【課題】基板の保持状態を良好に検知することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、搬送室を中心として第１ロードロック室、第２ロードロック室、二つの処理室が配置され、搬送室は、第１のロードロック室及び第２ロードロック室と二つの処理室との間で基板を搬送する基板搬送部を有し、基板搬送部は、第１フィンガ７２ａ及び第２フィンガ７２ｂが設けられた上アーム７４を有し、第１フィンガ７２ａは、第１貫通孔８３及び第２貫通孔８４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で電極間に一様な電界分布を発生させる高周波プラズマ発生装置を得る。
【解決手段】非接地電極と接地電極から成る一対の電極と、非接地電極に設けられた複数の給電点と、複数の給電点から非接地電極に高周波電力を供給するための電力供給手段とを備え、非接地電極と接地電極に挟まれたプラズマ生成領域でプラズマを発生させる高周波プラズマ発生装置において、非接地電極は方形の形状を有し、複数の給電点は非接地電極の対称面に対して互いに対称な位置となるような非接地電極の端部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 液体原料を用いてＳｉ以外の金属膜を安定して成長させる。
【解決手段】 基板上に形成された第１の金属膜の表面を水酸基で終端する第１の前処理を行う工程と、第１の前処理後の第１の金属膜に対して水素含有ガスを供給して第２の前処理を行う工程と、第２の前処理後の第１の金属膜上に第２の金属膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】良好な均一性、および下部層に対して良好な接着性を有する低抵抗率のタングステン膜を形成する方法が提供される。
【解決手段】低温下でパルス核生成層プロセスを用いてタングステン核生成層を形成する。その後、バルクタングステン充てん物を堆積させる前に、成膜された核生成層を処理する。本処理により、堆積されるタングステン成膜の抵抗率が低減される。ある実施形態では、核生成層の成膜は、水素を利用せずに、ホウ素ベースの化学作用により行われる。またある実施形態では、処理は、核生成層を、還元剤およびタングステン含有前駆体の交互のサイクルに曝す工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系などの成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板２１５を保持し、加熱および回転させるサセプタ２１６と、複数のチャネルを含み、基板の上面に沿って平行な方向に流れる材料ガス流を供給するノズル２１３と、複数のガス供給系統１８０と、該ガス供給系統のいずれの一系統にもガスの供給または停止を制御する開閉弁を有して材料ガスを前記複数のチャネルへ供給するマニホールド２１１と、開閉弁駆動制御部３００と、を含む気相成長装置において、開閉弁駆動制御部３００は、各ガス系統毎にガスを時間的に分割して、かつ、該ガスを時間的に途切れなく複数のチャネルの各々に対して分散して、供給することで複数のチャネルの各々の材料ガスの流れを連続的とするように開閉弁を駆動制御する。 （もっと読む）

【課題】ヒータ昇温時に、熱応力に起因する基板載置部の破損を防止することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】基板を収容し加熱処理を行う基板処理室と、前記基板処理室内に設けられ、その表面に基板を載置する基板載置部と、前記基板載置部内に設けられ、基板を加熱するための第1のヒータと、前記基板載置部内に設けられ、基板を加熱するための第２のヒータと、前記第1のヒータと第２のヒータを加熱制御する制御部であって、前記第1のヒータの加熱制御値に基づいて、第２のヒータの加熱制御値を決定するよう制御する制御部とから半導体製造装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】処理室に供給する液体原料を効率よく気化する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室１６内にウエハ１４を搬入する工程と、処理室１６内に液体原料スプレーノズル７０より金属化合物を含む液体原料を供給しつつ液体原料スプレーノズル７０と支持台１８にバイアス電圧を印加することで、液体原料を気化させた原料ガスを帯電した状態で噴霧させてウエハ１４に供給し、ウエハ１４上に原料ガスを吸着させる工程と、処理室１６内に酸化剤を供給することで、ウエハ１４上に吸着させた原料ガスと酸化剤とを反応させて金属含有層を形成する工程と、を交互に繰り返すことで、ウエハ１４上に所定膜厚の金属含有膜を形成する処理を行う工程と、処理室１６内から処理済みのウエハ１４を搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 下地層とアモルファスカーボン膜との密着性を向上させることが可能な方法を提供すること。
【解決手段】 アモルファスカーボン膜を含む積層構造を下地層上に形成する方法は、前記下地層上に有機系シリコンガスを供給し、前記下地層の表面にＳｉ−Ｃ結合を含む初期層を形成する工程（ｔ４）と、前記初期層が表面に形成された前記下地層上に炭化水素化合物ガスを含む成膜ガスを供給し、前記下地層上に前記アモルファスカーボン膜を熱成膜で形成する工程（ｔ６）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】長尺な基材をドラムに巻き掛けて長手方向に搬送しつつ、大気圧プラズマを用いて成膜を行なう際に、成膜前に基材の表面処理を行なう場合に、基材とパスローラ等との接触や表面処理からの時間経過によって表面処理の効果を低下させること無く成膜を行なうことにより、基材と成膜物との密着性を向上させ、高品質な膜を効率よく連続成膜することができる大気圧プラズマ装置を提供する。
【解決手段】基材の搬送方向において、成膜用電極よりも上流側に、ドラム電極の周面に対面して設けられる処理用電極と、処理用電極に電圧を印加する処理用電源と、ドラム電極と処理用電極との間に、表面処理用の反応性ガスを供給する反応性ガス供給手段とを有することで上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】製膜されるシリコン薄膜の面積を大きくしても、シリコン薄膜の膜厚分布のばらつきをおさえることができる真空処理装置、真空処理装置の給電装置、製膜方法、および製膜時における給電方法を提供する。
【解決手段】電源部１７から高周波電力が給電点に供給され、対向電極に設置した基板との間にプラズマを形成する放電電極３ａと、放電電極３ａに供給される高周波電力の位相および振幅を、給電点のそれぞれにおいて調節する複数の整合器と、を備え、整合器には、放電電極３ａに供給される高周波電力の位相を調節する位相調節コンデンサ２３Ｔ及びコイル２４と、高周波電力の振幅を調節する振幅調節コンデンサ２５Ｍとからなる整合回路が複数設けられ、整合器のインピーダンスは、給電点間における高周波電力の位相差に基づいて、整合回路を切り替えることにより調節される。 （もっと読む）

【課題】大面積の良質な半導体膜を安定して簡便に作製することが可能な半導体膜の製造方法を得ること。
【解決手段】前記カソード電極上に堆積した半導体膜を前記カソード電極を加熱することにより加熱する工程と、前記加熱された半導体膜中から離脱した脱離水素原子量を前記カソード電極の温度に応じて複数回測定する工程と、前記脱離水素原子量の測定結果を分析して前記半導体膜の膜質を反映させて製膜条件を調整するための指標となる膜質情報を取得する工程と、前記膜質情報に基づいて前記半導体膜の製膜条件を第２の製膜条件に再設定する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤにより膜を形成する際、従来の装置のように、基板に形成される薄膜の品質を劣化させることがない、新たな方式の原料ガスの供給を実現する。
【解決手段】薄膜形成装置は、減圧した成膜空間を形成する減圧容器と、原料ガスを成膜空間に供給する原料ガス供給ユニットと、を有する。原料ガス供給ユニットは、原料ガス管と、パージガス管と、原料ガス管とパージガス管とが接続されて原料ガスおよびパージガスを成膜空間に供給するガス供給管とを有する。原料ガス管には、原料ガス管とパージガス管との接続部分から近い順に第１制御バルブと第２制御バルブと、が設けられている。原料ガス供給ユニットは、第２制御バルブを開いて、第１制御バルブと第２制御バルブ間の減圧状態にある原料ガス管内に原料ガスを導入した後、第１制御バルブを開くように制御することにより、原料ガスを、成膜空間に供給する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に形成される堆積膜の膜厚均一性の向上を図ることができる半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る熱処理装置１は、処理ガスを内部に導入するガス導入口７ｂを有する処理容器２と、処理容器２内に収容され、半導体ウエハＷが配置されるステージ３と、ステージ３の周囲に配置され、ステージ３上の半導体ウエハＷが配置される領域に熱線を放射を放射する複数のランプ４と、複数のランプ４の出力を選択的に制御する制御部５とを備える。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、超小型電子構造の形成に関する。３２ｎｍの次のテクノロジーノード向けの低誘電率誘電体材料は、約２．６未満の誘電率を呈する必要がある。本発明により、全体として超小型電子構造の曲げおよび剪断強度の完全性を向上させながら、そのような低誘電率誘電体材料を使用する半導体デバイスを形成することが可能になる。
（もっと読む）

基板表面上への層堆積の方法。当該方法は、基板に接触させるための前駆体供給部から堆積空洞の中への気体前駆体の注入と、注入された気体前駆体の一部の堆積空洞からの排出と、基板表面に沿った、堆積空洞および基板の互いに相対的な位置付けとを含む。当該方法は、さらに、第１の電極および第２の電極の提供と、第１の電極および第２の電極の互いに対応する位置付けと、第１の電極および第２の電極の間に生じる高電圧差による基板に接触するための基板近くでのプラズマ放電の発生とを含む。当該方法は、プラズマによる表面のパターニングのため、選択的なプラズマ放電の発生を含む。気体前駆体に接触した基板の部分が、プラズマに接触した基板の部分に、選択的に重複する。 （もっと読む）

【課題】処理管からボートを搬出する初期段階で発生する蓋の振動を抑制する。
【解決手段】基板を載置するボートと、ボートを収納する処理管と、ボートが載置され処理管の下端に設けられた炉口を開閉する蓋と、蓋を昇降させる昇降機構と、昇降機構を駆動するモータと、処理管の下端面と蓋との間を密封する密封部材と、処理管の下端面もしくは蓋の表面から密封部材を引き離す時に生じる蓋の変形の回復期に基板がボート内の載置位置に留まるようにモータのトルクを制御する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い窒化ホウ素膜を得ることのできる基板処理装置を提供する、あるいは、高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い窒化ホウ素膜を形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理室２１内に基板１６を搬入する工程と、前記処理室２１内に少なくともホウ素含有ガス３１ａを供給し、前記基板１６上にホウ素膜を形成するホウ素膜形成工程と、処理室内に少なくとも窒素含有ガス３１ｃを供給し、ホウ素膜形成工程で形成したホウ素膜を窒化する窒化処理工程とを有し、ホウ素膜形成工程と窒化処理工程とから構成される一連の処理工程を、２回以上繰り返すことにより、所定膜厚の窒化ホウ素膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】真空容器の内部におけるガスの流れを制御する技術を提供する。
【解決手段】ガス供給部からプロセスガスの供給を受けてプロセス対象にプロセスを実行する真空容器５００におけるプロセスガスの真空圧力と流れとを真空ポンプを使用して制御する真空制御システム１０を提供する。真空制御システム１０は、真空容器５００において相互に相違する位置に配置された複数のガス排出口５６１，５６２の各々と真空ポンプ３００との間に接続されている各真空制御バルブ１００，２００と、プロセス対象に供給されるプロセスガスの真空圧力を計測する圧力計測部６３１と、計測された真空圧力に応じて複数の真空制御バルブ５６１，５６２の各々の開度を操作する制御装置６１０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】膜質及びバリア性を改善する。
【解決手段】搬送される長尺の基材に成膜できる領域である成膜ゾーン２２の下方に配置される少なくとも１本のガス供給管３２であって、該成膜ゾーンの下方から該成膜ゾーンを指向する１個以上のガス供給口３４Ａを有する前記ガス供給管を備えたプラズマＣＶＤ成膜装置１０を用いて、前記成膜ゾーンの下方に位置する前記ガス供給口から前記成膜ゾーンにガスを供給して、前記基材を搬送しながら前記基材上に連続的に成膜する、成膜方法。 （もっと読む）

【課題】膜質及びバリア性を改善する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、第１成膜ロール２０Ａ及び該第１成膜ロールに対して平行に対向配置された第２成膜ロール２０Ｂを含む成膜ロール２０と、第１対称面１８Ａが設定され、成膜ゾーン２２が設定され、第２対称面１８Ｂが設定されており、第１対称面内に配列される１本又は２本以上のガス供給管３２であって、成膜ゾーンと対向し、かつ第２対称面に対して鏡面対称に配列される１個又は２個以上のガス供給口を有するガス供給管を備えるガス供給部とを備える。 （もっと読む）