明に従って窒化酸化ハフニウム又は窒化ハフニウムシリケートから薄膜を作製する方法は、下記式（Ｉ）：Ｈｆ（ＮＲ_１Ｒ_２）_４−ｘ［Ｒ_３−Ｎ＝Ｃ（ＮＲ_１Ｒ_２）−ＮＲ_４］_ｘ（式中、Ｒ_１及びＲ_２は、同じ又は異なり、Ｃ_１〜Ｃ_１２の飽和又は不飽和直鎖又は分岐状アルキル基、及びＣ_３〜Ｃ_１２の飽和又は不飽和環状基から選択され、Ｒ_３及びＲ_４は、異なり、Ｃ_１〜Ｃ_１２の飽和又は不飽和直鎖又は分岐状アルキル基、及びＣ_３〜Ｃ_１２の飽和又は不飽和環状基、又は式Ｓｉ（Ｒ_５）_３による基（式中、Ｒ_５はＣ_１〜Ｃ_６の直鎖アルキル基である）から選択され、ｘは１〜４（両端を含む）の整数である）による少なくとも１つの配位化合物を加熱することによって、気相を発生させること、その後、この気相を加熱した基板上で分解することを伴う。本発明は、とりわけ、マイクロエレクトロニクス分野で使用される。 （もっと読む）

本発明は、下記の工程：ａ） 金属凝集体(３)を金属酸化物基体(２)上に形成させる工程；および、ｂ） ナノ構造体(１)を、金属凝集体で被覆した金属酸化物基体(２)上で気相成長させる工程を含み、上記基体を１種以上のプレカーサーガスの存在下に加熱し、ナノ構造体(１)の気相成長を金属凝集体(３)によって触媒する、ナノ構造体(１)の金属酸化物基体(２)上での製造方法に関する。本発明によれば、上記金属凝集体の形成工程ａ）は、上記金属酸化物基体の表面を還元性プラズマ処理によって還元して、上記基体(２)上に金属凝集体(３)の液滴を形成させる操作を含み；上記金属凝集体形成工程ａ）および上記ナノ構造体成長工程ｂ）を単一の共用プラズマ反応器チャンバー(４)内で連続して実施し、上記ナノ構造体成長を金属凝集体(３)の液滴上で直接実施する。 （もっと読む）

ＤＬＣコーティングを有するピストンリングは、基板上の内側から外側に、接着層、非晶質金属性炭化水素層及び非晶質非金属性炭化水素層を有し、最初に、ｓｐ^２結合が非晶質金属炭化水素層内で優勢で、非晶質非金属性炭化水素層はｓｐ^２結合およびｓｐ^３結合を有し、ＤＬＣコーティングに電気抵抗が生じるように金属性炭化水素層内のｓｐ^３結合割合がより高くなるようにし、該抵抗は５０００オームより大きく、特に、５０００キロオームより大きくなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、触媒ＣＶＤにおいて、アモルファスシリコン堆積膜を安定して成膜が可能な装置及び方法を提供する。更には触媒ＣＶＤに用いる触媒体の処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基体を収容する反応室と、該反応室内にシリコン原子を含む原料ガスを供給するガス供給手段と、該ガス供給手段より供給される該原料ガスに接触するように配置された触媒体とを備え、少なくとも水素及び／又はハロゲンを含む非単結晶シリコン膜を製造する触媒ＣＶＤ装置であって、触媒体の触媒体保持部近傍の触媒体表面に炭素皮膜が形成されていることを特徴とする触媒ＣＶＤ装置である。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置を用いてジシランガスで基板上に半導体膜を成膜する際、工程数を増やすことなく、各結晶粒のグレインサイズが略均一となるととともに、各結晶粒の平均グレインサイズが適切な大きさとなるよう半導体膜を形成することができることにより、表示不良の少ない信頼性の高いトランジスタを製造できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を、ＣＶＤ装置内に導入して、ヒータ上に載置するステップＳ１と、ヒータを、６００℃〜６３０℃に加熱することによって基板を設定された成膜温度まで加熱するステップＳ２と、ＣＶＤ装置内に、ジシランガスを１０ｓｃｃｍ〜３０ｓｃｃｍの流量で導入して、基板上に、ａ−ｓｉ膜を成膜するステップＳ３とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

基板上に非晶質炭素層を堆積させる方法は、チャンバ内に基板を位置決めするステップと、処理チャンバ内に炭化水素源を導入するステップと、処理チャンバ内に重希ガスを導入するステップと、処理チャンバ内でプラズマを生成するステップとを含む。重希ガスは、アルゴン、クリプトン、キセノン、およびこれらの組合せからなる群から選択され、希ガスのモル流量は炭化水素源のモル流量より大きい。堆積後の終了ステップを含むことができ、炭化水素源および希ガスの流れを止め、ある期間にわたってチャンバ内でプラズマを維持してチャンバから粒子を除去する。
（もっと読む）

【課題】半導体装置に適用される比較的膜厚の厚い絶縁膜中の水素濃度を大幅に低減する。
【解決手段】半導体装置７０には、半導体基板１上に複数のメモリセルトランジスタが設けられる。ｎ型拡散層７、シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）２、及び絶縁膜６上と、側壁絶縁膜８の側面とには積層シリコン窒化膜９が形成される。メモリセルトランジスタのゲートの周囲に積層シリコン窒化膜９が設けられる。積層シリコン窒化膜９は、例えば膜厚が略１００ｎｍであり、ｎ層のシリコン窒化膜から構成される。ｎ層のシリコン窒化膜の膜厚は、それぞれ３ｎｍ以下に設定される。ｎ層のシリコン窒化膜は、それぞれ膜中の水素結合がプラズマ処理で置換され、水素が離脱され、膜中の水素濃度が大幅に低減されたシリコン窒化膜である。 （もっと読む）

【目的】パターン密度の違いによるエッチング差を抑制する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上にポロジェン材料を含む絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０４）と、前記絶縁膜に含まれる前記ポロジェン材料の一部を除去する工程（Ｓ１０６）と、前記ポロジェン材料の一部が除去された前記絶縁膜に前記絶縁膜の底部を残すように開口部を形成する工程（Ｓ１１２）と、前記絶縁膜に含まれる前記ポロジェン材料の残部を除去する工程（Ｓ１１４）と、前記開口部の前記底部をエッチングする工程（Ｓ１１６）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）