【課題】半導体デバイスの信頼性を改善するという結果をもたらす望ましい大きさおよび距離を有したウェハー表面上にエピタキシャルの小島の製造を容易化できる選択場所にエピタキシャル膜を成長させるための装置および方法を提供すること。
【解決手段】選択場所にエピタキシャル膜を成長させる装置は、イオン銃３、イオンの方向とエネルギを制御する制御手段４ｂ、ウェハーホルダ２、ガス導入口５、および排気ポート６を備えるウェハーパターニングチャンバ１と、別置きのエピタキシャル膜成長チャンバから構成されている。当該装置において、ウェハーパターニングチャンバにおけるイオン銃は予め定められた直径およびイオンエネルギのイオンビームを放射し、その結果、ウェハー表面上の衝突イオンはウェハー表面に原子間のいくつかの結合を破壊しまたは転位することによってダメージを与える。 （もっと読む）

【課題】 水分含有量が６０×１０^−９体積比以下のＣ₅Ｆ₈ガスを用いて、フッ素添加カーボン膜を成膜することにより、熱的安定性に優れたフッ素添加カーボン膜を得ること。
【解決手段】 Ｃ₅Ｆ₈ガスの供給源１と、ウエハＷに対してＣ₅Ｆ₈ガスをプラズマ化させてフッ素添加カーボン膜を成膜する成膜処理部３との間に、親水性又は還元作用のある表層を備えた物質を充填した精製器２を設け、Ｃ₅Ｆ₈ガスを精製器２に通気させることにより、Ｃ₅Ｆ₈ガスの水分を除去し、例えば水分含有量が２０×１０^−９体積比程度のＣ₅Ｆ₈ガスを成膜処理部３に導入し、フッ素添加カーボン膜を成膜する。このようすると、成膜されたフッ素添加カーボン膜に取り込まれる水分量が極めて少なくなり、後の加熱工程にて膜中の水分に起因するフッ素の脱離が発生しにくくなり、膜の熱的安定性が高められる。 （もっと読む）

【課題】 タクトを短縮して、生産性を向上させるとともに、省スペース化、低コスト化した真空処理装置を提供する。
【解決手段】 真空処理装置１０において、基板キャリア１２Ａ、１２Ｂを複数の予備室３０Ａ、３０Ｂの基板入れ替え口３０Ａａ、３０Ｂａの前面にそれぞれ１又は２以上配置可能な構成とした。
また、基板キャリア１２Ａ、１２Ｂに基板２４を着脱する際には、少なくとも１つの基板キャリア１２Ａを水平面上に回転させる基板キャリア干渉防止機構５０を備えると、省スペース化が容易になる。 （もっと読む）

【課題】気相ダイヤモンドの合成反応における反応ガスの導入量を精密かつ容易に制御できる気相ダイヤモンドの合成方法および気相ダイヤモンドの合成反応に有用である酸素の導入量を精密かつ容易に制御できる気相ダイヤモンドの合成方法を提供すること。液体原料である有機溶媒等を霧化しその霧化状有機溶媒等と水素ガスとの反応ガスを調製することができる気相ダイヤモンドの合成装置を提供すること。
【解決手段】熱フィラメント式ダイヤモンドの合成装置本体と、この内部に該本体外部に設置した液体原料制御供給部と連通する静電霧化器を内設してなる気相ダイヤモンドの合成装置を使用し、この合成装置の内部に水素ガスを充満すると共に前記液体原料制御供給部に有機溶媒等を供給し、該有機溶媒等を静電霧化器で霧化しその霧化状有機溶媒と水素ガスとの反応ガスを調製して気相ダイヤモンドの合成反応を行うことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】従来のＣＶＤ装置又は方法を基板のより高いスループットの観点で改良すること。
【解決手段】反応チャンバー内に配置され、少なくとも基板を載せる可動のサセプタを有するプロセス室を備え、膜を構成する成分を基板上に堆積するため、プロセス室内に、膜を構成する成分を含有すると共に順次行われるプロセス工程において導入可能な相互に異なるプロセスガス、を導入するための複数のガス導入管が開口するＣＶＤ装置に関する。スループットを高くするために、そこで相互に異なる膜又はコンポーネント膜を堆積するために、プロセス室が、内部に個々のガス混合比を実現する相互に異なるガス導入管（３４、３４’）が開口すると共にサセプタ（２０）の移動を介して基板（９）がそれに順次供給可能となっている複数の相互に分離された堆積室（１１、１１’）、を有する。 （もっと読む）

【課題】 処理容器内でのドープガスの拡散速度を高く維持しつつドープガス源の交換頻度を抑制してスループットを向上させることが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理体を収容することができる処理容器Ｗと、前記被処理体を複数段に亘って支持する保持手段１８と、前記処理容器内を真空引きする排気系１４と、成膜を行う原料ガスを供給する原料ガス供給手段４２と、薄膜中に不純物を導入するためのドープガスを供給するドープガス供給手段４６と、前記被処理体を加熱する加熱手段３８と、を有する熱処理装置において、前記処理容器内へ希釈ガスを供給するための希釈ガス供給手段のガス供給通路からの希釈ガスと前記ドープガス供給手段のガス供給通路からのドープガスとを混合させて混合ガスを形成するための所定の容量のガス混合タンク６６が設けられる。 （もっと読む）

【発明の課題】 より高いスループットで、ウェハー表面の汚染を生ずることなく当該ウェハー上に膜を堆積できるＣＶＤ装置を提供すること。
【解決手段】 ＣＶＤ装置は、ウェハー搬入／搬出チャンバ１ａ，１ｂ、処理チャンバ３、ウェハー搬送チャンバ２を備える。処理チャンバは、２つまたはそれより多いウェハーステージ６ａ〜６ｄであって、当該ウェハーステージの各々は回転可能な中央ポールに水平アーム８ａ〜８ｄを介して連結されているものと、ウェハー・ロード／アンロード室５と、２つまたはそれより多い分離された処理反応容器４ａ，４ｂとで構成され、当該処理反応容器では各々に膜の化学的気相成長のために必要な１タイプの処理ガスのみが供給される。ウェハー・ロード／アンロード室と処理反応容器は、中央ポールから同じ半径距離に配置され、中央ポールが回転する時、ウェハーステージの各々は処理反応容器等を通って移動する。 （もっと読む）

プロセスツールからの排気流体流を処理するための低コストの装置を開示する。一実施形態では、装置は、緩和装置(12)と、緩和装置(12)を少なくとも部分的に排気する液体リングポンプ(14)とを有している。使用中、緩和装置(12)は、排気流体流の１つ以上の成分、例えばＦ₄又はＰＦＣを、環境に対する有害性の低い１つ以上の液体溶解性成分、例えばＨＦに変換する。液体リングポンプ(14)は、排気流体流及び液体を受入れ、液体と排気ガス流の液体溶解性成分とからなる溶液を排出する。かくして、液体リングポンプ(14)は、ウェットスクラバ及び大気圧真空圧送段の両方の作用を行う。
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【課題】 真空系内への導入ガスによる真空度の低下等に起因する電子線源等の粒子線源への上記のような悪影響を排除し、特に走査型あるいは透過型の電子顕微鏡に適用した場合にも通常の電子顕微鏡に改造を加えることなく、原料ガスの供給を行うことができる、粒子線を用いたガスデポジション法における原料ガス供給方法及び供給装置を提供する。
【解決手段】 構造物の原料となる元素を含んだ原料ガスを基板材料上に流しながら、粒子線を基板材料上の所望位置に向かって照射することにより、基板材料上に微細構造物を作製するガスデポジション法のための原料ガス供給方法であって、穴を有する容器内に、構造物の原料となる元素を含んだ原料ガスを発生する固体物質を入れ、固体物質を入れた容器を基板材料の近傍に配置し、容器の穴から基板材料上に原料ガスを供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 被堆積材の温度上昇の抑制と高速な成膜との両立を図る。
【解決手段】 真空容器２内に設置された被堆積材３上に薄膜形成を行う成膜装置であって、材料ガスの一部を活性化する触媒体５と、触媒体５と接触するように材料ガスの一部を導入する第１のガス供給手段６と、触媒体と被堆積材との間の空間に材料ガスの一部を直接導入する第２のガス供給手段７とを有する。材料ガスの少なくとも一部を触媒体５により活性化するとともに、この活性化した材料ガスにより残りの材料ガスを活性化して堆積種とし、被堆積材４上に薄膜を堆積させる。 （もっと読む）

化学気相輸送法（CVT）を用いて、低温低圧で、基板にダイヤモンドコーティングを製作する方法であって、ワイヤ巻付グラファイト組立部材と、基板とをチャンバ室内に提供するステップと、チャンバ室に水素を充填するステップと、チャンバ室の内部圧力を真空にしてから、水素を再度充填するステップと、1気圧未満の水素を含有したままチャンバ室を密閉するステップと、基板が125℃〜750℃の範囲に加熱されるまで、グラファイト棒に電流を流すステップと、を有する方法によって、優れた特性が得られる温度で、高品質ダイヤモンドが形成される。
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基板の表面を処理するために必要な反応性物質やキャリアガスなどを効率的に利用するとともに、ガスの移送のための設備を簡略化し、省エネルギー化を図ることができる基板処理装置を提供する。反応性物質を含むプロセスガスを供給するガス供給源１２と、ガス供給源１２に接続されプロセスガスを貯留するリザーバタンク１４と、内部に配置された基板をプロセスガスに曝露する反応器１０と、反応器１０の内部のプロセスガスをリザーバタンク１４に導入する第１の循環配管３８と、リザーバタンク１４内のプロセスガスの少なくとも一部を反応器１０に導入する第２の循環配管４２と、第２の循環配管４２に設置され反応器１０に導入されるプロセスガスの量を調整する流量調整バルブ４４とを備えた。
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【課題】 減圧処理室から未反応の原料ガスや反応副生成物ガスを排気するための真空ポンプの安定稼動を保証するとともに、反応副生成物を効率良く回収して資源の有効利用およびランニングコストの低減をはかること。
【解決手段】 この減圧ＣＶＤ装置は、減圧ＣＶＤ法によって銅の成膜を行うための処理室１０と、この処理室１０に原料ガスとして有機銅化合物たとえばＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳを供給するための原料ガス供給部１２と、処理室１０を真空引きして排気するための真空排気部１４とで構成されている。真空排気部１４は、真空ポンプ２６と、その前段および後段にそれぞれ設けられた高温トラップ装置２８および低温トラップ装置３０とで構成されている。高温トラップ装置２８では処理室１０からの排気ガスに含まれている未反応のＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳが分解して金属銅がトラップされ、低温トラップ装置３０では反応副生成物のＣｕ（II）（ｈｆａｃ）2がトラップされる。 （もっと読む）