【課題】シャワープレート等を取り外さずに、シャワープレートの有無を切り替えて基板の処理や成膜が可能なガス分散用装置、このガス分散用装置を備えた真空処理装置、並びにこの真空処理装置を用いた基板の処理方法及びカーボンナノチューブの形成方法を提供する。
【解決手段】ガス供給管に連通する第１の開口部３２及び真空処理装置内部にガスを供給するための第２の開口部３３をそれぞれ対向して上面及び下面に有するハウジング３１と、ハウジング内に設けられた水平方向に滑動自在のガス分散用部材３４であって、複数のガス供給用孔３４ｃが設けられている前方部分３４ａ及びこの孔が設けられていない後方部分３４ｂとからなるガス分散用部材と、ガス分散用部材を滑動せしめるための駆動機構３５とを備えてなり、ガス分散用部材を前方に滑動せしめた時に、第２の開口部に前方部分が位置するように構成される。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、コイルは複数の導体棒３を接続したもので、石英管４の内部に配置されており、石英管４の内側の半円柱部分が筒状チャンバ内部の空間７に露出する。導体棒３と石英管４の内部に水が流れることによって石英管４と導体棒３が冷却される。プラズマ噴出口１２からプラズマを基材２に照射することにより、基材２上の薄膜１６をプラズマ処理することができる。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができ、かつ、再現性に優れたプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射する。真鍮ブロック５は開口部１２を先端として先細形状に構成され、放射光の光軸４３が真鍮ブロック５によって遮られない位置に、基材２の表面温度を測定するための放射温度計受光部４２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができ、かつ、小型で簡潔な構成のプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射する。蓋６の下面にマニホールド８、１０やガス供給穴９、１１となる溝が形成されており、２つの部材の表面に沿って染み出してくる構成である。 （もっと読む）

【課題】基板処理後に基板載置部から基板を離脱させる際に、基板の反りを抑制することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】処理ガスが供給され、基板を処理する処理室と、ヒータを内蔵し、基板を載置して前記ヒータにより加熱する基板載置部と、該基板載置部に対する相対的な位置関係として、基板搬出時の第１の位置と、基板処理時の第２の位置と、前記第１の位置と前記第２の位置の中間位置である第３の位置とを有し、前記第１ないし第３の位置で基板を支持する基板支持部と、基板処理時は前記基板支持部を前記第２の位置とし、基板処理終了後、前記基板支持部を前記第３の位置に所定時間保持し、その後、基板を搬出するため前記基板支持部を前記第１の位置とするよう制御する制御部とを有するよう、半導体製造装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができ、かつ、小型で簡潔な構成のプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射する。石英管４、真鍮ブロック５、蓋６には冷媒流路が設けられ、冷媒としての水が流れることによって各部材が冷却される。 （もっと読む）

【課題】高密度なラジカルを生成することが可能なラジカル源を実現すること。
【解決手段】ラジカル源は、ＳＵＳからなる供給管１０と、供給管１０に接続する熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）からなる円筒状のプラズマ生成管１１を有している。プラズマ生成管１１の外側には、円筒形のＣＣＰ電極１３が配置されていて、ＣＣＰ電極１３よりも下流側には、プラズマ生成管１１の外周に沿って巻かれたコイル１２を有している。供給管１０とプラズマ生成管１１との接続部における供給管１０の開口には、セラミックからなる寄生プラズマ防止管１５が挿入されている。 （もっと読む）

【課題】基板上に堆積された薄膜の膜厚の均一性を向上する。
【解決手段】プラズマ装置１００は、アンテナ２１〜２４を備える。アンテナ２１〜２４は、反応容器１１０の天板１１２に固定される。アンテナ２１，２４は、基板ホルダー１２０との距離が１２ｃｍに設定され、アンテナ２２，２３は、基板ホルダー１２０との距離が２５ｃｍに設定される。アンテナ２１〜２４は、一方端が平板部材６０に接続され、他方端が接地電位ＧＮＤに接続される。高周波電源１７０は、高周波電力を整合器１６０を介して平板部材６０に供給する。 （もっと読む）

【課題】
複数の凹部または複数の排気孔を設けたカソード電極を備えるプラズマ処理装置において、カソード電極の近傍のみにプラズマを発生させて基板近傍のプラズマ発生を抑制し、膜中への不要物質の混入を防ぐとともに、カソード電極の全ての凹部または全ての排気孔に均一にプラズマを生成することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】
凹部または排気孔を備えるカソード電極と基板保持機構との間にアノード電極を配置し、該アノード電極は前記カソード電極の凹部または排気孔に対向する位置に貫通孔を備え、前記カソード電極と前記アノード電極との間の距離が可変である、プラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】大型の基板にも安定したプラズマ処理を行え、かつプラズマ処理基板の生産量を向上させることのできる真空処理装置を提供する。
【解決手段】平行に対向配置され、その間にプラズマが生成されるリッジ電極２１ａ，２１ｂを有するリッジ導波管からなる放電室２と、その長さ方向両端に隣設され、高周波電源５Ａ，５Ｂを放電室２に伝送してプラズマを発生させる一対の変換器３Ａ，３Ｂと、プラズマ処理前の基板Ｓをリッジ電極２１ａ，２１ｂの所定位置に送り込み、プラズマ処理後の基板Ｓをリッジ電極２１ａ，２１ｂの所定位置から送り出す基板搬送装置４４と、高周波電力を供給する高周波電源５Ａ，５Ｂと、リッジ電極２１ａ，２１ｂと基板Ｓとの間の気体を排気する排気手段とを有し、リッジ電極２１ａ，２１ｂの幅方向(Ｈ方向)の寸法を、長さ方向(Ｌ方向)の寸法よりも大きく設定し、基板Ｓの搬送方向Ｃを、リッジ電極２１ａ，２１ｂの幅方向Ｈに沿わせた。 （もっと読む）

【課題】大型の基板にも安定したプラズマ処理を行え、かつプラズマ処理基板の生産量を向上させることのできる真空処理装置を提供する。
【解決手段】平行に対向配置され、その間にプラズマが生成されるリッジ電極２１ａ，２１ｂを有するリッジ導波管からなる放電室２と、その長さ方向両端に隣設され、高周波電源を放電室２に伝送してプラズマを発生させる一対の変換器３Ａ，３Ｂと、高周波電力を供給する高周波電源と、プラズマ処理前の基板Ｓをリッジ電極２１ａ，２１ｂの所定位置に送り込み、プラズマ処理後の基板Ｓを上記所定位置から送り出す基板搬送装置３５と、基板Ｓの搬送方向Ｃを、リッジ電極２１ａ，２１ｂの長さ方向Ｌに沿わせ、放電室２および変換器３Ａ，３Ｂの、その各々のリッジ導波管断面形状における、リッジ電極２１ａ，２１ｂおよびリッジ部３１ａ,３１ｂの厚み方向に隣接する凹部空間４０に、基板搬送装置３５の少なくとも一部を収容した。 （もっと読む）

【課題】軽量かつコンパクトで簡素な構造により、変換器の内部における反射波とプラズマの発生を防止して、放電室において安定したプラズマを発生させることのできる真空処理装置を提供する。
【解決手段】互いに平行に対向し、その間にプラズマ処理が施される基板Ｓが配置される放電用のリッジ電極２１ａ，２１ｂを有したリッジ導波管からなる放電室２と、この放電室２の長さ方向両端に隣設されて、互いに平行に対向する一対の平板状のリッジ部３１ａ，３１ｂを有したリッジ導波管からなる変換器３Ａ，３Ｂと、高周波電源５Ａ，５Ｂと、電源接続用の同軸ケーブル４Ａ，４Ｂと、変換器３Ａ，３Ｂの内部において対向するリッジ部３１ａ，３１ｂの間に充填される充填材３５とを備え、充填材３５は、同軸ケーブル４Ａ，４Ｂが変換器３Ａ，３Ｂに接続される電源導入部Ｃの近傍の範囲で電源導入部Ｃと同心円の円柱状に設置されてなる構成の真空処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】処理室内のプラズマ分布を任意に制御することができ、処理室内のプラズマ密度を均一化して基板に対して均一なプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷに所定のプラズマ処理を施す真空排気可能なチャンバ１１と、チャンバ１１内で、ウエハＷを載置するサセプタ１２と、サセプタ１２と処理空間Ｓを隔てて対向するように設けられた上部電極板３０ａと、サセプタ１２及び上部電極３０ａの一方に高周波電力を印加して処理空間Ｓ内にプラズマを発生させる高周波電源２０と、処理空間Ｓに対向する内壁構成部材と、を有し、処理空間Ｓの周辺部に対向する上部電極３０ａにホローカソード３１ａ〜３１ｃが設けられ、ホローカソード３１ａ〜３１ｃが設けられた上部電極３０ａはシース電圧調整用の直流電源３７に接続されている。 （もっと読む）

【課題】精度よく、被処理物品のプラズマ処理に悪影響を与えないでプラズマ中の荷電粒子の密度や荷電粒子の電位分布を簡易に求めることができる荷電粒子電流計測装置及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子を捕捉する第１電極部４１及び第１電極部４１の前方に配置され、第１電極部へ向かうべき荷電粒子を通過させるための孔４２ｈを有する第２電極部４２を含むファラデーカップ部４０と、第１電極部４１に直流電圧を印加するための出力電圧可変の第１直流電源と、第２電極部４２に第１電極部４１に印加される直流電圧とは逆極性の直流電圧を印加するための出力電圧可変の第２直流電源と、第１電極部４１に流れる電流を計測する電流測定器Ａとを含む荷電粒子電流計測装置。ファラデーカップ部４０において第２電極部４２前方には接地電極部４３が配置される。 （もっと読む）

【課題】簡素かつコンパクトで安価な構造により、変換器と放電室との境界部における反射波の発生を抑制し、高品質なプラズマ処理を行うことができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】互いに平行に対向し、その間にプラズマが生成される一対のリッジ電極２１ａ，２１ｂを有したリッジ導波管からなる放電室２と、放電室２の両端に隣設されて互いに平行に対向する一対の平板状のリッジ部３１ａ，３１ｂを有したリッジ導波管からなる変換器３Ａ，３Ｂと、高周波電力をリッジ部３１ａ，３１ｂに供給する電源手段とを有し、一対のリッジ電極２１ａ，２１ｂのリッジ電極対向間隔ｄ１が、一対のリッジ部３１ａ，３１ｂの対向間隔ｄ２よりも狭く設定されてリッジ段差Ｄが存在し、このリッジ段差Ｄの部分に、一対のリッジ部３１ａ，３１ｂと一対のリッジ電極２１ａ，２１ｂの間を、各々の対向間隔を漸減させて接続する漸減部３２ａ，３２ｂを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 絶縁物、特に耐熱性の低い絶縁物に、短時間で効率的にプラズマ成膜、及び表面改質処理可能な方法及びそのための装置を提供する。
【解決手段】 真空排気された反応容器内にプラズマ生成源となる原料ガスを導入し、該反応容器内に設置されたカソード電極にマイナス電圧を印加して原料ガスを分解しプラズマを生成すると共に、上記反応容器内に設置された被処理基材上との間で反応を起こさせて、電圧印加による電界で生成されるプラズマイオン、ラジカルを前記被処理基材に照射または堆積させる、表面改質及び成膜方法において、カソード電極の少なくとも一部を、原料ガスが透過可能な電極とすると共に、被処理基材の改質や成膜など表面処理が必要な面と直接接触しないようカソード電極を配置し、且つ、カソード電極に−２ｋＶ〜−２０ｋＶのパルス状のＤＣ電圧を印加することを特徴とするプラズマ表面改質、成膜方法。 （もっと読む）

【課題】リッジ電極及び基板の熱変形を抑制し、大型の基板にも安定した製膜処理が行える真空処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマが生成される排気側リッジ電極２１ａ及び基板側リッジ電極２１ｂを有するリッジ導波管からなる放電室２と、高周波電力を方形導波管の基本伝送モードであるＴＥモードに変換して放電室２に伝送し、排気側リッジ電極２１ａ及び基板側リッジ電極２１ｂの間にプラズマを発生させる一対の変換器と、基板側リッジ電極２１ｂの外面側に設置されて温度を均等に加熱する均熱温調器４０と、排気側リッジ電極２１ａの外面側に設置されてプラズマ処理が施される基板Ｓの板厚方向の熱流束を制御する熱吸収温調ユニット５０とを有し、基板Ｓを排気側リッジ電極２１ａ及び基板側リッジ電極２１ｂの間に設置してプラズマ処理を施す。 （もっと読む）

【課題】リッジ電極および基板の熱変形を抑制し、大型の基板にも安定したプラズマ処理が行える真空処理装置を提供する。
【解決手段】平板状に形成されて互いに平行に対向配置され、その間にプラズマが生成される一方および他方のリッジ電極２１ａ，２１ｂを有するリッジ導波管である放電室２と、その両端に隣設され、対向配置された一対のリッジ部を有するリッジ導波管からなり、高周波電力をＴＥモードに変換して放電室２に伝送し、リッジ電極２１ａ，２１ｂ間にプラズマを発生させる一対の変換器と、リッジ電極２１ｂの外側に間隔を空けて平行に設置され、プラズマ処理が施される基板Ｓがセットされ、該基板Ｓの温度を均等に加熱する均熱温調器１１と、リッジ電極２１ａの外側に設置され、該リッジ電極２１ａおよびプラズマ処理が施される基板Ｓの板厚方向を通過する熱流束を制御する熱吸収温調ユニット１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】サージ電圧を抑制し、スイッチング素子に印加される電圧を低減する。
【解決手段】直流電圧が入力される直流電圧端子間にコンデンサが接続され、コンデンサの一端と負荷端子の一方との間にインダクタンス手段が接続され、コンデンサに並列に単位スイッチング回路が接続される。単位スイッチング回路は、第１、第２のスイッチ素子、第１の巻線の直列回路と、第１、第２の帰還用整流素子と、電圧バランス用抵抗とを有する。直流電圧が設定値を越える場合は、コンデンサの両端電圧を非導通の第１、第２のスイッチ素子に分担させ、直流電圧が設定値よりも低い場合は、周期的又は随時に第１、第２のスイッチ素子を導通させて逆極性電圧を負荷端子間に出力させ、第１、２のスイッチ素子をターンオフさせる場合は、第１、第２の帰還用整流素子が導通する期間に、第１、第２のスイッチ素子の両端電圧がコンデンサの両端電圧で制限される。 （もっと読む）

【課題】解離させるガス分子の種類やその解離エネルギーに応じてプラズマの電子エネルギー分布を容易に制御することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理装置１０は、プラズマ処理室１１と、プラズマ処理室１１と連通するプラズマ生成室１２と、プラズマを生成するための高周波アンテナ１６と、プラズマ中の電子エネルギーを制御するためのプラズマ制御板１７と、プラズマ制御板１７の位置を調整するための操作棒１７１及び移動機構１７２と、を備える。このプラズマ処理装置１０では、移動機構１７２により操作棒１７１を長手方向に動かし、高周波アンテナ１６とプラズマ制御板１７の間の距離を調整するだけで、プラズマ生成室１２内で生成されたプラズマの電子エネルギー分布を制御することができるため、解離させるガス分子の種類やその解離エネルギーに応じたプラズマ処理を容易に行うことができる。 （もっと読む）