【課題】半導体ウェハ等の処理物に対する汚染を従来に比べて低減できる熱処理装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ２０を収納する密閉容器５は、石英により形成された容器上部２１と、金属により形成された容器下部２２とにより構成される。密閉容器５内の空間は、仕切り板２７により上側空間と下側空間とに分割される。上側空間と下側空間とは、仕切り板２７に設けられた連絡孔２７ａにより連絡される。ガス配管２５を介して上部空間内に供給されたガスは、連絡孔２７ａを通って下部空間に流れ、真空排気装置により排気される。連絡孔２７ａの大きさは、例えば連絡孔２７ａ内を上から下に流れるガスの流速が下側空間で発生する汚染物質の実効的な移動速度よりも速くなるように設定される。 （もっと読む）

【課題】簡素な構造で地震の際の被害を低減することができる縦型拡散炉の保護装置及び保護方法を提供する。
【解決手段】Ｐ波検知部５１は、Ｐ波が到来するとその旨をＰ波解析部５２に知らせる。Ｐ波解析部５２は、Ｐ波検知部５１からＰ波が到来したことを知らされると、到来したＰ波の波形及び振幅等からその後にＳ波が到来した時の、縦型拡散炉５４が設置されている地域の震度を予測する。そして、予測結果が震度５以上であるか否かを判断する。この結果、震度が５以上となるという結果が得られている場合には、気圧制御部５３にその旨を知らせる。気圧制御部５３は、Ｐ波解析部５２から震度が５以上になるという予測結果を知らされると、拡散炉内の気圧を低下させる。つまり、真空ポンプによる排気の程度を変更することなく、供給されるガスの量を減少させることにより、拡散炉内の気圧を低下させる。 （もっと読む）

【課題】 ガス供給配管から送入されるガスを受け入れて反応室内の基板面上に、ガス流の流速バラツキを抑制して供給可能な化学的気相成長装置を提供する。
【解決手段】 ガス供給配管９０，９１から送入されるガスを受け入れて反応室内１００に搬送供給するためのガス流路構造が、送入ガス流の流速を低減させる前段部１０，２０と、減速されたガス流を拡散放出する後段部４０，４１を有し、後段部が、ガス流の流線が４５度以上屈曲する屈曲個所を２個所以上有する屈曲した平板状のガス流路空間４２〜４６を有し、少なくとも１ヶ所以上の屈曲個所においてその上流側と下流側でガス流路空間のガス流の流線に垂直な断面での断面積が拡大している。 （もっと読む）

【課題】３次元形状試料に対して、均一に気相合成ダイヤモンド膜を効率良くコーティングするための装置を提供する。
【解決手段】熱フィラメント法による気相ダイヤモンド膜のコーティング方法において、コーティング装置の内部に、加熱用フィラメント１、加熱用フィラメント１の近傍に配置した被コーティング試料４及びフィラメント加熱用の上部電極と下部電極を配置し、コーティング装置本体に上部電極を固定すると共に、該上部電極にフィラメント１の上端部を固定し、フィラメント１の下端部を移動自在な下部電極に固定して、下部電極がフィラメント１により吊持された状態とし、下部電極の重量及びフィラメント１の自重によりフィラメント１を緊張させると共に、該緊張したフィラメント１を通電加熱し、かつダイヤモンド原料となるガスを供給して、ダイヤモンド膜を試料４に気相ダイヤモンド膜をコーティングする。 （もっと読む）

【課題】反応性ガスを利用することなく，装置内の付着物を有効に除去することができる半導体製造装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】反応性ガスをチャンバー内に供給して所定の製造処理を行う半導体製造装置のクリーニング方法において，第１の温度に加熱され所定の圧力に加圧された第１の不活性ガスと，第１の温度より低い第２の温度に冷却され所定の圧力に加圧された第２の不活性ガスとを交互にチャンバー内に供給しながら，チャンバーを排気してチャンバー内に付着した付着物を除去する。 （もっと読む）

ドライエッチングプロセスに続いてエピタキシャル堆積プロセスを含む、エプタキシャル堆積プロセスが開示される。ドライエッチングプロセスは、洗浄すべき基板を処理チャンバ内に配置して表面酸化物を除去するステップを含む。ガス混合物をプラズマキャビティに導入し、ガス混合物を励起してプラズマキャビティ内に反応性ガスのプラズマを生成させる。反応性ガスは、処理チャンバに入り、基板と反応し、薄膜を形成させる。基板を加熱して薄膜を蒸発させ、エピタキシー表面をさらす。エピタキシー表面は、実質的に酸化物を含まない。その後、エピタキシャル堆積を用いてエピタキシー表面上にエピタキシャル層を形成する。 （もっと読む）

【課題】
プラズマエッチング装置の電極間にグロー放電プラズマが発生し難い構成において、所望条件のグロー放電プラズマを容易に発生させる。
【解決手段】
エッチングガスより分解し易い希釈ガスを用いてプラズマを発生させ、その後、プラズマ処理反応容器内にエッチングガスを導入し流量を増加すると同時に、略同流量の希釈ガスの流量を減ずるように流量調整することにより、プラズマ処理反応容器内の圧力変動を低減し、発生したプラズマを維持したまま、前記ガス流量を所定値に設定し、所望の条件とする。
（もっと読む）

【課題】被エッチング部材の温度を独立して容易に制御し、成膜条件の最適化を容易に実現する。
【解決手段】独立して温度制御された被エッチング部材により、供給精度が高められた状態の前駆体ＣｕＣｌと、チャンバ１外の材料供給装置６からのＣｌ^*とをチャンバ１に供給され、温度制御を複雑にすることなく（ヒータ４で加熱制御するだけで）、プラズマによる輻射の影響をなくしてＣｕＣｌのＣｕ成分を基板３に析出させて成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】排水詰まりを防止することができ、ＣＶＤ成膜装置のメンテナンスが簡便である排ガス処理装置を提供する。
【解決手段】本発明にかかる排ガス処理装置１０は、ＣＶＤ成膜装置４の排ガスを除外するものであって、排ガスを加熱分解する反応炉１１と、加熱分解によって生成された酸化化合物を水に溶解させて収容する水槽部１３と、加熱分解によって生じた水分解性ガスを水洗除去するスクラバー１２と、を備え、酸化化合物を含む水を攪拌する攪拌手段１５，１６を有する。 （もっと読む）

【課題】 熱およびプラズマ増強蒸着のための装置および操作方法を提供することである。
【解決手段】 第１の温度で蒸着システムの第１のアセンブリを維持し、第１の温度より低く低下された温度で蒸着システムの第２のアセンブリを維持し、基板を第２のアセンブリの移送空間から真空アイソレートされる第１のアセンブリの処理空間に配置し、基板上に材料を堆積させる、基板上の蒸着のための方法、コンピュータ読み取り可能なメディア、および、システムである。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ装置のセルフクリーニングに際し、成膜チャンバ内部に付着する反応生成物を均一にかつ効率良く除去し、クリーニング時間を短縮し、クリーニングガス使用量を低減化する。
【解決手段】 成膜チャンバ２と、クリーニング手段３と、制御手段４とを含むＣＶＤ装置１において、成膜チャンバ２内部の反応生成物の付着分布に応じて、ガス導入口１１，１２から成膜チャンバ２内部へのクリーニングガスの供給開始時期および／または供給終了時期を制御手段４ｂによって個別に制御するとともに、ガス導入口１１，１２に接続される第１のガス供給配管１７ａおよび第２のガス供給管１７ｂ毎にそれぞれ第１の励起手段１９ａおよび第２の励起手段１９ｂを設ける。 （もっと読む）

【課題】 基板の全面にわたり膜厚を均一にした成膜が可能な薄膜作製装置及び薄膜作製方法とする。
【解決手段】 Ｃｕ製の被エッチング部材１１が備えられたチャンバ１内にＣｌ_２ガスを供給して塩素ラジカルＣｌ^＊を生成し、塩素ラジカルＣｌ^＊で被エッチング部材１１をエッチングすることにより被エッチング部材１１に含まれるＣｕ成分とＣｌ_２ガス成分との前駆体（ＣｕＣｌ）２４を生成すると共に、Ｎ_２ガスを供給してプラズマを発生させたときのチャンバの内壁側の電子温度を低下させて塩素ラジカル（Ｃｌ^＊）の生成を抑制し、塩素ラジカル（Ｃｌ^＊）の分布を前駆体ＣｕＣｌの分布に近づけることで塩素ラジカル（Ｃｌ^＊）と前駆体ＣｕＣｌの比率を一定にし、基板３側の温度を被エッチング部材１１の温度よりも低くすることにより、膜圧を均一にした薄膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】操業中と停止中の炉が混在しても、ウエーハの気相エピタキシャル成長や炉のメンテナンスを安全かつ効率良く行うことができる気相エピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、ウエーハに気相エピタキシャル成長を施すための複数の反応炉と、廃棄ガスを処理するスクラバを備えた装置であって、複数の反応炉はそれぞれ、少なくとも、互いに独立した３つのガス排気ラインと接続され、第一のラインはスクラバに接続され廃棄ガスを処理するもので、第二のラインは反応炉内のエアーをパージするもので、第三のラインは反応炉内の圧力を開放するもので、第一および第二ガス排気ラインは排気および排気停止を切り替えるバルブを備え、反応炉ごとにいずれか一方のみを通してガスを排気するもので、第三ガス排気ラインは反応炉内の圧力が所定値以上に達したときに自動的に開となる圧抜き用弁を備えたものである気相エピタキシャル成長装置。 （もっと読む）

【課題】スループットをほとんど低下させることなく、成膜処理時における膜厚等の熱処理の再現性も高く維持することができる熱処理方法を提供する。
【解決手段】 排気可能になされた処理容器１４内の載置台２０上に被処理体Ｗを載置し、該被処理体を加熱手段４６により所定の設定温度まで昇温すると共に、前記処理容器内に所定のガスを流して所定の熱処理を施すようにした熱処理方法において、前記被処理体に対して前記所定の熱処理を施す直前に、前記被処理体が前記所定の温度に維持されている時に前記加熱手段に印加される電力よりも大きな電力を前記加熱手段に短時間だけ印加する短時間大電力供給工程を少なくとも１回行うようにする。これにより、スループットをほとんど低下させることなく、成膜処理時における膜厚等の熱処理の再現性も高く維持する。 （もっと読む）

【課題】チャンバ要素上や基板の張り出しエッジ上のプロセス堆積物の堆積を減少させるプロセスキットの提供。
【解決手段】基板処理チャンバ内で基板支持体の周りに配置するための堆積リングにおいて、プロセスガスのプラズマが該基板を処理するために形成され、該基板が該基板の張り出しているエッジの前で終わる周囲壁を備え、該堆積リングが該支持体の周囲壁を囲む環状バンド２１６であって、該環状バンドから横に伸長し、該支持体の周囲壁にほぼ並行であり、該基板の張り出しているエッジの下で終わる内部リップ２１８と、隆起リッジ２２４と、内部リップと隆起リッジとの間に、基板の張り出しているエッジの下に少なくとも部分的に伸長する内部開放チャネル２３０と、該隆起リッジの放射状に外向きのレッジ２３６と、を備えている前記環状バンドを備えている防着リングを配置する。 （もっと読む）

【課題】 複数種類の原料ガスを用いて薄膜を堆積する場合において、各原料ガスを効率的に分解可能とする。
【解決手段】 原料ガスを触媒体８で接触分解して生成した分解種により基板２上に薄膜を堆積させる薄膜堆積装置である。２種類以上の原料ガスを導入する原料ガス導入機構（シャワーヘッド４）と、構成材料が異なり原料ガスの分解に対して選択性を有する少なくとも２種類の触媒体８Ｘ，８Ｙとを備える。２種類以上の触媒体としては、例えばニッケルを含有する第１の触媒体と、タングステン、タンタル、モリブデン、イリジウム、レニウムから選択される少なくとも１種を含有する第２の触媒体である。第１の原料ガスとしてヘキサフルオロプロピレンオキサイドを導入し、第２の原料ガスとして水素及びアンモニアから選ばれる少なくとも１種を導入することで、ポリテトラフルオロエチレン薄膜が堆積される。 （もっと読む）

【課題】活性化されたガスが死活しにくく、パーティクルの発生を抑制する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板１８を処理する処理室８０と、処理室８０に活性化されていない原料ガス及び活性化された酸素含有ガスを供給するガス供給部１００と、酸素含有ガスを活性化させるプラズマユニット１２０と有する。プラズマユニット１２０で活性化された酸素含有ガスは、活性化された後に直ちに処理室８０に流入し、原料ガスはプラズマユニット１２０を通過することなくガス供給部１００の側方から処理室８０へ流入し、酸素含有ガスと原料ガスとが処理室８０に収容された基板１８に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 自然酸化膜を含む付着物を確実に除去し，次の成膜処理によって被処理基板に形成される膜の密着性をより向上させる。
【解決手段】 基板処理装置１００は，処理室１０４Ａ〜１０４Ｄに共通に連結され，各処理室に対してウエハの搬出入を行う共通搬送室１０２を備える。各処理室１０４Ａ〜１０Ｄはそれぞれ，ウエハ上の自然酸化膜を含む付着物とガス成分とを化学反応させて生成物を生成するための生成物生成処理室（ＣＯＲ処理室），ウエハ上に形成された付着物の生成物を熱処理により除去するための生成物除去処理室（ＰＨＴ処理室），ウエハにＴｉ膜を成膜するＴｉ膜成膜処理室，Ｔｉ膜上にＴｉＮ膜を成膜するＴｉＮ膜成膜処理室として構成した。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内での金属汚染等を低減し、基板等への成膜処理を良好に行うことができる薄膜作製方法を提供する。
【解決手段】 高蒸気圧ハロゲン化物を生成し得る金属を含む材料で形成した被エッチング部材１１を、ハロゲンを含有する作用ガスＣｌ_２でエッチングして前記金属とハロゲンとからなる前駆体（ＴｉＣｌ_Ｘ）を形成する一方、チャンバ１の温度を前記被エッチング部材１１の温度よりも低温に維持した状態で、前記チャンバ１の内面に前記前駆体を吸着させることにより、前記チャンバ１の内面に前記金属のハロゲン化物の薄膜を形成するとともに、前記金属のハロゲン化物の薄膜を、作用ガスのプラズマにより得るハロゲンラジカルＣｌ^＊で還元して前記金属の薄膜であるプリコート膜２００を形成する。 （もっと読む）

【課題】大気中で良質の薄膜を形成することのできる成膜方法、および装置を提供することにある。
【解決手段】本発明の成膜方法および装置によれば、原料となる金属化合物をキャリアガス中で超音波振動により霧化してエアロゾルを発生させ、さらにこのエアロゾルを加熱してから被処理材に吹き付けることにより、均一で品質の良い膜を得ることができる。
また、このような方法および装置によれば、大気中で膜形成を行なうことができるから、成膜チャンバ等を設けることなく、開放空間中で成膜を行なうことができる。このため、製造設備のライン化が容易となり、製造効率を向上することができる。 （もっと読む）