【課題】プラズマを利用して金属膜上に低温で成膜した場合に、金属膜と成膜した膜の密着性を改善する。
【解決手段】処理室２０１と、ガス供給口４２５、４３５を有するバッファ室４２３、４３３と、第１の処理ガスを前記処理室に供給する処理ガス供給系３１０と、第２の処理ガスをバッファ室４２３、４３３に供給可能な処理ガス供給系３２０、３３０と、高周波電源２７０と、プラズマ発生用電極４７１、４７２、４８１、４８２と、からなる処理炉２０２を使用して、表面に金属膜が形成された基板を、前記プラズマ発生用電極に高周波電力が印加されない状態で、前記第１の処理ガスおよび前記第２の処理ガスに順次曝して前記金属膜の上に第１の膜を形成した後、該第１の膜が形成された前記基板を、前記第１の処理ガスおよび、前記電極に高周波電力が印加されることにより活性化された前記第２の処理ガスに交互に曝し、前記金属膜の上に第２の膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】特性の良い半導体薄膜を高速且つ安価に製造することができる薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜製造装置は、成膜室３１に導入した複数の原料ガスをプラズマCVDにより基板上に成膜する薄膜製造装置において、前記複数の原料ガスを、各々の固体の原料をプラズマエッチングによりエッチングガスと反応させることで生成する原料ガス生成室１２及び２２と、前記原料ガス生成室１２及び２２内の圧力が、5000Pa以上大気圧以下、前記成膜室３１内の圧力が500Pa以下となるように、それぞれの圧力を調整する圧力コントローラ１９、２９及び３９と、前記原料ガス生成室１２及び２２と前記成膜室３１の圧力差を維持しつつ、前記原料ガス生成室で生成された原料ガスを前記成膜室に導入するためのニードルバルブ１７及び２７と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に用いられるキャパシタを効率よく、しかも少ない占有床面積で行うことができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板２００上に下電極を形成する工程（Ｓ１０４）と、下電極の上に、それぞれ異なる金属元素を含む３種の金属酸化膜を積層して誘電膜を形成する工程（Ｓ１０６、Ｓ１０８、Ｓ１１０）と、誘電膜の上に、上電極を形成する工程（Ｓ１１２）と、を有し、各工程は同一の装置で行う。 （もっと読む）

【課題】シャワーヘッドの反りを防止することが可能な結晶成長装置および結晶成長方法を提供する。
【解決手段】結晶成長装置１において、シャワーヘッド２０は、前面部２１と、冷却層２３と、ガス供給層２５とを含む。前面部２１は、基板ＳＵＢに対向して設けられ、原料ガスを基板ＳＵＢに吐出する複数の吐出孔を有する。冷却層２３は、前面部２１の上に積層して設けられ、冷媒が流れる冷媒通路を有する。ガス供給層２５は、冷却層２３の上に積層して設けられ、導入された原料ガスを充満させるバッファ空間が形成される。バッファ空間は複数の吐出孔の各々と冷却層２３を貫通するガス供給管を介して連通する。予熱器５３は、結晶成長時にガス供給層２５に供給する原料ガスを予熱する。 （もっと読む）

【課題】高速でのガス置換を行うことなく成膜処理を実行可能であり、又基板のサイズに柔軟に対応可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板３を載置する載置部５を移動させることで基板を搬送する搬送手段６と、第１の空間１１に第１の処理ガスを供給する第１のガス供給手段７と、第２の空間１２に第２の処理ガスを供給する第２のガス供給手段８と、前記第１の空間又は前記第２の空間の後にそれぞれパージガス雰囲気の第３の空間１３ａ，１３ｂを形成する為にパージガスを供給するパージガス供給手段９ａ，９ｂと、少なくとも前記載置部を加熱する加熱手段１４と、前記第１の空間、前記第２の空間及び前記第３の空間がそれぞれ所定の温度となる様に前記加熱手段を制御する温度制御手段１７と、複数の基板を載置した状態で前記搬送手段が前記第１の空間、前記第２の空間及び前記第３の空間を通過する様に制御する搬送制御手段１６とを具備する。 （もっと読む）

【課題】十分緻密な薄膜を成膜することが可能な薄膜製造方法および装置を提供する。求める成膜特性、あるいはプロセス条件に応じた薄膜を成膜することが可能な薄膜製造方法および装置を提供する。
【解決手段】原料ガスからプラズマを生成し、該プラズマ中からイオンを抽出し、該イオンにより被成膜基板の片面または両面に薄膜を成膜する薄膜製造方法である。該方法は、該プラズマを発生させるプラズマ室と、被成膜基板を収容する成膜室と、該プラズマ室から該成膜室まで該イオンを輸送するためのイオン輸送路と、該イオン輸送路から分岐する分岐管と、該分岐管に接続された排気系統とを有する装置内で実施される。該イオン以外の原料ガスを該分岐管から排気しながら薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】十分なガスバリア性を有し耐屈曲性を有するガスバリア性積層フィルムを製造可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】基材を収容する真空チャンバーと、真空チャンバー内に、有機金属化合物と該有機金属化合物と反応する反応ガスと、を含む成膜ガスを供給するガス供給装置と、上記真空チャンバー内に配置される一対の電極と、この一対の電極に交流電力を印加し、成膜ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生用電源と、上記ガス供給装置または上記プラズマ発生用電源とのいずれか一方または両方を制御し、有機金属化合物と反応ガスとが反応して、有機金属化合物を形成していた金属元素または半金属元素を含み且つ炭素を含まない化合物を生じる第１の反応条件と、有機金属化合物と反応ガスとが反応して、有機金属化合物を形成していた炭素と金属元素または半金属元素とを含む含炭素化合物を生じる第２の反応条件と、を切り替える制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】放電電極内に特別な加熱機構を保有してない放電電極の温度制御が可能な製膜装置および製膜方法を提供する。
【解決手段】基板３０に製膜するためのプラズマを生成する放電電極５と、放電電極５の温度を計測する電極温度計測手段と、基板３０を表面で保持する基板テーブルと、放電電極５、電極温度計測手段、および基板テーブルと、を有する製膜室１と、製膜室１内の圧力を計測する製膜室圧力計測手段と、製膜室１に気体を導入する気体導入手段と、製膜室１内を所定の圧力となるように気体を排気する気体排気手段８と、放電電極５の温度に基づいて、気体導入手段と気体排気手段８との少なくとも１つの作動状況の変化を繰り返す間欠動作を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板が収容されるチャンバに対して基板位置検出装置を高い位置決め精度で取り付けなくても、基板の位置を高い精度で検出できる基板位置検出装置を提供する。
【解決手段】サセプタを動かして基板載置部を撮像装置の撮像領域に位置させる工程と、処理容器内において撮像装置の撮像領域内に位置するように設けられる２つの第１位置検出マークであって、２つの第１位置検出マークの第１垂直二等分線がサセプタの回転中心を通る２つの第１位置検出マークを検出する工程と、サセプタにおいて基板載置部に対して設けられる２つの第２位置検出マークであって、２つの第２位置検出マークの第２垂直二等分線がサセプタの回転中心と基板載置部の中心とを通る２つの第２位置検出マークを検出する工程と、検出した２つの第１位置検出マーク及び２つの第２位置検出マークに基づいて基板載置部が所定の範囲に位置するかを判定する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマを利用して基板を処理する際に基板等へのダメージを小さくし、しかも基板処理温度を低くする。
【解決手段】基板２００を処理する処理室２０１と、ガス供給口４２５、４３５を有する複数のバッファ室４２３、４３３と、第１の処理ガスを複数のバッファ室に供給する第１の処理ガス供給系３２０、３３０と、高周波電源２７０と、電源により高周波電力が印加されると、バッファ室の内部で第１の処理ガスを活性化させるプラズマ発生用電極４７１、４７２、４８１、４８２と、第２の処理ガスを処理室に供給する第２の処理ガス供給系３１０と、処理室を排気する排気系２３１と、基板を、活性化された第１の処理ガスおよび、第２の処理ガスに曝し、基板を２００℃以下に加熱しつつ基板上に膜を形成するよう第１の処理ガス供給系、電源、第２の処理ガス供給系および排気系を制御する制御手段２８０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤ法によって、Ｍ（ＢＨ_４）_４（Ｍは、Ｚｒ又はＨｆを意味する）を原料としてＭ／Ｚｒ比が適正範囲内で良質なＭＢ_ｘ膜（Ｍは前記と同じ意味を有し、ｘは１．８〜２．５の数を意味する）を成膜する。
【解決手段】ガス供給源１９から、ガス供給配管１５ａを介してＨ_２ガスを原料容器２１内に供給する。原料容器２１内では、導入されたＨ_２ガスとの接触によって、固体原料のＺｒ（ＢＨ_４）_４が気化する。そして、成膜ガスとしてのＨ_２ガスとＺｒ（ＢＨ_４）_４ガスの混合ガスが、ガス供給配管１５ｃ，１５ｃ１、シャワーヘッド１１のガス拡散空間１２及びガス吐出孔１３を介して処理容器１内に導入され、ウエハＷ上の絶縁膜の表面を覆うように、ＺｒＢ_ｘ膜の薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】一括して処理することの出来る基板の枚数を減らすことなく、隣接する基板間へのガスの供給を促進させる。
【解決手段】基板を処理室内に搬入する工程と、処理ガス噴出口と排気孔とを結ぶ第１の直線が基板の中心付近を通るように構成された処理ガス噴出口から処理室内に処理ガスを供給するとともに、一対の不活性ガス噴出口と排気孔とを結ぶ第２の直線及び第３の直線が第１の直線をそれぞれ両側から挟むように構成された一対の不活性ガス供給ノズルから処理室内に不活性ガスを供給して基板を処理する工程と、処理後の基板を処理室内から搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ法によって、耐熱衝撃性が高く、緻密質な窒化アルミニウム膜を成膜する窒化アルミニウム膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 アルミニウム原子（Ａｌ）を含むガスおよび窒素原子（Ｎ）を含むガスに、酸素原子（Ｏ）を含むガスを混合し、窒化アルミニウム膜によって被覆されるべき被処理物に向けて供給する。 （もっと読む）

【課題】分離領域による処理領域同士の雰囲気の分離機能を確保しながら、当該分離領域に供給される分離ガスの消費量を抑えること。
【解決手段】真空容器１内において分離領域Ｄを介して処理領域Ｐ１、Ｐ２をウエハＷが順番に通過するように回転テーブル２を回転させるにあたり、回転テーブル２の中央側よりも周縁側の分離ガスの供給量が多くなるように、当該中央側では周縁側よりも分離ガスノズル４１、４２のガス吐出孔３３の配列間隔ｕを広く設定すると共に、分離領域Ｄから処理領域Ｐ１、Ｐ２側に吐出される分離ガスの流速について、各領域Ａ１、Ａ２における回転テーブル２の最大周速度よりも夫々僅かに速くなるように設定する。 （もっと読む）

【課題】立体構造キャパシタを備えた半導体装置であって、上下部電極に金属若しくは金属化合物を用いるＭＩＭ構造で、容量絶縁膜に高誘電体膜を用いるキャパシタにおいて、高誘電率でリーク電流が抑制された信頼性の高いキャパシタを備える半導体装置を提供する。
【解決手段】ＴｉＮ下部電極１０２上に酸化ジルコニウム誘電体膜１１３を形成し、誘電体膜上にＴｉＮを含む上部電極１１７を形成する際、誘電体膜をＡＬＤ法で形成し、上部電極を形成する前に誘電体膜形成時のＡＬＤ法の成膜温度を７０℃以上超える温度を付加することなく、第一の保護膜１１６を成膜する。 （もっと読む）

【課題】表面に付着した不要な膜を除去するブラスト処理を繰り返し行っても、ガス流通孔の開口周縁部の変形が小さく、ガス流通孔の開口面積が確保され、長期間連続して使用することが可能であるとともに、原料ガスの分散効果及び流量増大が図れ、低コスト化が実現可能な高周波電極板及びプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】基板の表面に薄膜を形成する成膜室内に配置され、基板の表面に原料ガスを供給するためのガス流通孔６が設けられている高周波電極のシャワー電極板３において、ガス流通孔のブラスト処理面側に位置する開口周縁部が傾斜面状に形成され、傾斜角度が２０°〜３０°、かつ、傾斜深さを、０．１ｍｍ以上、シャワー電極板の板厚の半分未満とする。 （もっと読む）

【課題】
２フローリアクタにおいて排気間に再び材料ガス流への中間反応ガスの巻き込みを防止し半導体素子の製造歩留まりを高める気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
気相成長装置は、基板を担持して、これを加熱および回転するサセプタと、基板へ向かう材料ガス噴出口を有し、材料ガス噴出口から基板上に沿って材料ガスの層流を供給する材料ガスノズルと、基板へ向かう押さえガス噴出口を有し、押さえガス噴出口から押さえガスを、基板の法線方向から所定角度範囲で且つ基板の面積より広い面積で、押さえガス流として基板上に供給する押さえガス噴出器と、を備え、材料ガス噴出口および押さえガス噴出口から離れた材料ガスノズルの上方に離間して配置され且つ、押さえガス噴出口および材料ガス噴出口の間隙へ向かう遮断ガスを噴出する遮断ガス噴出口を有する遮断ガスノズルを有する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤにより組成の制御性がよく、平滑性の高いＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に基板を配置し、気体状のＧｅ原料と、気体状のＳｂ原料と、気体状のＴｅ原料とを前記処理容器内に導入してＣＶＤにより基板上にＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５となるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を成膜するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法であって、気体状のＧｅ原料および気体状のＳｂ原料、または、それらに加えてＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５が形成されない程度の少量の気体状のＴｅ原料を、前記処理容器内に導入して基板上に、Ｔｅを含有しないかまたはＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５よりも少ない量のＴｅを含有する前駆体膜を形成する工程（工程２）と、気体状のＴｅ原料を処理容器内に導入し、前駆体膜にＴｅを吸着させて膜中のＴｅ濃度を調整する工程（工程３）とを有する。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積（ＡＬＤ）法の反応容器であって、真空チャンバ内のソース取付具の交換等の保守管理の容易な反応容器を提供する。
【解決手段】その反応容器が真空チャンバ１を備え、その真空チャンバ１が、ロード扉を備えた第１の端部壁２と、後部フランジを備えた第２の端部壁３と、第１の端部壁と第２の端部壁２、３を連結する側壁／筐体４と、ソース材料を反応容器の真空チャンバ１に供給するための少なくとも１つのソース材料取付具５とを有する反応容器であり、少なくとも１つのソース材料取付具５は、反応容器の真空チャンバ１の側壁／筐体４に設けられる。 （もっと読む）

【課題】低温で薄膜を形成した場合であっても、高品質な薄膜が形成できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハ２００が収容された処理室２０１内に第１の反応物質を供給し、ウエハ２００の表面に第１の反応物質を吸着させる工程と、処理室２０１から余剰な第１の反応物質を除去する工程と、処理室２０１内に第２の反応物質を供給し、ウエハ２００の表面に吸着した第１の反応物質と反応させて少なくとも１原子層の薄膜を形成する工程と、処理室２０１から余剰な第２の反応物質を除去する工程と、から成る薄膜形成工程と、薄膜形成工程後に、処理室２０１内にプラズマ励起された第３の反応物質を供給するプラズマ処理工程と、を所望の厚さの薄膜が形成されるまで所定回数繰り返すように制御手段を構成してなる。 （もっと読む）