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Fターム[4K030KA30]の内容

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Fターム[4K030KA30]に分類される特許

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【課題】基板上部で安定してプラズマを発生させることができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】基板に薄膜を形成する薄膜形成装置は、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に、薄膜形成に用いるガスを導入するガス導入部と、前記成膜空間において、前記ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ電極部を有する。前記プラズマ電極部は、電流が一方の端面から他方の端面に流れ、主面が前記成膜空間に向く、矩形形状のプラズマ生成用電極板と、前記電極板を両側の側面から挟むように前記電極板の側面に沿って並行し、前記成膜空間に向く端部がお互いに異なる極性を帯びた一対の磁石と、を備える。 (もっと読む)


【課題】基板表面に堆積させた不純物のラジカルの厚さ(量)を比較的高精度に測定し、その結果に基づいて所望量の不純物のラジカルに含まれる元素を基板に導入することができるプラズマドーピング装置及びプラズマドーピング方法を提供する。
【解決手段】プラズマ生成室12と、プラズマ生成室12に連通して設けられて処理対象である基板Sを保持するステージ31が設けられた処理室13と、を備え、プラズマ生成室12で生成されたプラズマ中の不純物のラジカルに含まれる元素を基板に導入するプラズマドーピング装置10であって、ラジカルの生成量を測定する測定手段50を備える構成とする。 (もっと読む)


【課題】基板上部で安定してプラズマを生成させることができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】基板に薄膜を形成する薄膜形成装置は、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に、薄膜形成に用いるガスを導入するガス導入部と、前記成膜空間において、前記ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ電極部を有する。前記プラズマ電極部は、電流が一方の端面から他方の端面に流れ、主面が前記成膜空間に向く、矩形形状のプラズマ生成用電極板と、前記電極板の前記主面の中央部分に前記電流の流れる方向に沿って設けられる凹状の溝部を充填するように設けられ、前記成膜空間に向く端部が同じ極性を有する磁石と、を備える。 (もっと読む)


【課題】メンテナンス作業による装置の稼働停止時間を短縮することにより、装置の稼働率を向上する。
【解決手段】真空チャンバ1には、高周波電源に電気的に接続可能な複数のコネクタと、これらコネクタに接続可能な複数本の電極棒を有するアレイアンテナユニット30と、が設けられている。この真空チャンバ1には、真空状態を維持したまま接続可能なアンテナ搬送チャンバ200がゲートバルブ201を介して接続可能となっている。アレイアンテナユニット30は、アンテナ搬送体70Aに保持されて真空チャンバ1からアンテナ搬送チャンバ200に搬出され、また、新たなアレイアンテナユニット30を保持したアンテナ搬送体70Bが、アンテナ搬送チャンバ200から真空チャンバ1内に搬入される。 (もっと読む)


【課題】大型基板を処理できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置は、チャンバと、前記チャンバ内に必要なガスを供給するガス供給部と、前記チャンバ内に配置され、高周波電力が印加される第1電極と、前記第1電極上に形成されて前記第1電極と電気的に接続されるコンデンサ部と、前記コンデンサ部上に形成されて前記コンデンサ部と電気的に接続される複数の第2電極と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマトーチユニットTにおいて、全体としてコイルをなす銅棒3が、石英ブロック4に設けられた銅棒挿入穴12内に配置され、石英ブロック4は、銅棒挿入穴12及び冷却水配管15内を流れる水によって冷却される。トーチユニットTの最下部にプラズマ噴出口8が設けられる。長尺チャンバ内部の空間7にガスを供給しつつ、銅棒3に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、基材2に照射する。 (もっと読む)


【課題】大気圧状態でも被膜の形成等のプラスチックボトル内面の処理を短時間で均一に実施することができるプラスチックボトル内面の処理方法及びプラスチックボトル内面の処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係るプラスチックボトル内面の処理装置1及び処理方法は、ガス供給間2を構成する、誘電体からなる供給管本体の内部に設けられた導電体の細棒部材が、プラスチックボトルBの内部を優れた共振系として、リング状共振器6からスリット61を介して360°方向から照射されたマイクロ波により表面波プラズマを形成する。よって、マイクロ波閉じ込め室Mには、極めて均一なプラズマ(表面波プラズマ)が生成され、大気圧状態でもボトルBの内部にプラズマを維持しやすくなり、供給された原料ガスを効率よくプラズマ化してボトル内面BIを均一に処理し、成膜等が効率よくかつ安定して行われることになる。 (もっと読む)


【課題】VHF帯の高周波電力の供給を行って大面積の被処理基板を処理した場合でも均一なプラズマを得ることができるプラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法を得ること。
【解決手段】プラズマ成膜装置は、真空チャンバと第1の電極とで成膜室が形成され、前記成膜室内に前記第1の電極に対向して配置された第2の電極上に被成膜基板が載置され、前記第1の電極と前記第2の電極との間に発生させたプラズマを用いて成膜をおこなうプラズマ成膜装置であって、前記第1の電極における前記第2の電極に対向する第1の主面の反対側の第2の主面は複数の給電点を有し、前記複数の給電点のそれぞれには、パルス変調された高周波電力が給電され、前記高周波におけるパルスは、on時間における第1の期間に第1の電力を有し、前記on時間における前記第1の期間に続く第2の期間に第2の電力を有し、前記第1の電力は、前記第2の電力より5%以上高い。 (もっと読む)


【課題】電力利用効率を向上できる高周波電力供給装置、プラズマ処理装置、及び半導体薄膜の製造方法を得ること。
【解決手段】高周波電力供給装置は、変動負荷に高周波電力を供給する高周波電力供給装置であって、高周波電源と、前記高周波電源と前記変動負荷との間に配され、前記変動負荷からの反射電力を分離するサーキュレータと、前記サーキュレータにより分離された反射電力の位相及び振幅を調整する調整部と、前記高周波電源から出力された電力と前記調整部により調整された反射電力とを合成して前記サーキュレータへ出力する電力合成部とを備えている。 (もっと読む)


【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマトーチユニットTにおいて、弧状の銅管3からなるコイルが、石英ブロック4の周囲に配置され、弧状の銅管3の弧が途切れた部分にプラズマ噴出口8が設けられる。筒状チャンバ内部の空間7にガスを供給しつつ、銅管3に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、基材2に照射する。 (もっと読む)


【課題】メンテナンス作業による装置の稼働停止時間を短縮することにより、装置の稼働率を向上する。
【解決手段】アンテナ交換方法は、複数の真空チャンバ1と基材搬送チャンバ150の内部を真空状態に減圧し、アレイアンテナユニット30をアンテナ搬送チャンバ200に収容し、そのアンテナ搬送チャンバ200の内部を真空状態に減圧し、アンテナ搬送チャンバ200と真空チャンバ1との内部を真空状態に維持したまま当該両チャンバを連通し、真空状態を維持したまま連通された両チャンバ間で、アンテナ搬送チャンバ200から真空チャンバ1にアレイアンテナユニット30を搬入し、真空チャンバ1内に搬入されたアレイアンテナユニット30の電極棒それぞれが、高周波電源に電気的に接続された複数のコネクタに接続されるようにアレイアンテナユニット30を真空チャンバ1内に掛け止めする。 (もっと読む)


【課題】1パスカル以下の低ガス圧でも放電開始や放電維持が容易で、基材表面へのプラズマダメージを最小限にするプラズマ処理装置を提供する。また、大面積プラズマ生成装置及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理容器内に低インダクタンス誘導結合型アンテナ導体を装着したプラズマ処理装置において、前記低インダクタンス誘導結合型アンテナ導体に高周波電力を給電する高周波電源として、放電プラズマを持続するための第1の高周波電源と、該第1の高周波電源の周波数より大きな周波数の高周波電力を給電する第2の高周波電源で構成する。 (もっと読む)


【課題】基板表面で均一な処理を生成するために、処理チャンバの内部に成分を分配する成分送給機構を提供する。
【解決手段】前記成分は、処理チャンバ12内のワークピース18を処理するために使用される。前記成分送給機構75は、成分を処理チャンバの所望の領域に出力する複数の成分出力部を含む。前記成分送給機構は、更に、複数の成分出力部に結合された空間分配スイッチ40,56を含む。前記空間分配スイッチは、成分を複数の成分出力部の少なくとも一つへ振り向けるように構成される。前記成分送給機構は、更に、空間分配スイッチに接続された単一の成分供給源36を含む。前記単一の成分供給源は、成分を空間分配スイッチへ供給するように構成される。 (もっと読む)


【課題】液体原料の利用効率を向上させ、原料ガスを安定してパルス的に供給することができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板S上に薄膜を形成する原子層堆積装置10であって、原料ガスと反応ガスとが供給される成膜容器20と、原料ガス供給管を介して原料ガスを供給する原料ガス供給部60と、反応ガスを供給する反応ガス供給部90と、原料ガスと反応ガスとが交互に供給されるように、原料ガス供給部と反応ガス供給部とを制御する制御部52と、を備え、原料ガス供給部は、薄膜の原料である液体原料を貯蔵する液体原料貯蔵部62と、原料ガスを生成するために、液体原料を加振する超音波振動部66と、液体原料貯蔵部に接続され、かつ、原料ガス供給管を通して成膜容器と接続される原料ガス供給バルブと、原料ガス供給バルブから成膜容器までの原料ガス供給管の温度を調節する温度調節部86と、を備える。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成で電極の給電点からの反射電力を小さくできる高周波プラズマ発生装置を得る。
【解決手段】第2インピーダンス整合器14a−14dは、可変移相器11a−11dで設定される位相が給電点7a−7dですべて同じになるような同相状態では、増幅器12a−12d側へ反射される電力が最小となるように各インピーダンスが整合され、第1インピーダンス整合器13A、13Bは、可変移相器11a−11dで設定される位相が給電点7a、7bと7c、7dで180度異なるような逆相状態では、第2インピーダンス整合器14a−14dの各インピーダンスの整合は同相状態の整合と同じままで、増幅器12a−12d側へ反射される電力が最小となるようにインピーダンスが整合され、第1及び第2高周波給電回路は、電極間の電界強度の平均が一様になるように、同相状態と逆相状態を高速に交互に切り替えて高周波を給電点7a−7dに供給する。 (もっと読む)


【課題】アレイアンテナユニットのメンテナンス作業を簡素化する。
【解決手段】アレイアンテナユニット30を保持して真空チャンバ1内を移動可能なアンテナ搬送体は、複数本の電極棒51、52を垂下させた状態でアレイアンテナユニット30を保持する一対の支柱75a、75bと、これら一対の支柱75a、75b間に懸架され、アレイアンテナユニット30の電極棒51、52の配列方向に長手方向を沿わせて位置する調整部材78と、を備える。調整部材78は、アレイアンテナユニット30の電極棒51、52の配列方向に延在する延在部78a、および、延在部78aから当該延在部78aの長手方向に交差する方向に突出し、隣り合う電極棒51、52の対向面に臨む移動制限部78bを有する。移動制限部78bは、延在部78aの長手方向に交差する方向にスライドして、電極棒51、52の対向面から退避可能に設けられている。 (もっと読む)


【課題】アレイアンテナユニットのメンテナンス作業を簡素化する。
【解決手段】プラズマCVD装置は、真空状態に減圧可能な内部にガス供給源から材料ガスが供給される真空チャンバと、真空チャンバに設けられ高周波電源に電気的に接続された複数のコネクタと、これらコネクタそれぞれに接続可能な複数本の電極棒51を有し、高周波電源から電力供給されることによりプラズマを発生させるアレイアンテナユニットと、を備える。アンテナ搬送体70は、真空チャンバ内を移動可能であって、アレイアンテナユニットを着脱自在に保持するアンテナ保持部材73、および、このアンテナ保持部材73に保持されたアレイアンテナユニットを昇降するエアシリンダ76を有する。アンテナ保持部材73には、アレイアンテナユニットを揺動可能に保持する荷重受け部77が設けられる。 (もっと読む)


【課題】炭素膜のもつ基材への高い密着性、硬度、および表面平坦性を利用し、ダイヤモンド砥粒やアルカリスラリーなどを用いることなく、ダイヤモンド、サファイヤ、硬質炭素膜などの硬度の高い材料表面を高速かつ簡便に、高い平坦性および精度で研磨、研削が可能な積層体を形成する方法を提供する。
【解決手段】基材を用意する工程と、ダイヤモンド微粒子を粉砕して前記基材上に該ダイヤモンド微粒子を設ける工程と、内部にSiO2材又はAl23材の供給源及び前記工程で得られた基材を設置したマイクロ波プラズマCVD反応炉内に、反応ガスを導入し、該反応炉内に表面波プラズマを発生させて、該基材上にSiO2材又はAl23材と炭素粒子とからなる膜を、該SiO2材又はAl23の量が前記基材側の下部層から上部層に向かって減少するように堆積させる工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】処理室の内側壁の温度を調節してスループットを向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内のプラズマが形成される処理室と、この処理室の下部に配置され試料が配置される試料台と、前記真空容器の上部に配置され前記処理室の上方を覆って内部を気密に区画する誘電体製の円板部材と、この円板部材の上方に配置されこの円板部材を透過して前記処理室内に供給される電界が導入される円筒形の空洞と、この空洞の中央部に連結された導波管であって内部を前記電界が伝播する導波管と前記空洞と、前記導波管との連結部の外周側に配置され前記空洞内部の外周から中央に向けて所定の高温のガスを供給する第一の供給口と、前記導波管に配置され低温のガスが供給される第二の供給口と、前記導波管に配置され前記第一及び第二の供給口から供給され内部を流れる前記ガスが排出される排出口とを備えた。 (もっと読む)


【課題】真空チャンバー3の天井壁15側に対する複数本の誘導結合型電極47の着脱作業の容易化をより一層図ること。
【解決手段】真空チャンバー3の天井壁15の外壁面に一対の支持櫓95が着脱可能に設けられ、各支持櫓95にスプリングバランサ101が吊すように設けられ、各スプリングバランサ101の作動部材107の先端部に真空チャンバー3の天井壁15の通孔17に挿通可能かつ上下方向へ移動可能な一対のスライドバー111が連結され、各一対のスライドバー111の下端部にホルダ65を係止可能な係止部材115が連結されていること。 (もっと読む)


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