【課題】複数の排気路の排気流量を各々調整することにより、真空容器内における処理ガスの気流を制御して基板へのガス流れを一定に保つこと。
【解決手段】第１のバルブ６５ａが介設された第１の排気路６３ａと、第２のバルブ６５ｂが介設された第２の排気路６３ｂと、から真空容器１内の雰囲気を夫々真空排気できるようにして、真空容器１内の圧力が処理圧力Ｐとなるように第１のバルブ６５ａの開度を調整すると共に、第１の排気路６３ａの排気流量と第２の排気路６３ｂの排気流量とをレシピに応じた設定値にするために、バタフライバルブ６７の開度Ｖをテーブル８６に記載された値に設定し、次いで差圧計６８の測定値がテーブル８６に記載された差圧ΔＰとなるように第２のバルブ６５ｂの開度を調整する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成用のＲＦアンテナや高周波給電系統に特別な細工を必要とせずに、簡易な磁気シールド部材を用いてプラズマ密度分布を自在かつ精細に制御すること。
【解決手段】この誘導結合型プラズマエッチング装置は、ＲＦアンテナ５４に近接する誘電体窓５２の下で誘導結合のプラズマをドーナツ状に生成し、このドーナツ状のプラズマを広い処理空間内で分散させて、サセプタ１２近傍（つまり半導体ウエハＷ上）でプラズマの密度を平均化するようにしている。そして、サセプタ１２近傍のプラズマ密度分布を径方向で均一化するうえで、ＲＦアンテナ５４の上で開口端を下に向けて磁気を遮蔽する磁気シールド空洞導体７０を備えている。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】少なくともウエハを処理するためにプラズマを生成するプラズマ処理システムが開示されている。プラズマ処理システムは、プラズマの少なくとも一部を維持するための電流を伝導するコイルを備える。プラズマ処理システムは、さらに、位相角を測定することなく供給電流の量を測定して供給電流の電流量測定値を提供するためにコイルに接続されたセンサを備える。供給電流は、上記の電流、または、（例えば、上記の電流を含む）複数の電流を提供するために用いられる全電流である。プラズマ処理システムは、さらに、位相角測定値に関連する情報を用いることなく、電流量測定値および／または電流量測定値を用いて得られた情報を用いてコマンドを生成し、供給電流の量および／または全電流の量を制御するためのコマンドを提供するために、センサに接続された制御器を備える。 （もっと読む）

【課題】触媒線の長寿命化を可能とする触媒ＣＶＤ装置の運用方法、該装置を用いる触媒ＣＶＤ法による膜の形成方法、および太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】触媒ＣＶＤ装置を用いて膜を形成する際の触媒線の通電方法に着目し、触媒線への通電制御を、昇温開始時には定電流制御で行い、成膜時には定電力制御で行うことで触媒線の過加熱による劣化を防止して長寿命化を図る。更に、触媒線の過加熱による成膜時の基板の異常昇温も回避して膜質の異常を防止する。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム誘起付着、イオンビーム誘起付着およびレーザビーム誘起付着中に汚染物を除去する、または酸化可能な材料の付着またはエッチング中の酸化をリアルタイムで抑制する方法を提供する。
【解決手段】加工物にビームを照射すると同時に、付着前駆体ガスまたはエッチング前駆体ガスを、純化化合物およびキャリヤ・ガス（任意選択）とともに、または、予め混合してから、処理室内へ噴射する。ビームは、ビームを照射した領域にだけ膜を付着させ、または、ビームを照射した領域の膜だけをエッチングする。純化化合物は炭素などの不純物を、膜成長中に除去し、あるいは、エッチングされた材料の酸化を抑制する。付着前駆体ガスまたはエッチング前駆体ガスと膜純化化合物との同時注入または噴射前の予混合によって、成長／エッチング速度および達成可能な材料純度に関して、付着プロセスまたはエッチング・プロセスを最適化する。 （もっと読む）

【課題】大電流が触媒線に流された場合でも、触媒線又は触媒線と接続された接続端子からの放電を抑制することができる触媒化学気相成長装置を提供すること。
【解決手段】触媒線６、接続端子１２、及び電源回路８を有する触媒線発熱回路２０を、接地された真空チャンバ３に対して電気的にフローティング状態となるように設ける。仮に触媒線発熱回路２０の電位がグランド電位であると、触媒線６に電力が印加される際に、触媒線６又は接続端子１２から、真空チャンバ３の外壁内面等に向けて放電が発生してしまうことが懸念される。しかしながら、触媒線発熱回路２０はフローティング状態であるので、その電位がグランド電位となることはなく、電源回路８により大電流が触媒線６に流された場合でも、触媒線６又は接続端子１２からの放電を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】触媒線の長寿命化を可能とする触媒ＣＶＤ装置、膜の形成方法及び太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】触媒ＣＶＤ装置１００において、制御部は、成膜時の前後の所定の時間において、触媒線１３の温度を待機温度に制御する。待機温度は、成膜時における触媒線１３の温度より低く、かつ、室温より高い所定の温度である。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ法により良質な結晶性珪素膜を高い成膜レートで成膜する方法を提供する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナにより処理容器内にマイクロ波を導入してプラズマを生成するプラズマＣＶＤ装置を用い、式Ｓｉ_ｎＨ_２ｎ＋２（ここで、ｎは２以上の数を意味する）で表される珪素化合物を含む成膜ガスを前記マイクロ波により励起してプラズマを生成させ、該プラズマを用いてプラズマＣＶＤを行うことにより被処理体の表面に結晶性珪素膜を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ成膜する際に膜中の不純物除去のような膜の改質処理を過剰な設備負担なく有効に行うことができる成膜装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】成膜装置は、チャンバと、ウエハを支持するサセプタと、処理ガス供給機構と、ウエハ加熱するヒーターと、チャンバとは別個に設けられた、チャンバ内に水素ラジカルを供給する水素ラジカル供給機構４０とを具備する。水素ラジカル供給機構４０は、水素ラジカルを生成する容器５１と、容器５１内に水素ガスを供給する水素ガス供給機構４２と、容器５１内に設けられた触媒ワイヤ５３と、触媒ワイヤ５３を加熱する可変直流電源５６と、容器５１内で加熱された触媒ワイヤ５３に水素ガスが接触して生成した水素ラジカルをチャンバ１に導入する水素ラジカル導入配管４３とを有する。 （もっと読む）

【課題】アンロード処理の実行中にロード処理の開始要求がなされた場合であっても、ロード処理を速やかに開始させ、基板処理の品質を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理室に連通する真空搬送室に連通し雰囲気可変に構成された予備室と、複数の予備室に連通する大気搬送室と、大気搬送室に接続され複数枚の基板を収納する基板収納部を載置する収納容器載置部と、基板収納部と予備室内との間で基板を搬送する大気搬送部と、少なくとも大気搬送部による搬送動作を制御する制御部と、を備え、制御部は、予備室内から基板収納部への基板を搬出するアンロード処理の実行中に、基板収納部から予備室内への基板を搬入するロード処理の開始要求を受け付けたら、アンロード処理の実行を中断させ、ロード処理の実行を優先的に開始させるように大気搬送部を制御する。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕとの密着性を良好とすることが可能な金属酸化膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】 下地上に有機金属化合物を含むガスを供給し、下地上に金属酸化膜を成膜する金属酸化膜の成膜方法であって、下地上に有機金属化合物を供給して下地上に金属酸化膜を成膜し（工程２）、かつ、金属酸化膜の成膜プロセスの最後に、金属酸化膜を酸素含有ガス又は酸素含有プラズマに曝す（工程４）。 （もっと読む）

【課題】選択性を保ちながら十分厚いエピタキシャル膜を複数ウェハの面間で均一性よく成長させることができる半導体装置の製造技術を提供する。
【解決手段】表面に少なくともシリコン露出面とシリコン酸化膜若しくはシリコン窒化膜の露出面とを備えるウェハ３０４を処理室３０１内に搬入する。まず、処理ガスを第１のガス供給系３０６から第１のガス供給管３０９を介して、処理室３０１の上部から導入する。そして、第１のガス排気管３１１と第１のガス排気系３０８を用いてガス排気を行う。その後、処理ガスを第２のガス供給系３０７から第２のガス供給管３１０を介して、処理室３０１の下部から導入する。この処理室３０１の上部と下部からのガス供給工程を１回以上実行し、ウェハ表面のシリコン露出面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、クリーニング時間を短縮し、生産性を向上させることのできる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理容器内の下部から上部まで立ち上がった第１ノズル部、第２ノズル部を介して、それ単独で膜を堆積させることのできる第１ガス、それ単独で膜を堆積させることのできない第２ガスをそれぞれ処理容器内に供給してその下方に向けて流し、処理容器の下部に設けられた排気口より排気して、基板上に薄膜を形成する処理を繰り返した後、処理容器の天井壁に設けられた第３ノズル部および第１ノズル部を介して、クリーニングガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して処理容器内および第１ノズル部内に付着した堆積物を除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】液体原料が気化器へ供給される際の応答性を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ１４を処理する処理室１６と、第１の液体原料の流量を制御するＬＭＦＣ７８ｈと、ＬＭＦＣ７８ｈにより流量制御された液体原料を気化する気化器７６ｈと、気化器７６ｈで液体原料を気化した原料ガスを処理室１６内に供給する原料ガス供給管９０と、ＬＭＦＣ７８ｈにおける液体原料の流量設定値をウエハ１４処理時の第１の流量設定値（ｆ１）に設定する際に、それよりも先行して一旦第１の流量設定値（ｆ１）よりも小さい第２の流量設定値（ｆ２）に設定するようにＬＭＦＣ７８ｈを制御するコントローラ１５０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】気化器内部の圧力を低く保ち、安定的に大流量の液体原料の気化動作を行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】第１原料ガス供給管１０２ｓ、第２原料ガス供給管１０２ｂ、及び第３原料ガス供給管１０２ｔには、圧力損失が小さい、大口径のゲートバルブ方式のメンテナンス用バルブＶｓ４、Ｖｂ４、Ｖｔ４がそれぞれ設けられている。メンテナンス用バルブＶｓ４、Ｖｂ４、Ｖｔ４の設置箇所には、ダイヤフラムバルブのようにバルブ内で流路が狭くなっていたり、バルブ内で流路が屈曲していたりする箇所はなく、実質的にバルブが設けられていない場合の第１原料ガス供給管１０２ｓ、第２原料ガス供給管１０２ｂ、及び第３原料ガス供給管１０２ｔと同等である。 （もっと読む）

【課題】排気システムのコストを低減することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に処理を施す処理室と、前記基板を前記処理室へ搬送する搬送装置を備えた搬送室１２と、前記搬送室に連結された減圧可能な複数の予備室１４ａ，１４ｂと、前記複数の予備室に接続された排気装置５０と、前記複数の予備室の排気をそれぞれ制御する複数の排気弁６１−６３と、前記複数の排気弁を制御する第二の制御手段８９と、前記複数の排気弁のうちの一が開状態で、他の前記排気弁を開待ちとさせるように制御する第一の制御手段８６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】周方向全体に渡ってカスプ磁場によるプラズマの閉じこめ効果を高めることでプラズマ処理の均一性を高める。
【解決手段】減圧された処理室内に処理ガスのプラズマを生成することにより基板に対して所定の処理を施すプラズマ処理装置であって，処理室の周囲に沿って上下に離間して設けられた２つのマグネットリング２１０，２２０を有し，各マグネットリングは内周面にその周方向に沿って２個ずつ交互に極性が逆になる順序で同じように配列された多数のセグメント２１２，２２２を有する磁場形成部２００を備え，磁場形成部は，下部マグネットリング２２０を上部マグネットリング２１０に対して周方向にずらして配置することで上下の磁極配置をずらしたものである。 （もっと読む）

【課題】群管理装置へ接続する基板処理装置間の各種パラメータを一括比較する。
【解決手段】複数台の基板処理装置を群管理装置２０によって集中管理する基板処理システムにおいて、群管理装置２０は比較元装置Ａ１と比較先装置Ａ２から各種パラメータを通信インタフェースを介して取得し、装置パラメータ一括比較画面４０を表示装置２５に表示させる。オペレータが一括比較開始ボタン４８を選択すると、一括比較処理を開始し、一括比較処理が終了すると、比較結果画面５０を表示装置２５に表示させる。オペレータは比較結果画面５０の相違点有無表示列５４によってパラメータ種別毎に相違点の有無を確認し、全パラメータ種別の中で何れのパラメータ種別に相違点があるかを確認する。相違点の詳細を確認する場合、オペレータは詳細確認ボタン５７を選択し、画面出力またはＣＳＶ形式ファイルへの出力で確認する。 （もっと読む）

【課題】液体流量制御装置の初期調整の際に不具合が発覚した場合の作業を軽減すると共に、液体原料が残留したことによる汚染を防止できる基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び液体流量制御装置の動作確認方法を提供する。
【解決手段】基板を収容する処理室と、該処理室に常温常圧で液体である液体原料を供給する液体原料供給系５９と、前記処理室に液体原料よりも蒸気圧が高い溶媒を供給する溶媒供給系６１と、前記液体原料及び前記溶媒の流量を制御する液体流量制御装置３５と、前記液体原料供給系、前記溶媒供給系及び前記液体流量制御装置を制御する制御部５７とを具備し、該制御部は前記液体原料供給系が前記液体流量制御装置を介して前記処理室に液体原料を供給する前に、前記溶媒供給系より溶媒を前記液体流量制御装置に供給することで該液体流量制御装置の動作確認を行う様前記液体原料供給系、前記溶媒供給系及び前記液体流量制御装置を制御する。 （もっと読む）

【課題】高スループット化と省フットプリント化の相反する条件の両立を実現する。
【解決手段】搬送室１２と、基板を処理する処理室１６とを有し、前記搬送室１２は、基板を当該搬送室１２から前記処理室１６へ搬送する第１の基板搬送部材を有し、前記処理室１６は、前記搬送室１２と隣接され、第１の基板載置台３７を有する第１の処理部３６と、前記第１の処理部３６の内、前記搬送室１２とは異なる側に隣接され、第２の基板載置台４１を有する第２の処理部３８と、前記第１の処理部３６と前記第２の処理部３８の間で基板を搬送する第２の基板搬送部材４０と、少なくとも前記第２の基板搬送部材４０を制御する制御部とを有する。 （もっと読む）