【課題】充分な導電性を確保しつつ、高い熱伝導率と高い電子移動度を有する窒化物系半導体基板及び半導体装置を提供する。
【解決手段】直径２５ｍｍ以上、かつ厚さ２５０μｍ以上の寸法を有する窒化物系半導体からなる基板であって、ｎ型のキャリア濃度ｎ［ｃｍ^-3］が１.２×１０¹⁸ｃｍ^-3以上３×１０¹⁹ｃｍ^-3以下であり、かつ電子移動度μ［ｃｍ²／Ｖｓ］が、ｌｏｇ_eμ＝１７．７−０．２８８ｌｏｇ_eｎで表される値よりも大きく、かつｌｏｇ_eμ＝１８．５−０．２８８ｌｏｇ_eｎで表される値よりも小さい窒化物系半導体基板。また、その窒化物系半導体基板の上に窒化物系半導体をエピタキシャル成長させて半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】 安定な高速成膜化が可能なＣａｔ−ＰＥＣＶＤ装置を提供すること。
【解決手段】 本発明のＣａｔ−ＰＥＣＶＤ装置は、原料ガスの少なくとも１つを熱触媒体により加熱する加熱励起部と、前記加熱された原料ガスをプラズマで活性化させて成膜する薄膜形成部とを備え、前記薄膜形成部には、基板を載置するための載置台と、前記加熱された水素ガスおよびシラン系ガスをそれぞれ分離した状態で噴出するための複数のガス噴出口が、前記載置台に対向するように配置される、プラズマ発生電極を兼ねるシャワーヘッドとが設けられる、Ｃａｔ−ＰＥＣＶＤ装置であって、前記加熱励起部には、外部と連通可能な連通部が形成され、前記連通部の外部側の開口部に嵌合可能な、前記熱触媒体を配設する熱触媒体交換ユニットが備えられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】少ない台数のイオン発生手段で例えば被処理体移載エリア内の広範囲に亘って帯電箇所の除電及び浮遊する帯電塵の除電を行うことが可能な被処理体の移載機構を提供する。
【解決手段】複数の被処理体Ｗを複数段に亘って保持して収容することが可能な収容ボックス６と、複数の被処理体を複数段に亘って保持し、被処理体に対して所定の処理を施すための処理容器６４内へロード及びアンロードされる被処理体保持手段１８との間で、被処理体の移載を行う被処理体の移載機構５２において、昇降手段５４により上下方向へ昇降可能になされた昇降台５６と、昇降台に設けられて、被処理体を載置して前進、後退及び旋回可能になされたフォーク手段５８と、フォーク手段に設けられて静電気を除去するイオンを発生させるイオン発生手段６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】電極針を自動的にクリーニングできるとともに、クリーニングにより生じた塵埃等を外部に飛散させない機構を備えた除電器を提供する。
【解決手段】電極針清掃時は、電動機７３１が回転してシャッタ部材７１を第１の位置から第２の位置に移動させ、筺体２の第１の開口部２２を閉鎖する。次に電動機７３１が小刻みに正転と反転とを反復することにより、ブラシ７２ａ、７２ｂがそれぞれ対応する電極針４２ａ、４２ｂをシャッタ部材の移動方向に関して両方向から清掃できるように、シャッタ部材７１が往復動する。当該往復動の間は、シャッタ部材７１は第１の開口部２２を開口しないので、電極針から除去された塵埃等が第１の開口部２２から外部に放出されることはない。 （もっと読む）

【課題】チャンバの内部から排出されるパーティクルの数を用いてチャンバの内部状況を正確に推定することができるチャンバの内部状況推定方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０においてＮＰＰＣシーケンスを実行した際の全排出パーティクル数の時系列データからガス衝撃力モード、ガス粘性力モード及び静電気力モードに対応した特性値（閾値越え開始点、閾値越え終了点、閾値越え積算時間及び閾値越え回数）が抽出され、該特性値とウエハ上パーティクルの数の相関関係（感度、ばらつき）が算出され、さらに、算出された相関関係及び新たな時系列データにおける特性値に基づいてウエハ上パーティクルの数が推定される。 （もっと読む）

【課題】成膜速度が速く、安価な原料を用いることができ、膜中の不純物を可及的に低減し得る金属膜の作製における成膜反応を促進させる金属膜作製装置を提供する。
【解決手段】 銅板部材７と基板３との温度及び温度差を所定通に制御することにより、チャンバ１内のＣｌ₂ガスプラズマで前記銅板部材７をエッチングしてＣｕ成分とＣｌ₂ガスとの前駆体を形成し、この前駆体のＣｕ成分を基板３に析出させてＣｕの成膜を行う場合において、チャンバ１内に連通してＣｌ₂ガスを流通させる通路２４の励起室２５でＣｌ^*を形成し、このＣｌ^*をチャンバ１内に供給することにより基板３に吸着状態となっている前記前駆体からＣｌ₂ガスを引き抜いてＣｕ膜の成膜反応を促進させるようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】シリコンからなるマスクチップを有するマスクを蒸着装置から取り出すことなくクリーニングできる蒸着装置およびマスクのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】蒸着装置は、シリコンからなり所定の膜パターンに対応する開口部を有するマスクチップ２０と、マスクチップ２０が複数取り付けられた支持基板１０と、を有するマスク１を介して、ワーク２の被成膜面２ａに膜材料３２を堆積させる成膜室１１０，１２０と、成膜室１１０，１２０に接続されており、マスク１をクリーニングするプラズマ処理機構が設けられた処理室と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜速度が速く、コストを大幅に減少させて高品質なＣｕ薄膜１６を生成する。
【解決手段】チャンバ１の内部にノズル１２から原料ガスを供給し、プラズマアンテナ９から電磁波をチャンバ１の内部に入射し、Ｃｌ₂ガスプラズマ１４により、銅板部材７にエッチング反応を生じさせて前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）１５を生成し、銅板部材７よりも低い温度に制御された基板３に運ばれる前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）１５は還元反応によりＣｕイオンのみとされて基板３に当てられ、基板３の表面にＣｕ薄膜１６が生成され、成膜速度が速く、コストを大幅に減少させて高品質なＣｕ薄膜１６を生成する。 （もっと読む）

【課題】 成膜工程における基板の加熱処理とイオン処理を、同じ位置において連続的に実施することができるイオン照射処理装置及びイオン処理方法を提供する。
【解決手段】 基板７とイオン源用金属板３の間に配置された筒状のアースシールド５と、アースシールド５の基板側端部近傍に移動可能に設けられ、表面が黒色化処理された遮蔽板６（６ａ、６ｂ）とを備えている。イオン処理を行わない時には、遮蔽板６がアースシールド５の開口部を覆ってイオン源用金属板３と基板７の間を遮蔽するので、イオン照射により加熱された遮蔽板６で基板７を加熱処理することができる。また、イオン処理時には、遮蔽板６ａ、６ｂが移動してアースシールド５の開口部を開くため、加熱処理後でも基板を移動させることなくイオン源用金属板３と対向した基板７上にイオン処理をすることができる。 （もっと読む）

【課題】成膜速度が速く、安価な原料を用いることができ、膜中に不純物が残留しない金属膜作製装置及び金属膜作製方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態は、金属板及び基板が配置されるチャンバと、チャンバ内に原料ガスを導入する原料ガス供給手段と、前記原料ガスをプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させる第１プラズマ発生手段であって、前記原料ガスプラズマが前記チャンバ内において前記金属板と反応するように配置されている第１プラズマ発生手段と、チャンバ内に水素を含有する還元ガスを供給する還元ガス供給手段と、前記還元ガスをプラズマ化して還元ガスプラズマを発生させる第２プラズマ発生手段と、チャンバを所定温度に加熱するチャンバ加熱手段とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】気相成長膜を成長させる成長速度の向上を図ることが可能な気相成長装置および方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のエピタキシャル成長装置１００は、内部で基板が支持されるチャンバ１２０と、チャンバ１２０内に配置され、基板に向かって原料ガスを供給するシャワーヘッド１３０と、シャワーヘッド１３０と基板の表面との間の空間Ｓ１と、空間Ｓ１から排気されたガスが通過する空間Ｓ２とを接続し、空間Ｓ２から空間Ｓ１に向かって流れるガスを再生する流路１２６と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、成膜される膜の成長速度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は洗浄周期が長く、生産性が高い原子層蒸着装置を提供する。
【解決手段】本発明による原子層蒸着装置は、基板を支持する基板支持台、該支持台上に形成されて基板支持台と接触した状態で反応室を規定する反応室壁、反応室内に工程気体を流入させる気体流入管、基板支持台と共に反応領域を規定して、気体流入管と連結されて反応領域に気体を供給するための複数の噴射孔を有する気体分散器具、気体分散器具上に配置されて絶縁物質からなる気体分散器具絶縁板、該絶縁板と反応室壁との間に配置されている気体流動調節板、反応室の内部の気体を流出させるための気体流出口、そして高周波電力を印加するために気体分散器具に連結されている高周波接続端子を含み、気体分散器具と気体分散器具絶縁板との間、該絶縁板と気体流動調節板との間、そして気体流動調節板と反応室壁との間に気体が通過することができる気体通路が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ステップカバレッジが良好で、原料を安定的に供給するとともに原料の劣化を生じさせずに実用的かつ安価に良質な金属膜を成膜することができる成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】一酸化炭素と水と酸素含有金属化合物とを反応させて当該金属の蟻酸塩ガスを生成する工程と、基板１上に蟻酸塩ガスを供給して蟻酸塩膜２を堆積させる工程と、蟻酸塩膜２が堆積された基板１にエネルギーを与えて蟻酸塩膜２を分解して金属膜３を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内に付着した不純物を効率良くクリーニングすることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜を行うチャンバ３０と、ハロゲンを含有するクリーニングガスをチャンバ３０内へ供給するガス供給手段４２，４４と、チャンバ３０内のクリーニングガスの圧力を調整する圧力調整手段５２，５４と、クリーニングガスをプラズマ化するプラズマ発生手段３２，３４，３６と、を備え、プラズマ発生手段３２，３４，３６を用いて発生させたクリーニングガスプラズマの作用によってチャンバ３０の内壁に付着した不要物をクリーニングする際に、圧力調整手段５２，５４によってチャンバ３０内のクリーニングガスの圧力を変更可能とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ等の後処理工程を必要としない埋め込み成膜方法及び装置を提供する。
【解決手段】ラジカルＣｌ^*で、Ｃｕを含む被エッチング部材をエッチングして前駆体ＣｕＣｌを形成する一方、バリアメタル膜２５が形成された基板３に形成した凹部３ａにＣｕＣｌを吸着させ、その後ＣｕＣｌをＣｌ^*で還元してＣｕ膜２６を形成する成膜反応と、このＣｕ膜２６をＣｌ^*でエッチングするエッチング反応とを共存させるとともに、成膜反応の速度がエッチング反応の速度よりも大きくなるように制御することにより凹部３ａにその底部から順にＣｕ膜２６を積層して埋め込みを行なうとともに、Ｃｕ膜２６が基板３における凹部３ａの開口部よりも若干突出するまで成膜し、その後エッチングモードとすることにより開口部より突出したＣｕのエッチングを行なうとともに基板３の表面のバリアメタル膜２５も除去し、Ｃｕ膜２６と基板３の表面とが面一になるように制御する。 （もっと読む）

【課題】基板が大型化しても効率よく成膜室内をクリーニングすることができる成膜装置およびそのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】基板２０が配置される成膜室２と、成膜室２内に配設され基板２０を載置可能な基板支持部１５と、基板支持部１５に対向して配設され、成膜ガスを成膜室２内に導入するための複数の小孔６を有するシャワープレート５と、成膜室２内の付着物を除去するため活性化されたクリーニングガスを成膜室２内に供給するクリーニングガス供給手段と、を備えた成膜装置１０のクリーニング方法において、クリーニングガス供給手段は、成膜室２内に延設されたクリーニングガス供給管３７を備え、クリーニングガス供給管３７に形成された複数のガス噴出孔３９から、シャワープレート５と基板支持部１５との間にクリーニングガスを供給するとともに、シャワープレート５から成膜室２内に向けて不活性ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により基板にカーボン保護膜を成膜する際に、基板を保持するキャリアに堆積するカーボン膜を効果的に低減し、堆積膜の剥離に伴うパーティクルの発生を抑制し、かつ、キャリア表面のカーボン堆積膜を発生源とするアウトガスの放出を抑制する。
【解決手段】成膜用基板をキャリアに装着して、接続された複数のチャンバ内に順次搬送し、前記チャンバ内で、前記成膜用基板上に、少なくとも磁性膜とカーボン保護膜とを成膜することによって、磁気記録媒体を製造する方法において、前記キャリアから成膜後の磁気記録媒体を取り外す工程の後、キャリアに成膜用基板を装着する工程の前に、キャリア表面に堆積付着したカーボン保護膜をアッシング除去する工程を設ける。また、キャリア表面に堆積付着したカーボン保護膜をアッシング除去する工程の後、キャリアに成膜用基板を装着する工程の前に、キャリア表面に金属膜を成膜する工程を設ける。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ薄膜形成工程の後工程において、膜質の変質を低減し、また、水素パッシベーションの効果を向上させる。
【解決手段】ＣＶＤ薄膜形成工程から連続的に基板電極を焼成温度以上に予め加熱することによって、ＣＶＤ薄膜形成工程の後工程における薄膜の変質を低減すると同時に、基板の粒界および界面、薄膜内部に残る未結合の水素基の反応を促進し、水素終端率を向上させ、これによって形成される太陽電池の発電効率を向上させる。一形態では、多結晶太陽電池のＳｉＮ（窒化シリコン）反射膜を形成するＣＶＤ装置において、真空チャンバ内に、ＣＶＤによるＳｉＮ薄膜の形成によって、多結晶シリコン基板上にしてＳｉＮ反射膜（窒化シリコン反射膜）を形成するＣＶＤ室と、ＳｉＮ薄膜を形成した後に、ＣＶＤのプロセス温度に維持、又はＣＶＤ温度のプロセス温度以上に加熱する加熱室を備える。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス性を向上させたＣＶＤ装置と、該ＣＶＤ装置を用いて製造して生産性を向上させた半導体装置及び光電変換装置を提供する。
【解決手段】チャンバ本体２１は、底部本体２１Ａ、第一筒体２１Ｂ、第二筒体２１Ｃ、及び蓋体２１Ｄを有し、これらが取外し可能に積重ねられる。チャンバ本体２１は、その空間Ｓに、基板Ｂを載置するステージ２２と、基板Ｂに対向する複数の触媒体Ｗと、各触媒体Ｗに接続される複数の接続端子３２とを有し、また、その蓋体２１Ｄに、各接続端子３２に対応する複数の押圧端子Ｔを有する。そして、蓋体２１Ｄは、第二筒体２１Ｃに積重ねられる状態で、対応する接続端子３２を押圧する。 （もっと読む）

【課題】搬送領域を搬送手段が移動することで、成膜処理を効率的に行う成膜処理システムを提供すること。
【解決手段】基板を成膜するための成膜処理システムは、基板を搬送するための搬送領域と、搬送領域を移動可能に設置された搬送手段であって、基板の収容及び取り出しを行う基板出し入れ手段を備える搬送手段と、前記基板の成膜を行う複数の成膜ユニットと、を有する。前記成膜ユニットのうち少なくとも二つの成膜ユニットは、これらが前記搬送領域を挟んで互いに間隔を開けて対成膜ユニットを形成するように配列される。 （もっと読む）