【課題】電磁波の進行方向を任意に調整することができるサーキュレータ、及びこれを用いたワーク処理装置及びプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】ワーク処理装置Ｓ０は、マイクロ波を発生するマイクロ波発生手段１０１と、前記マイクロ波を伝搬する２つの導波管であって、互いに長さが異なる第１導波管１０２及び第２導波管１０３と、マイクロ波発生手段１０１と第１導波管１０２及び第２導波管１０３との間に介在されるセレクタ１０４とを備える。セレクタ１０４は、磁性体部材１０６を備え、この磁性体部材１０６の磁化度合いを調整することでセレクタ１０４内の導波空間１０４２を通過する電磁波の偏向方向を調整する調整手段１０７を具備する。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、概して、大面積基板に堆積したフィルム、特に、ＰＥＣＶＤシステムに堆積したフィルムの均一性を改善する方法及び装置を提供する。一実施形態において、プラズマ処理チャンバは、基板に対して非対称に構成されており、望ましくない磁場により生じたチャンバ内のプラズマ密度不均一性を補正する。他の実施形態において、プラズマ処理チャンバは、チャンバの磁場生成フィーチャーを通る電流の流れを減じる中性電流バイパス経路を作成するように適合されている。他の実施形態において、プラズマ処理チャンバにおいて、大面積基板に均一なフィルムを堆積する方法が提供される。中性電流バイパス経路を作成することにより、処理中、チャンバは電気的に対称となる。中性電流バイパス経路は、チャンバの磁場生成フィーチャーを通る中性電流の流れを大幅に減じる。
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【課題】全体のｒｆ電極表面の下にほぼ均一な磁束分布パターンを生成し均一なウェハー処理速度を実現できるプラズマ処理方法および半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】このプラズマ処理方法は、下部電極２上に搭載されたウェハー２３の表面の付近の空間に容量結合型プラズマを生成し、ウェハーを処理するプラズマ処理方法であって、下部電極に対向する上部電極１の外側面上または内部に配置されたポイントカスプ磁界を作るための複数のマグネット６を、その周縁領域に広がる方向に、同じマグネット配列によって延長して配列し、上部電極の内側表面の近くには均一な磁束分布パターンによるポイントカスプ磁界７を作り、このポイントカスプ磁界７に基づき容量結合型プラズマを生成してウェハーを処理する。 （もっと読む）

【課題】 酸素ガス、水蒸気等の透過を阻止するバリア性に優れ、更に、保存性、貯蔵性等に優れた液体紙容器を提供する。
【解決手段】 少なくとも、最外層１、紙基材２、エチレン−不飽和カルボン酸またはそのエステル化物との共重合体による３００℃以下で溶融押出した樹脂層からなる接着剤層３、基材フィルム４の一方の面に無機酸化物の蒸着膜５と一般式Ｒ¹ _n Ｍ（ＯＲ² ）_m で表される少なくとも１種以上のアルコキシドと、ポリビニルアルコ−ル系樹脂及び／又はエチレン・ビニルアルコ−ル共重合体とを含有し、更に、ゾルゲル法によって重縮合して得られるガスバリア性組成物によるガスバリア性塗布膜６とを設けた構成からなるバリア性層７、および、メタロセン触媒を使用して重合したエチレン−α・オレフィン共重合体層からなる最内層８を順次に積層して積層材Aを構成し、更に、該積層材Aを使用し、これを製函してなることを特徴とする液体紙容器。 （もっと読む）

【課題】三次元形状もしくは複雑な形状の物品表面に均一性良く成膜でき、基板ホルダーが安価ですむプラズマ成膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマ４を保持及び収束する磁場を発生させる手段としてのプラズマ収束コイル１を用い、成膜される基板３の裏側に、該基板３に沿わせた形状を有しかつ材質が強磁性体である基板ホルダー２を設置する。プラズマ収束コイル１による磁場と、基板ホルダー２が磁化されることによってできる磁場との合成磁場により、プラズマ４を基板３に沿うように近づける。 （もっと読む）

【課題】良質のプラズマを供給すること。
【解決手段】プラズマ発生空間２２がプラズマ処理空間１３に隣接し且つ連通しているプラズマ処理装置において、プラズマ発生空間２２が分散等して形成され、且つプラズマ発生空間２２内に電子を封じる磁気回路２５が付設される。プラズマ成分比率の制御性がよい。プラズマ分布の均一性確保とプラズマ処理空間からプラズマ発生空間へのガス流入阻止の両立が図れる。さらに、プラズマ処理空間１３を可動壁体４０で囲んで、圧力制御性も高める。 （もっと読む）

【課題】良質のプラズマを供給すること。
【解決手段】プラズマ発生空間２２がプラズマ処理空間１３に隣接し且つ連通しているプラズマ処理装置において、プラズマ発生空間２２が分散等して形成され、且つプラズマ発生空間２２内に電子を封じる磁気回路２５が付設される。プラズマ成分比率の制御性がよい。プラズマ分布の均一性確保とプラズマ処理空間からプラズマ発生空間へのガス流入阻止の両立が図れる。さらに、プラズマ処理空間１３を可動壁体４０で囲んで、圧力制御性も高める。 （もっと読む）

【課題】外部電極と内部電極をボトル形プラスチック容器と相似形に成形しなくとも、該容器の内面に全体的に均一なＤＬＣ膜を形成することができ、外部電極内の空気を高速排気する際にボトル形プラスチック容器の口の付近で乱流が生じてコーティング効果が損なわれないようにする。
【解決手段】外部電極１がボトル形プラスチック容器２を該容器の底部側から収容可能な形状に成形され、該容器の軸方向と略平行に磁界Ｍを印加する磁界印加手段１７が容器の縮径部１８に対して集中的に磁界を印加するように構成され、外部電極１と排気管１１との間に、複数の貫通孔１２を通じて外部電極１の内部に連通せられる排気流緩和用真空チャンバ１３が介装されている。 （もっと読む）

【課題】 基材表面に均一かつ良質な薄膜を安定して形成できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 チャンバ３内にはガス供給部７−１、７−２、７−３が設けられる。チャンバ３内の基材１３の同一表面側には電極３５−１、３５−２を有する電極ユニット１５−１、１５−２が回転可能に設けられ、電源１７から電力が供給される。
成膜時には、チャンバ３内にガス供給部７−１、７−２、７−３から成膜用ガスが供給され、電極３５−１、３５−２はプラズマを発生し、基材１３上に薄膜が形成される。
また、成膜中は、電極ユニット１５−１、１５−２の間の距離は放電インピーダンスが一定になるように調整される。 （もっと読む）

【課題】 基材表面に均一かつ良質な薄膜を安定して形成できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 チャンバ３内にはガス供給部７−１、７−２、７−３が設けられる。チャンバ３内の基材１３の同一表面側には電極３５−１、３５−２を有する電極ユニット１５−１、１５−２が回転可能に設けられ、電源１７から電力が供給される。
成膜時には、チャンバ３内にガス供給部７−１、７−２、７−３から成膜用ガスが供給され、電極３５−１、３５−２はプラズマを発生し、基材１３上に薄膜が形成される。
また、成膜中は、電極ユニット１５−１、１５−２の間の距離は放電インピーダンスが一定になるように調整される。 （もっと読む）

【課題】 基材表面に均一な薄膜を安定して形成できるＣＶＤ成膜法による成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】 チャンバ３内に、隔壁５、７により成膜室８、第１、第２排気室９、１１が設けられるとともに、基材１６を成膜室８に送り出す第１基材搬送室１５および成膜後の基材１６を回収する第２基材搬送室１９が設けられる。成膜室８内において基材１６は直状のフリースパン部で成膜される。成膜室８内には、基材１６の両面に成膜可能なように、ガス供給部２１および電極ユニット２７が設置され、基材１６の上下両面に対してガス供給部２１から成膜ガスが噴射される。基材の上下両側に電極５５を有する電極ユニット２７が設置され、電源２９により電力を供給してプラズマ２８を発生し、基材１６の両面に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 基材表面に均一な薄膜を安定して形成できる成膜装置及び成膜方法を提供すること。
【解決手段】 チャンバ３内にガス供給部７−１、７−２、７−３が設けられる。チャンバ３内の基材１３の同一表面側に電気的にフローティングレベルに設定された電極３５−１、３５−２が設けられ、電極１５−１、１５−２に電源１７から電力が供給される。チャンバ３内にガス供給部７−１、７−２、７−３から成膜用ガスが供給され、電極３５−１、３５−２からプラズマが発生し、基材１３上に薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】 基材表面に均一な薄膜を安定して形成できる成膜装置及び成膜方法を提供すること。
【解決手段】 チャンバ３内に基材搬送室９、成膜室１１、排気室１３が形成される。巻出しローラ１５は基材１６を巻回しており、基材１６はガイドローラ２１−１、２１−２、張力ピックアップロール２３−１、ガイドローラ２１−２を介してドラム１９に巻きつけられ、更にガイドローラ２１−３、張力ピックアップロール２３−２、ガイドローラ２１−４、２１−５を介して巻取りローラ１７で巻き取られる。ガス供給部３７から基材１６に向けて、成膜ガスが放出され、電気的にフローティングレベルに設定され、基材同一面側に配置された電極５５−１、５５−２間に電力が供給され、プラズマ４が発生し、基材１６の表面に薄膜が形成される。 （もっと読む）

本発明は、膜を堆積させる方法と装置を提供する。ある実施形態では、基板コーティング領域と電極クリーニング領域とを有する成膜室を提供する。これらの実施形態において、電極は、成膜室内に配置され、第一および第二の磁気装置を配置する中空部を有する。ある実施形態では、上記のような成膜室を用いて、基板上に膜を堆積させる方法を提供する。本発明はまた、膜堆積装置用の電極部も提供する。ある実施形態では、電極部は中空部を有する回動可能な電極（オプションとして炭素などからなる外部コーティングを有する）を備え、固定され、略対向している第一および第二の磁気装置が、この中空部に配置されている。
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流動懸濁物又はエアロゾルから固体粒子をフィルター上に蒸着し、次いで固体粒子を接着剤を用いて第二基材に接着することからなる薄膜材料形成法。
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【課題】良質のプラズマを供給。
【解決手段】プラズマ発生空間２２がプラズマ処理空間１３に隣接し且つ連通しているプラズマ発生装置において、プラズマ発生空間２２が分散等して形成され、且つ交番電界・磁界をプラズマ処理空間１３に印加する第１印加回路３１、及びこの回路３１から独立して交番電界・磁界をプラズマ発生空間２２に印加する第２印加回路３２が設けられ、この第２印加回路３２は出力が所定周期で強弱Ｐｃ，Ｐｄ変化するとともにその強弱の時間割合Ｐｄ：Ｐｅが可変制御Ｐａしうる。プラズマ分布の均一性確保とプラズマ処理空間からプラズマ発生空間へのガス流入阻止の両立が図れるうえ、プラズマ成分比率の制御性がよいことに加えて、イオン種の直進速度も独立に制御可能となる。 （もっと読む）

【課題】 少なくとも二つの真空チャンバーを多重配列して一体化し，少なくとも二つの被処理基板を並列で処理するプラズマ反応チャンバーを提供する。
【解決手段】 二つの真空チャンバー３０，３２とこれらの真空チャンバーを連結する二つの内部連結通路１６，１８を有するチャンバーハウジング１０と，二つの真空チャンバーと二つの内部連結通路を通して形成される放電経路４７で誘導起電力を伝逹するようにチャンバーハウジングの内部に設置される少なくとも一つのマグネチックコアー４０，４２と，マグネチックコアーが電源供給源に繋がれ放電経路にプラズマを励起するための起電力を供給する巻線コイル４１，４３を具備し，チャンバーハウジングに設置され真空チャンバーにガスを入出力するガス入力ポート２０，ガス出力ポート２５とを包含する。かかる構成により，単位面積当たりの生産性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理システム及び方法
【解決手段】プラズマ処理システムは、磁界を生成することができる磁界発生器と、該システムの処理チャンバ内の粒子を照射することが可能な光シートを生成することができるシート光学素子とを含む。イメージング装置は、該光シートにより照射された粒子に対応するイメージデータを獲得することができる。該磁界発生器、該シート光学素子及び該イメージング装置は、プラズマにアクセスするために、互いに関連するように配置することができる。イメージプロセッサは、該光シート内の粒子の濃度を得るために、該イメージデータを処理することができる。プラズマ処理システムにおける粒子濃度を測定する方法は、該磁界発生器、シート光学素子及びイメージング装置を、プラズマにアクセスするために互いに関連するように配置することと、該光シート内の粒子の濃度を得ることと含む。 （もっと読む）

【課題】比較的大面積の基板上に形成対象物（例えばカーボンナノチューブ）を該基板面に対する垂直配向性良好に立ち上がるように堆積成長させることができるプラズマ化学気相堆積装置及びプラズマ化学気相堆積方法を提供する。
【解決手段】真空容器１内に配置された三つの電極のうち電極２１上に基板Ｓを設置し、容器１内へ形成対象物（例えばカーボンナノチューブ）の堆積成長のためのガスを導入するとともに容器１内を排気して所定のガス圧に設定しつつ電極２１、２２間に直流電圧を印加して直流放電プラズマＰ１を形成する一方、電極２３に高周波電圧を印加して高周波放電プラズマＰ２を発生させ、プラズマＰ２をＤＣ放電プラズマＰ１へ拡散させつつ基板Ｓ上に形成対象物を堆積成長させるプラズマ化学気相堆積装置Ａ及び装置Ａによるプラズマ化学気相堆積方法。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板等の基板上に効率よく硬質炭素膜を製造する方法を提供すること。
【解決手段】 本発明によって提供される硬質炭素膜の製造方法は、反応容器２内に被処理材３を配置する工程と、前記反応容器内に配置された被処理材３の裏面に磁石１５ａ１５ｂを配置し、該被処理材３の表面側とその近傍に局部的に磁場を形成する工程と、前記反応容器２内に原料ガスを導入するとともに、該反応容器２内においてプラズマを発生させる工程を包含する。 （もっと読む）