【課題】大型の基板にも安定したプラズマ処理を行え、かつプラズマ処理基板の生産量を向上させることのできる真空処理装置を提供する。
【解決手段】平行に対向配置され、その間にプラズマが生成されるリッジ電極２１ａ，２１ｂを有するリッジ導波管からなる放電室２と、その長さ方向両端に隣設され、高周波電源５Ａ，５Ｂを放電室２に伝送してプラズマを発生させる一対の変換器３Ａ，３Ｂと、プラズマ処理前の基板Ｓをリッジ電極２１ａ，２１ｂの所定位置に送り込み、プラズマ処理後の基板Ｓをリッジ電極２１ａ，２１ｂの所定位置から送り出す基板搬送装置４４と、高周波電力を供給する高周波電源５Ａ，５Ｂと、リッジ電極２１ａ，２１ｂと基板Ｓとの間の気体を排気する排気手段とを有し、リッジ電極２１ａ，２１ｂの幅方向(Ｈ方向)の寸法を、長さ方向(Ｌ方向)の寸法よりも大きく設定し、基板Ｓの搬送方向Ｃを、リッジ電極２１ａ，２１ｂの幅方向Ｈに沿わせた。 （もっと読む）

【課題】十分なガスバリア性を示す高密度の非晶質窒化珪素膜を簡便な方法で提供すること。
【解決手段】高周波放電を利用したプラズマＣＶＤ法において、シランガスと、水素ガスと、アンモニアガスまたは窒素ガスの少なくとも一方とを含む混合ガスを用いて、電極間距離を５０〜１００ｍｍとし、シランガスに対する水素ガスの流量比（Ｈ₂／ＳｉＨ₄）を０．５〜３．０として非晶質窒化珪素膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度を低減させることが可能なアモルファスカーボン膜及びこれを用いた太陽電池を提供する。
【解決手段】Ｓｉ含有量が１ａｔ％以下である、アモルファスカーボン膜とし、該アモルファスカーボン膜を用いた太陽電池とする。 （もっと読む）

【課題】リッジ電極および基板の熱変形を抑制し、大型の基板にも安定したプラズマ処理が行える真空処理装置を提供する。
【解決手段】平板状に形成されて互いに平行に対向配置され、その間にプラズマが生成される一方および他方のリッジ電極２１ａ，２１ｂを有するリッジ導波管である放電室２と、その両端に隣設され、対向配置された一対のリッジ部を有するリッジ導波管からなり、高周波電力をＴＥモードに変換して放電室２に伝送し、リッジ電極２１ａ，２１ｂ間にプラズマを発生させる一対の変換器と、リッジ電極２１ｂの外側に間隔を空けて平行に設置され、プラズマ処理が施される基板Ｓがセットされ、該基板Ｓの温度を均等に加熱する均熱温調器１１と、リッジ電極２１ａの外側に設置され、該リッジ電極２１ａおよびプラズマ処理が施される基板Ｓの板厚方向を通過する熱流束を制御する熱吸収温調ユニット１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】セルフクリーニングを行うタイミングを簡素に、かつ、汎用性を有するように設定でき、しかも、このタイミングを一層延長させることができ、生産効率を向上できる真空処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板に製膜処理を行う製膜室１内に、クリーニングガスを導入してセルフクリーニングを行う真空処理装置の運転方法であって、セルフクリーニングの終了後に、製膜室１内に下地膜３２を形成する下地製膜作業を行う工程を備え、該下地製膜作業を行う工程において、下地膜３２を２００ｎｍ以上３０００ｎｍ以下の膜厚とし、製膜圧力が製膜処理時の１．０倍以上１．５倍以下で、かつ、少なくとも製膜初期に放電電極に供給する高周波電力が製膜処理時の０．１倍以上１．０倍以下で実施され、製膜処理の積算膜厚が５００μｍを超えないよう運用することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】新しい反射防止構造を有する光電変換装置を提供する。
【解決手段】半導体基板または半導体膜の表面をエッチングして反射防止構造を形成するのではなく、半導体表面に同種または異種の半導体を成長させて凹凸構造とする。例えば、光電変換装置の光入射面側に、表面に複数の突起部を有する半導体層を設けることで、表面反射を大幅に低減する。かかる構造は、気相成長法で作製することができるので、半導体を汚染することがない。 （もっと読む）

【課題】３層以上の膜を成膜するに際して、第１の膜の成分が第３の膜に含まれることを防ぐ成膜方法を提供する。
【解決手段】上部電極１０４と下部電極１０２が設けられた成膜装置１００により３層以上の膜を成膜する多層膜の成膜に際して、下部電極１０２上に基板１１０を配して第１の膜１１２を成膜し、前記第１の膜１１２の形成時よりも上部電極１０４と前記基板１１０の間の距離を長くし、前記第１の膜１１２上に第２の膜１１４を成膜し、前記第２の膜１１４の形成時よりも前記上部電極１０４と前記基板１１０の間の前記距離を短くし、前記第２の膜１１４上に第３の膜１１６を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 比較的高い成膜速度で、特性ムラおよび欠陥の少ない良好な堆積膜を形成する。
【解決手段】 円柱状または円筒状の複数の基体の外周面に堆積膜を形成する堆積膜の形成方法であって、複数の前記基体を、各中心軸を平行にして、隣り合う前記基体間で前記外周面同士を間隙をおいて対向させた状態で、反応室内に配置する第１ステップと、該反応室内に前記堆積膜の原料ガスを連続的に供給するとともに排出する第２ステップと、隣り合う前記基体を前記中心軸回りに互いに逆方向に回転させて、前記間隙に流れ込む前記原料ガスの流れを生じさせる第３ステップと、対向する前記外周面間に電圧を印加して前記原料ガスを分解し、分解生成物からなる堆積膜を前記外周面に堆積させる第４ステップと、を含むことを特徴とする堆積膜の形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ダイアモンド状炭素膜被覆物品であって、ダイアモンド状炭素膜の物品本体への密着性に優れているダイアモンド状炭素膜被覆物品を提供する。
【解決手段】少なくとも一部が、アモルファス炭化珪素膜からなる中間層を介して形成されたダイアモンド状炭素（ＤＬＣ）膜で被覆されているダイアモンド状炭素膜被覆物品Ｗ。アモルファス炭化珪素膜は、波長５３２ｎｍのレーザーを用いるレーザーラマン分光分析においてラマンシフト１４００ｃｍ^-1〜１６００ｃｍ^-1の範囲にスペクトル強度のピークを示す膜である。 （もっと読む）

【課題】 均一成膜及び成膜面積の大面積化を可能とし、基材表面の全面への同時成膜を可能とする成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】 本発明の成膜方法は、成膜炉１と、送り出しリール２１と巻取りリール２２とからなる一対の回転電極リール２と、プラズマ電源３と、原料ガス供給手段４と、排気手段５と、を備える成膜装置を用いたプラズマＣＶＤ法による成膜方法であって、リール間基材部６３の全面が原料ガスに接するように導電性基材６を該送り出しリール２１から送り出し該巻取りリール２２で巻取りながら、該プラズマ電源３から該回転電極リール２に負電圧を印加して該リール間基材部６３の該基材表面に沿ってプラズマシースＰを形成するとともに、該原料ガスを該プラズマシースＰで活性化して該基材表面に接触させることにより該基材表面に該膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】均一性の高いＳｉ又はＳｉＧｅを基板表面上に堆積する方法を提供する。
【解決手段】化学気相成長プロセスにおいて、輸送量制限領域又はその近傍で、薄膜の堆積を行うことを可能にする化学前駆体を利用する。このプロセスによれば、堆積速度が大きく、さらに組成的にも厚み的にも、通常の化学前駆体を用いて調整した膜より均一な膜を生成することができる。好ましい実施の形態では、トリシランを使用して、トランジスタゲート電極などの様々な用途で半導体産業において有用なＳｉ含有薄膜を堆積する。 （もっと読む）

【課題】形成される膜の膜質および膜厚が均一となるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置１は、処理室２内に配設された第１の電極３と、第１の電極３に対向し、基板１０を保持できる第２の電極４と、処理室２内から排気を行なう排気手段と、処理室２内にガスを供給するガス供給手段と、を備え、第１の電極３は、第２の電極４に対向する側に凸部４１を有し、凸部４１の先端部にガス供給口４２が形成されたものであって、複数の凸部４１（４１ａ〜４１ｅ）の先端部の幅が、第１の電極３の中央部に比べ、外周部の方が小さい。 （もっと読む）

【課題】形成される膜の膜質および膜厚が均一となるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置１は、処理室２内に配設された第１の電極４と、第１の電極４に対向し、基板１０を保持できる第２の電極３と、処理室２内から排気を行なう排気手段６と、処理室２内にガスを供給するガス供給手段７と、を備え、第１の電極４は、第２の電極３に対向する複数の凸部４１ａ〜４１ｅを有し、凸部４１ａ〜４１ｅの先端部にガス供給口４２が形成されたものであって、複数の凸部４１ａ〜４１ｅの先端部となる面が面一に形成され、凸部間に形成される凹部４２ａ〜４２ｄの深さが、第１の電極４の中央部に比べ、外周部の方が深い。 （もっと読む）

【課題】高真空容器を使用しない簡便な方法によって透明導電性非晶質膜を製造する方法、および導電性、透明性、及び表面平滑性が従来のスパッタリング法によって得られる膜と同等以上である透明導電性非晶質膜の提供。
【解決手段】亜鉛元素および錫元素を含む透明導電性非晶質膜の製造方法であって、加熱した基板に、亜鉛化合物および錫化合物を含有する霧状の溶液又は分散液を吹き付けて成膜することを特徴とする透明導電性非晶質膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来よりも小型軽量化または省エネルギー化を図れる排気ガス制御装置を提供する。
【解決手段】
本発明の排気ガス制御装置（３）は、燃焼機関の排気ガスの経路に配設され排気ガスの流れを制御する制御弁（２４）と、この制御弁と一体的に可動する可動軸（２７）と、可動軸を摺動させつつ支承し可動軸の摺動面に摺接する摺受面を有する軸受（３４、３９）とを備える。前記摺動面または前記摺受面の少なくとも一方は、Ｓｉ、Ｈおよび残部であるＣからなる非晶質炭素膜（ＤＬＣ−Ｓｉ膜）を有し、このＤＬＣ−Ｓｉ膜は付着する界面に臨む臨界部とこの臨界部に連なり表面側へ延びる表面部とからなる。その表面部はＳｉ濃度が８〜３０原子％である部分を有し、臨界部は表面部よりもＳｉ濃度が低い。このようなＤＬＣ−Ｓｉ膜が摺動部に存在することで、常温域および高温域における摩擦係数を長期にわたり低減できる。 （もっと読む）

【課題】高温でも耐酸化性や摩擦摺動特性等に優れる被覆部材を提供する。
【解決手段】
本発明の被覆部材は、基材と、この基材の少なくとも一部を被覆しＳｉ、Ｈおよび残部であるＣからなる非晶質炭素膜（ＤＬＣ−Ｓｉ膜）とを有する被覆部材であって、その非晶質炭素膜は、表面近傍のＳｉ濃度が基材との界面近傍のＳｉ濃度よりも高いことを特徴とする。本発明に係る非晶質炭素膜は、表面近傍でのＳｉ濃度が高いことにより高温域でも硬質性が保持されると共に、基材との界面近傍でのＳｉ濃度が低いので、適度な靱性を有して高温域でも高い密着性を発現する。これらが相乗的に作用して、本発明の被覆部材は安定した耐熱性を発現する。本発明に係るＤＬＣ−Ｓｉ膜は、表面側のＳｉ濃度が８〜３０原子％であり、基材側のＳｉ濃度が漸増する傾斜組成であると好適である。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い導電型層を有し、構成層における電気抵抗の増加や構造欠陥に起因した電気特性の低下が防止された光電変換効率に優れた薄膜光電変換装置およびその製造方法を得ること。
【解決手段】透光性基板上に透明導電膜からなる透明電極層を形成する第１工程と、前記透明電極層上に非晶質層を形成する第２工程と、前記非晶質層上にイオンアシストプラズマＣＶＤ法により結晶性の第１の導電型層を形成する第３工程と、前記結晶性の第１の導電型層上に、光を電気に変換する光電変換層を形成する第４工程と、前記光電変換層上に第２の導電型層を形成する第５工程と、前記第２の導電型層上に裏面反射電極層を形成する第６工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 下地層とアモルファスカーボン膜との密着性を向上させることが可能な方法を提供すること。
【解決手段】 アモルファスカーボン膜を含む積層構造を下地層上に形成する方法は、前記下地層上に有機系シリコンガスを供給し、前記下地層の表面にＳｉ−Ｃ結合を含む初期層を形成する工程（ｔ４）と、前記初期層が表面に形成された前記下地層上に炭化水素化合物ガスを含む成膜ガスを供給し、前記下地層上に前記アモルファスカーボン膜を熱成膜で形成する工程（ｔ６）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】表面の平坦性の優れたシリコン膜を形成する成膜方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】基体上にジシラン及びトリシランの少なくともいずれかを用いて第１温度で第１膜を形成する第１膜形成工程と、前記基体及び前記第１膜を、水素を含む雰囲気中において、前記第１温度から、前記第１温度よりも高い第２温度に向けて昇温する昇温工程と、前記昇温の後に、前記第１膜の上に、シランを用いて前記第２温度で第２膜を形成する第２膜形成工程と、を備えたことを特徴とする成膜方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ成膜法において膜質を膜の成長に応じて制御する。
【解決手段】薄膜の形成の際に、成膜室３の内部において互いに対向するように位置する第１電極１と第２電極２に挟まれる空間に基板４を配置する。第１電極および第２電極の少なくともいずれかに接続される高周波電源６によりプラズマを励起している間に、第１電極または第２電極に接続される可変電圧のバイアス電源７により、直流成分または高周波電力より低い周波数の交流成分を有するバイアス電圧を出力して第１電極と第２電極との間に印加する。その際、バイアス電源のバイアス電圧が少なくとも二つの電圧値の間で変動するように制御される。 （もっと読む）