【課題】ＶＨＦ帯の高周波電力の供給を行って大面積の被処理基板を処理した場合でも均一なプラズマを得ること。
【解決手段】プラズマ成膜装置において、第１の電極における第２の主面は複数の第１の給電点と複数の第２の給電点と少なくとも１つの第３の給電点と少なくとも１つの第４の給電点とを有し、前記複数の第１の給電点と前記複数の第２の給電点とは、対称点に関して対称な位置であって対称軸に関して対称な位置に配されるとともに、給電される高周波電力の位相差が互いに１８０度であり、前記少なくとも１つの第３の給電点と前記少なくとも１つの第４の給電点とは、それぞれ、前記対称点から等距離であり前記対称軸上となる位置に配される、あるいは前記対称点から等距離であり前記対称軸に関して対称な位置に配された１組の給電点を含む。 （もっと読む）

【課題】誘電体バリア放電による大気圧プラズマＣＶＤで基板の処理を行なうに際し、長時間に渡って安定したプラズマを生成することができ、これにより、長時間に渡って安定して高品位な処理を行うことを可能にするプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】電極対にプラズマ励起電力を供給する電源装置として、２０ｋＨｚ〜３ＭＨｚで単一周波数の正弦波の電力を出力する電源、キャパシタンスおよびインダクタンスが可変であるＬＣ共振回路、および、パルス制御素子を有する装置を用いることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】十分なガスバリア性を有し耐屈曲性を有するガスバリア性積層フィルムを製造可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】基材を収容する真空チャンバーと、真空チャンバー内に、有機金属化合物と該有機金属化合物と反応する反応ガスと、を含む成膜ガスを供給するガス供給装置と、上記真空チャンバー内に配置される一対の電極と、この一対の電極に交流電力を印加し、成膜ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生用電源と、上記ガス供給装置または上記プラズマ発生用電源とのいずれか一方または両方を制御し、有機金属化合物と反応ガスとが反応して、有機金属化合物を形成していた金属元素または半金属元素を含み且つ炭素を含まない化合物を生じる第１の反応条件と、有機金属化合物と反応ガスとが反応して、有機金属化合物を形成していた炭素と金属元素または半金属元素とを含む含炭素化合物を生じる第２の反応条件と、を切り替える制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】十分緻密な薄膜を成膜することが可能な薄膜製造方法および装置を提供する。求める成膜特性、あるいはプロセス条件に応じた薄膜を成膜することが可能な薄膜製造方法および装置を提供する。
【解決手段】原料ガスからプラズマを生成し、該プラズマ中からイオンを抽出し、該イオンにより被成膜基板の片面または両面に薄膜を成膜する薄膜製造方法である。該方法は、該プラズマを発生させるプラズマ室と、被成膜基板を収容する成膜室と、該プラズマ室から該成膜室まで該イオンを輸送するためのイオン輸送路と、該イオン輸送路から分岐する分岐管と、該分岐管に接続された排気系統とを有する装置内で実施される。該イオン以外の原料ガスを該分岐管から排気しながら薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】蒸着均一度及び蒸着率を向上させることができる基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は処理室内に位置されたサセプタに基板が置かれ、シャワーヘッドが基板へガスを供給する。高周波電源は高周波ラインを通じてシャワーヘッドの第１側面に連結され、可変キャパシターは電気ラインを通じてシャワーヘッドの第１側面とは反対側を向く第２側面に連結される。電気ラインには高周波電源が提供されない。 （もっと読む）

【課題】十分なガスバリア性を有する積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバーと、平行ないしほぼ平行に対向して配置され、内部に磁場発生部材６１，６２を備えている一対の成膜ロール３１，３２と、極性が反転するプラズマ電源とを備えるプラズマＣＶＤ成膜装置を用いて行われる積層体の製造方法であって、真空チャンバー内で、長尺の基材の表面の第一の部分と、基材の表面の第二の部分とが対向するように基材を成膜ロールに巻き掛けた状態で基材を搬送しながら、成膜ロールの間の成膜空間に有機珪素化合物のガスと酸素ガスを含む成膜ガスを供給し、磁場発生部材により成膜空間に磁場を発生させ、成膜ロール間にプラズマ電源により放電プラズマを発生させ、基材上に連続的に薄膜層を形成する。 （もっと読む）

【課題】アノード電極側に生じる変異電流を整合回路に容易に戻すことができるようにする。
【解決手段】成膜室１０は、表面枠体５及び裏面枠体６により形成されている。表面枠体５は、カソード電極３を保持しており、カソード電極３とは絶縁されている。裏面枠体６は、表面枠体５に対して離間可能であり、アノード電極４を保持し、かつアノード電極４に電気的に接続している。そして表面枠体５及び裏面枠体６は、プラズマ処理時に、基板１の一部（例えば縁）を互いの間に位置させる。そして成膜室１０は、さらに、接続部材９を備えている。接続部材９は、裏面枠体６の外周面を表面枠体５の外周面に接続している。 （もっと読む）

【課題】処理容器内でのマイクロ波の定在波による影響を極力抑制し、チャンバ内でのプラズマ密度の均一性を高くすることができるマイクロ波プラズマ源およびそれを用いたプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】マイクロ波プラズマ源２はマイクロ波供給部４０を有し、マイクロ波供給部４０は、マイクロ波を処理容器内に導入する複数のマイクロ波導入機構４３と、複数のマイクロ波導入機構４３のそれぞれに入力されるマイクロ波の位相を調整する複数の位相器４６とを有し、複数のマイクロ波導入機構４３のうち隣接するものについて、一方のマイクロ波の入力位相を固定し、他方のマイクロ波の入力位相を周期的な波形によって変化させるように、複数の位相器４６により複数のマイクロ波導入機構４３に入力されるマイクロ波の位相を調整する。 （もっと読む）

【課題】耐食性に優れ、かつ接触抵抗が低くい金属基板を用いた固体高分子型燃料電池用セパレータの提供、及び生産性に優れたプラズマ処理技術及プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】金属製セパレータ基板表面に接触抵抗１０ｍΩｃｍ２以下、撥水角８０°以上のシリコン含有炭素系被膜を被着する。プラズマ処理容器内に、一対の基板支持具２にそれぞれ複数枚の金属基板３をほぼ平行、且つ等間隔に係止した第１の基板電極群２ａと第２の基板電極群２ｂとをほぼ等間隔に相互に噛み合わせて配置し、該一対の基板電極群にコンデンサー７を介して高周波電力を給電し、且つローパスフィルタ１２を介して負の脈流電圧又はパルス電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】異物による成膜不良を抑制し、良好な成膜を実現するプラズマＣＶＤ成膜装置を提供する。
【解決手段】長尺の基材１００を連続的に搬送しながら、基材１００上に連続的に成膜するプラズマＣＶＤ装置１であって、基材１００の裏面１００ｂと接しながら基材１００が巻き掛けられる成膜ロールと、成膜ロールに対向して配置される対向電極と、成膜ロールおよび対向電極に接続されるプラズマ発生用電源５１と、基材１００を搬送する搬送ロール２１，２２，２３、２４と、を有し、成膜ロールは、第１成膜ロール３１と、第１成膜ロール３１に対し基材１００の搬送方向の下流側に設けられる第２成膜ロール３２と、を含み、搬送ロールは、第１成膜ロール３１の下流側において、裏面１００ｂ側にのみ設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】異物による成膜不良を抑制するプラズマＣＶＤ成膜装置を提供する。
【解決手段】基材１００が巻き掛けられる第１成膜ロール３１と、第１成膜ロール３１に対向し、基板１００の搬送経路の下流で基材１００が巻き掛けられる第２成膜ロール３２と、第１，第２成膜ロールの内部にそれぞれ設けられ、第１，第２成膜ロールが対向する空間に膨らんだ無終端のトンネル状の磁場を形成する磁場形成装置６１，６２と、第１成膜ロール３１と第２成膜ロール３２とに接続され、印加電圧の極性が交互に反転するプラズマ発生用電源５１と、第１成膜ロール３１と第２成膜ロール３２との間の搬送経路に設けられ、成膜面１００ａで基材１００が巻き掛けられ基材１００の搬送方向を変更するターンバー２２，２３と、を備え、ターンバー２２，２３は、気体を噴射する複数の噴射口を有し、噴射口から成膜面１００ａに気体を噴出して基材１００を浮遊させる。 （もっと読む）

【課題】電極への悪影響（酸化等）が少ない絶縁膜の製造方法を提供する。
【解決手段】電極と接する絶縁膜を形成する方法であって、（i）反応室内に電極となる基板を配置し、少なくとも不飽和炭化水素基を含む化合物の蒸気を含むガスを供給して、該基板上に該不飽和炭化水素基を含む化合物を付着させる工程と、（ii）該基板上に、プラズマにより励起した不活性ガス又はプラズマにより励起した不飽和炭化水素基を含む化合物の蒸気と不活性ガスとの混合ガスを供給して、該基板上に付着した該化合物の不飽和炭化水素基を活性化する工程と、（iii）工程（i）と工程（ii）を少なくとも２回以上繰り返し、それにより該基板上に絶縁膜を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＣＦ_ｘ膜を層間絶縁膜として有する多層配線構造の半導体装置において、低誘電率であるＣＦ_ｘ膜の利点を生かすことができ、かつＣＭＰ処理による特性の劣化を防止することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、ＣＦ_ｘ膜を成膜する工程（ａ）と、ＣＦ_ｘ膜に所定パターンの凹部を形成する工程（ｂ）と、凹部を埋めかつＣＦ_ｘ膜上にわたって配線層を設ける工程（ｃ）と、凹部内以外の前記ＣＦ_ｘ膜上の余剰の配線層をＣＭＰ（化学機械研磨）によって除去してＣＦ_ｘ膜の表面を露出させる工程（ｄ）と、を有し、工程（ｂ）の前または後において、ＣＦ_ｘ膜の表面を窒化する工程（ｅ）を備える。 （もっと読む）

【課題】炭素を含む膜を選択成長させること。
【解決手段】主面上にトレンチとポストが形成された基板１３上に、選択的に炭素を有した膜を、プラズマＣＶＤ法により堆積する選択成膜方法である。基板を設置する反応室１１において、第１電力により、膜の原料ガスのプラズマを生成し、反応室と連通し、区画された補助空間２１において、第２電力により、基板に対してエッチング性を有するガスのプラズマを生成して、反応室に、イオン及びラジカルを供給する。反応室において、基板の主面に垂直方向に電界を発生させるバイアス電圧を制御して、基板のポストの上面、トレンチの側面及び底面に至るイオン量を制御する。第１電力、第２電力、バイアス電圧を制御することにより、基板の前記ポストの上面、トレンチの側面及び底面のうちの選択された１つの面、又は、２つの面に対して、膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】誘導結合型プラズマ処理装置において、ＲＦアンテナ内の波長効果を十全に抑制しつつ、周回方向にも径方向にも均一なプラズマプロセスを容易に実現すること。
【解決手段】チャンバの天井または誘電体窓５２の上には、チャンバ内に誘導結合のプラズマを生成するためのＲＦアンテナ５４が設けられている。このＲＦアンテナ５４は、円環状の内側コイル５８および外側コイル６２を有している。内側コイル５８は、単一の円形コイルセグメント６０からなる。外側コイル６２は、周回方向で分割されて全体で一周する２つの半円形コイルセグメント６４(1)，６４(2)からなる。高周波給電部６６に対して、各々のコイルセグメント６０，６４(1)，６４(2)が電気的に並列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ＲＦアンテナ内の波長効果を十全に抑制しつつ、周回方向にも径方向にも均一なプラズマプロセスを容易に実現する。
【解決手段】この誘導結合型プラズマ処理装置においては、誘導結合プラズマを生成するために誘電体窓５２の上に設けられるＲＦアンテナ５４が径方向で内側コイル、中間コイルおよび外側コイル６２に分割されている。内側コイル５８は、単一または直列接続の内側コイルセグメント５９を有する。中間コイル６０は、周回方向で分割されていて、電気的に並列に接続されている２つの中間コイルセグメント６１(1)，６１(2)を有する。外側コイル６２は、周回方向で分割されていて、電気的に並列に接続されている３つの外側コイルセグメント６３(1)，６３(2)，６３(3)を有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理室のための選択的に二つの周波数のうちの任意の周波数にRFパワーを提供してプラズマ負荷にマッチングさせるための、二つの周波数入力に適用される単一マッチングネットワークを提供する。
【解決手段】単一マッチングネットワーク８００は、マルチ周波数入力ｆ１及びｆ２に接続される入力端子とプラズマ負荷に接続される出力端子を含み、入力端子と出力端子との間には互いに直列接続される容量値Ｃ０を有するコンデンサーとインダクタンス値Ｌ０を有するインダクタンスを含み、且つコンデンサーとインダクタンスはブランチ電路を構成し、ここで、容量値Ｃ０とインダクタンス値Ｌ０は、周波数ｆ１でマッチング状態になるのに必要なブランチ電路のインピーダンスｙ１及び周波数ｆ２でマッチング状態になるのに必要なブランチ電路のインピーダンスｙ２と特定な関係を満足するように設定される。 （もっと読む）

【課題】電極内で異常放電を発生させずに、プラズマ生成に消費される高周波の電界強度分布を制御する。
【解決手段】ガスを供給可能なプラズマ処理装置用の電極は、内部に所定の空間Ｕが形成された誘電体の基材１０５ａと、前記所定の空間Ｕを気密に閉塞することにより、前記電極がプラズマ処理装置に装着された際に該空間をプラズマ生成空間から隔絶する蓋体１０７と、基材１０５ａ及び蓋体１０７を貫通して、前記所定の空間を通るガス孔柱であって、ガス孔１０５ｃが前記所定の空間Ｕと隔絶された複数のガス孔柱１０５ｅと、を有する。 （もっと読む）

【課題】大面積に亘って均一な分布のプラズマを形成可能なプラズマ発生装置及びこれを備えたプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】大気よりも減圧された雰囲気を維持可能なプラズマ発生室６０と、マイクロ波の進行波を共振させる環状共振器１０と、環状共振器１０からマイクロ波を分配する複数の結合器４２と、複数の結合器４２のそれぞれに結合され、プラズマ発生室６０にマイクロ波を導入する相互に離隔して設けられた複数のアプリケータ５０と、を備え、複数のアプリケータ５０はプラズマ発生室６０にマイクロ波を導入する誘電体から形成された導波体５４をそれぞれ有し、導波体５４からプラズマ発生室６０に導入されたマイクロ波によりプラズマを生成する。 （もっと読む）

【課題】矩形基板に正対した状態のプラズマを生成することができるアンテナユニットおよびそれを用いて矩形基板に均一なプラズマ処理を行うことができる誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】輪郭が矩形状をなす平面型のアンテナ（１３ａ）を有するアンテナユニットにおいて、アンテナ（１３ａ）は、複数のアンテナ線（６１，６２，６３，６４）を、同一平面内において、辺の中央部の巻数よりも角部の巻数が多くなるように巻回して全体が渦巻状になるように構成され、アンテナ線の配置領域が額縁状をなし、アンテナ（１３ａ）の外郭線（６５）および内郭線（６６）で囲まれた額縁領域（６７）が、アンテナ（１３ａ）の対向する２辺を貫く中心線について線対称となるように、各アンテナ線に屈曲部（６８）が形成されている。 （もっと読む）