【課題】イオンエネルギー分布の制御に加えて正イオンによるチャージアップの緩和を行うことで、加工形状の制御をさらに高精度に行うことができる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置としてのプラズマ処理装置１０は、チャンバー１１と、チャンバー１１に設けられ、半導体ウエハＷが配置されるウエハ設置電極１２と、ウエハ設置電極１２に対向するようにチャンバー１１内に設けられた対向電極１３と、ウエハ設置電極１２に高周波電圧を印加する高周波電源１４と、ウエハ設置電極１２に高周波電圧と重畳するように負の第１のＤＣパルス電圧Ｖ_１を印加する第１のＤＣパルス電源１７Ａと、第１のＤＣパルス電圧Ｖ_１のオフ期間に、対向電極１３に負の第２のＤＣパルス電圧Ｖ_２を印加する第２のＤＣパルス電源１７Ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】基板をドラムに巻き掛けて搬送しつつ、ドラムに電力を供給して成膜を行なう成膜装置であって、ドラム電極への基板の巻き掛け開始位置や、基板とドラムとの離間位置における、ドラムからの異状放電を好適に抑制することができ、これに起因する膜質劣化や基板の損傷等を抑制し、また、基板のバタツキによる基板の損傷を抑制することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】ドラム３０とドラム３０に巻き掛けられた基板Ｚとが離間する位置でドラム３０の周面に対面して配置される、基板Ｚを挿通するための開口部が形成され、導電性で接地される、板状のアース板４８と、ドラム３０から離間した直後の基板Ｚを案内する搬送ローラ２２とを有し、搬送ローラ２２が、導電性で接地されており、かつ、この搬送ローラ２２の少なくとも一部が、アース板４８の開口部４８ａに入るように配置されていることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 インピーダンスの可変範囲内の広域にわたって処理速度の制御を容易に行うことを可能とする。
【解決手段】 基板処理装置は、基板を処理する処理室と、処理室内にて基板を支持する基板支持部と、処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、処理室内に供給された処理ガスをプラズマ状態とするプラズマ生成電極と、プラズマ生成電極に高周波電力を印加する高周波電源と、基板支持部に設けられ基板の電位を制御するインピーダンス可変電極と、インピーダンス可変電極に接続され、プラズマ生成電極のピーク間電圧値の逆数に応じてインピーダンスを変更可能なインピーダンス可変機構と、処理室内の雰囲気を排気する排気部と、少なくともインピーダンス可変機構を制御する制御部と、を備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】誘導結合プラズマイオン源が高ｄｃ電圧にバイアスされた集束イオンビームシステムにおいて、イオン源内のプラズマに点火する方法を提供する。
【解決手段】バイアス電源９３０からの高ｄｃ電圧は、集束イオンビームカラムの近くでプラズマ点火装置９５０からの振動波形が結合（重畳）されて、プラズマ室９５４の一部を構成する源バイアス電極９０６に印加される。プラズマ点火装置９５０は論理回路９２４によって制御されるプラズマ点火装置電源９２５によって駆動される。電位の低いプラズマ点火装置９５０からの振動波形は、絶縁変圧器またはキャパシタ等を通して高ｄｃ電圧に結合（重畳）される。集束イオンビームカラムの近くにプラズマ点火装置９５０を取り付けることによって、高ｄｃ電圧を供給するケーブルの静電容量の影響が最小化される。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積方法および原子層堆積装置は、従来のような防湿性を維持しつつ、内部応力の小さな薄膜を形成する。
【解決手段】基板に薄膜を形成するとき、基板が配置された、減圧した成膜空間内に、原料ガスを一定期間供給する。この後、原料ガスの前記成膜空間への供給後、原料ガスの成分を吸着した基板に向けて、前記成膜空間内に反応ガスを供給し、プラズマ生成素子を用いて反応ガスを活性化させることにより、基板に吸着された原料ガスの成分と反応ガスの成分を反応させて、基板に所定の薄膜を形成させる。上記原料ガスの供給と反応ガスの供給を繰り返し行うことにより、所定の厚さの薄膜を基板に形成する。このとき、上記原料ガスの供給と反応ガスの供給の繰り返し回数が増えるに従って、段階的にあるいは連続的にプラズマ生成素子への供給電力を増加させる。 （もっと読む）

【課題】高周波給電系統の負担を軽くし、ＲＦアンテナ内の電流分布についてプロセス条件あるいはプラズマ状態に依存しない多様かつ任意な制御可能な誘導結合型のプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバの天井または誘電体窓の上には、チャンバ内に誘導結合のプラズマを生成するためのＲＦアンテナ５４が設けられている。このＲＦアンテナ５４は、誘電体窓と平行な一水平面内で同心状に配置される２組または２対のコイル５４(1），５４(2)を有している。高周波給電ライン６２の終端部と内側および外側コイルセグメント５６Ａ，５６Ｂの両端部との間に第１のスイッチ回路網６４が設けられている。ＲＦアース線６６の始端と内側および外側コイルセグメント５８Ａ，５８Ｂの両端部との間に第２のスイッチ回路網６８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 長尺な基板を長手方向に搬送しつつ成膜行なう成膜装置であって、不要な領域にプラズマが生成されることを防止し、この不要なプラズマに起因する基板の損傷等の無い高品質な製品を安定して作製できる成膜装置を提供する。
【解決手段】 第１ユニットと、基板の搬送系を有する第２ユニットとを組み合わせて構成され、かつ、成膜中に、前記第１ユニットと第２ユニットとの間に電位差を生じないことにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】マッチングボックスを安全かつ適切に配置することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】反応性原料ガスが導入される密封可能なチャンバー１と、チャンバー１内に対向状に配置されてプラズマ放電を発生させるカソード電極１１とアノード電極１２の組からなる複数組の放電部１３と、チャンバー１外に配置されて全組の放電部１３に電力を供給する電源部Ｅ１、Ｅ２と、チャンバー１外で電源部Ｅ１、Ｅ２に電気的に接続された複数のマッチングボックスＭ１、Ｍ２と、チャンバー１外に配置されて複数のマッチングボックスＭ１、Ｍ２を支持する少なくとも１つの支持部Ａ１１、Ａ１２と、複数のマッチングボックスＭ１、Ｍ２と全組の放電部１３のカソード電極１１とを電気的に接続する複数の導電体Ｃ１１、Ｃ１２とを備え、支持部Ａ１１、Ａ１２は、複数の導電体Ｃ１１、Ｃ１２の長さを等しくできる位置に１つ以上のマッチングボックスＭ１、Ｍ２を支持するよう構成されたことを特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】製膜されるシリコン薄膜の面積を大きくしても、シリコン薄膜の膜厚分布のばらつきをおさえることができる真空処理装置、真空処理装置の給電装置、製膜方法、および製膜時における給電方法を提供する。
【解決手段】電源部１７から高周波電力が給電点に供給され、対向電極に設置した基板との間にプラズマを形成する放電電極３ａと、放電電極３ａに供給される高周波電力の位相および振幅を、給電点のそれぞれにおいて調節する複数の整合器と、を備え、整合器には、放電電極３ａに供給される高周波電力の位相を調節する位相調節コンデンサ２３Ｔ及びコイル２４と、高周波電力の振幅を調節する振幅調節コンデンサ２５Ｍとからなる整合回路が複数設けられ、整合器のインピーダンスは、給電点間における高周波電力の位相差に基づいて、整合回路を切り替えることにより調節される。 （もっと読む）

【課題】プラズマを用いて基板に薄膜を形成するとき、プラズマの発生密度を向上させて薄膜の形成を短時間で済ませる。
【解決手段】基板に薄膜を形成する薄膜形成装置は、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に、薄膜用原料ガスを導入する原料ガス導入部と、前記成膜空間の前記薄膜用原料ガスを用いてプラズマを生成するプラズマ電極部と、を有する。プラズマ電極部は、電流が一方の端面から他方の端面に流れる板部材であって、前記板部材の第１の主面が前記成膜空間に向き、前記第１の主面に、電流の流れる方向に沿って延びる溝状の凹部が複数設けられている電極板をプラズマ生成用電極として備える。 （もっと読む）

【課題】オートマッチング動作において不必要な速度低下やハンチングを招くことなく短時間で効率よく実質的な整合状態を確立できるようにする。
【解決手段】第２の整合アルゴリズムでは、インピーダンス座標上で、第１または第２基準線Ｃ_1S，Ｃ_2Sと直交する第３の基準線ＴＣ_1SまたはＴＣ_2Sを動作点移動制御の目標にして、Ｃ₁座標軸またはＣ₂座標軸上で動作点Ｚ_pをたとえばＺ_p(7)→Ｚ_p(8)→Ｚ_p(9)と移動させる。動作点Ｚ_p(9)の座標位置は原点Ｏ（整合点Ｚ_S）に非常に近い実現可能なベストの擬似的整合点Ｚ_Bであり、この位置で動作点Ｚ_pの移動を止める。 （もっと読む）

【課題】薄膜の材料が表面に付着しても、高周波誘導電界の遮蔽や強度の減衰を抑えることができる高周波アンテナを提供する。
【解決手段】高周波アンテナ１０は、線状のアンテナ導体１３と、アンテナ導体１３の周囲に設けられた誘電体製保護管１４と、誘電体製保護管１４の周囲に設けられたシールドであってアンテナ導体１３の長手方向の任意の線上において誘電体製保護管１４を少なくとも１箇所覆うと共に少なくとも１個の開口１５３を有する堆積物シールド１５とを備える。薄膜材料は保護管及び堆積物シールドの表面に付着するが、アンテナ導体の長手方向の少なくとも１箇所で途切れる。そのため、薄膜材料が導電性のものである場合には高周波誘導電界が遮蔽されることを防ぐことができ、導電性以外のものの場合には高周波誘導電界の強度が減衰することを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】アンテナおよびプラズマ間の容量結合を大幅に低減する結合窓構成及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】絶縁材料から形成される第１の層５０４と、第１の層５０４に接続された第２の層５０６であって、プロセス中においてプロセスチャンバ内に存在するプラズマに対して実質的に抵抗となる材料から形成され、前記プロセスチャンバの内周面の一部を形成する前記第２の層５０６と、を備え、第１の層５０４および第２の層５０６は、アンテナから前記プロセスチャンバ内部へのＲＦエネルギの通過を許容するように構成されていることとを備え、第２の層５０６は、導電材料から形成され、電気的に浮動するように構成されている結合窓構成５００である。結合窓構成５００のイオン衝突は低減され微粒子汚染が低減される、また高密度のプラズマとなる。 （もっと読む）

【課題】安定してプラズマを発生させることができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、薄膜の原料である原料ガスを供給する原料ガス供給部と、原料ガスと反応して薄膜を形成する酸化ガスを供給する酸化ガス供給部と、酸化ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生部と、原料ガス、及び、酸化ガスを排気する排気部と、を備え、酸化ガス供給部は、酸素ガスを貯蔵する酸素ガス貯蔵部と、酸素ガス貯蔵部に貯蔵された酸素ガスからオゾンを発生させるオゾン発生部と、を備えることを特徴とする原子層堆積装置。 （もっと読む）

基板表面上への層堆積の方法。当該方法は、基板に接触させるための前駆体供給部から堆積空洞の中への気体前駆体の注入と、注入された気体前駆体の一部の堆積空洞からの排出と、基板表面に沿った、堆積空洞および基板の互いに相対的な位置付けとを含む。当該方法は、さらに、第１の電極および第２の電極の提供と、第１の電極および第２の電極の互いに対応する位置付けと、第１の電極および第２の電極の間に生じる高電圧差による基板に接触するための基板近くでのプラズマ放電の発生とを含む。当該方法は、プラズマによる表面のパターニングのため、選択的なプラズマ放電の発生を含む。気体前駆体に接触した基板の部分が、プラズマに接触した基板の部分に、選択的に重複する。 （もっと読む）

【課題】同軸構造の導波路の軸の延長線上から電磁波電力を給電できない場合でも、同軸構造の導波路に有効に電磁波電力を給電することができる電磁波給電機構を提供すること。
【解決手段】同軸構造の導波路４４の側部に設けられ、給電線としての同軸線路５６が接続されるマイクロ波電力導入ポート５５と、同軸線路５６に接続され、導波路４４の内部に電磁波電力を放射する給電アンテナ９０とを具備する。給電アンテナ９０は、同軸線路５６に接続された第１の極９２と、導波路４４の内側導体５３に接触する第２の極９３とを有するアンテナ本体９１と、前記アンテナ本体９１の両側から延びリング状に形成された反射部９４とを有する。 （もっと読む）

【課題】高融点金属においても金属薄膜の膜質を向上させることが可能な基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被エッチング部材１８及び基板を支持する基板支持部を有する処理室１と、前記処理室内の前記被エッチング部材にハロゲンガスを晒すように供給するガス供給部と、前記供給されたガスをプラズマ状態とするプラズマ生成部と、前記被エッチング部材である固体金属に直流電流を印加する電源とを有する。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、概して基板処理チャンバ内でアーク放電及び寄生プラズマを低減するための装置に関する。装置は、概して、基板支持体、バッキングプレート、及びシャワーヘッドを内部に配置した処理チャンバを含む。シャワーヘッドサスペンションは、バッキングプレートをシャワーヘッドに電気的に結合する。導電性ブラケットは、バッキングプレートに結合し、シャワーヘッドから離間している。導電性ブラケットは、プレート、下部、上部、及び垂直拡張部を含むことができる。導電性ブラケットは、電気絶縁体に接触している。
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