【課題】従来においては、基板の表面に付着する異物によって反応容器に接続される複数の配管が閉塞しつつあるか否かを判定する方法がなかった。
【解決手段】データ処理装置４０において、複数の配管が接続される成膜装置１に関して、直近のメンテナンス後の累積成膜量又は累積稼働時間と成膜過程で前記基板に付着する異物密度との関係において、１個の変曲点を有し、かつ、累積成膜量又は累積稼働時間の増加に対して異物密度の最大値が一定値に飽和する漸近線で近似可能か否かを判定する判定手段３３と、漸近線で近似できる場合に、直近のメンテナンス時期から変曲点を得た時期に至るまでの間隔と、登録された過去のメンテナンスした配管に係るメンテナンス時期から変曲点を得た時期に至るまでの間隔と、を比較することにより、異物によって閉塞しつつある配管の候補を特定する候補特定手段３５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ボート上にダミーウエハと隣接して製品ウエハを搭載するようにした基板処理装置において、製品ウエハの面間膜厚均一性を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ボート上に、表面に凹凸が形成された複数の第１の基板（製品ウエハ）を積層保持するとともに第１の基板の上端若しくは下端に第１の基板よりも表面の凹凸が少ない第２の基板（ダミーウエハ）を保持し、処理室内にて第１の基板および第２の基板を処理する際に、第１の基板および第２の基板に向けて処理ガスを供給するとともに、第２の基板に向けて不活性ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】容易かつ高精度に膜硬度を計測する膜硬度計測方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】ＱＭＳ２０により、放電中のプラズマにおけるイオン種を計測し、計測された電流値からＨ＝１、Ｃ＝１２という事実を用いてイオン種の質量と定義し、この質量を、水素流量比０、パルス周波数２０ｋＨｚという条件での値で除することでイオン種の総質量比として算出した。上記水素流量比及びパルス周波数の条件下でＤＬＣ膜が生成されると、チャンバ１１内を大気圧に戻し、この生成されたＤＬＣ膜に対して、ラマン分光分析装置３０によりレーザー光を照射し、散乱したラマン散乱光を検出することで生成膜中の規則性六員環の多さを示すＤピークとＧピークの積分強度比Ｉ_D／Ｉ_Gを算出した。生成された各々のＤＬＣ膜の硬度を、ＱＭＳ２０により算出されたイオン種の総質量比と、ラマン分光分析装置３０により算出された積分強度比と、に基づいて計測した。 （もっと読む）

【課題】従来のＣＶＤ法の欠点とＡＬＤ法の欠点を改善し、薄膜化の要求に応えるとともに、高い成膜速度を実現する。
【解決手段】ＣＶＤ反応が生じる条件下でそれ単独で固体となる第１元素を含むガスを供給して基板上に第１元素を含む第１の層を形成する工程と、それ単独では固体とならない第２元素を含むガスを供給して第１の層を改質して第１元素および第２元素を含む第２の層を形成する工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを１回以上行い、所定膜厚の第１元素および第２元素を含む薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板（３５）上にフィルムを蒸着する方法を提供する。
【解決手段】基板（３５）は、約０．１ミリトールから約１００ミリトールの圧力で反応容器（１）に入れられる。この方法は、ｉ）少なくとも１つの有機金属化合物を含むガス前駆体を、約２０℃から約１５０℃の温度、約０．１トールから約１００トールの蒸気圧で反応容器に供給し、ｉｉ）反応容器に、パージガス、酸化ガス又はこれらの組み合わせを供給する、ことを含む反応サイクルを基板に施すことを含む。 （もっと読む）

【課題】プロセス結果に悪影響を及ぼす処理ガス供給周期パターンを予め変更しておき、基板に対する適切な処理を行う。
【解決手段】設定値入力部４１からの情報に基づいて、基板回転機構の回転周期、処理ガスの供給周期、処理ガスの供給時間及び処理ガスの供給回数を含む処理ガス供給周期パターン演算結果が、パターン演算部４２において求められる。設定値入力部４１からの情報に基づいて、基板上に供給される処理ガスの供給領域の形状がシミュレータ４９によりシミュレーションされ、その結果がディスプレイ５０に表示される。比較部４３において、パターン演算部４２からの処理ガス供給周期パターンの演算結果と、記憶部４５からのプロセス結果に悪影響を与える処理ガス供給周期パターンの参照結果とが比較される。比較部４３において、処理ガス供給周期パターンの演算結果と、プロセス結果に悪影響を与える参照結果が一致した場合、アラーム部４４からアラームが発せられる。 （もっと読む）

【課題】第１搬送手段及び第２搬送手段の調整処理と、調整が終了した処理室へのプロセス前準備を並行して実施可能とすることで、調整処理時間の短縮を図る基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に処理を施す複数の処理室５，６と、該処理室へ基板を搬送する第１搬送手段を備えた第１搬送室２と、大気圧状態で基板を搬送する第２搬送手段を備えた第２搬送室７と、第１搬送室と第２搬送室を連結する減圧可能な予備室３，４と、第１搬送手段及び第２搬送手段の駆動を制御する第１制御手段と、前記第１搬送手段及び前記第２搬送手段の調整処理を指示する第２制御手段とを具備し、組立時の調整処理の際に、第１搬送手段及び／又は第２搬送手段の調整処理と、処理室のプロセス前準備を並行して実施可能に構成した。 （もっと読む）

【課題】非分散光源を備えるプラズマエッチングまたは堆積プロセスのモニタリング方法および装置を提供する。
【解決手段】高瞬間出力パルスを提供して広いスペクトル幅を有するフラッシュランプ３５を用いて、薄膜の厚さとエッチング速度および堆積速度とをその場モニタリングするための干渉方法および装置。フラッシュランプとウエハで反射された光を検出するために使用される分光器４０との間の光路は、スペクトルの紫外領域を実質的に伝達可能である。膜厚とエッチング速度および堆積速度とは、ソフトウェアアルゴリズムによって計算される。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスに一酸化窒素ガスを添加して処理室内のドライクリーニングを行う際、その取り扱いを容易にし、制御性よくクリーニングの性能を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理容器２０１と、該処理容器内にフッ素原子を含むガスと一酸化窒素ガスとを事前に混合させて供給する第１のクリーニングガス供給系２３２ｈと、第１のクリーニングガス供給系とは別に設けられ、処理容器内にフッ素原子を含むガスを供給する第２のクリーニングガス供給系２３２ｅと、を有する基板処理装置として、前記第１のクリーニングガスと、前記第２のクリーニングガスと、を処理容器２０１内で混合してドライクリーニングを行う。 （もっと読む）

【課題】半導体基板処理に用いられる反応チャンバーで用いられるガス供給システムの改良に関する。
【解決手段】半導体基板処理のためのガス供給システムであって、複数のガス供給部１６，１８，２０と、複数のガス供給部からのガスを混合する混合マニホールド３０と、混合ガスをチャンバー内の異なったゾーンへ送る複数のガス供給ライン１２，１４と、コントロールバルブ３４とを含む。装置を利用する方法では、半導体基板を反応チャンバーに供給し、混合ガスを第１及び第２のゾーンへ供給し、第１及び第２のゾーンで所望の混合ガス流量比を作るために少なくとも第１のガス供給ライン上及び第２のガス供給ライン上のいずれかの混合ガス流量をコントロールバルブで調節することによって、基板を処理する。 （もっと読む）

【課題】装置振動等による基板の位置ずれを防止する。
【解決手段】基板処理装置は、基板搬送用の搬送ロボット３０が配置された搬送チャンバ２０と、搬送チャンバ２０の周囲にスリットバルブ７０を介して接続されたプロセスチャンバ１０と、を備える。プロセスチャンバ１０は、載置台１１を備え、載置台１１からリフトピン１２に基板Ｗを移載することで搬送ロボット３０への基板Ｗの受け渡しが可能になっている。リフトピン１２を制御する移載制御部１３は、搬送ロボット３０が該当プロセスチャンバ１０への基板の搬送動作を開始した後に、リフトピン１２へ基板Ｗを移載させる。 （もっと読む）

【課題】大型の重たい基板を大気から遮断して加熱処理またはその上に膜を形成したい製造工程がある。そのためには、大型の真空装置を必要とし、基板の搬送移動は大掛かりになり、デバイス製造のコストを押し上げていた。
【解決手段】加熱した高温の加圧ガスを加熱したプレートの溝から基板に向けてライン状に吹き付ける。当該ガスは基板を支持しながら加熱する。吹き出し溝に挟まれて配置した排気溝から当該ガスは排気される。この構造は大気の進入を遮蔽し、またプレート内部からのガスが大気に放出されるのを遮蔽する。この遮蔽構造は１ｍを超える重たい基板であっても、それを１）浮上させて支持し、２）気体で断熱し、３）ガスで加熱し、４）大気から遮蔽して熱処理または成膜処理を常圧で行うことを可能にし、製造コストを押し下げる。 （もっと読む）

【課題】複数のヒータで被加熱物を加熱するにあたり、複数のヒータ電源の特性ばらつきに依存しない加熱制御システムを実現する。
【解決手段】本発明の加熱制御システムは、被加熱物の温度を検出する熱電対６Ｍと、温度制御手段３Ｍおよび温度制御手段３Ｓ１と、電力値Ｗｍを検出する電流・電圧検出手段５Ｍおよび現在電力ＰＶｓ１を検出する電流・電圧検出手段５Ｓ１と、目標電力ＳＰｓ１を算出する目標電力算出手段１Ｓ１とを備えている。温度制御手段３Ｍは、目標温度ＳＰｍおよび現在温度ＰＶｍを入力し、現在温度ＰＶｍが目標温度ＳＰｍに合うように電力を制御し、目標電力算出手段１Ｓ１は、電力値Ｗｍを入力し、電力値Ｗｍに所定の比率を乗じて目標電力ＳＰｓ１を算出し、温度制御手段３Ｓ１は、目標電力ＳＰｓ１、および現在電力ＰＶｓ１を入力し、現在電力ＰＶｓ１が目標電力ＳＰｓ１に合うように電力を制御している。 （もっと読む）

【課題】従来の膜種を改質することで、従来の膜質よりも優れた膜質を実現する。
【解決手段】基板を収容した処理容器内にＣＶＤ反応が生じる条件下で所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素を含む第１の層を形成する工程と、処理容器内に炭素含有ガスを供給することで、第１の層の上に炭素を含む層を形成して、所定元素および炭素を含む第２の層を形成する工程と、処理容器内にＣＶＤ反応が生じる条件下で原料ガスを供給することで、第２の層の上に所定元素を含む層を更に形成して、所定元素および炭素を含む第３の層を形成する工程と、処理容器内に窒素含有ガスを供給することで、第３の層を窒化して、所定元素、炭素および窒素を含む第４の層として炭窒化層を形成する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことで、基板上に所定膜厚の炭窒化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜を成膜するときの膜厚の均一性を良好にする。
【解決手段】基板処理装置は、反応管６と、反応管６内で基板を回転させる回転機構２０と、処理ガスを反応管６に供給するガス供給系と、反応管６内の雰囲気を排気する排気系と、制御部６０と、を備える。ガス供給系は、ガス供給配管５１と、ガス供給配管５１を開閉するバルブ２と、を有し、排気系は、排気管４０と、排気管４０を開閉する排気バルブと、を有する。制御部６０が排気バルブを閉じるとともにバルブ２を開くことで、反応管６内の排気を止めた状態でガス供給配管５１から処理ガスを反応管６に供給する。処理ガスを周期的に反応管６に供給する際、制御部６０がガス供給系の供給周期及び回転機構２０の回転周期を制御し、処理ガスが基板に対して先に供給される時の基板の周縁箇所と、その次に供給される時の基板の周縁箇所とが異なる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理において被処理物品へのイオン照射量を示すイオン電流密度を、イオン電流計測器に頼ることなく、プローブ計測器を利用して、プラズマ密度や電子温度と併せて計測できるイオン電流密度計測方法及び装置を提供する。
【解決手段】静電プローブ法により真空チャンバ内プラズマ密度ｎ及び電子温度Ｔｅを求め、それにより得られた該プラズマ密度ｎ及びプラズマ電位Ｔｅに基づいて、被処理物品へのイオン照射量を示すイオン電流密度Ｊを、Ｊ＝ｎｑ〔√（ｋ・Ｔｅ／Ｍ）〕・ｅｘｐ（−１／２）（該式においてｑはイオン電荷量、ｋはボルツマン定数、Ｍはイオン質量）を用いて算出し、算出されるイオン電流密度が、被処理物品へ目的とする処理を施すためのイオン照射量を示すイオン電流密度へ向かうようにプラズマ密度を調整すべくプラズマ生成装置を制御するプラズマ処理方法及び装置。該方法を実施するためのプログラム及びそれを記録した記録媒体。 （もっと読む）

【課題】基板が載置されたテーブルに対して反応ガスを供給する反応ガス供給手段を相対的に回転させて反応生成物を積層して薄膜を成膜するにあたり、膜厚方向に亘って膜質が良好で均質な薄膜を成膜すること。
【解決手段】回転テーブル２を回転させてウエハＷ上にＳｉ含有ガスを吸着させ、次いでウエハＷの表面にＯ3ガスを供給してウエハＷの表面に吸着したＳｉ含有ガスを反応させてシリコン酸化膜を成膜する成膜処理と、プラズマを用いてこのシリコン酸化膜の改質を行う改質処理と、からなる成膜−改質ステップを行った後、Ｓｉ含有ガスの供給を停止してプラズマを用いてシリコン酸化膜の改質ステップを行う。 （もっと読む）

【課題】炉本体と処理容器との間の空間内を精度良く微陰圧に保ちながら、この空間内を強制冷却する。
【解決手段】縦型熱処理装置１は、ヒータエレメント１８を有する炉本体５と、炉本体５内に配置され、被処理体ｗを収容して熱処理するための処理容器３を備えている。炉本体５に空気供給ライン５２と空気排気ライン６２とが接続され、空気供給ライン５２に空気供給ブロア５３および空気供給ライン側弁機構５４Ａが配置され、空気排気ライン６２に空気排気ブロア６３および空気排気ライン側弁機構６４Ａが配置されている。圧力検知システム５０によって空間３３内の圧力が検知され、圧力検知システム５０からの検知信号に基づいて制御部５１により空気供給ブロア５３、空気供給ライン側弁機構５４Ａ、空気排気ブロア６３および空気排気ライン側弁機構６４Ａが制御されて空間３３内が微陰圧に保たれる。 （もっと読む）

【課題】原料ガスと反応ガスとの反応が低下するのを抑制しつつ、成膜速度を向上させることができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板の上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、内部が真空に維持される成膜室と、薄膜の原料である原料ガスを成膜室に供給する原料ガス供給部と、加熱触媒体を備える容器と、容器の圧力を計測する圧力計と、原料ガスと反応して薄膜を形成するための反応ガスを容器に供給する反応ガス供給部と、圧力計が計測した圧力に基づいて、反応ガス供給部が反応ガスを供給するタイミングを制御する制御部と、を備えることを特徴とする原子層堆積装置。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積方法および原子層堆積装置は、従来のような防湿性を維持しつつ、内部応力の小さな薄膜を形成する。
【解決手段】基板に薄膜を形成するとき、基板が配置された、減圧した成膜空間内に、原料ガスを一定期間供給する。この後、原料ガスの前記成膜空間への供給後、原料ガスの成分を吸着した基板に向けて、前記成膜空間内に反応ガスを供給し、プラズマ生成素子を用いて反応ガスを活性化させることにより、基板に吸着された原料ガスの成分と反応ガスの成分を反応させて、基板に所定の薄膜を形成させる。上記原料ガスの供給と反応ガスの供給を繰り返し行うことにより、所定の厚さの薄膜を基板に形成する。このとき、上記原料ガスの供給と反応ガスの供給の繰り返し回数が増えるに従って、段階的にあるいは連続的にプラズマ生成素子への供給電力を増加させる。 （もっと読む）