【課題】高品質の酸化亜鉛系半導体を容易に製造できる酸化亜鉛系半導体の製造方法及びその製造装置を提供する。
【解決手段】本実施形態による酸化亜鉛半導体の製造装置１は、塩素ガス供給手段２と、キャリアガス供給手段３と、原料ゾーン４と、加熱手段５と、水供給手段６と、キャリアガス供給手段７と、成長ゾーン８と、加熱手段９と、基板保持手段１０と、水素供給手段１１とを備えている。原料ゾーン４では、塩素ガス供給手段２から供給される塩素ガスと亜鉛とを反応させて塩化亜鉛ガスを生成する。成長ゾーン８では、原料ゾーン４から供給される塩化亜鉛と、酸素材料として水供給手段６から供給される水とを反応させて、基板保持手段１０に保持された成長基板１６上に酸化亜鉛半導体を成長させる。 （もっと読む）

【課題】均一なガス配分の配管システムを具備するＰＥＣＶＤコーティング装置を提供する。
【解決手段】配管１は、夫々、少なくとも１つの供給口２と、複数の排気口４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆの間に配置される。配管１の形状は、配管の流れ抵抗が実質的に同等に大きいようになっている。配管１は少なくとも１つの分岐点２ａ，２ｂを有し、分岐点で第１の配管区画３ａ，３ｂが少なくとも３つの第２の配管区画３ａ，３ａｂ，３ａｃ，３ｂａ，３ｂｂ，３ｂｃへと連通し開口している。第１及び第２の配管区画は異なった階層に配置され、ツリー構造様に分岐する。前記配管区画は陥凹及び／又は凹部としてプレートに、特に、フライス削りによって削り込まれている。階層間の連通のためプレートに穿孔される。排気口は正則なラスタとして表面全体に配置され、その配置は、排気口が同表面の隣接する夫々の正方形の中心に位置するような形である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理を効率よく行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、印加電極２と、ワーク１００を載置するとともに印加電極２の対向電極としての機能を併有するパレット（第１の電極）４と、プラズマ処理用のガスを供給するガス供給手段１１と、印加電極２とパレット４との間に電圧を印加する第１の回路（電源部）８を備え、パレット４を載置するテーブル６の下面６３には、振動子９が配設され、印加電極２とパレット４との間に印加する電圧の大きさを調整する電力調整手段８５と、電力調整手段８５の作動を制御する制御手段７０とを有しており、この振動子９によりパレット４とワーク１００とを一体的に振動させながら被処理面１１０を処理するに際し、制御手段７０により、電力調整手段８５が作動するよう構成されている。 （もっと読む）

元素金属Ｍ（０）膜を半導体基板上に堆積するための組成物および方法を開示する。開示されている方法の１つは、半導体基板を加熱して加熱された半導体基板を得ること；加熱された半導体基板を、金属前駆体、過剰量の中性不安定配位子、および超臨界溶媒を含む組成物に晒すこと；金属前駆体を、加熱された半導体基板において、またはその付近で、還元剤および／または熱エネルギーに晒すこと；還元剤および／または熱エネルギーを使用して金属前駆体を元素金属Ｍ（０）に還元すること；ならびに金属酸化物の形成を最小限にしながら元素金属Ｍ（０）膜を堆積することを含む。 （もっと読む）

【課題】延性−脆性遷移温度が高い材料をフィラメントの材料として用いる場合であっても、フィラメントの交換を容易に行うことを可能とするｃａｔ−ＣＶＤ装置及びフィラメント交換方法を提供する。
【解決手段】成長基板２００を収容する真空チャンバ３０と、真空チャンバ３０内に配置されたフィラメント１とを備えたｃａｔ−ＣＶＤ装置１００が、フィラメント１を真空チャンバ３０内に送り出す送り出しローラー２０と、フィラメント１を真空チャンバ３０内から巻き取る巻き取りピンチローラー４０と、フィラメント１の延性−脆性遷移温度よりも高い温度となるまで、フィラメント１を巻き取りピンチローラー４０側で加熱するヒータ４１とを備える。 （もっと読む）

【課題】複雑な形状の部材であっても、部材加熱手段を設けて加熱することなしに、その表面に付着した膜を効率よく完全に除去可能な付着膜の除去ができるシリコン含有膜の製造装置を提供する。
【解決手段】処理室１の内部に、原料ガスとクリーニングガスとを切り換えて導入するためのガス導入切換手段と、発熱下において、前記原料ガス及びクリーニングガスを分解及び／又は活性化するための発熱体３とを有するリコン含有膜の製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】局所排気装置の浮上面面積の低減が可能な加工装置と、この加工装置を備えた配線基板の製造装置と、を提供する。
【解決手段】加工装置の構成を、局所排気装置４が、支持台２に対する浮上用ガスの噴射によって支持台２から相対的に浮上可能とされ、浮上用ガスの噴射が、局所排気装置４内に設けられた絞り通気手段１３を介してなされる構成とする。 （もっと読む）

【課題】触媒化学蒸着装置において、基板への熱輻射を低減することでさらなるプロセスの低温化を可能にする蒸着装置を提供する。
【解決手段】ガス供給系によって処理容器内に蒸着用ガスを供給し、加熱機構により所定温度に加熱された熱触媒体３の表面付近を蒸着用ガスが通過するようする。基板ホルダーに保持された基板９に蒸着用ガスが到達し、熱触媒体３が関与した蒸着用ガスの反応を利用して基板９に所定の薄膜が作成される。熱触媒体３はコイル状であり、コイルの軸方向が基板９の表面に対して平行である。熱触媒体３は、コイルが成す仮想円筒面の直径をＲ、隣り合う線の幅をｐとしたとき、ｐ／Ｒが５以下である、 （もっと読む）

【課題】複数の排気管を接続する排気下流側接続部のメンテナンスを容易にする。
【解決手段】筐体を備えた基板処理装置であって、基板を処理する処理室２０１を内側に有する反応容器２０７と、該反応容器２０７の外周側から前記基板を加熱する加熱装置と、前記反応容器２０７の下端を閉塞する蓋体と、前記反応容器内にガスを供給するガス供給管２３０と、前記加熱装置と前記蓋体との間の前記反応容器２０７の側壁に一体成形され該反応容器２０７内を排気する複数の排気管２３１とを筐体内に有し、前記複数の排気管２３１の排気下流側接続部を、前記筐体一側面に面するメンテナンスエリア側に配置する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理後のウエーハ表面の帯電による静電気を原因とした汚染の問題を解決した非処理基板であるウエーハを複数枚一括してプラズマで処理する半導体製造装置を提供する。
【解決手段】基板１８にプラズマ処理を行う処理炉１６の搬入出口の近傍に、交流電源５５および正極の直流電源５６を接続した複数の針電極を備えた除電装置３４を配置し、ボートエレベータ２２により処理炉１６から搬出された帯電基板１８を除電する。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶の質と成長方向及び／又はそれに垂直な平面内におけるドーパントの均等な配列とを有するドープIII−Ｎ結晶層又はドープIII−Ｎバルク結晶を提供すること。
【解決手段】ドープIII−Ｎ結晶層又はドープIII−Ｎバルク結晶を製造する方法において、ドープIII−Ｎ結晶層又はドープIII−Ｎバルク結晶が、リアクタ内で基板又はテンプレート上に堆積し、リアクタ内に、少なくとも１つのドーパントが、少なくとも１つのIII族材料とともに混合した状態で供給される。この方法によれば、成長方向及びそれに垂直な平面においてそれぞれドーパントが非常に均質に分布されたIII−Ｎバルク結晶及びIII−Ｎ単結晶基板を分離させて得ることができる。同様に、成長方向及びそれに垂直な平面において非常に均質な電荷キャリア及び／又は電気抵抗率を分布させることができる。さらに、非常に良好な結晶品質を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】基板に均一にガスを供給することが可能であり、基板に対し均一な処理を施すことが可能な処理装置及び処理方法の提供。
【解決手段】シリコン基板２が収容された圧力調整可能な処理室１内にＯ_２含有ガス５を供給してシリコン基板２に所望の処理を施すに際し、Ｏ_２含有ガス５を放射状に供給し、パラボラ状曲面を有する反射板１１を用いて放射状に供給されたＯ_２含有ガス５を反射し、シリコン基板２に対するＯ_２含有ガス５のガス流れを平行にしてシリコン基板２にＯ_２含有ガス５を供給する。 （もっと読む）

【課題】半導体の製造能力を低下させずに設置面積を可及的に縮小した半導体製造装置を提供する。
【解決手段】側面に設けられた開閉可能な第１の開口を介してウェハ２６を搬入・搬出するよう内部に配設したロボット７０を有する搬送チャンバ４０と、搬送チャンバ４０側に臨んで形成された開閉可能な第２の開口を側面に有すると共に、上下方向に積層して構成された複数の処理チャンバ３１からなるタワー型処理チャンバユニット３０と、搬送チャンバ４０を上下に昇降させる昇降機構６０と、先端部が搬送チャンバ４０に接離可能に形成されると共に、前記何れか１つの処理チャンバと搬送チャンバ４０との内部同士が連通するように第１の開口と第２の開口とを連結する連結機構５０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの生成室と処理室との間のコンダクタンス調整手段の温度上昇を防止し、プラズマ処理時の処理再現性、処理精度を向上させるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ生成室１０１と、被処理基体１０３が設置されるプラズマ処理室１０２と、その双方の間を仕切って処理用ガスが通過するコンダクタンス調整手段１０８とを有するプラズマ処理装置であって、コンダクタンス調整手段１０８を、少なくとも３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有する部材（シリコン）から構成し、かつ、コンダクタンス調整手段１０８を支持する部分を第１の温度に冷却する冷却手段１１１と、冷却された冷媒をコンダクタンス調整手段１０８内を循環させる冷却手段（図示せず）とを備える。 （もっと読む）

【課題】処理室内の圧力異常の原因を的確に判定する。
【解決手段】処理室内の圧力を調整するためのバルブを制御して処理室内の圧力を目標値に調整し，バルブを閉じて圧力チェックを開始し，そこから所定の圧力チェック時間分の処理室内の圧力データを取得し（例えば圧力データ収集），圧力データの時間変化を示す波形の識別を行い，その結果に基づいて処理室内の圧力の異常原因を判定する（例えばリーク異常判定，アウトガス異常判定，圧力異常原因判定）。 （もっと読む）

【課題】 透明で可撓性にも優れたガスバリヤー性フィルムを低コストで提供する。
【解決手段】 本発明のガスバリヤーフィルムは、高分子フィルム上に炭素層が形成されたものである。前記炭素層が、燃焼または不完全燃焼により発生するスス（炭素）を高分子フィルムの上に付着させて形成されること、用いられる高分子フィルムは、透明性のあるものであること、が好ましい。 （もっと読む）

【課題】成膜室の小型化、さらには成膜装置の小型化を実現し、成膜した膜厚分布を良好にすることができ、気化量を多くして成膜のスループットを向上させることである。
【解決手段】液体原料を気化し、基板Ｗ上に堆積させて成膜する成膜装置１であって、基板Ｗを内部に保持する成膜室２と、前記成膜室２に位置を異ならせて配置され、同一の液体原料を前記成膜室２内に直接噴射して、減圧沸騰させることにより、前記液体原料を気化して供給する複数の噴射弁３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】還元ガスを選択的に活性化することにより、不純物元素の混入が抑制された低抵抗のタングステン膜を効率的に形成することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】 被処理体Ｓの表面に薄膜を形成する成膜装置において、真空引き可能になされた処理容器１４と、前記処理容器内で前記被処理体を載置する載置台２０と、前記被処理体を加熱する加熱手段４４と、前記処理容器内へタングステン含有ガスと還元ガスとを供給するガス供給手段７０と、前記還元ガスを活性化するために通電により発熱する触媒体９４と、前記触媒体に通電を行うために接続された触媒用電源１０６とを備える。これにより、還元ガスを選択的に活性化することにより、不純物元素の混入が抑制された低抵抗のタングステン膜を効率的に形成する。 （もっと読む）

【課題】不要な付着膜が堆積することを阻止することにより、クリーニング処理の回数を大幅に減少させてスループットを向上させるようにした処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器４内で被処理体Ｗに対して所定の処理を施す処理装置において、前記処理容器の内壁の表面及び／又は前記処理容器の内部構造物の表面にＳＡＭ（Ｓｅｌｆ ａｓｓｅｍｂｌｅｄ ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）膜よりなる膜付着防止層５４Ａ〜５４Ｈを形成する。これにより、不要な付着膜が堆積することを阻止する。 （もっと読む）

クラスターツールを使用し、エピタキシャル膜形成の前に第１のガスを使用して第１の処理チャンバ内で基板を前洗浄し、第１の処理チャンバから真空下で移送チャンバを通して第２の処理チャンバへ基板を移送し、第１のガスを使用せずに第２の処理チャンバ内で基板上にエピタキシャル層を形成するためのシステム、方法及び装置が提供される。多数の付加的な態様が開示される。 （もっと読む）