【課題】本発明は、簡単な構成で小型かつ安価に作製することができ、基板の有効な表面にわたって膜厚が均一な薄膜を高速で堆積することができるプラズマＣＶＤ装置及び薄膜形成方法を提供することを目的とする
【解決手段】真空室内に、平板状放電電極と基板とを互いに対向して設置し、真空室内に導入した反応性ガスをプラズマ発生手段によりプラズマ化し、基板上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置であって、前記基板と前記平板状放電電極との間の空間に、基板表面近傍に高密度プラズマ領域を形成するための磁界を発生させる閉ループ型磁界発生機構を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜される膜厚の均一性が優れた金属膜作製装置及び金属膜作製方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１に基板３を設置し、チャンバ１内に配設された金属部材１１の近傍に、ハロゲンを含有する原料ガスを供給すると共に、原料ガスのプラズマ１５を発生させて、ハロゲンのラジカルを生成し、ハロゲンのラジカルにより、金属部材１１をエッチングして、金属部材に含まれる金属成分とハロゲンからなる前駆体１６を生成し、金属部材１１より低い温度に基板３を制御すると共に、基板３の面内の温度分布を、周縁部で低く、中央部で高くし、基板３に前駆体１６を吸着させると共に、吸着された前駆体１６をハロゲンのラジカルにより還元して、金属膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】処理対象物の寸法が大きくなったとき、処理対象物の表面における電子温度分布が不均一になることを防止するプラズマ生成装置を提供する。
【解決手段】リング状放電用電極１５と、真空容器１１内部に磁界を形成し、この磁界と放電用電極１５に放電用電力を供給して得られる高周波電界とにより真空容器１１周辺部でプラズマを生成する永久磁石２７，２８と、真空容器１１と同軸的に設け、かつ放電用電極１５近傍で放電用電極１５内側を覆うことで真空容器内部領域をその中心軸に垂直な方向にプラズマ生成領域Ｒ１とプラズマ拡散領域Ｒ２とに分割するように設けられた領域分割部３０とを備え、領域分割部３０は複数の電子通過孔を有するとともに放電用電極１５と対向配設されるグリッドと、前記グリッドを真空容器１１に固定するための仕切板を有し、前記グリッド及び前記仕切板は同電位かつ零電位に設定される。 （もっと読む）

【課題】プラズマの不均一を改善することにより、プラズマダメージを抑え、得られる半導体素子の性能や製品歩留りの劣化を抑えることが可能な半導体製造方法と半導体製造装置を提供する。
【解決手段】反応室１１内に設けられた下部電極１３にウェハｗを載置し、反応室１１内にプロセスガスを導入し、ウェハｗの被処理面と離間するように磁場を印加し、下部電極１３と、下部電極１３と対向配置された上部電極１２間に高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、プラズマが安定化した後、磁場を除去し、ウェハｗをプラズマ処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウエハの処理条件に応じてプラズマの周辺領域の分布を容易に制御する。
【解決手段】上部電極の周囲を囲むように固定して設けられた環状コア３１０と，環状コアの下面に突出して形成された複数のティース部３１２と，これらティース部間に下方に向かって上方に戻る経路を形成する磁力線が環状コアの周方向全周に亘って複数発生するように巻回した複数の巻線からなるコイル３２０とを有する移動磁場形成部３００と，コイルの各巻線にそれぞれ位相の異なる交流電流を流して磁力線を時間的に変化させることで周方向に回転する移動磁場を形成するための磁場形成用電源とを備え，ウエハの処理条件に応じて磁場形成用電源からの交流電流を制御することにより移動磁場を制御する。 （もっと読む）

アノード（９）とカソード（７＝との間の真空プラズマ放電を用いてワークピースまたは基板の表面を処理し、このような処理により、アノード材料の直流インピーダンス比よりも高い直流インピーダンス比を有する固体（１９）がアノード表面（２１）上に形成および堆積する場合、当該アノード表面の少なくともある部分を、遮蔽プラズマ（２５）を当該部分に確立することにより、このような堆積物から遮蔽する。
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【課題】 プラスチック製容器本体の内面の全面にプラズマを加速度を持って衝突させて、全面に十分なガスバリア性の薄膜を有するプラスチック製容器の製造法を提供する。
【解決手段】 外部電極と内部電極を備え、該外部電極は、プラスチック製容器本体の主要部よりやや大きめの相似形の空間を有する反応室を備え、また、該内部電極は、反応室内に配置され、かつ、内部電極は、複数の原料ガス吹き出し孔を備え、また、内部電極には原料ガス供給管が連設され、更に、反応室には真空源が排気管を介して接続され、外部電極には整合器を介して高周波電源が接続され、内部電極には原料ガス供給管を介して接地され、外部電極の周りには磁石が配置されている高周波ブラズマＣＶＤ装置を用いてプラスチック製容器本体の内面に十分なガスバリア性の薄膜を有するプラスチック製容器の製造法に関するものである。 （もっと読む）

【課題】十分なガスバリア性の薄膜を有するプラスチック製容器の製造法を提供する。
【解決手段】高周波プラズマＣＶＤ装置を用い、外部電極１２内に薄膜を被着させるべきプラスチック容器本体１を配置し、プラスチック容器本体１内に内部電極１６を配置し、電極間に高周波電圧を印加し、且つ磁力線、内部電極１６の回転等によりプラズマを加速度を持ってプラスチック容器本体１の内面に衝突させ、減圧下で、反応室Ｃ内の反応性ガスの高周波グロー放電分解によりプラスチック容器本体１の内面にガスバリア性薄膜を形成する。 （もっと読む）

プラズマ法を実施するための真空処理装置もしくは真空処理方法であって、このとき前記処理は真空室（１）内で行われ、前記真空室には、陰極（１０）及び前記陰極にアーク発生器を介して電気的に接続可能な陽極（１３）から構成されている、低電圧アーク放電（１５）（ＮＶＢＥ）を発生させるための装置と、ワークピース（２）を受容及び移動させるための、電気的にバイアス発生器（１６）に接続可能なワークピースキャリア（７）と、少なくとも１つの不活性ガス及び／又は反応性ガスのための供給口（８）と、が配置されている。このとき、少なくとも前記陽極の表面の一部はグラファイトから構成されており、高温にて作動する。
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【課題】ワークコイルと被加熱物との空間において、グロー放電の発生を抑制する。被加熱物からの熱輻射を抑制し、この熱輻射によってワークコイルや周囲機構が加熱されて温度が上昇することを抑制する。
【解決手段】高周波誘導加熱装置は、減圧環境で使用する高周波誘導加熱作用を利用した加熱機構において、基板を保持する被加熱部と、高周波電流の供給を受け高周波誘導によって被加熱部に誘導電流を流して加熱するワークコイルとを備える。ワークコイルと被加熱部とは所定間隔を開けて配置し、ワークコイルと被加熱部との間に電界シールドを設置し、被加熱部と電界シールドとを同電位とする。高周波誘導加熱装置は、電界シールドを設置し、この電界シールドと被加熱部とを接地電位等の同電位とすることで、被加熱部と電界シールドとの電位差を無くし、これによって被加熱部と電界シールドとの間におけるグロー放電の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】シート形状のプラズマを用い、処理対象が３次元構造である場合でも処理を均一に行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】中間電極から陽極に向かって引き出されたプラズマに対して、対向する方向からプラズマ軸に向かう一対の磁界を印加して該方向に交差する方向にプラズマ径を広げ、プラズマの断面形状を扁平にする。一対の磁界の印加方向を軸を中心に回転させ、プラズマの扁平な方向を軸を中心に傾斜させる。これにより、立体構造の基板の端部（側面部）にプラズマを傾斜させて接近させることができるため、基板の中央部と端部の処理速度の分布を低減し、処理速度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】皮膜フレークの発生や皮膜品質の安定性に悪影響を及ぼす、真空チャンバー内部への皮膜堆積を抑制することができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】巻き掛けられた基材Ｓが対向するように平行に対向して配置された一対の成膜ロール２，３と、前記各成膜ロール２，３の内部に設けられ、前記成膜ロールの間の対向空間５に面したロール表面付近にプラズマを収束させるように磁場を発生させる磁場発生部材１２，１３と、一方の電極と他方の電極とが交互に極性が反転するプラズマ電源１４と、前記対向空間５に成膜ガスを供給するガス供給管８及び前記対向空間を真空排気する真空排気手段を有する。前記プラズマ電源１４は、その一方の電極が一方の成膜ロール２に接続され、他方の電極が他方の成膜ロール３に接続される。 （もっと読む）

【課題】成膜対象物たる中空体の内面に均一にＤＬＣ膜を形成することのできる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】チャンバー内を減圧する減圧手段と、中空体内に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、中空体を囲む空間を形成し、この空間内で発生した放電によって中空体内の原料ガスをプラズマ状態とする電極と、電極の外側に配置され、中間体を囲む空間内に磁場を発生させる磁場発生手段と、を備え、磁場発生手段が発生した磁場を用いて、プラズマ状態の原料ガスによって中空体の内面に膜厚が均一なダイアモンドライクカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】瞬時電力の設定値と比べて、マグネトロンにより照射されたマイクロ波の瞬時電力の正確さを改善し最適化する。
【解決手段】マグネトロンへの電力供給をマイクロ波の瞬時電力の設定値の関数として以下のように調整する。マグネトロンの電気効率の値を予め決めてメモリに記憶する。マイクロ波の平均電力の設定値を入力し、それを変換して電力信号の瞬時値の設定値を得る。マグネトロンに供給されたアノード電流と高電圧の瞬時値を測定してサンプリングする。サンプリング時におけるアノード電流の瞬時値に高電圧の瞬時値を乗算し、マグネトロンの電気効率の所定値を乗算して、サンプリング時におけるマイクロ波の瞬時電力を得る。連続したサンプリング時において有効な所定の調整関係の関数として修正された、連続したサンプリング時におけるマイクロ波の瞬時電力を決定する。それを修正されたマイクロ波の瞬時電力を表すアナログ信号に変換する。 （もっと読む）

【課題】プラズマを閉じ込めるための方法及び装置を提供する。
【解決手段】一実施形態において、プラズマを閉じ込めるための装置は、基板支持体と、プラズマが形成されるべき、前記基板支持体の少なくとも上部に設けられた第１の領域と、前記プラズマが選択的に抑制されるべき第２の領域との間の境界線の近傍で磁界を形成するための磁界形成デバイスを含む。この磁界は前記プラズマを形成するために用いられるプロセス条件に依存して、前記第１の領域から前記第２の領域へのプラズマの荷電活性種の動きを選択的に抑制する、プラズマの閉じ込めの方向に垂直な所要の磁界成分を有する。 （もっと読む）

プラズマからの蒸着により基板（１４）上に非晶質材料、例えば、アモルファスシリコンの膜を形成する方法を開示している。基板は定義された容量を有する容器内に配置して、前駆ガス、例えばシラン、を各管（２０）を通じて容器内に導入している。未反応および解離ガスを容器から出口（２２）を通じて抽出し、これにより容器内を低圧にする。容器内でプラズマを生成するために分散型電子サイクロトロン共鳴により容器内のガスにマイクロ波エネルギーを導入し、プラズマから材料を基板上に蒸着する。前駆ガス流動速度を分散したプラズマソースの面積で割ったものとして定義している正規化した前駆ガスの流動速度は700sccm/m²以上であり、反応装置の容量を有効前駆ガスポンピング速度で割ったものとして定義しているガス滞留時間は30ms以下である。 （もっと読む）

プラズマから基板へ膜を蒸着するための装置について記載している。本装置は、容器と、前記容器内に配置されている複数のプラズマ生成要素と、基板を支持するための前記容器内にある手段とを備えている。各プラズマ生成要素がマイクロ波を放出する一端を有するマイクロ波アンテナと、前記アンテナ端の領域内に配置されて、分散型電子サイクロトロン共鳴を用いてその中でプラズマを生成できる電子サイクロトロン共鳴領域を画定する磁石と、膜用前駆ガスまたはプラズマガス用の排気口を有するガス進入要素とを備える。前記排気口が、前記マイクロ波アンテナから見て、前記磁石の先に位置する膜蒸着区域に向けてガスを方向付けるように配置されており、前記排気口が前記高温電子閉じ込めエンベロープの中または上に位置する。 （もっと読む）

分散型電子サイクロトロン共鳴で形成されたプラズマから基板上に膜を蒸着するために使用するプラズマ励起装置について記載している。本装置は、マイクロ波を放出する一端を有するマイクロ波アンテナと、前記アンテナ端の領域内に配置されて、その中でプラズマを生成できる電子サイクロトロン共鳴領域を画定する磁石と、膜用前駆ガスまたはプラズマガス用の排気口を有するガス進入要素とを備えている。前記排気口が、前記マイクロ波アンテナから見て、前記磁石の先に位置する膜蒸着区域に向けてガスを方向付けるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマの電子密度及び電子温度を正確に測定し、リアルタイムモニタリングでき、量産工程に適した、プラズマ電子密度及び電子温度のモニタリング装置並びに方法を提供すること。
【解決手段】一連される周波数帯域の電磁波が連続送出される電磁波発生器３００と、送出される電磁波の周波数がプラズマの電子密度及び電子温度に対して相関関係を有するように反応容器１００内のプラズマ１００ａに接続され、電磁波発生器３００に電気的に連結されて電磁波を送出する電磁波送受信機２００と、電磁波送受信機２００から受信される電磁波の周波数を分析するように電磁波送受信機２００に電気的に連結される周波数分析器４００と、電磁波の周波数帯域別の送出指令と、分析データに基づいた電子密度及び電子温度と各電磁波の相関関係演算のためのコンピュータ５００で構成される。 （もっと読む）

【課題】緻密かつ均一な膜を高い成膜速度にて形成することができる成膜装置及び成膜方法を提供すること。
【解決手段】成膜対象となる基材５を配置する真空槽１１内にプラズマを発生するプラズマ発生手段２と、プラズマ発生手段２によって発生させたプラズマを基材５の周辺の閉込め空間に閉じ込めるマルチカスプ磁界を形成するマルチカスプ磁界発生手段３と、基材５を保持すると共に閉込め空間の中心近傍を中心軸として回転する保持回転手段４とを有することを特徴とする成膜装置１。真空槽１１内に、プラズマを発生させると共に、プラズマを基材５の周辺の閉込め空間に閉じ込めるマルチカスプ磁界を形成し、基材５を閉込め空間の中心近傍を中心軸として回転させながら、基材５の表面に成膜を行うことを特徴とする成膜方法。 （もっと読む）