【課題】比較的低温でも埋め込み特性が良好なアモルファス状態の不純物含有のシリコン膜を形成することが可能な薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器１４内で被処理体Ｗの表面に不純物含有のシリコン膜を形成する薄膜の形成方法において、処理容器内へシリコンと水素とよりなるシラン系ガスを該シラン系ガスが被処理体の表面に吸着するような状態で供給する第１のガス供給工程と処理容器内へ不純物含有ガスを供給する第２のガス供給工程とを交互に繰り返し行うことによりアモルファス状態で不純物含有のシリコン膜を形成する。これにより、比較的低温でも埋め込み特性が良好なアモルファス状態の不純物含有のシリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】良質な微結晶半導体膜を形成することが可能な複数の結晶核を生成し、該複数の結晶核を成長させる微結晶半導体膜の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】微結晶半導体膜の作製に際して、連続放電によりプラズマを発生させて複数の結晶核を生成させる第１の工程と、パルス放電によりプラズマを発生させて前記複数の結晶核の間隙を埋める第２の工程と、を行い、前記第２の工程は前記第１の工程の後に行う。前記第１の工程と前記第２の工程は更に複数回繰り返してもよい。 （もっと読む）

【課題】基板（３５）上にフィルムを蒸着する方法を提供する。
【解決手段】基板（３５）は、約０．１ミリトールから約１００ミリトールの圧力で反応容器（１）に入れられる。この方法は、ｉ）少なくとも１つの有機金属化合物を含むガス前駆体を、約２０℃から約１５０℃の温度、約０．１トールから約１００トールの蒸気圧で反応容器に供給し、ｉｉ）反応容器に、パージガス、酸化ガス又はこれらの組み合わせを供給する、ことを含む反応サイクルを基板に施すことを含む。 （もっと読む）

【課題】従来のＣＶＤ法の欠点とＡＬＤ法の欠点を改善し、薄膜化の要求に応えるとともに、高い成膜速度を実現する。
【解決手段】ＣＶＤ反応が生じる条件下でそれ単独で固体となる第１元素を含むガスを供給して基板上に第１元素を含む第１の層を形成する工程と、それ単独では固体とならない第２元素を含むガスを供給して第１の層を改質して第１元素および第２元素を含む第２の層を形成する工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを１回以上行い、所定膜厚の第１元素および第２元素を含む薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】プロセス結果に悪影響を及ぼす処理ガス供給周期パターンを予め変更しておき、基板に対する適切な処理を行う。
【解決手段】設定値入力部４１からの情報に基づいて、基板回転機構の回転周期、処理ガスの供給周期、処理ガスの供給時間及び処理ガスの供給回数を含む処理ガス供給周期パターン演算結果が、パターン演算部４２において求められる。設定値入力部４１からの情報に基づいて、基板上に供給される処理ガスの供給領域の形状がシミュレータ４９によりシミュレーションされ、その結果がディスプレイ５０に表示される。比較部４３において、パターン演算部４２からの処理ガス供給周期パターンの演算結果と、記憶部４５からのプロセス結果に悪影響を与える処理ガス供給周期パターンの参照結果とが比較される。比較部４３において、処理ガス供給周期パターンの演算結果と、プロセス結果に悪影響を与える参照結果が一致した場合、アラーム部４４からアラームが発せられる。 （もっと読む）

【課題】ＰＶＤ法やＣＶＤ法では、膜厚の増加に対しガスバリア性が飽和しやすい問題に対して、更に高いガスバリア性を持った透明、もしくは半透明なガスバリア性積層体の製造方法とガスバリア性積層体を提供する。
【解決手段】プラスチックフィルム基材１１の少なくとも一方の面に、物理成膜法もしくは化学気相成長法のいずれか、またはその両方を用いて下地層１２を形成する工程と、下地層１２の表面に、原子層堆積法を用いてガスバリア層１３を形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】各基板の中心付近への処理ガスの供給を促進させ、処理速度を増大させ、基板処理の面内均一性を向上させる。
【解決手段】複数の基板２００を水平姿勢で所定の間隔で多段に積層して収容する処理室２０１と、処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系２２２ａ，２２２ｂと、を有し、処理ガス供給系は、基板の上表面に対してそれぞれ垂直に処理ガスを供給するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】低誘電率、低エッチングレート、高絶縁性の特性を備える絶縁膜を形成する。
【解決手段】基板を収容した処理容器内にＣＶＤ反応が生じる条件下で所定元素含有ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に炭素含有ガスを供給することで、所定元素含有層の上に炭素含有層を形成して所定元素および炭素を含む層を形成する工程と、処理容器内に窒素含有ガスを供給することで、所定元素および炭素を含む層を窒化して炭窒化層を形成する工程と、を１セットとしてこのセットを所定回数行うことで所定厚さの炭窒化層を形成する工程と、処理容器内に酸素含有ガスを供給することで、所定厚さの炭窒化層を酸化して酸炭窒化層を形成する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことで、基板上に所定膜厚の酸炭窒化膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】特定の金属先駆物質を用いたＡＬＤ法により、基板表面に、均一で共形的な厚さと平滑な表面とを有する金属含有皮膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】加熱基板を、一種以上の揮発性金属（Ｉ）、（ＩＩ）あるいは（ＩＩＩ）アミジナート化合物又はそのオリゴマーの蒸気に、次いで、還元性ガス、窒素含有ガス又は酸素含有ガスあるいはそれらの蒸気に交互に暴露して、当該基板表面に金属皮膜、金属窒化物皮膜又は金属酸化物皮膜を形成させることを含んでなる、金属を含む薄膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】微結晶半導体膜を含むチャネル層の移動度を向上させる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】微結晶シリコン膜を堆積する工程と、水素プラズマ処理を施す工程を交互に複数回ずつ繰り返す。このような方法で微結晶シリコン膜を成膜すれば、微粒子内のマイクロクリスタル成分に含まれるシリコン原子の未結合手を終端したり、アモルファス成分を改質したりすることを、より効率的に行なうことができるので、ＴＦＴの移動度をより高めることができる。 （もっと読む）

【課題】埋め込み金属との密着性及び埋め込み特性の改善を図ることができるのみならず、エレクトロマイグレーション耐性も向上させることが可能な薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】表面に凹部８を有する被処理体Ｗの表面に薄膜を形成する形成方法において、被処理体の表面に埋め込み用の金属膜１６して凹部を埋め込む埋め込み工程と、金属膜を覆うようにして被処理体の表面の全面に拡散防止用の金属膜１８を形成する拡散防止膜形成工程と、被処理体をアニールするアニール工程とを有する。これにより、埋め込み金属との密着性及び埋め込み特性の改善を図ることができるのみならず、エレクトロマイグレーション耐性も向上させる。 （もっと読む）

【課題】従来の膜種を改質することで、従来の膜質よりも優れた膜質を実現する。
【解決手段】基板を収容した処理容器内にＣＶＤ反応が生じる条件下で所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素を含む第１の層を形成する工程と、処理容器内に炭素含有ガスを供給することで、第１の層の上に炭素を含む層を形成して、所定元素および炭素を含む第２の層を形成する工程と、処理容器内にＣＶＤ反応が生じる条件下で原料ガスを供給することで、第２の層の上に所定元素を含む層を更に形成して、所定元素および炭素を含む第３の層を形成する工程と、処理容器内に窒素含有ガスを供給することで、第３の層を窒化して、所定元素、炭素および窒素を含む第４の層として炭窒化層を形成する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことで、基板上に所定膜厚の炭窒化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜を成膜するときの膜厚の均一性を良好にする。
【解決手段】基板処理装置は、反応管６と、反応管６内で基板を回転させる回転機構２０と、処理ガスを反応管６に供給するガス供給系と、反応管６内の雰囲気を排気する排気系と、制御部６０と、を備える。ガス供給系は、ガス供給配管５１と、ガス供給配管５１を開閉するバルブ２と、を有し、排気系は、排気管４０と、排気管４０を開閉する排気バルブと、を有する。制御部６０が排気バルブを閉じるとともにバルブ２を開くことで、反応管６内の排気を止めた状態でガス供給配管５１から処理ガスを反応管６に供給する。処理ガスを周期的に反応管６に供給する際、制御部６０がガス供給系の供給周期及び回転機構２０の回転周期を制御し、処理ガスが基板に対して先に供給される時の基板の周縁箇所と、その次に供給される時の基板の周縁箇所とが異なる。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜への付着性が高く、低誘電率膜中への銅の拡散を効果的に防止できるバリア膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 成膜方法は、成膜装置１００の処理容器１内に、絶縁膜が設けられたウエハＷを配置する工程と、処理容器１内にＴＥＯＳなどのシリコン原子を含む化合物のガスと水蒸気などのＯＨ基供与性ガスを供給し、絶縁膜の表面にＳｉ−ＯＨ基を形成させる表面改質工程と、処理容器１内にマンガン含有材料を含む成膜ガスを供給し、ＣＶＤ法によりＳｉ−ＯＨ基が形成された絶縁膜の表面にマンガン含有膜を成膜する成膜工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】成膜した膜の膜厚の面内均一性の低下を抑制することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに膜を形成する成膜装置２において、処理容器４と、ガスを噴射するガス噴射口３４Ａ，３６Ａを有するガス供給手段２８，３０と、処理容器内で被処理体を保持する保持手段１２と、保持手段をガス噴射口に対して相対的に回転又は周期的に移動させる駆動機構２１と、少なくとも１種類以上のガスの供給を行う供給期間と供給の停止を行う供給停止期間とを１回行うサイクルを複数回繰り返す時に、サイクルの繰り返し数をＰ（Ｐは２以上の自然数）として被処理体の中心から見て、Ｐ回の各サイクル毎におけるガス供給開始位置を、被処理体の１周分の周囲を任意の分割数Ｋ（Ｋ＝Ｐ）個に分割した１つ分ずつだけ被処理体の周方向へ順次移動する様に制御する制御手段４８とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板が載置されたテーブルに対して反応ガスを供給する反応ガス供給手段を相対的に回転させて反応生成物を積層して薄膜を成膜するにあたり、膜厚方向に亘って膜質が良好で均質な薄膜を成膜すること。
【解決手段】回転テーブル２を回転させてウエハＷ上にＳｉ含有ガスを吸着させ、次いでウエハＷの表面にＯ3ガスを供給してウエハＷの表面に吸着したＳｉ含有ガスを反応させてシリコン酸化膜を成膜する成膜処理と、プラズマを用いてこのシリコン酸化膜の改質を行う改質処理と、からなる成膜−改質ステップを行った後、Ｓｉ含有ガスの供給を停止してプラズマを用いてシリコン酸化膜の改質ステップを行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラスチックまたはガラス基板と原子層蒸着によって製造された大気透過バリアとを含んでなる物品を提供することを課題とする。
【解決手段】
本発明は、ａ）上面および下面を有する可撓性ポリマー基板と、
ｂ）原子層蒸着によって前記基板の上面および下面の一方または両面上に蒸着された厚さ２ｎｍ〜１００ｎｍを有する気体透過バリアとを含むこと特徴とする物品である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、リーク電流が小さく、かつ容量の大きい容量絶縁膜を有するキャパシタを備えた半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】容量絶縁膜形成工程は、下部電極が形成された半導体基板を成膜装置内に設置する工程と、半導体基板の温度を第１の温度に保持する第１の温度調整工程と、下部電極を覆うように、第１の温度に保持された半導体基板上に第１の絶縁膜を成膜する第１の成膜工程と、半導体基板を第２の温度に保持する第２の温度調整工程と、第１の絶縁膜の表面を覆うように、第２の温度に保持された半導体基板上に第２の絶縁膜を成膜する第２の成膜工程と、第１の温度調整工程、第１の成膜工程、第２の温度調整工程、第２の温度調整工程、及び第２の成膜工程を繰り返し行うことで、前記容量絶縁膜を形成する繰り返し工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ面内全域にて凹凸加工された構造を埋め込み成長可能であり、かつ、凹凸形状によらない安定した埋め込み平坦化が可能なIII−Ｖ族化合物半導体の気相成長方法を提供する。
【解決手段】III−Ｖ族化合物半導体基板の表面に形成された規則的な凹凸を有する四元系III−Ｖ族化合物半導体層の上に、有機金属気相成長法を用いて、上記凹凸の熱変形を抑制する保護膜となるIII−Ｖ族化合物半導体層を、第一の成長温度で所定の膜厚となるまでエピタキシャル成長させた後、上記第一の成長温度よりも高い第二の成長温度で連続して同一組成の半導体層を、トータルの厚さが上記凹凸の高さよりも大きくなるまで成長させるようにした。 （もっと読む）

【課題】セルフリミッティングな表面反応を阻害していた、余分な堆積種を除去する工程を設けた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の原料ガスと、第２の原料ガスと、を反応炉内に交互に供給することにより基体の上に薄膜を形成する工程を備え、前記第１の原料ガスを供給した後であって前記第２の原料ガスを供給する前と、前記第２の原料ガスを供給した後であって前記第１の原料ガスを供給する前と、の少なくともいずれかにおいて、前記基体の表面にプラズマを照射することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）