【課題】絶縁性の高いシリコン酸化膜を低温下で成膜することができるシリコン酸化膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】シリコン酸化膜の成膜方法は、被処理基板Ｗを保持する保持台３４の表面温度を３００℃以下に保った状態でシリコン化合物ガス、酸化性ガスおよび希ガスを処理容器３２内に供給し、処理容器３２内にマイクロ波プラズマを生成し被処理基板Ｗにシリコン酸化膜を形成する工程と、酸化性ガスおよび希ガスを処理容器３２内に供給し、処理容器３２内にマイクロ波プラズマを生成し被処理基板Ｗ上に形成されたシリコン酸化膜をプラズマ処理する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】高速アニール処理や頻繁なクリーニング処理を必要とすることなく、不純物含有量の少ないアモルファス薄膜を基板上に効率良く形成する方法を提供する。
【解決手段】Ｈｆを含む原料を気化した原料ガスを用いて、ＣＶＤ法により、基板上にアモルファス状態のＨｆを含む膜を形成する成膜工程（ΔＭｔ）と、原料ガスとは異なる反応物を用いて、成膜工程において形成したアモルファス状態のＨｆを含む膜の改質を行う改質工程（ΔＲｔ）と、を連続して複数回繰り返す。 （もっと読む）

プラズマ増強原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）を使用して誘電体層上に導電性の金属層を形成する方法を、関連する組成物および構造と共に提供する。ＰＥＡＬＤによって導電層を堆積する前に、非プラズマ原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスによって誘電体層上にプラズマバリア層を堆積する。プラズマバリア層は、誘電体層上のＰＥＡＬＤプロセスにおけるプラズマ反応物質の有害作用を減少させるか、または防止し、接着を増強することができる。非プラズマＡＬＤプロセスおよびＰＥＡＬＤプロセスの双方において、同じ金属反応物質を使用することができる。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗率の低いアモルファスカーボン及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アモルファスカーボンは、水素濃度が５〜３０％（ａｔｍ）であり、ドーピング元素を含有している。Ｐ型ドーピングにはホウ素、Ｎ型ドーピングには窒素を１０％（ａｔｍ）以下の濃度で含有させる。これによって、電気抵抗率が低く導電型を制御可能な、太陽電池などの光電変換素子用アモルファスカーボンが実現可能となる。 （もっと読む）

【課題】放電電極の面調整を短時間に、かつ、人的要因によるバラツキを抑制できる放電電極の面調整方法及び電極面位置計測装置を提供することを目的とする。
【解決手段】電極面１７に沿ったＺ方向の両端側の位置が電極面１７に交差する厚さ方向に移動可能に取り付けられた放電電極３における電極面１７のレベルを略一定となるように調整する放電電極３の面調整方法であって、複数の変位計６１が直線状に配置された計測部材４２を、変位計６１が電極面１７に対向するとともにＺ方向と直交するＹ方向に沿った位置に配置されるように設置する設置工程と、各変位計６１によって電極面１７のレベルを計測する計測工程と、計測工程で計測された結果に基づいて放電電極３の両端側の位置を調整する位置調整工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】簡単かつ汎用性のある方法で、微結晶シリコン層からなる光電変換層の表面に凹凸を設けることができる薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】この薄膜太陽電池の製造方法は、基板５０上に第１導電型（例えばｎ型）微結晶シリコン層を形成する工程と、第１導電型微結晶シリコン層上にｉ型微結晶シリコン層を形成する工程と、ｉ型微結晶シリコン層を水素プラズマで処理する工程と、ｉ型微結晶シリコン層上に第２導電型（例えばｐ型）微結晶シリコン層を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウィンドウ特性の向上とリテンション特性の向上とを同時に図ることのできる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１０上に、トンネル酸化膜１１１、チャージトラップ膜１１２、ブロッキング酸化膜１１３、ゲート電極１１４が、下側からこの順で形成された積層構造を有する半導体装置であって、ブロッキング酸化膜１１３が、チャージトラップ膜１１２側に設けられた結晶質膜１１３ａと、当該結晶質膜１１３ａの上層に設けられたアモルファス膜１１３ｂとを具備している。 （もっと読む）

原子層成膜（ＡＬＤ）法を用いて、二酸化チタンのような金属酸化物の薄膜バリア層（１００）を基板（１１０）上に成膜する。チタン酸化物バリアをＡＬＤにより約１００℃未満の温度で成膜する場合に、優れたバリア層特性を達成することができる。１００オングストローム未満の厚さで、約０．０１ｇ／ｍ^２／日未満の水蒸気透過速度を有するバリアおよびかかるバリアの製造方法が開示されている。 （もっと読む）

【課題】健全で均一な厚さを有すると共に、表面に微細な凹凸形状を備え、大幅な摩擦低減が可能なＤＬＣ膜と、このようなＤＬＣ膜を備えたＤＬＣコーティング部材、さらにこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】望ましくはＨｖ１００〜８００の硬さを有し、中心線平均粗さＲａが０．０１μｍ未満の平滑面を備えた基材の表面上にＤＬＣ膜をコーティングしたのち、このＤＬＣ膜の表面に、好ましくはセラミックス材料から成る粒径１００μｍ以下の微細粒子を高速投射して衝突させ、その表面に中心線平均粗さＲａが０．０１〜０．２μｍの微細凹凸を形成する。 （もっと読む）

【課題】大気圧雰囲気下での炭化水素系ガスを原料とした、従来より高硬度の非晶質硬質炭素皮膜が得られる非晶質硬質炭素皮膜の成膜方法及びその成膜装置を提供することを解決すべき課題とする。
【解決手段】保持電極に基材を保持する基材保持工程と、大気圧雰囲気下において、印加電極を有する電極体を保持電極に対向させ、電極体と保持電極との間に炭化水素系ガスを含む原料ガスを供給し、電極体と保持電極との間に直流バイアス電圧を発生させながら、印加電極に交流電圧を印加して電極体と基材の表面との間でグロー放電プラズマを発生させ、排ガスを排気して、基材の表面に非晶質硬質炭素皮膜の成膜を行う成膜工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大幅な低フリクション化を図ることができるのはもちろんのこと、量産化が可能となるとともに、製造コストを低減することができる摺動部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】部材１，２間への高面圧の印加によって、局所的固体接触が摺動界面で起こり、摺動部材の摺動面で微視的摩耗が生じる。摺動部材１の潤滑膜１１には、炭素系分子１２が、単体あるいはその単体の集合体として含有されている。炭素系分子１２が、上記微視的摩耗によって、潤滑膜１１から露出し、その一部がそこから遊離し、摺動界面に供給される。そのような炭素系分子１２は、転動可能な中空構造を有するから、摺動界面で分子レベルのボールベアリングとして作用する。この場合、炭素系分子が少なくとも一つ存在すると、存在しない場合と比較して、局所的フリクションを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】基板上全体に均一な膜厚および膜質を有する半導体薄膜を形成させることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】電源部から高周波電力が給電点に供給され、対向電極２に設置した基板８との間にプラズマを形成する複数の放電電極３ａ〜３ｊを備え、前記放電電極３ａ〜３ｊのうち、その配列方向において最も外側に位置する放電電極３ａ，３ｊは、前記対向電極２で保持し得る基板８の最大幅よりも外側に位置するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】平行平板方式と同程度の規模の搬送装置を設けた成膜装置で、可撓性基板のしわを防止し、可撓性基板裏面への傷を防止しながら、連続搬送が可能な搬送装置を設けた成膜装置を提供する。
【解決手段】一方の端から他方の端に、可撓性基板６０１を連続して搬送させる手段を備えた搬送装置を設けた成膜装置において、成膜装置の電極の一方が弧に沿って配列された複数の円筒形ローラー６０２を有し、他方の電極がその弧に沿った曲面を有している。 （もっと読む）

【課題】真空装置等の複雑な装置を必要としない、稼働開始時から均一な品質の薄膜を形成可能な薄膜形成装置及び、薄膜形成方法の提供。
【解決手段】大気圧または大気圧近傍でプラズマを発生させ薄膜を基材上に形成する薄膜形成装置において、
放電ガスを供給する放電ガス供給手段と、原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、
１対の電極と、１対の電極間に高周波電界を発生させる高周波電源と、
前記放電ガス供給手段による放電ガスの供給開始と、前記原料ガス供給手段による原料ガスの供給開始と、前記高周波電源による電極への高周波電圧の印加開始とを、同時に行なわせる制御手段とを、有することを特徴とする薄膜形成装置。 （もっと読む）

【課題】密着性の悪い非晶質炭素被膜の密着性を向上し、より簡便に非晶質炭素被膜の表面に接合する部材に対して優れた接着性を有する放熱部材、その放熱部材を用いた半導体装置さらにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】熱伝導性を有する基材と、該基材の表面の少なくとも一部に被覆され、主成分としての炭素および基材側よりも反基材側の表層部に多く存在する珪素を含む絶縁性の非晶質炭素被膜と、非晶質炭素被膜の表面に固定され、非晶質炭素被膜中の珪素とＳｉ−Ｏ−Ｍ結合する（Ｍ＝Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ或いはＺｒ）Ｍを含む樹脂からなる接合層と、からなることを特徴とする。 （もっと読む）

静止する基板上または連続する基板上に薄膜材料を高速蒸着するための方法および装置を提供する。この方法は、あらかじめ選択された前駆体中間生成物を蒸着チャンバへと供給することと、中間生成物から薄膜材料を形成することと、を含む。中間生成物は、蒸着チャンバの外部で形成され、自由ラジカル等の準安定化学種を含む。中間生成物は、低い欠陥濃度を有する薄膜材料の形成に貢献する準安定化学種を含むよう、あらかじめ選択される。低欠陥濃度の材料を形成することにより、蒸着速度と材料品質の関係は分断され、先例のない蒸着速度が達成される。１つの実施形態において、好適な前駆体中間生成物はＳｉＨ３である。この方法は、あらかじめ選択された中間生成物とキャリアガスとを、好ましくは不活性化状態において、混合することを含む。キャリアガスは、薄膜材料を蒸着するために、好適な中間生成物の基板への送給を導く。 （もっと読む）

【課題】切削工具等のコーティング材料として必要な硬度を有するアモルファス炭化ケイ素（ａ−ＳｉＣ_ｘ：Ｈ）膜を、簡単な工程で効率良く低コストで形成する方法を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマＣＶＤ法によりケイ素化合物を含む原料ガスを用いて基板上にアモルファス炭化ケイ素膜を形成する際に、基板に負の高周波バイアス電圧（−Ｖ_ＲＦ）を連続的に印加する。マイクロ波の出力は５０−１２０Ｗで、負の高周波バイアス電圧（−Ｖ_ＲＦ）は６０Ｖ＜−Ｖ_ＲＦ＜１２０Ｖとすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】製膜速度の向上や、膜厚分布の均一化などを図ることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】放電電極３に電力を供給する芯線１４ａ，１４ｂの周囲を覆うとともに接地された同軸シールド１２Ｓと、放電電極３に対向して基板８を支持する基板テーブル２と、基板テーブル２とともに放電電極３および基板８の周囲を覆う防着板４と、同軸シールド１２Ｓと防着板４とを電気的に接続する接地接続部４Ａと、防着板４と基板テーブル２とが接近した際に、防着板４と基板テーブル２とを電気的に接続する弾性接続部４Ｅと、が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜中での欠陥形成と高次シランの混入の少ない高品質なシリコンなどの薄膜を形成可能なプラズマＣＶＤ装置、及びそれを用いたシリコン系薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置は、チャンバー１と、該チャンバー１内部を減圧下に保つ排気装置２と、複数のガス供給孔５及び複数の排気孔６を備えた第１の電極３と、該第１の電極３に高周波を印加する高周波電源７と、該第１の電極３と対向して設置され、第１の電極３と略平行に基板１０を保持し、該基板１０を均一に加熱する機構９を備えた第２の電極４と、該第１の電極３と該第２の電極４の間で、第１の電極３のガス供給孔５から第２の電極４に向かうガス直進流路を遮断する位置に配置された障害物１１と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛透明導電酸化物層上に低屈折率のカーボン膜を形成することで、光線透過率は向上するが、水分や空気に対する耐久性は向上しない。また、有機珪素化合物層を酸化亜鉛透明導電酸化物層上に直接形成しようとしても、大面積では均一に形成することが困難であったが，それを解決する透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板１上に透明導電酸化物層２／カーボン層３のさらにその上に、有機珪素化合物層４を形成することで、水分や空気に対する耐久性の向上が可能となり、さらに大面積にした場合も均一に作製することができる。 （もっと読む）