【課題】サセプタに複数枚の基板を設置して一度に複数枚の基板に薄膜を成長させる気相成長装置において、ゴミ等の介在やサセプタの設置不良を原因とする膜厚の不均一が生じない気相成長装置を得る。
【解決手段】本発明の気相成長装置１は、回転可能でかつ着脱可能なサセプタ５に複数の基板を載置して各基板に化合物半導体薄膜を成長させる気相成長装置１であって、
サセプタ５の載置状態を判定するサセプタ載置判定装置３を有し、サセプタ載置判定装置３は、回転するサセプタ５における少なくとも2カ所の高さ位置を計測する位置測定装置２２と、位置測定装置２２の計測値を入力してサセプタ５の高さ位置と傾斜が予め定めた許容値の範囲内かどうかを判定する判定手段４７とを備えたことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】処理前に基板温度を計測する基板の温度計測装置及び方法、基板温度が所定の温度範囲内にない場合に再加熱、冷却を行う基板の温度調整装置及び方法を提供する。
【解決手段】搬送ロボットで搬送された基板が停止する成膜室の入口の手前の位置であり、当該位置の基板の裏面側に、加熱した基板の裏面の温度を計測する温度計測装置を設け、当該温度計測装置により、加熱した基板の裏面の温度を計測し（Ｓ５）、計測した基板の裏面の温度が所定の温度範囲内にない場合（Ｓ６）、所定の温度範囲より大きい場合には、搬送ロボットで保持した状態で基板を冷却し（Ｓ７→Ｓ８）、所定の温度範囲より小さい場合には、搬送ロボットで再び加熱室へ搬送し、加熱室で加熱する（Ｓ７→Ｓ２）。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ搬入時にウェーハのエッジが反って非接触搬送部材と接触し、スクラッチ傷が発生することを防止する。
【解決手段】反応炉１０のカメラ取り付け穴１８にカメラ１４を取り付け、反応炉１０内のウェーハを撮影可能な状態とする。次に、予め所定のウェーハ投入温度に設定された反応炉１０内にウェーハＷを搬入し、サセプタ１１上に載置する。このとき、ウェーハＷのエッジが一時的に反り上がるので、この状態をカメラ１４で撮影する。そして撮影した画像からウェーハＷの反り量を求め、さらにこの反り量に基づいて非接触搬送部材と接触することがない反り量となる適正なウェーハ投入温度を求める。その後、ウェーハＷと同一品種を処理する場合に、反応炉１０内をこの適正なウェーハ投入温度に設定する。 （もっと読む）

【課題】搬送室とチャンバの温度差にかかわらず、基板をサセプタ上の所定位置に載置することのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】ロボットハンドで基板をチャンバの内部へ搬送し（Ｓ１０１）、基板支持部へ受け渡す（Ｓ１０２）。基板支持部を下降させて、サセプタの上に基板を載置する（Ｓ１０３）。基板を回転させながら温度測定を行う（Ｓ１０４）。放射温度計による測定結果と、エンコーダによる検出結果とを用いて、温度データと位置データを作成する（Ｓ１０５）。これらから基板の位置ずれ量を求めて（Ｓ１０６）、この位置ずれ量が許容値以下であるか否かを判定する（Ｓ１０７）。位置ずれ量が許容値より大きい場合には、搬送室内でロボットハンドの位置調整を行った後（Ｓ１０８）、次に成膜予定の基板をチャンバの内部へ搬送し、基板支持部を介してサセプタの上に載置する（Ｓ１０９）。 （もっと読む）

【課題】基板上にＺｎＯからなる透明導電膜を高効率で製造するＺｎＯ透明導電膜製造装置を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ透明導電膜製造装置(100)は、真空状態に維持されたチャンバー(110)と、チャンバー(110)内を通過するように基板(50)を一方向(A)に搬送するとともに、任意の箇所において停止可能な基板搬送手段(120)と、チャンバー(100)内に配置されたシャワーヘッド(130)と、を備える。シャワーヘッド(130) は、第一の流路と、第一の流路の周囲に形成された第二の流路と、第一の流路及び前記第二の流路を加熱する加熱手段と、を備え、第一の流路及び第二の流路の一方からはＤＥＺｎの気体が、他方からは水蒸気が基板に対して噴霧される。 （もっと読む）

【課題】振動子から発せられる電波の減衰を抑制することが可能な温度測定用基板を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗに対して熱処理を施す熱処理装置２に用いられる温度測定用基板５０において、基板本体６２と、圧電素子６８を有すると共に基板本体に設けられる振動子６４と、振動子に接続されると共に基板本体の周辺部側に設けられるアンテナ部６６とを備える。これにより、振動子から発せられる電波の減衰を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 各ウエハの処理／未処理だけでなく、処理が正常に終了したかどうかを表示して、正常ウエハと不良ウエハの区別を明確にし、正常ウエハと不良ウエハの混同を防ぐことができ、また、ウエハカセットの有無を表示してオペレータがウエハカセットを確実に搭載することができる半導体製造装置及び半導体装置の表示方法を提供する。
【解決手段】 少なくともカセットを格納するカセット室５と、処理を行うプロセスチャンバと、カセット内のウエハをプロセスチャンバ６へ搬送するための搬送室７とを備える半導体製造装置の表示部１７に、上から見た当該半導体製造装置イメージを描画し、カセットの有無を表示する表示エリア８が設けられ、表示エリア８には、カセット室内にカセットが存在するかどうかが表示される半導体製造装置である。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層を成長させる際の高温状態で基板の載置位置の偏心量を高精度に簡便に評価でき、コストの増加を抑制できる偏心量の評価方法、及びこの評価方法で評価した偏心量に応じて基板の載置位置を補正することによって、膜厚均一性を向上できるエピタキシャルウェーハを製造することを目的とする。
【解決手段】基板にエピタキシャル層を成長させたエピタキシャルウェーハの製造における、サセプタに載置する前記基板の載置位置の偏心量の評価方法であって、基板を室温で複数の貫通孔を有するサセプタ上の載置位置に載置する工程と、エピタキシャル層を成長させる温度でエッチングガスを導入することによりサセプタ上に載置した基板の裏面にサセプタ貫通孔パターンを転写する工程と、基板の裏面に転写したサセプタ貫通孔パターンの位置を測定して、基板の載置位置の偏心量を評価する工程とを有することを特徴とする偏心量の評価方法。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、シングルアーム型の搬送装置を採用しつつ高スループットを実現する。
【解決手段】ドライエッチング装置１の搬送装置１５は、処理前のトレイ３をストック部１３のカセット６２の主棚部６７ｂ，６８ｂから回転ステージ３３に搬送し、回転ステージ３３でのアラインメント処理後のトレイ３をカセット６２の仮置き棚部６７ｃ，６８ｃを経てプラズマ処理部１１へ搬送する。また、搬送装置１５は、処理後のトレイ３をプラズマ処理部１１からストック部１３のカセット６２の主棚部６７ｂ，６８ｂに搬送する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の小型化ないし設置面積の低減を図る。
【解決手段】ドライエッチング装置１は基板２を収容した搬送可能なトレイ３を収納したカセット６２を含むストック部１３を備える。トレイ３の搬送機構１５を収容した搬送部１２内に、回転ステージ３３が設けられている。ドライエッチング前のトレイ３を載置した回転ステージ３３を回転させ、ノッチ検出センサー４４によりノッチ３ｃを検出することでトレイ３の回転角度位置調整を行う。 （もっと読む）

【課題】従来技術によるティーチング方法では、位置を調整して、プロセスチャンバーを真空状態にして、位置のずれを顕微鏡で確認して、プロセスチャンバーを大気状態に戻して、また位置を調整する、という繰り返しを行うので、長い時間を必要とする上、気圧の変化を伴う作業は効率が悪い。さらに、顕微鏡を用いた作業者の目視による検査は、誤差が比較的大きい。
【解決手段】顕微鏡の代わりにＣＣＤカメラ３１を用い、ヒーターの基準位置に相当する第１の画像マーカーＡを用い、シャドウリング１８の中心位置の代わりに相当するアダプターリング調整治具１７に設けられた第２の画像マーカーＢを用いる。これら２つの画像マーカーＡおよびＢをＣＣＤカメラ３１にて測定し、アダプターリング調整治具１７の位置を調整する。 （もっと読む）

【課題】積層体の長手方向に、基材と保護フィルムとの密着力が変化した場合であっても、基材と保護フィルムとを適正に剥離させることができ、基材の搬送テンションが緩んで、ツレシワが発生したり、熱ダメージを受けて、基材が損傷することを防止する。
【解決手段】処理を行なう前の積層体の搬送中に、基材上の保護フィルムの有無を検出する第１検出工程と、第１検出工程と成膜処理との間に、基材上の保護フィルムの有無を検出する第２検出工程と、第１検出工程と第２検出工程の検出結果に応じて、第１検出工程と第２検出工程との間で、保護フィルムが基材から剥離するように、剥離力を制御する制御工程とを有することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 基板ごとに処理条件の指定を可能にする。
【解決手段】 基板に対する処理を実行するプロセスモジュールを制御するプロセスモジュール制御装置を備え、プロセスモジュール制御装置は、処理すべき基板がプロセスモジュールに搬送される搬送タイミングを取得する搬送タイミング取得手段と、プロセスモジュールにおける基板の処理条件に関する処理条件基本情報を取得する基本情報取得手段と、プロセスモジュールにおける基板の処理条件の一部であって、基板ごとに設定される処理条件に関する処理条件差分情報を取得する差分情報取得手段と、搬送タイミング取得手段により取得される基板の搬送タイミングに応じ、基本情報取得手段及び差分情報取得手段により取得される処理条件に基づいて、プロセスモジュールに対し搬送される基板の処理条件を設定する制御手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板が収容されるチャンバに対して基板位置検出装置を高い位置決め精度で取り付けなくても、基板の位置を高い精度で検出できる基板位置検出装置を提供する。
【解決手段】サセプタを動かして基板載置部を撮像装置の撮像領域に位置させる工程と、処理容器内において撮像装置の撮像領域内に位置するように設けられる２つの第１位置検出マークであって、２つの第１位置検出マークの第１垂直二等分線がサセプタの回転中心を通る２つの第１位置検出マークを検出する工程と、サセプタにおいて基板載置部に対して設けられる２つの第２位置検出マークであって、２つの第２位置検出マークの第２垂直二等分線がサセプタの回転中心と基板載置部の中心とを通る２つの第２位置検出マークを検出する工程と、検出した２つの第１位置検出マーク及び２つの第２位置検出マークに基づいて基板載置部が所定の範囲に位置するかを判定する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板を誘導加熱する際に、放射温度計を用いて正確な温度測定が可能な基板処理技術を提供する。
【解決手段】複数の基板を収容して処理する反応管と、該反応管の内部に設けられ、複数の基板を加熱する積層された複数の被誘導加熱体と、前記複数の被誘導加熱体からの光を同時に集光する集光部を備え、該集光部が同時に集光した被誘導加熱体からの光に基づき、前記複数の被誘導加熱体の温度を測定する放射温度計と、前記反応管の外部に設けられ、前記放射温度計が測定した温度情報に基づき、前記被誘導加熱体を誘導加熱する誘導加熱体と、を有するように基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができ、かつ、再現性に優れたプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射する。真鍮ブロック５は開口部１２を先端として先細形状に構成され、放射光の光軸４３が真鍮ブロック５によって遮られない位置に、基材２の表面温度を測定するための放射温度計受光部４２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体の製造に用いる装置の清浄度を、簡便かつ高感度で、局所的に解析出来る評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板に膜を形成する際に用いられるＣＶＤ炉の清浄度を評価する方法であって、少なくとも、ＣＶＤ炉にて基板に膜を形成し、該成膜後の基板を非酸化性雰囲気下にてアニールした後、該アニール後の基板上に生成するパーティクル状の異物の数及び分布を観察することによりＣＶＤ炉の清浄度を評価することを特徴とするＣＶＤ炉の清浄度評価方法。 （もっと読む）

【課題】比誘電率を低く維持したままで、リーク電流特性および面内均一性が良好な銅拡散バリア性を有する層間絶縁膜を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜の成膜方法であって、基板上に珪素とＣＨ_３を含む公知化合物である絶縁膜材料と、窒素を含有するガスとを用いてプラズマＣＶＤ法によって層間絶縁膜を成膜することを特徴とする層間絶縁膜の成膜方法を提供する。また、層間絶縁膜の成膜方法であって、基板上に珪素とＣＨ_３を含む公知化合物である絶縁膜材料を用いてプラズマＣＶＤ法によって層間絶縁膜を成膜した後、加熱雰囲気において窒素を含有するガスを基板に供給することを特徴とする層間絶縁膜の成膜方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ（原子層成長法）により膜を形成する際、従来の薄膜形成装置のように排気部に反応生成物が形成されることが殆ど無く、メンテナンスのし易い薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置１０は、原料ガスおよび反応ガスが別々のタイミングで交互に供給されて、減圧状態の成膜空間を形成する成膜容器１２と、前記原料ガスおよび前記反応ガスを排気する排気管１８ａを備えるガス排気部１８と、を有する。前記ガス排気部１８には、前記排気管１８ａの長手方向に平行な細孔が複数設けられた、多孔質材からなるガスフィルター１８ｄが設けられる。 （もっと読む）