【課題】プラズマを安定して維持することができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】金属膜が形成された基板を収容する真空容器と、電磁波の入射窓を有する誘導結合型のプラズマ発生機構とを備えたプラズマ処理装置により、基板に絶縁膜を成膜するプラズマ処理方法において、Ａｒプラズマ中のイオンにより基板の表面をＡｒスパッタ処理し（Ｓ３）、Ａｒスパッタした基板に絶縁膜を成膜し（Ｓ４）、基板を真空容器から搬出し（Ｓ５）、Ａｒスパッタにより入射窓の内壁に付着した原子を、酸素プラズマ処理により酸化する（Ｓ６）。 （もっと読む）

【課題】保守性に優れた高周波アンテナを持つプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】半円状の高周波アンテナと、前記高周波アンテナを被覆する絶縁性管とを備えたプラズマ発生装置において、前記絶縁性管は、凹部７及び凸部８を有する半円状に二分割された絶縁性部材５、６よりなり、凹部７と凸部８とを嵌め合わせて、スライドさせて一体化させたものであり、絶縁性管の断面の形状をプラズマが内部に侵入し難い形状とし、かつ絶縁性管を容易に分解できる構造とする。 （もっと読む）

【課題】アレイアンテナ式のＣＶＤプラズマ装置１の生産性を高いレベルまで向上させつつ、薄膜の品質を高めること。
【解決手段】サイド壁１３の内壁面に、片側に吸収面５１ｆを有しかつ基板Ｗを冷却する一対の冷却パネル４７が垂直に配設され、サイド壁１３の内壁面における一対の冷却パネル４７の間に、両側に吸収面６３ｆをそれぞれ有しかつ基板Ｗを冷却する複数の中間冷却パネル５９が垂直に配設され、サイド壁１３をチャンバー本体７の一側面側に対して着脱すると、各冷却パネル４７が前端部側の基板エリアＡとフロント壁９又は後端部側の基板エリアＡとリア壁１１との間に対して進退すると共に、各中間冷却パネル５９が各隣接する基板エリアＡ間に対して進退するようになっていること。 （もっと読む）

【課題】複数の処理部を順番に通過させ、複数種類の処理ガスを順番に供給すると共にプラズマ処理を行うにあたり、基板に均一な成膜処理を行うこと。
【解決手段】回転テーブルにおける基板載置領域側の面にプラズマ生成用のガスを供給するガス供給部と、プラズマ生成用のガスを誘導結合によりプラズマ化するために、前記回転テーブルの中央部から外周部に亘って伸びるように当該回転テーブルにおける基板載置領域側の面に対向して設けられたアンテナと、を備えるように装置を構成する。そして、前記アンテナは、前記基板載置領域における回転テーブルの中央部側との離間距離が、前記基板載置領域における回転テーブルの外周部側との離間距離よりも３ｍｍ以上大きくなるように配置する。 （もっと読む）

【課題】基板の処理の終了後に余熱によって薄膜に所望しない反応が生じてしまうことを防止でき、薄膜の結晶構造を安定させ、搬送ロボット等の破損を低減する。
【解決手段】複数の処理領域を有する反応容器内に設けられた基板支持部に基板を載置する工程と、基板を所定の処理温度に加熱しつつ、第１のガスを第１の処理領域内に供給し、プラズマ状態とした第２のガスを第２の処理領域内に供給し、第１の処理領域及び第２の処理領域を基板が通過するようにさせて、基板上に薄膜を形成する工程と、反応容器内への第１のガス及び第２のガスの供給を停止し、反応容器内に不活性ガスを供給して処理済みの基板を冷却する工程と、反応容器外に処理後の基板を搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマからラジカルのみを確実に選択的に通過させることができるラジカル選択装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０のチャンバ１１内において、載置台１２に載置されたウエハＷ及びプラズマジェネレータ１３の間に配置されるラジカルフィルタ１４は、上部シールドプレート１７と、プラズマジェネレータ１３との間に上部シールドプレート１７を介在させるように配置される下部シールドプレート１８とを備え、上部シールドプレート１７は当該上部シールドプレート１７を厚み方向に貫通する複数の上部貫通孔１７ａを有し、下部シールドプレート１８は当該下部シールドプレート１８を厚み方向に貫通する複数の下部貫通孔１８ａを有し、上部シールドプレート１７には負の直流電圧が印加され、下部シールドプレート１８には正の直流電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】絶縁性薄膜を成膜した場合であっても、アノードの機能を長時間維持できる圧力勾配型プラズマガンを提供する。
【解決手段】軸１０１に沿って順に配置された、カソード１と、第１および第２中間電極２，３と、アノード４とを有する。第１および第２中間電極２，３とアノード４はそれぞれ、プラズマを通過させるための所定の大きさの貫通孔２ａ、３ａ、４ａを軸１０１を中心として備えている。アノード４には、第２中間電極３とは逆側の側面の少なくとも一部を覆うアノードカバー３０が着脱可能に固定されている。アノードカバー３０は、貫通孔４ａの中心に向かって突出するつば部３３を有する。 （もっと読む）

【課題】電極剥がれや電極内での放電等を防止し、耐熱性に優れた放電電極および放電装置を提供することを目的とする。
【解決手段】従来の電極の部分を導電性の粉体５に替えることで、温度影響による電極剥がれを防止することができる。また、従来の誘電体バリアの部分を、セラミックあるいは石英で形成され、粉体５を収容可能に構成した筒６に替えることで、筒６と粉体５との間に隙間が生じにくいので、放電電圧が上昇しにくく、発熱しにくくなる。また、筒６がセラミックあるいは石英で形成されているので、耐熱性に優れ、ピンホールもなく、非常に長寿命が期待できる。その結果、電極剥がれや電極内での放電等を防止し、耐熱性に優れたプラズマ用電極１を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された高いアスペクト比の素子分離溝でも、空洞の発生を抑制して当該溝中にシリコン絶縁膜を埋め込むこと。
【解決手段】高いアスペクト比の素子分離溝が形成された基板を処理室に搬入する基板搬入工程と、前記処理室を第一ガスであるヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）含有ガス雰囲気にするシリコン含有ガス雰囲気工程と、前記処理室を第二ガスであるパージガス雰囲気にする第一パージガス雰囲気工程と、前記処理室を第三ガスである酸素ガスであってプラズマ状態の酸素含有ガス雰囲気にする酸素含有ガス雰囲気工程と、前記処理室を第二ガスであるパージガス雰囲気にする第二パージガス雰囲気工程と、前記シリコン含有ガス雰囲気工程、前記第一パージガス雰囲気工程、前記酸素含有ガス雰囲気工程、及び前記第二パージガス雰囲気工程を繰り返す工程と、を有する半導体装置の製造方法、及びそれを実現する基板処理装置である。 （もっと読む）

【課題】互いに反応する処理ガスを順番に供給して基板の表面に反応生成物を積層すると共に基板に対してプラズマ処理を行うにあたり、基板に対するプラズマダメージを抑えること。
【解決手段】２つのプラズマ発生部８１、８２を回転テーブル２の回転方向に互いに離間させて設けると共に、これらプラズマ発生部８１、８２とウエハＷとの間にファラデーシールド９５を各々配置する。そして、各々のプラズマ発生部８１、８２におけるアンテナ８３と直交する方向に伸びるスリット９７を各々のファラデーシールド９５に設けて、各々のアンテナ８３において発生する電磁界のうち電界については遮断し、一方磁界についてはウエハＷ側に通過させる。 （もっと読む）

【課題】高性能の光電変換装置を製造するための結晶質シリコン光電変換層の製膜条件設定方法を提供する。
【解決手段】製膜条件候補に対してＳｉＨ_４流量を増加させて結晶質シリコンからなる光電変換層９２を形成し、該光電変換層９２の高輝度反射領域の面積割合及び基板面内分布を取得する。分布が均一である場合製膜条件候補を最終製膜条件に設定し、分布が不均一である場合放電電極の各給電点に供給される高周波電力密度を調整して最終製膜条件を設定する。また、予め取得した任意のラマンピーク比を有する光電変換層９２についてＳｉＨ_４流量の変化量と高輝度反射領域の面積割合との相関関係に基づいて光電変換層９２のラマンピーク比を取得する。取得したラマンピーク比が設計値を満たす場合製膜条件候補を最終製膜条件に設定し、ラマンピーク比が設計値から外れる場合ＳｉＨ_４流量、ＳｉＨ_４分圧または高周波電力密度を調整して最終製膜条件を設定する。 （もっと読む）

【課題】熱陰極ＰＩＧプラズマＣＶＤ法によって雄スプライン部にＤＬＣ被膜を形成する場合に、ＤＬＣ被膜の膜厚のばらつきを小さくすることができるスプラインシャフトのＤＬＣ被膜の形成方法を提供する。
【解決手段】真空室６０内において、柱状のプラズマ７０ａの周囲に複数のスプラインシャフト１０を配置すると共に、柱延在方向に複数のスプラインシャフト１０を同軸状に並べて配置する。同軸状に並べて配置された複数のスプラインシャフト１０は、それぞれの雄スプライン部１６の間に軸方向隙間が形成されるように配置される。複数の雄スプライン部１６の軸方向隙間は、プラズマ７０ａの柱延在方向の中央部に位置するようにする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化珪素膜成膜後に成膜チャンバー内に付着した炭化珪素を含む付着物をｉｎ−ｓｉｔｕで精度よく除去可能な炭化珪素成膜装置及び炭化珪素除去方法を提供することを課題とする。
【解決手段】フッ素含有ガスを供給するフッ素含有ガス供給手段１３と、酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給手段１４と、フッ素含有ガス供給手段１３及び酸素含有ガス供給手段１４と接続され、フッ素含有ガス及び酸素含有ガスをプラズマ化させると共に、プラズマ化したフッ素含有ガス及びプラズマ化した酸素含有ガスを成膜チャンバー１１内に供給するプラズマ発生手段１５と、成膜チャンバー１１からの排ガスを分析する排ガス分析手段１９と、排ガス分析手段１９の分析結果に基づき、フッ素含有ガス供給手段１３、酸素含有ガス供給手段１４、及びプラズマ発生手段１５を制御する制御手段２１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】構成が簡単なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置、より具体的には、危険な原料ガスを用いる必要がなく、高速に成膜が可能なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴには、ソレノイドコイル３１が、石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル３１に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させる。誘導結合型プラズマトーチユニットＴと基材２間に設置したシリコン材料にプラズマが照射することで、基材２にシリコン系薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】アレイアンテナ式のＣＶＤプラズマ装置１の生産性を高いレベルまで向上させつつ、薄膜の品質を高めること。
【解決手段】予め設定した配設方向の一端部側の基板エリアＡとフロント壁９の壁面との間及び前記配設方向の他端部側の基板エリアＡとリア壁１１の内壁面との間に、片側に基板Ｗからの輻射熱を吸収可能な吸収面４５ｆを有しかつ基板Ｗを冷却する冷却パネル４１がそれぞれ配設され、隣接する基板エリアＡ間に、両側に基板Ｗからの輻射熱を吸収可能な吸収面５７ｆを有しかつ基板Ｗを冷却する中間冷却パネル５３が配設されたこと。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の形成のための方法が提供される。
【解決手段】 本方法は、プロセスチャンバ内の基板ホルダ上に基板を準備し、前記基板が、上部表面と側壁表面を持つ立ち上がり構造を含み；前記プロセスチャンバ内にプロセスガスを流し、前記プロセスガスが炭化水素ガス、酸素含有ガス、及び場合によりアルゴン又はヘリウムを含む。本方法はさらに、プロセスチャンバ内のプロセスガス圧力を少なくとも１トールに維持し、マイクロ波プラズマ源を用いてプロセスガスからプラズマを形成し、及び基板をプラズマに暴露して共形アモルファスカーボンフィルムを前記立ち上がり構造の表面上に堆積させることを含む。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に反応生成物を積層すると共にこの反応生成物に対してプラズマ改質を行うにあたり、基板に対するプラズマダメージを抑えること。
【解決手段】プラズマ発生部８０とウエハＷとの間に接地された導電材からなるファラデーシールド９５を設けると共に、プラズマ発生部８０において発生する電磁界のうち電界については遮断すると共に、磁界については通過させるために、アンテナ８３の長さ方向に対して直交する方向に伸びるスリット９７を当該アンテナ８３に沿って前記ファラデーシールド９５に形成して、各々のスリット９７の長さ方向における一端側及び他端側に、アンテナ８３の長さ方向に沿うように導電路９７ａ、９７ａを配置する。 （もっと読む）

【課題】処理容器の上部にマイクロ波導入機構を設けることが必須とされず、装置設計における自由度が高いマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波導入装置５は、マイクロ波を生成すると共に、マイクロ波を複数の経路に分配して出力するマイクロ波出力部５０と、マイクロ波出力部５０から出力されたマイクロ波を処理容器２内へ導入するアンテナユニット６０と、アンテナユニット６０により導入されたマイクロ波を処理容器２内に放射するマイクロ波放射モジュール８０と、を有している。マイクロ波放射モジュール８０は、誘電体窓部材としてのマイクロ波透過板８１と、導体部材としてのカバー部材８２とを有している。カバー部材８２は、マイクロ波透過板８１を介して処理容器２内に導入されるマイクロ波がウエハＷの方向へ向かうようにマイクロ波の方向を規制する。 （もっと読む）

【課題】例えば幅広ビーム源への使用に好適な、実用性に優れるラインプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】ラインプラズマ発生装置１０は、長手方向にマイクロ波を伝搬するための導波管１４と、長手方向に沿って配設され、導波管１４にプラズマを閉じ込めるための長手方向に交差する磁場を発生させるための磁石１６と、を備える。導波管１４は、側壁２４から管内に突き出して長手方向に延びるリッジ部２６を備え、リッジ部２６は側壁２４の外表面に長手方向に延びる凹部２８を形成してもよい。磁石１６は、凹部２８に配設されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】高周波電力の印加に伴って発生するノイズを低減することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハが搬入される処理室と、この処理室内にガスを供給するガス供給部と、処理室内を排気する排気部と、処理室内に高周波電力を印加する高周波印加部と、高周波印加部から発生するノイズを検出するノイズ検出部と、ノイズ検出部の検出結果に基づいて、前記高周波印加部から発生するノイズの逆位相の高周波を出力する逆位相出力部と、を有する。 （もっと読む）